具体实施方式

下面结合实施例对本发明做进一步说明。

如图3、图4、图5所示，为本申请提出的一种低压开关磁阻电机控制器的开关电源设备，包括依次连接的控制电路、驱动电路、输出电路组成。

控制电路：将输入检测的位置信号、电流、电压信号，产生PWM（脉冲宽度调制信号），控制电机绕组的电流，采用单周期检测，保证电机控制器有良好的线性调整率，实现电路过流保护，信号流入功率场效应晶体管Q1、功率场效应晶体管Q2、功率场效应晶体管Q3、功率场效应晶体管Q6、功率场效应晶体管Q7、功率场效应晶体管Q5组成的放大电路对信号进行放大，通双向钳位二极管D1稳定输入信号，流入二极管D2组成的整流电路会对信号进行分流，并且通过电感L1、电感L2、沟道L4，起到了传递能量和变换电压等级的作用，经过电容C5和电容C6进行能量存储，输出得到稳定的电压信号。

具体而言，所述控制电路包括输入端口IN，双向钳位二极管D1，二极管D2，电阻R8，电容C5，3个电感L1、L2、L4，所述控制电路中输入端口IN分别与是双向钳位二极管D1的一端、电阻R8的一端连接，双向钳位二极管D1的另一端与电感L1的一端连接，电感L1的另一端分别与电感L2的一端、电容C5的一端连接，电感L2的另一端与高电平VCC连接，电容C5的另一端分别与电阻R8的另一端、二极管D2的正极、电感L4的一端连接，电感L4的另一端接地。所述控制电路包括输出端口Va，电容C6，二极管D2，6个功率场效应晶体管Q1、Q2、Q3、Q5、Q6、Q7，所述控制电路中二极管D2的负极分别与功率场效应晶体管Q1的栅极、功率场效应晶体管Q6的栅极、功率场效应晶体管Q2的栅极、功率场效应晶体管Q7的栅极连接，功率场效应晶体管Q1的漏端与高电平VCC连接，功率场效应晶体管Q1的源端与功率场效应晶体管Q6的漏端连接，功率场效应晶体管Q6的源端接地，功率场效应晶体管Q2的漏端与高电平VCC连接，功率场效应晶体管Q2的源端与功率场效应晶体管Q7的漏端连接，功率场效应晶体管Q7的源端接地，功率场效应晶体管Q3的漏端与高电平VCC连接，功率场效应晶体管Q3的源端与功率场效应晶体管Q5的漏端连接，功率场效应晶体管Q5的源端接地，电容C6的一端与功率场效应晶体管Q3的栅极连接，另一端与功率场效应晶体管Q5的栅极连接，输出端口Va与功率场效应晶体管Q5的漏端连接。

驱动电路：采用变压-储能-释放能量-整流-滤波-稳压-再滤波-再稳压-第三次滤波-输出信号，提高电源利用率和负载的输出功率，信号输入至放大器U1的同相输入端，与给定的输入端参考电压进行比较，产生误差电压信号，误差电压信号再通过放大器U2调制器中与锯齿波进行比较，产生复位信号，信号流过功率场效应晶体管Q8、场效应晶体管Q15进行分压得到输出电压反馈信号，经过功率场效应晶体管Q12、功率场效应晶体管Q13以及三极管Q9输出电平信号，控制开关管功率场效应晶体管Q14开启与关断，保障了开关电源设备的电路供电。

