具体实施方式

为了使本申请所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。

需要说明的是，当元件被称为“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者间接在该另一个元件上。当一个元件被称为是“连接于”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或间接连接至该另一个元件上。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

实施例一

请参阅图1，本申请实施例提供一种像素结构的制备方法，制备方法包括如下步骤：

S11、在衬底10上沉积出发光材料定义层104；

S12、在发光材料定义层104中蚀刻出第一发光材料腔体11和第二发光材料腔体12，且第一发光材料腔体11的腔体与第二发光材料腔体12的腔体连通；

S13、向第一发光材料腔体11中喷涂发光材料，以形成第一发光材料层5；

S14、检测第一发光材料腔体11中的发光材料是否经由连通通道13溢出到第二发光材料腔体12中形成第二发光材料层6；

S15、当第二发光材料腔体12形成第二发光材料层6时，停止向第一发光材料腔体11中喷涂发光材料。

在应用中，衬底10即为生产制备的基底，用于支撑原材料，衬底10的材料既可以为类似玻璃的硬质材料，也可以为类似PET等柔性材料，根据实际生产的需要可以灵活地进行选材；绝缘层1起到了绝缘和封装的作用，对于绝缘层1的要求：具有较大的品质因子>3μC/cm²、损耗小、较高的介电常数、高的击穿场强、表面平整无针孔、无缺陷、附着性好。迄今为止所开发研究的绝缘材料大多限于二元单层或多层介质材料,例如:Y2O3、SiO2、Ta2O5、A12O3、HfO2、Si3N4、SrTiO3、BST等，一般这些材料介电常数范围3.9~180，带隙宽度3.5~8.9，击穿场强最大不超过10MV/cm。在本申请中，绝缘层1优选地通过沉积的方式进行制备。本申请中的发光材料优选为有机电致发光材料，其具有的特性为：1由于有机材料具有很好的具有良好的机械加工性能，可在任何基板上成膜；2很多有机发光体都具有较高的荧光量子效率，特别在蓝光区域，一些有机物的荧光效率几乎达100%；3有机物的化学结构可按照设计者的要求进行调整，具有多样性和可塑性；本申请中优选地通过喷墨打印的方式制备添加发光材料；其中有机小分子发光材料又可以分为化合物和金属鳌合物两类。有机小分子化合物种类繁多，其结构中往往带有共扼杂环及各种生色团。如二唑衍生物、芳胺衍生物、葱衍生物以及1,3一丁二烯衍生物等。通过调节小分子化合物的化学结构，可以改变材料的发光波长。

在应用中，沉积方法包括但不限于化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition，CVD）、物理气相沉积（Physical Vapor Deposition，PVD）或原定义层气相沉积（Atomiclayer deposition，ALD）。蚀刻方法包括但不限于光刻蚀、X射线刻蚀、电子束刻蚀和离子束刻蚀；当采用光刻蚀时，先在发光材料定义层104表面涂敷一层光致抗蚀剂层，然后透过与第一发光材料腔体11和第二发光材料腔体12形状相应的掩模对抗蚀剂层进行选择性曝光，由于抗蚀剂层的已曝光部分和未曝光部分在显影液中溶解速度不同，经过显影后在发光材料定义层104表面留下与第一发光材料腔体11和第二发光材料腔体12形状相应的图形，从而刻蚀得到第一发光材料腔体11和第二发光材料腔体12。

在应用中，图1所对应的制备方法，使得基于该制备方法实现的OLED器件的亮度可以保持均一性，同时节约了发光材料，具体实现原理如下：

由于发光材料腔体和电子传输腔体连通，在该制备方法制备OLED器件时，向发光材料腔体中喷涂发光材料，当发光材料腔体中的发光材料喷涂完成形成第一发光材料层时，继续向发光材料腔体中喷涂发光材料，以使得发光材料腔体中的发光材料可以经由发光材料腔体和电子传输腔体之间的连通位置溢出至电子传输腔体中，形成第二发光材料层，此时停止向发光材料腔体中喷涂发光材料，使得电路基板容腔结构中的第一发光材料层的厚度相同，在基于该制备方法制备不同的OLED器件时，可以使所有OLED器件的亮度保持均一性，由于在检测到电子传输腔体中形成第二发光材料层时，即停止向发光材料腔体中喷涂发光材料，避免了继续向发光材料腔体中喷涂发光材料所造成的材料浪费，从而节约了发光材料。

