芯片切割用uv減粘膜
阅读说明：本技术 芯片切割用uv減粘膜 (UV reduced adhesive film for chip cutting ) 是由 夏枝巧 朱秀梅 于 2019-03-20 设计创作，主要内容包括：本发明公开了芯片切割用UV減粘膜,包括丙烯酸树脂、环氧树脂交联剂共聚合的胶料、多元不饱和树脂、起始剂混合液和抗静电剂,所述丙烯酸树脂是丙烯酸、甲基丙烯酸及其衍生物聚合物的总称,丙烯酸树脂涂料就是以(甲基)丙烯酸酯、苯乙烯为主体,同其他丙烯酸酯共聚所得丙烯酸树脂制得的热塑性或热固性树脂涂料,或丙烯酸辐射涂料,減粘膜采用特殊研发的玻化温度为-25～-35℃的丙烯酸树脂；本发明采用自行研发的玻化温度为-25～-35℃的丙烯酸树脂,采用自行开发之PO底材,是属于一种环保型材料,有异于国外进口之聚氯乙烯(有毒物质),环氧树脂交联剂共聚合的胶料,烃基高5％以上,不仅使用简单,同时降低了工作难度。(The invention discloses a UV (ultraviolet) reduction adhesive film for chip cutting, which comprises acrylic resin, a sizing material copolymerized by an epoxy resin crosslinking agent, multi-element unsaturated resin, an initiator mixed solution and an antistatic agent, wherein the acrylic resin is a general name of polymers of acrylic acid, methacrylic acid and derivatives thereof, the acrylic resin coating is a thermoplastic or thermosetting resin coating prepared by using (methyl) acrylate and styrene as main bodies and copolymerizing the acrylic resin with other acrylate, or an acrylic radiation coating, and the special developed acrylic resin with the vitrification temperature of-25 to-35 ℃ is adopted for the adhesive film; the invention adopts self-developed acrylic resin with the glass transition temperature of-25 to-35 ℃ and self-developed PO substrate, belongs to an environment-friendly material, has polyvinyl chloride (toxic substance) which is imported from foreign countries, and a sizing material copolymerized by an epoxy resin cross-linking agent, has the hydrocarbon group content higher than 5 percent, is simple to use, and simultaneously reduces the working difficulty.)
本申请是申请日为2019年03月20日、申请号为201910214845.3、发明名称为《芯片切割用UV減粘膜》的分案申请。
技术领域
本发明属于減粘膜技术领域，具体涉及芯片切割用UV減粘膜。
背景技术
UV胶带的结构是底材为PVC膜(聚氯乙烯以下称PVC膜)、UV胶层、离型保护膜(PET离型保护膜以下称离型保护膜)，在使用时为将离型保护膜撕开黏贴于晶圆背面，当切割(划片)加工完成后，经由紫外线从PVC方向照射，其胶带的黏着力急速降低近乎于零，以便于挑捡。
