阅读说明：本技术 一种去除掺Sb品腐蚀药液残留的方法 (Method for removing Sb-doped product corrosive liquid medicine residue ) 是由 王建华 贺贤汉 于 2021-08-18 设计创作，主要内容包括：本发明提供了一种去除掺Sb品腐蚀药液残留的方法,包括如下步骤：步骤一,使用一次清洗混合液进行一次清洗,一次清洗混合液为SC-1清洗溶液；步骤二,使用二次清洗混合液进行二次清洗,二次清洗混合液为SC-1清洗溶液；步骤三,使用去离子水一次冲洗；步骤四,使用去离子水二次冲洗；步骤五,使用碱性药液浸泡清洗；步骤六,使用去离子水一次冲洗；步骤七,使用去离子水二次冲洗；步骤八,使用去离子水三次冲洗。本方法可以有效的去除表面的药液残留。(The invention provides a method for removing Sb-doped product corrosive liquid residues, which comprises the following steps: step one, carrying out primary cleaning by using a primary cleaning mixed solution, wherein the primary cleaning mixed solution is an SC-1 cleaning solution; step two, carrying out secondary cleaning by using a secondary cleaning mixed solution, wherein the secondary cleaning mixed solution is an SC-1 cleaning solution; step three, using deionized water for one-time washing; step four, using deionized water for secondary washing; step five, soaking and cleaning by using alkaline liquor; step six, using deionized water to wash for one time; step seven, using deionized water for secondary washing; and step eight, washing with deionized water for three times. The method can effectively remove the residual liquid medicine on the surface.)

一种去除掺Sb品腐蚀药液残留的方法

技术领域

本发明涉及硅片处理技术领域，具体涉及一种去除掺Sb品腐蚀药液残留的方法。

背景技术

在半导体材料硅的表面清洁处理，硅片机械加工后表面损伤层的去除、直接键合硅片的减薄、硅中缺陷的化学腐蚀等方面要用到硅的化学腐蚀过程。

硅表面的化学腐蚀一般采用湿法腐蚀的方式，硅片的表面腐蚀形成随机分布的微小电池，腐蚀电流较大，一般超过了100mA/cm²。但是出于对腐蚀液高纯度和减少可能的金属离子的污染的要求，目前主要使用氢氟酸(HF)，硝酸(HNO₃)和醋酸(CH₃COOH)的混合酸性腐蚀液。

在整个腐蚀和清洗的过程中：晶片腐蚀之后，会进入到溢流槽进行水洗，清洗硅片表面残留的腐蚀药液。但是由于不同的掺杂类型的硅片，清洗硅片的表面的药液能力不同。因此存在部分掺杂的类型晶片会有药液残留的情况。

目前缺乏一种专门适用于去除掺Sb(锑)品腐蚀药液残留的方法。

发明内容

本发明提供了一种去除掺Sb品腐蚀药液残留的方法，已解决以上至少一个技术问题。

为了实现上述目的，本发明所采用的技术方案如下：

本发明提供了一种去除掺Sb品腐蚀药液残留的方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一，使用一次清洗混合液进行一次清洗，一次清洗混合液为SC-1清洗溶液；