具体而言，所述驱动电路包括输入端口Va，双向钳位二极管D4，2个放大器U1、U2，3个电容C12、C14、C15，6个电阻R11、R12、R13、R14、R15、R16，所述驱动电路中输入端口V啊分别与电阻R11的一端、电阻R14的一端、电阻R15的一端连接，电阻R11的另一端与高电平VCC连接，电阻R14的另一端分别与电容C15的一端、放大器U1的1号接口连接，电容C15的另一端分别与电阻R15的另一端、放大器U1的5号接口、地线连接，放大器U1的3号接口与高电平VCC连接，放大器U1的4号接口分别与放大器U1的2号接口、双向钳位二极管D4的一端、电阻R12的一端连接，双向钳位二极管D4的另一端接地，电阻R12的另一端分别与电容C12的一端、电阻R13的一端、放大器U2的2号接口连接，电容C12的另一端与高电平VCC连接，电阻R13的另一端分别与电容C13的一端、电阻R16的一端、放大器U2的4号接口连接，电容C13的另一端与高电平VCC连接，放大器U2的3号接口与高电平VCC连接，放大器U2的1号接口接地，放大器U2的5号接口接地。所述驱动电路包括输出端口Vb，双向钳位二极管D6，2个三极管Q9、Q11，二极管D5，4个场效应晶体管Q15、Q16、Q17、Q18，5个功率场效应晶体管Q8、Q10、Q12、Q13、Q14，3个电容C14、C16、C17，3个电阻R16、R17、R18，所述驱动电路中电阻R16的另一端与场效应晶体管Q15的栅极连接，功率场效应晶体管Q8的源端与高电平VCC连接，功率场效应晶体管Q8的栅极分别与场效应晶体管Q15的漏端、场效应晶体管Q16的源端、功率场效应晶体管Q8的漏端、功率场效应晶体管Q10的栅极、场效应晶体管Q16的栅极、场效应晶体管Q17的栅极、功率场效应晶体管Q12的栅极、电容C17的一端连接，电容C17的另一端接地，场效应晶体管Q15的源端分别与场效应晶体管Q16的漏端、双向钳位二极管D6的一端连接，双向钳位二极管D6的另一端接地，功率场效应晶体管Q10的漏端与高电平VCC连接，功率场效应晶体管Q10的源端与场效应晶体管Q17的漏端连接，场效应晶体管Q17的源端接地，三极管Q9的集电极与高电平VCC连接，三极管Q9的发射极分别与电容C14的一端、功率场效应晶体管Q12的漏端、功率场效应晶体管Q13的源端连接，电容C14的另一端与场效应晶体管Q18的源端连接，场效应晶体管Q18的漏端接地，场效应晶体管Q18的栅极分别与电阻R17的一端、功率场效应晶体管Q12的源端连接，电阻R17的另一端接地，功率场效应晶体管Q13的漏端与电阻R18的一端连接，电阻R18的另一端接地，功率场效应晶体管Q13的栅极分别与电容C16的一端、功率场效应晶体管Q14的栅极、三极管Q11的发射极、功率场效应晶体管Q14的漏端连接，电容C16的另一端接地，三极管Q9的基极分别与高电平VCC、三极管Q11的集电极、三极管Q11的基极连接，功率场效应晶体管Q14的源端与二极管D5的正极连接，二极管D5的负极接地，输出端口Vb与功率场效应晶体管Q14的漏端连接。

输出电路：控制电路大电流输出的要求，起到进一步减小纹波电压的作用，保证输出电压的质量，信号流过三极管Q4，电容C4、电容C9，电阻R2电路处理前级输入信号，起到电路保护作用，经过电感L3和电容C8稳定信号，并且保证了大电流输出的需求，信号流过电容C2进行信号耦合，与二极管D3共同起到稳压作用，信号流过电阻R3，滑动变阻器R5以及电阻R6和电容C3、电容C10电容，起到进一步减小纹波电压的作用，保证了开关电源设备输出电压的质量。

具体而言，所述输出电路包括输入端口Va，三极管Q4，3个电容C1、C4、C9，3个电阻R2、R4、R10，所述输出电路中输入端口Vb与电容C4的负极连接，电容C4的正极分别与电阻R4的一端、三极管Q4的基极、电容C9的一端连接，电阻R4的另一端分别与电阻R2的一端、三极管Q4的集电极连接，电阻R2的另一端与高电平VCC连接，电容C9的另一端分别与三极管Q4的发射极、电阻R10的一端连接，电阻R10的另一端接地。所述输出电路包括输出端口Vout，三极管Q4，二极管D3，电感L3，2个滑动变阻器R5、R7，7个电容C1、C2、C3、C7、C8、C10、C11，4个电阻R1、R3、R6、R9，所述输出电路中三极管Q4的集电极分别与电感L3的一端、电容C8的一端连接，电感L3的另一端分别与电容C8的另一端、电容C2的正极、二极管D3的负极连接，电容C2的另一端分别与电阻R3的一端、电容C7的一端连接，电容C7的另一端与滑动变阻器R7电阻的一端连接，滑动变阻器R7电阻的另一端与电容C11的一端连接，电容C11的另一端接地，电阻R3的另一端分别与电容C3的一端、滑动变阻器R5电阻的一端连接，电容C3的另一端分别与电阻R1的一端、滑动变阻器R5的滑片端、电阻R6的一端、电容C10的一端、电阻R9的一端连接，电容C10的另一端分别与电阻R9的另一端、滑动变阻器R5电阻的另一端连接，电阻R1的另一端遇到高电平VCC连接，电阻R6的另一端分别与输出端口Vout、滑动变阻器R7的滑片端连接。

信号通过控制电路、驱动电路、输出电路的处理，在耗电量较小的情况下，保证了低压开关磁阻电机控制器的开关电源设备稳定的供电输出多路相互隔离的电压，提高了开关设备的工作性能，保障了工作流程的稳定安全高效。

以上对本发明的一个实施例进行了详细说明，但所述内容仅为本发明的较佳实施例，不能被认为用于限定本发明的实施范围。凡依本发明申请范围所作的均等变化与改进等，均应仍归属于本发明的专利涵盖范围之内。