在一个实施例中，连通通道13具有第一尺寸，向第一发光材料腔体11中喷涂发光材料，以形成第一发光材料层5，包括：

以第一速率向第一发光材料腔体11中喷涂红色发光材料，以形成第一厚度的第一发光材料层5；

或者，连通通道13具有第二尺寸，向第一发光材料腔体11中喷涂发光材料，以形成第一发光材料层5，包括：

以第二速率向第一发光材料腔体11中喷涂绿色发光材料，以形成第二厚度的第一发光材料层5；

或者，连通通道13具有第三尺寸，向第一发光材料腔体11中喷涂发光材料，以形成第一发光材料层5，包括：

以第三速率向第一发光材料腔体11中喷涂蓝色发光材料，以形成第三厚度的第一发光材料层5；

其中，第一尺寸、第二尺寸和第三尺寸之间的大小关系为：第三尺寸＞第一尺寸＞第二尺寸；

第一厚度、第二厚度和第三厚度之间的大小关系为：第三厚度＞第一厚度＞第二厚度。

在应用中，第一尺寸、第二尺寸和第三尺寸均指连通通道13的宽度。

在一个实施例中，第一厚度、第二厚度和第三厚度的大小范围均为0.5nm~200nm。

请参阅图2，在一个实施例中，步骤S11之前，包括如下步骤：

S21、在衬底10上沉积出绝缘层1的阳极定义层102；

S22、在阳极定义层102中蚀刻出阳极腔体；

S23、在阳极腔体中沉积出阳极层3；

S24、在阳极定义层102和阳极层3上沉积出绝缘层1的空穴传输定义层103；

S25、在空穴传输定义层103中蚀刻出空穴传输腔体，使得阳极层3的靠近空穴传输定义层103的表面露置于空穴传输腔体中；

S26、在空穴传输腔体中沉积出空穴传输层4。

在应用中，阳极层3用于OLED器件的阳极，阳极层3可以是通过铝、铜或银等金属材料实现的铝金属层、铜金属层或银金属层等，也可以是通过铟锡氧化物Indium Tin Oxide，ITO、氧化铟锌Indium Zinc Oxide，IZO等透明导电材料实现的ITO透明导电层、IZO透明导电层等。应理解，阳极层可包括但不限于通过上述材料实现，阳极层可以是基于上述一种材料实现的单层，也可以是通过上述多种材料实现的多层结构或复合结构。

请参阅图3，在一个实施例中，步骤S21之前，包括如下步骤：

S31、在衬底10上沉积出绝缘层1的电路基板定义层101；

S32、在电路基板定义层101中蚀刻出电路基板腔体，使得衬底10的靠近电路基板定义层101的表面露置于电路基板腔体中；

S33、在电路基板腔体中沉积出电路基板2。

请参阅图4，在一个实施例中，在停止向第一发光材料腔体11中喷涂发光材料之后，包括如下步骤：

S41、在发光材料定义层104、第一发光材料层5和第二发光材料层6上沉积出绝缘层1的电子传输定义层105；

S42、在电子传输定义层105中蚀刻出阴极腔体，使得第一发光材料层11的靠近电子传输定义层105的表面露置于阴极腔体中；

S43、在阴极腔体中沉积出电子传输层7；

S44、在电子传输定义层105和电子传输层7上沉积出绝缘层1的阴极定义层106；

S45、在阴极定义层106中蚀刻出阴极腔体，使得电子传输层7的靠近阴极定义层106表面露置于阴极腔体中；

S46、在阴极腔体中沉积出阴极层8；

S47、在阴极定义层106和阴极层8上沉积出封装层9。

在应用中，图4所对应的制备方法使得OLED器件的性能更加好，有利于进行批量生产。

在应用中，阴极层8的材料可以是铝、铜、银等金属材料，也可以是铟锡氧化物Indium Tin Oxide，ITO、氧化铟锌Indium Zinc Oxide，IZO等透明导电材料，但是不限于这些材料，阴极层8可以是单层膜的结构，也可以是多层膜堆叠的结构。

在应用中，封装层9的材料包括例如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、硅酸乙酯TEOS形成的氧化物、磷硅玻璃PSG、硼磷硅玻璃BPSG、介电常数K低于3 .9的低K介电材料、有机绝缘材料例如，丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂等、其它合适的介电材料或它们的组合。示例性地，低K介电材料包括氟硅玻璃FSG、碳掺杂的氧化硅、聚酰亚胺等及它们的组合。

