一种利用全回料生长磷化铟单晶的工艺

文档序号:30650 发布日期:2021-09-24 浏览:46次 >En<

阅读说明:本技术 一种利用全回料生长磷化铟单晶的工艺 (Process for growing indium phosphide single crystal by using full-returned material ) 是由 肖雨 李勇 于 2021-05-12 设计创作,主要内容包括:本发明公开了一种利用全回料生长磷化铟单晶的工艺,涉及晶体生长技术领域。本发明的一种利用全回料生长磷化铟单晶的工艺,所述工艺是将回料进行筛分、加工分段得到圆饼料、锥形料和边角料,然后根据原料种类选择相应的装料的方式进行装料,装料完成后,真空封管,进行长晶。本发明的一种利用全回料生长磷化铟单晶的工艺,在后续单晶生长工艺不变的情况下,使用全回料长晶,和现有的长晶工艺相比,成晶率有一定提升,同时减少了回料库存,大大的降低了生产成本。(The invention discloses a process for growing indium phosphide single crystals by using full-returned materials, and relates to the technical field of crystal growth. The invention relates to a process for growing indium phosphide single crystals by using full-return materials, which comprises the steps of screening the return materials, processing and segmenting to obtain round cake materials, conical materials and leftover materials, then selecting a corresponding charging mode according to the types of raw materials to charge, and after charging is finished, sealing a tube in vacuum to grow crystals. According to the process for growing the indium phosphide single crystal by using the full-recycled material, the full-recycled material is used for crystal growth under the condition that the subsequent single crystal growth process is not changed, compared with the existing crystal growth process, the crystal forming rate is improved to a certain extent, the recycled material inventory is reduced, and the production cost is greatly reduced.)

一种利用全回料生长磷化铟单晶的工艺

技术领域

本发明涉及晶体生长

技术领域

,尤其涉及一种利用全回料生长磷化铟单晶的工艺。

背景技术

磷化铟(InP)是重要的III-V族化合物半导体材料之一,是继硅、砷化镓之后的新一代电子功能材料。随着当前光纤通信和高速电子器件以及高效太阳能电池的快速发展,InP的一系列优越特性得以发挥,也引起人们越来越多的关注。现在主流的磷化铟单晶生长方法是VGF(垂直梯度凝固法)或VB(垂直布里奇曼法),它的优点是可以稳定的生长低位错晶体、适用于大规模生产,缺点也很明显,生长速率慢,长晶过程中难以观察,受外界温场、压力、杂质等影响因素较大,且磷化铟在熔点温度为1335±7K时,磷的离解压为27.5MPa,这些情况导致单晶成晶率低,一般只有30%左右,剩余的70%在加工后作为单晶回料闲置。

在现有的磷化铟单晶制备工艺中,为了将回料进行利用,会将回料和多晶料按照1:5以内的质量比进行混合,相当于每管只能使用17%的回料,会造成回料越积越多,成本的闲置浪费,而多晶料消耗过多不够使用,影响大规模化生产。因此,如果能设计一种全回料的磷化铟单晶长晶工艺,不仅解决了浪费的为题,并且能够极大的控制生产成本。

发明内容

针对上述问题,本发明的目的在于公开一种利用全回料生长磷化铟单晶的工艺,在后续单晶生长工艺不变的情况下,使用全回料长晶,和现有的长晶工艺相比,成晶率有一定提升,同时减少了回料库存,大大的降低了我们的生产成本。

具体的,本发明的一种利用全回料生长磷化铟单晶的工艺,所述工艺是将回料进行筛分、加工分段得到圆饼料、锥形料和边角料,然后根据原料种类选择相应的装料的方式进行装料,装料完成后,真空封管,进行长晶。

进一步,所述圆饼料包括薄圆饼料和厚圆饼料。

进一步,所述回料的筛分、加工分段具体操作为:将回料进行筛分,选出全料、边角料和薄圆饼料,将全料的锥形段和直筒段进行切割,再将直筒段远离锥形段的一端切除1-2mm,得到厚圆饼料,将锥形料进行切割得到锥台料和小头。

进一步,装料步骤具体操作为:

S1:在厚圆饼料以及厚度超过30mm的薄圆饼料的中间位置,于相对称的两个位置开设两个盲孔,在两个所述盲孔内均填充上掺杂剂;

S2:在坩埚的籽晶腔内放入籽晶,并用BN棒固定;

S3:将锥台料放入坩埚内,然后再放入红磷和氧化硼,再放入薄圆饼料或厚圆饼料;

或将小头放入坩埚内,然后放入氧化硼和红磷,再放入边角料,最后放入厚圆饼料。

进一步,所述掺杂剂的质量为相对应的厚圆饼料或薄圆饼料的质量的0.01%。

进一步,在装料之前,还包括清洗步骤包括打磨清洗、化学清洗、超声清洗、脱水工序。

进一步,所述清洗步骤具体为:

打磨清洗:用砂纸打磨掉回料上的PBN坩埚碎片、胶条、棱角,至手指触摸边角不划手,然后用去离子水干净;

化学清洗:将清洗干净的回料,于酸溶液中浸泡10min,用去离子水冲洗赶紧后于碱混合液中浸泡2h,捞出用去离子水反复冲洗3次;

超声清洗:化学清洗完成后的物料,于频率为40KHz的超声条件下,用去离子水进行超声波振洗0.5~1h,然后注水溢流1分钟再从底部放干水,再重新注满去离子水,重复超声振洗3次;

