具体实施方式

本申请实施例通过提供一种接口装置、控制方法、元器件及设备，解决了现有技术中产品的设计需要预留多个接口的技术问题，实现了缩小元器件体积、便于集成的技术效果。

本申请实施例的技术方案为解决上述技术问题，总体思路如下：

接口部件，该接口部件包括第一类型接口和第二类型接口；

切换模块，该切换模块与所述第一类型接口电连接，且所述切换模块与所述第二类型接口电连接；

其中，所述切换模块基于接收到的控制信号，开启所述第一类型接口或所述第二类型接口。

为了更好的理解上述技术方案，下面将结合说明书附图以及具体的实施方式对上述技术方案进行详细的说明。

首先说明，本文中出现的术语“和/或”，仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。另外，本文中字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。

实施例一

本实施例提供了一种接口装置，如图1所示，所述装置包括：

接口部件100，该接口部件100包括第一类型接口101和第二类型接口102；

切换模块200，该切换模块200与所述第一类型接口101电连接，且切换模块200与所述第二类型接口102电连接；

其中，所述切换模块200基于接收到的控制信号，开启所述第一类型接口101或所述第二类型接口102。

在具体实施过程中，本申请实施例提供的接口装置可以应用在手机、相机、电视机、电脑、pad等电子设备上。该接口装置同时提供不同的数据传输方式，实现接口复用从而提高接口的利用率。所述第一类型接口101可以为数字视频端口，所述第二类型接口102可以为移动行业处理器接口。

切换模块200，包含开关使能端口En及开关单元220；开关单元220与所述第一类型接口101电连接，且开关单元220与所述第二类型接口102电连接；开关使能端口En与开关单元220的控制端电连接，以控制所述开关单元220在所述第一类型接口101和所述第二类型102接口中择一导通。

其中，开关单元220的输入端与数据处理模块输出的多个引脚电连接，第一类型接口101和第二类型接口102的数据传输方式不同，并共用所述多个引脚。

作为一种可选实施例，数据处理模块输出有十个引脚，第一类型接口101有十个端口，第二类型接口102有十个端口；其中，第一类型接口101的十个端口和第二类型接口102的十个端口均与所述十个引脚一一对应电连接。

在具体实施过程中，数据处理模块输出的十个引脚：第一引脚1、第二引脚2、第三引脚3、第四引脚4、第五引脚5、第六引脚6、第七引脚7、第八引脚8、第九引脚9及第十引脚10，引脚在图中用图标号1～10表示，端口用字母表示。其中，第一类型接口101包含：D0、D1、D2、D3、D4、D5、D6、D7、D8及D9，第二类型接口102包含：D0P、D0N、D1P、D1N、D2P、D2N、D3P、D3N、CLKP及CLKN。

具体的，第一引脚1通过开关单元220与第一类型接口101的端口电连接，D0以及第一引脚1通过开关单元220与第二类型接口102的端口D0P电连接，通过开关使能端口En对开关单元220的控制，实现第一引脚1在端口D0和端口D0P之间择一导通。同理，第二引脚2通过开关单元220与第一类型接口101的端口D1电连接，以及第二引脚2通过开关单元220与第二类型接口102的端口D0N电连接,通过开关使能端口En对开关单元220的控制，实现第一引脚1在端口D1和端口D0N之间择一导通。

第三引脚3～第十引脚10采用上述相同的电连接方式与第一类型接口101的端口电连接，以及第三引脚3～第十引脚10采用上述相同的电连接方式与第二类型接口102的端口电连接，在此不作累述。

作为一种可选实施例，所述开关单元220包括多个如图2所示的MOS晶体管组，每个所述MOS晶体管组与第一类型接口101的一个端口电连接，并且每个所述MOS晶体管组与第二类型接口102的一个端口均电连接，以控制该第一类型接口和该第二类型接口的端口切换。这样只需要向MOS晶体管组的栅极输入高低电平，就能控制通道的导通与否。当然，开关单元220也可以包含多个三极管，也可以实现以上功能，本实施例不作限定。

具体来讲，如图2所示，一个所述MOS晶体管组包括PMOS晶体管P1和NMOS晶体管N1；其中，所述PMOS晶体管P1的栅极和所述NMOS晶体管N1的栅极均与开关使能端口En电连接；所述PMOS晶体管P1的源极和所述NMOS晶体管N1的源极均与输入数据的数据处理模块的一个引脚电连接；所述PMOS晶体管P1的漏极与第一类型接口101的端口电连接；所述NMOS晶体管N1的漏极与第二类型接口102的端口电连接。