实施例二

请参阅图5至图7，一种像素结构，包括发光材料定义层104以及设置于发光材料定义层104的至少一个像素发光单元，像素发光单元包括第一发光材料腔体11和第二发光材料腔体12，第一发光材料腔体11的腔体与第二发光材料腔体12的腔体连通。

在应用中，通过喷墨打印的方式向第一发光材料腔体11中喷涂发光材料，发光材料优选为有机光致发光材料，检测第二发光材料腔体12中是否有发光材料；在应用中，当第一发光材料腔体11中的发光材料溢出到第二发光材料腔体12中，检测机构检测到第二发光材料腔体12中的发光材料层时，停止向第一发光材料腔体11中喷涂发光材料，这种生产工艺使得OLED器件中多个第一发光材料腔体11中的发光材料的厚度都相同，在工作中，使得OLED器件的亮度保持均一性，这种生产工艺既节约了发光原材料，又能保证发光材料涂覆均一性，有效地解决了OLED器件发光亮度不均一的问题。

请参阅图8和图11，在一个实施例中，第二发光材料腔体12的腔体的一侧倾斜设置，并与第一发光材料腔体11的腔体的一侧相交设置，形成连通结构，使得第一发光材料腔体11的腔体与第二发光材料腔体12的腔体连通。

在应用中，第一发光材料腔体11腔体的一侧既可以垂直设置，也可以倾斜设置，根据实际工作的需要，灵活地进行设置，与第二发光材料腔体12中倾斜设置腔体的一侧相交设置，形成连通结构，使得第一发光材料腔体11的腔体与第二发光材料腔体12的腔体连通，有利于第一发光材料腔体11中的发光材料溢出到第二发光材料腔体12中。

请参阅图9、图10、图12和图13，在一个实施例中，第二发光材料腔体12的腔体的一侧设置有开口或通孔，第二发光材料腔体12的腔体通过开口或通孔与第一发光材料腔体11的腔体连通。

在应用中，第一发光材料腔体11中的发光材料通过开口或通孔溢出到第二发光材料腔体12中，这个结构设计有利于第一发光材料腔体11中的发光材料溢出到第二发光材料腔体12中。

请参阅图8至图13，在一个实施例中，第一发光材料腔体11为通孔结构。

在应用中，第一发光材料腔体11的两端连接绝缘层1的表面，这种结构设计有利于将第一发光材料层5容置在第一发光材料腔体11的腔体中，进行正常工作。

请参阅图8至图13，在一个实施例中，第二发光材料腔体12为通孔或凹槽。

在应用中，第二发光材料腔体12用于收集第一发光材料腔体11中溢出的发光材料，因此，第二发光材料腔体12的形状可以是多种，根据实际工作的需要可以灵活地进行设置，如图8至图10，第二发光材料腔体12为通孔；如图11至图13，第二发光材料腔体12为凹槽。

在一个实施例中，第二发光材料腔体12与第一发光材料腔体11之间的形状和尺寸大小不同。

在应用中，第二发光材料腔体12与第一发光材料腔体11之间的形状和尺寸大小既可以设置成相同，也可以设置成不同，根据实际工作的需要可以灵活地进行设置。

请参阅图2至图8，在一个实施例中，绝缘层1包括多个像素界定单元，每个像素界定单元中均设置有第一发光材料腔体11和第二发光材料腔体12，像素界定单元为绝缘性结构。

在应用中，这种结构设计有利于根据工作的需要发出不同颜色的光，有利于满足不同工作的需求。

请参阅图14至图18，在一个实施例中，像素结构还包括：绝缘层1，绝缘层1包括像素结构和多个定义层，多个定义层依次叠设，像素结构夹设于多个定义层的中部；以及多个像素单元，多个像素单元均嵌设于绝缘层1中。该像素结构的具体结构参照上述实施例，由于本像素结构采用了上述所有实施例的全部技术方案，因此同样具有上述实施例的技术方案所带来的所有有益效果，在此不再一一赘述。

其中，绝缘层1的材料包括例如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、硅酸乙酯TEOS形成的氧化物、磷硅玻璃PSG、硼磷硅玻璃BPSG、介电常数K低于3 .9的低K介电材料、有机绝缘材料例如，丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂等、其它合适的介电材料或它们的组合。示例性地，低K介电材料包括氟硅玻璃FSG、碳掺杂的氧化硅、聚酰亚胺等及它们的组合。