脱水:超声振洗结束后用去离子水冲洗回料表面、缝隙、孔洞,并喷洒UP级无水乙醇脱水,放入超洁净工作台风干。

进一步,所述酸溶液为硝酸和去离子水混合液,硝酸和去离子的体积比为1:5。

进一步,所述碱混合溶液为氨水和双氧水的混合液,所述氨水和双氧水的体积比为1:3。

本发明的有益效果:

1、本发明公开了一种利用全回料生长磷化铟单晶的工艺,在后续单晶生长工艺不变的情况下,使用全回料长晶,和现有的长晶工艺相比,成晶率有一定提升,同时减少了回料库存,大大的降低了生产成本。

2、本发明的一种利用全回料生长磷化铟单晶的工艺,使用全回料长晶,还可以减少杂质对长晶过程带来的影响,提高成晶率,且由于长晶的过程中,掺杂剂的熔点一般都高于磷化铟的熔点,一般都是靠气氛扩散掺杂,掺杂剂多少能进入磷化铟熔体中很不好控制,而回料是已经含有部分掺杂剂,因此使用全回料还可以适当减少掺杂剂量,提高磷化铟晶体的电性能参数,不仅提高了质量,还节约了成本。

附图说明

图1是实施例装料后坩埚内物料各位置的示意图一;

图2是实施例装料后坩埚内物料各位置的示意图二;

其中,边角料1、薄圆饼料2、厚圆饼料3、锥台料4、小头5、盲孔6、坩埚7、籽晶8、BN棒9、红磷10、氧化硼11。

具体实施方式

以下将结合具体实施例对本发明进行详细说明:

本发明的一种利用全回料生长磷化铟单晶的工艺,所述工艺是将回料进行筛分、加工分段得到圆饼料、锥形料和边角料,然后根据原料种类选择相应的装料的方式进行装料,装料完成后,真空封管,进行长晶。具体如下:

实施例

回料的筛分、加工分段

将回料进行筛分,选出全料、边角料1和薄圆饼料2,全料是整个晶棒都没有成单晶的回料,边角料1是晶棒有部分长成单晶,加工后剩余的,无固定形状的回料,薄圆饼料2是晶棒有部分长成单晶,加工后剩下的呈圆饼状的回料,将全料的锥形段和直筒段进行切割,再将直筒段远离锥形段的一端切除1-2mm,得到厚圆饼料3,将锥形料进行切割得到锥台料4和小头5,小头5的底部直径尺寸为5~10mm,厚尺寸为15~25mm,上部直径尺寸为25~35mm,在长晶过程中,富磷或富铟等杂质会慢慢凝固在晶棒尾部上,因此将直筒段尾部料切除,从而提高了回料的纯度。

清洗

打磨清洗:用砂纸打磨掉回料上的PBN坩埚碎片、胶条、棱角,至手指触摸边角不划手,防止装料时划伤坩埚内表面的氧化层,然后用去离子水冲洗干净,洗掉打磨后的杂质和残留物。

化学清洗:将清洗干净的回料,于UP级硝酸和去离子水按照1:5的体积比混合后制得的酸溶液中浸泡10min,用去离子水冲洗干净后于氨水和双氧水按照1:3的体积比混匀后制得的碱混合液中浸泡2h,捞出用去离子水反复冲洗3次,通过酸洗和碱洗反应掉磷化铟回料表面的磷、铟或其氧化物,进一步提高回料的纯度。

超声清洗:化学清洗完成后的物料,于频率为40KHz的超声条件下,用去离子水进行超声波振洗0.5~1h,然后注水溢流1min将表面漂浮的杂质去除,再从底部放干水,重新注满去离子水后,重复超声振洗3次,分离出回料表面、缝隙、孔洞中的细颗粒杂质并排走。

脱水:超声振洗结束后用去离子水冲洗回料表面、缝隙、孔洞,并喷洒UP级无水乙醇脱水,放入超洁净工作台风干,控制物料水分。

装料

S1:在厚圆饼料3以及厚度超过30mm的薄圆饼料2的中间位置,于相对称的两个位置开设两个盲孔6,在两个所述盲孔6内均填充上掺杂剂,掺杂剂的质量为相对应的厚圆饼料3或薄圆饼料2的质量的0.01%。

S2:在坩埚7的籽晶腔内放入籽晶8,并用BN棒9固定。

S4:将锥台料4放入坩埚7内,然后再放入红磷10和氧化硼11,再放入薄圆饼料2或厚圆饼料3;

或将小头5放入坩埚7内,然后放入氧化硼11和红磷10,再放入边角料1,最后放入厚圆饼料3。回料的总质量和红磷、氧化硼的质量比按照常规的长晶的比例即可。

将装料完成的PBN坩埚7装入石英管内,管口放入石英帽,在再用氢氧焰将石英管和石英帽焊接在一起,保证石英管内的真空度,焊好的石英管可以放入单晶炉内,按照常规的方式进行长单晶即可。

将实施例制备得到晶棒,进行测试,同时以现有的方法制备得到的晶棒,即将回料和多晶料按照1:5的质量比混合作为原料进行长晶,作为对比,测试结果如表1所示:

表1

从表1中数据可以看出,本发明的全回料晶棒的载流子浓度均匀性更好,EPD更低,成晶率也有一定的提高,可以证明,本发明的全回料长晶工艺不仅能够将回料充分利用,同时还能够在一定程度上得到质量更好的晶棒。

以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制,尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明,本领域的普通技术人员应当理解,可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换,而不脱离本发明技术方案的宗旨和范围,其均应涵盖在本发明的权利要求范围当中。本发明未详细描述的技术、形状、构造部分均为公知技术。

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