举例来讲，如图2所示，PMOS晶体管P1的栅极和NMOS晶体管N1的栅极均与开关使能端口En电连接，PMOS晶体管P1的源极和NMOS晶体管N1的源极均与图1中的第一引脚1电连接，PMOS晶体管P1的漏极与图1中的端口D0电连接，NMOS晶体管N1的漏极与图1中的端口D0P电连接。这样，通过开关使能端口En输入高电平，则NMOS晶体管N1的源极和漏极导通，进而使得第一引脚1与第二类型接口102的端口D0P导通。通过开关使能端口En输入低电平，则PMOS晶体管P1的源极和漏极导通，进而使得第一引脚1与第一类型接口101的端口D0导通，从而实现第一类型接口101和第二类型接口102的切换，进而实现第一引脚1的共用。

作为一种可选实施例，所述接口装置为摄像单元的接口装置。

作为一种可选实施例，所述每组端口的数据传输方式包括并行输出方式和差分串行传输方式。在具体实施过程中，当采用并行输出方式的类型接口与引脚电连接时，引脚等效为DVP接口。当采用差分串行传输的类型接口与引脚电连接时，引脚等效为MIPI接口。进而使得同一个接口实现多种传输方式的功能。

举例来讲，假设第一类型接口为采用并行输出方式的接口，第二类型接口为采用差分串行传输的接口。当开关使能端口En输入低电平，则各MOS晶体管组中PMOS晶体管的源极和漏极导通，进而使得各引脚与第一类型接口101导通，从而实现并行输出方式，引脚等效为DVP接口。当开关使能端口En输入高电平，则各MOS晶体管组中NMOS晶体管的源极和漏极导通，进而使得各引脚与第二类型接口102导通，从而实现差分串行传输，引脚等效为MIPI接口。这样采用同样的引脚，通过电平的控制，就能实现不同类型接口的切换，以实现接口复用从而提高接口的利用率。

实施例二

如图3所示，本实施例提供了一种控制方法，所述方法用于控制实施例一任一所述的接口装置，所述方法包括：

向所述切换模块输入控制信号，以控制开启所述第一类型接口或所述第二类型接口；

其中，若所述控制信号为低电平，则第一类型接口导通；若所述控制信号为高电平，则第二类型接口导通；其中，所述第一类型接口和所述第二类型接口的数据传输方式不同。

举例来讲，假设第一类型接口为采用并行输出方式的接口，第二类型接口为采用差分串行传输的接口。当控制信号为低电平，则各引脚与第一类型接口101导通，从而实现并行输出方式，引脚等效为DVP接口。当控制信号为高电平，则各引脚与第二类型接口102导通，从而实现差分串行传输，引脚等效为MIPI接口。这样采用同样的引脚，通过电平的控制，就能实现不同类型接口的切换，以实现接口复用从而提高接口的利用率。

实施例三

基于同一发明构思，如图4所示，本实施例提供了一种元器件，包括实施例一任一所述的接口装置。

由于本实施例所介绍的元器件为实施本申请实施例中接口装置所采用的元器件，故而基于本申请实施例中所介绍的接口装置，本领域所属技术人员能够了解本实施例的元器件的具体实施方式以及其各种变化形式，所以在此对于该元器件如何实现本申请实施例中的方法不再详细介绍。只要本领域所属技术人员实施本申请实施例中接口装置所采用的元器件，都属于本申请所欲保护的范围。

实施例四

基于同一发明构思，如图5所示，本实施例提供了一种设备，包括实施例一任一所述的接口装置。

由于本实施例所介绍的设备为实施本申请实施例中接口装置所采用的设备，故而基于本申请实施例中所介绍的接口装置，本领域所属技术人员能够了解本实施例的设备的具体实施方式以及其各种变化形式，所以在此对于该设备如何实现本申请实施例中的方法不再详细介绍。只要本领域所属技术人员实施本申请实施例中接口装置所采用的设备，都属于本申请所欲保护的范围。

上述本申请实施例中的技术方案，至少具有如下的技术效果或优点：

本申请实施例提供了一种接口装置、控制方法、元器件及设备，所述装置包括：接口部件，包括第一类型接口和第二类型接口；切换模块，与所述第一类型接口和所述第二类型接口均电连接；其中，所述切换模块基于接收到的控制信号，开启所述第一类型接口或所述第二类型接口。因此，可以控制接口部件中不同的传输方式的接口导通，以实现接口复用从而提高接口的利用率。所以，解决了现有技术中产品的设计需要预留多个接口的技术问题，实现了缩小元器件体积、便于集成的技术效果。

尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。

显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。