请参阅图14、图16和图18，其中在一个实施例中，绝缘层1包括发光材料定义层104、阳极定义层102、空穴传输定义层103、电子传输定义层105、阴极定义层106和电路基板定义层101，像素单元包括嵌设于于绝缘层1中的电路基板2、阳极层3、空穴传输层4、第一发光材料层5和第二发光材料层6，电路基板2、阳极层3、空穴传输层4和第一发光材料层5自下至上依次叠设，发光材料定义层104设置有第一发光材料腔体11和第二发光材料腔体12，第一发光材料腔体11的腔体与第二发光材料腔体12的腔体连通，第二发光材料腔体12腔体的一侧倾斜设置，并与第一发光材料腔体11腔体的一侧相交设置，形成相交部，使得第一发光材料腔体11的腔体与第二发光材料腔体12的腔体连通，相交部的底部与第一发光材料层5的上表面齐平设置，第二发光材料层6容置于第二发光材料腔体12中。

在一个实施例中，像素单元还包括电子传输层7，电子传输层7叠设于第一发光材料层5和第二发光材料层6。

在应用中，电子传输层7用于传输电子，电子传输层7既可以是单层结构，也可以是多层复合结构，根据实际工作的需要可以灵活地进行设置。

在一个实施例中，像素单元还包括阴极层8，阴极层8叠设于电子传输层7。

在应用中，阴极层8既可以是单层结构，也可以是多层复合结构，根据实际工作的需要可以灵活地进行设置，这种结构设计有利于OLED器件与电路连接工作。

在一个实施例中，像素单元还包括封装层9，封装层9叠设于阴极层8。

在应用中，设置封装层9避免了外界环境对OLED器件的工作造成干扰，有利于提高OLED器件工作的稳定性。

请参阅图14至图18，在一个实施例中，在电路基板2与阳极层3的接触面中，电路基板2的长度大于阳极层3的长度，电路基板2的宽度均大于阳极层3的宽度。

在应用中，这种结构设计使得阳极层3与电路基板2之间的电连接保持良好，有利于提高OLED器件工作的性能。

请参阅图14至图18，在一个实施例中，像素单元还包括衬底10，绝缘层1叠设于衬底10。

在应用中，设置衬底10有利于移动和安装整体结构，有利于批量化地进行生产。

在一个实施例中，连通通道13具有第一尺寸，第一发光材料层5为第一厚度的红色发光材料层；

或者，连通通道13具有第二尺寸，第一发光材料层5为第二厚度的绿色发光材料层；

或者，连通通道13具有第三尺寸，第一发光材料层5为第三厚度的蓝色发光材料层；

其中，第一尺寸、第二尺寸和第三尺寸之间的大小关系为：第三尺寸＞第一尺寸＞第二尺寸；

第一厚度、第二厚度和第三厚度之间的大小关系为：第三厚度＞第一厚度＞第二厚度。

在一个实施例中，第一厚度、第二厚度和第三厚度的大小范围均为0.5nm~200nm。

在应用中，第三尺寸＞第一尺寸＞第二尺寸；第一厚度、第二厚度和第三厚度的大小范围均为0.5nm~200nm，使得像素结构在发出不同颜色光时的亮度均匀。

实施例三

本申请还提出了一种显示面板，包括形成在衬底10上的像素结构，其中多个像素结构中的至少一个为上述的像素结构，该像素结构的具体结构参照上述实施例，这种显示面板中的多个像素结构中多个第一发光材料腔体11中的第一发光材料层5的厚度都相同，在工作中，使得多个像素结构的亮度保持均一性，这种实施例既节约了发光原材料，又能保证发光材料涂覆均一性，使得显示屏中的多个像素结构的发光亮度均一，色彩过渡自然，由于本显示面板采用了上述所有实施例的全部技术方案，因此同样具有上述实施例的技术方案所带来的所有有益效果，在此不再一一赘述。

在一个实施例中，第二发光材料腔体12设置于显示面板的冗余像素区。

在应用中，第一发光材料腔体11优选地设置于显示面板像素区，第一发光材料腔体11设置于显示面板像素区，第二发光材料腔体12设置于显示面板的冗余像素区避免了对工作区造成干扰。

以上仅为本申请的较佳实施例而已，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。