现有的国内采用丙烯酸树脂不适当，以致于黏着效果差、附着力、内聚力不足，易飞晶、易残胶，同时国内多采用3个碳-碳双键的不饱和树脂，胶带降黏差，照射紫外线后黏着力约50g/20mm，完全无法挑拣，内聚力也相对的低，容易发生残胶，不仅增加了工作难度，同时耽搁了工作的顺利进展，带来了经济损失的问题，为此我们提出芯片切割用UV減粘膜。
发明内容
本发明的目的在于提供芯片切割用UV減粘膜，以解决上述背景技术中提出的现有的国内采用丙烯酸树脂不适当，以致于黏着效果差、附着力、内聚力不足，易飞晶、易残胶，同时国内多采用3个碳-碳双键的不饱和树脂，胶带降黏差，照射紫外线后黏着力约50g/20mm，完全无法挑拣，内聚力也相对的低，容易发生残胶，不仅增加了工作难度，同时耽搁了工作的顺利进展，带来了经济损失等问题。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：芯片切割用UV減粘膜，包括丙烯酸树脂、环氧树脂交联剂共聚合的胶料、多元不饱和树脂、起始剂混合液和抗静电剂，其特征在于：所述丙烯酸树脂为玻化温度为-25～-35℃的丙烯酸树脂，所述环氧树脂交联剂共聚合的胶料烃基高5％以上，所述多元不饱和树脂为单一分子含多个碳-碳双键的多元不饱和树脂，所述起始剂混合液为吸收波长为265nm～410nm光起始剂混合液，所述抗静电剂为有机金属抗静电剂。
优选的，所述的UV減粘膜的生产配方为：
玻化温度为-25～-35℃的丙烯酸树脂50％～100％
环氧树脂交联剂0％～5％
单一分子含6个碳-碳双键的多元不饱和树脂0％～50％
光起始剂混合液0％～10％
有机金属抗静电剂0％～3％。
优选的，所述抗静电剂为内加型抗静电剂。
优选的，所述UV減粘膜的生产配方为：
玻化温度为-25～-35℃的丙烯酸树脂80
环氧树脂交联剂20
单一分子含6个碳-碳双键的多元不饱和树脂3
光起始剂混合液2
有机金属抗静电剂0.3。
优选的，所述芯片切割用UV減粘膜的胶层厚度为10μm或20μm。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：
1.本发明采用自行研发的玻化温度为-25～-35℃的丙烯酸树脂，采用自行开发之PO底材，是属于一种环保型材料，有异于国外进口之聚氯乙烯(有毒物质)，环氧树脂交联剂共聚合的胶料，烃基高5％以上，使胶料网状交连、与PO薄膜间的凡德瓦尔力大幅提高，使附着力与内聚力大幅增强，能加工出超薄微成品晶圆，不仅使用简单，同时降低了工作难度，减少了经济损失，增加了工作效率和经济效益。
2.本发明采用单一分子含6个碳-碳双键的多元不饱和树脂，增加光交连反应，同时采用自行研制的吸收波长为265nm～410nm光起始剂混合液，使PO薄膜遮蔽紫外线吸收波段的效应降低，使胶带降黏效果大幅提升，使挑拣率为100％，采用有机金属抗静电剂。
附图说明
图1为本发明的UV减粘膜减粘效果图；
图2为本发明的集成电路制作工艺流程图；
图3为本发明的封装工艺流程图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参阅图1至图3，本发明提供一种技术方案：芯片切割用UV減粘膜，包括丙烯酸树脂、环氧树脂交联剂共聚合的胶料、多元不饱和树脂、起始剂混合液和抗静电剂，丙烯酸树脂是丙烯酸、甲基丙烯酸及其衍生物聚合物的总称，丙烯酸树脂涂料就是以(甲基)丙烯酸酯、苯乙烯为主体，同其他丙烯酸酯共聚所得丙烯酸树脂制得的热塑性或热固性树脂涂料，或丙烯酸辐射涂料，減粘膜采用特殊研发的玻化温度为-25～-35℃的丙烯酸树脂，改善胶层过软或过硬的缺点，避免晶圆背面残胶与铁环(Frame)贴合脱离、切割晶圆(Wafer)之背崩及间格纸(泰维克纸)沾黏，本发明采用自行研发的玻化温度为-25～-35℃的丙烯酸树脂，采用自行开发之PO底材，是属于一种环保型材料，有异于国外进口之聚氯乙烯(有毒物质)，环氧树脂交联剂共聚合的胶料，烃基高5％以上，使胶料网状交连、与PO薄膜间的凡德瓦尔力大幅提高，使附着力与内聚力大幅增强，能加工出超薄微成品晶圆，不仅使用简单，同时降低了工作难度，减少了经济损失，增加了工作效率和经济效益。