步骤二，使用二次清洗混合液进行二次清洗，二次清洗混合液为SC-1清洗溶液；

步骤三，使用去离子水一次冲洗；

步骤四，使用去离子水二次冲洗；

步骤五，使用碱性药液浸泡清洗；

步骤六，使用去离子水一次冲洗；

步骤七，使用去离子水二次冲洗；

步骤八，使用去离子水三次冲洗。

进一步优选地，步骤一以及步骤二中的SC-1清洗溶液为氨水、双氧水和去离子水的混合溶液。

进一步优选地，步骤一中，SC-1清洗溶液的氨水、双氧水的体积比为1:1；SC-1清洗溶液的双氧水与去离子水的体积比为1:5-1：10；

氨水的质量百分比浓度为28％；

双氧水的质量百分比浓度为30％—35％。

进一步优选地，步骤一中，SC-1清洗溶液的温度为50-65℃，清洗时间为3-6min。

进一步优选地，步骤二中，SC-1清洗溶液的氨水、双氧水的体积比为1:1；SC-1清洗溶液的双氧水与去离子水的体积比为1:5-1：10；

氨水的质量百分比浓度为28％；

双氧水的质量百分比浓度为30％—35％。

进一步优选地，步骤二中，SC-1清洗溶液的温度为50-65℃，清洗时间为3-6min。

进一步优选地，步骤三中，去离子水的温度为23℃，冲洗时间为3-6min。

进一步优选地，步骤四中，去离子水的温度为23℃，冲洗时间为3-6min。

进一步优选地，步骤五中，碱性药液为NaOH，质量百分比浓度为40％-49％。

进一步优选地，步骤六中，去离子水的温度为35-60℃，冲洗时间为3-6min。

进一步优选地，步骤七中，去离子水的温度为35-60℃，冲洗时间为3-6min。

附图说明

图1为本发明的流程图；

图2为传统单纯途径磨片清洗以及酸腐蚀后的硅片表面示意图；

图3为磨片清洗以及本发明工艺在进行酸腐蚀后的硅片表面示意图。

具体实施方式

下面结合本发明的附图和实施例对本发明的实施作详细说明，以下实施例是在以本发明技术方案为前提下进行实施，给出了详细的实施方式和具体操作过程，但本发明的保护范围不限于下述的实施例。

参见图1，一种去除掺Sb品腐蚀药液残留的方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一，使用一次清洗混合液进行一次清洗，一次清洗混合液为SC-1清洗溶液；SC-1清洗溶液的温度为50-65℃，清洗时间为3-6min。

SC-1清洗溶液为氨水、双氧水和去离子水的混合溶液。SC-1清洗溶液的氨水、双氧水的体积比为1:1；SC-1清洗溶液的双氧水与去离子水的体积比为1:5-1：10；氨水的质量百分比浓度为28％；双氧水的质量百分比浓度为30％—35％。

步骤二，使用二次清洗混合液进行二次清洗，二次清洗混合液为SC-1清洗溶液；SC-1清洗溶液的温度为50-65℃，清洗时间为3-6min。

SC-1清洗溶液为氨水、双氧水和去离子水的混合溶液。SC-1清洗溶液的氨水、双氧水的体积比为1:1；SC-1清洗溶液的双氧水与去离子水的体积比为1:5-1：10；

氨水的质量百分比浓度为28％；

双氧水的质量百分比浓度为30％—35％。

步骤三，使用去离子水一次冲洗；去离子水的温度为23℃，冲洗时间为3-6min。

步骤四，使用去离子水二次冲洗；去离子水的温度为23℃，冲洗时间为3-6min。

步骤五，使用碱性药液浸泡清洗；碱性药液为NaOH，质量百分比浓度为40％-49％。

步骤六，使用去离子水一次冲洗；去离子水的温度为35-60℃，冲洗时间为3-6min。

步骤七，使用去离子水二次冲洗。去离子水的温度为35-60℃，冲洗时间为3-6min。

步骤八，使用去离子水三次冲洗。去离子水的温度为35-60℃，冲洗时间为3-6min。

磨片清洗和酸腐蚀之间进行的。

步骤一之前进行磨片清洗，步骤八之后进行酸腐蚀。酸腐蚀采用传统的酸腐蚀工艺。酸腐蚀使用氢氟酸(HF)，硝酸(HNO₃)和醋酸(CH₃COOH)的混合酸性腐蚀液。氢氟酸浓度：6～10wt％；硝酸：35～40wt％；醋酸15～20wt％。

本专利通过在磨片清洗以及酸腐蚀之间增加了处理工序。通过对晶片腐蚀前的工艺进行改善，使得腐蚀硅片的表面光泽度提高，从而在腐蚀之后的晶片表面减少药液残留存在，再通过常规清洗，可以有效的去除表面的药液残留，晶片表面参见图3。

图2为传统晶片不进行本专利步骤磨片清洗后直接酸腐蚀的表面示意图。

以上已对本发明创造的较佳实施例进行了具体说明，但本发明创造并不限于所述实施例，熟悉本领域的技术人员在不违背本发明创造精神的前提下还可作出种种的等同的变型或替换，这些等同的变型或替换均包含在本申请权利要求所限定的范围内。