为了增加减粘膜的紧固性，本实施例中，优选的，环氧树脂交联剂共聚合的胶料烃基高5％以上，使胶料网状交连、与PVC薄膜间的凡德瓦尔力大幅提高，使附着力与内聚力大幅增强，能加工出超薄微成品晶圆(国内同类产品采用丁基丙烯酸胶料，聚氨酯硬化剂，烃基小，胶料呈线状无网状交连、与聚氯乙烯薄膜间的凡德瓦尔力低，附着力与内聚力低，只能加工出较大尺寸的成品晶圆)；改善晶圆(Wafer)切割时脱胶，本发明采用单一分子含6个碳-碳双键的多元不饱和树脂，增加光交连反应，同时采用自行研制的吸收波长为265nm～410nm光起始剂混合液，使PO薄膜遮蔽紫外线吸收波段的效应降低，使胶带降黏效果大幅提升，使挑拣率为100％，采用有机金属抗静电剂。
为了增加减粘膜的功能性，本实施例中，优选的，多元不饱和树脂是指由二元酸和二元醇经缩聚反应而生成的含有不饱和双键的高分子化合物，本发明采用单一分子含多个碳-碳双键的多元不饱和树脂，增加光交连反应。
为了使得减粘膜的使用效果更佳，本实施例中，优选的，起始剂混合液为特殊研制的吸收波长为265nm～410nm光起始剂混合液，使聚氯乙烯薄膜遮蔽紫外线吸收波段的效应降低，使胶带降黏效果大幅提升，使挑拣率为100％。
为了增加减粘膜的便捷性，本实施例中，优选的，研制的吸收波长为265nm～410nm光起始剂混合液，使PO薄膜遮蔽紫外线吸收波段的效应降低，使胶带降黏效果大幅提升，使挑拣率为100％。
为了增加减粘膜的实用性，本实施例中，优选的，抗静电剂是添加在塑料之中或涂敷于模塑制品的表面，以达到减少静电积累目的的一类添加剂，通常根据使用方法的不同,抗静电剂可分为内加型和外涂型两大类，用于塑料的主要是内加型抗静电剂，UV減粘膜采用有机金属抗静电剂。
为了使得减粘膜配方更加清晰，本实施例中，优选的，生产配方为以下步骤：
步骤一：玻化温度为-25～-35℃的丙烯酸树脂50％～100％
步骤二：环氧树脂交联剂0％～5％
步骤三：单一分子含6个碳-碳双键的多元不饱和树脂0％～50％
步骤四：光起始剂混合液0％～10％
步骤五：有机金属抗静电剂0％～3％。
实施例2
玻化温度为-25～-35℃的丙烯酸树脂：80
单一分子含6个碳-碳双键的多元不饱和树脂：20
吸收波长为265nm～410nm光起始剂：3
环氧树脂交联剂：2
有机金属抗静电剂：0.3
胶层厚度10μm
照光前黏着力：500gf/20mm
照光后黏着力：≦10gf/20mm。
实施例3
玻化温度为-25～-35℃的丙烯酸树脂：75
单一分子含6个碳-碳双键的多元不饱和树脂：25
吸收波长为265nm～410nm光起始剂：3
环氧树脂交联剂：5
有机金属抗静电剂：0.3
胶层厚度10μm
照光前黏着力：300gf/20mm
照光后黏着力：≦10gf/20mm。
实施例4
玻化温度为-25～-35℃的丙烯酸树脂：75
单一分子含6个碳-碳双键的多元不饱和树脂：25
吸收波长为265nm～410nm光起始剂：3
环氧树脂交联剂：10
有机金属抗静电剂：0.3
胶层厚度20μm
照光前黏着力：100gf/20mm
照光后黏着力：≦10gf/20mm。
本发明的工作原理及使用流程：本发明采用自行研发的玻化温度为-25～-35℃的丙烯酸树脂，改善胶层过软或过硬的缺点，避免晶圆背面残胶与铁环(Frame)贴合脱离、切割晶圆(Wafer)之背崩及间格纸(泰维克纸)沾黏，环氧树脂交联剂共聚合的胶料，烃基高5％以上，使胶料网状交连、与PVC薄膜间的凡德瓦尔力大幅提高，使附着力与内聚力大幅增强，能加工出超薄微成品晶圆(国内同类产品采用丁基丙烯酸胶料，聚氨酯硬化剂，烃基小，胶料呈线状无网状交连、与聚氯乙烯薄膜间的凡德瓦尔力低，附着力与内聚力低，只能加工出较大尺寸的成品晶圆)；改善晶圆(Wafer)切割时脱胶，同时采用单一分子含多个碳-碳双键的多元不饱和树脂，增加光交连反应，接着将研制的吸收波长为265nm～410nm光起始剂混合液，使聚氯乙烯薄膜遮蔽紫外线吸收波段的效应降低，使胶带降黏效果大幅提升，使挑拣率为100％，然后将研制的吸收波长为265nm～410nm光起始剂混合液，使PO薄膜遮蔽紫外线吸收波段的效应降低，使胶带降黏效果大幅提升，使挑拣率为100％，最后在减粘膜上的表面涂有机金属抗静电剂，不仅使用简单，同时降低了工作难度，减少了经济损失，增加了工作效率和经济效益。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。
- 上一篇：一种医用注射器针头装配设备
- 下一篇：一种紫外光固化导热胶带及其制备方法和应用