具体实施方式

为使本发明的目的、内容、和优点更加清楚，下面结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。

为解决现有技术问题，本发明提供一种基于MOSFET的电磁换向阀节能驱动电路，如图1所示，所述电磁换向阀节能驱动电路包括：电源模块、占空比设置模块、信号给定模块、延时模块、MOSFET驱动模块、状态反馈模块、保护电路模块、PWM控制芯片UC2843B、控制器W77E58以及上位机；

所述电磁换向阀节能驱动电路的功能为：通过上位机给定控制器信号，实现电磁换向阀通断控制；通过PWM控制芯片控制阀用电磁铁输出功率，达到节能的目的；

所述电源模块采用KBP208G整流器芯片，用于将输入的交流电整流稳压为符合要求的直流电并输送给PWM控制芯片UC2843B和阀用电磁铁；

所述占空比设置模块用于设置PWM控制芯片UC2843B的输出占空比；

所述信号给定模块采用W77E58控制器，用于将控制器的开关指令传送到PWM控制芯片UC2843B；

所述延时模块用于实现PWM控制芯片UC2843B的延时改变占空比；

所述MOSFET驱动模块采用SPA02N80C3型MOSFET开关器件，用于接收PWM控制芯片UC2843B的PWM输出信号，实现阀用电磁铁两端有效电压的改变；

所述状态反馈模块用于将阀用电磁铁的开关状态反馈给上位机；

所述保护电路模块用于实现PWM控制芯片UC2843B的过流保护功能。

该电路采用W77E58控制器进行控制电路设计，极大地降低了电源消耗，并且提高了其与上位机之间的数据传输速度。该电路采用UC2843B作为电路的PWM控制芯片，可以实现精准的占空比控制，并且有利于吸收高峰电流。

实施例1

如图1所示，本实施例提供一种基于MOSFET的电磁换向阀节能驱动电路，其包括电源模块、占空比设置模块、信号给定模块、延时模块、MOSFET驱动模块、状态反馈模块、保护电路模块、PWM控制芯片UC2843B、控制器W77E58以及上位机。

所述电源模块采用KBP208G整流芯片，将输入的交流电整流稳压为符合要求的直流电并输送给PWM控制芯片UC2843B和阀用电磁铁。

所述占空比设置模块用来设置PWM控制芯片UC2843B的输出占空比。

所述信号给定模块采用W77E58控制器，将开关指令传送到PWM控制芯片。

所述延时模块实现控制芯片延时改变占空比。

所述MOSFET驱动模块采用SPA02N80C3型MOSFET接收PWM控制芯片的PWM输出信号，实现阀用电磁铁两端有效电压的改变。

所述状态反馈模块将阀用电磁铁的开关状态反馈给上位机。

所述保护电路模块实现PWM控制芯片UC2843B的过流保护功能。

参考图2延时电路图，阀用电磁铁在开启时需要较大的磁力吸合，开启动作完成后的保持阶段需要的电磁吸力会减少很多。所以设计延时电路，系统上电后的一小段时间不向控制芯片输入电压信号，电磁铁两边加有效值较大的开启电压，开启动作结束后延时电路向PWM控制芯片输出一电压信号，从而改变PWM输出波形占空比，达到改变电磁铁两端有效电压的目的。当5V电压加到电路中时，C14电解电容立即充电，此时三极管V4基极有电压加持，V4导通，R24、R25与GND连接，三极管V3基极电压为R25、R26并联分压，电压较小，V3不导通，Vfb输出电压为零。当电解电容C14充电完成，C14、R21与电源组成的通路被切断，三极管V4基极电压变为零，V4关断，此时R24、R26与电源组成的通路导通，三极管V3基极电压为R26分压，V3基极达到导通电压，V3导通，Vfb有电压输出。电阻R20、R21与二极管VD9组成的回路可加速电解电容放电。

参考图3振荡频率设置及电流反馈电路图，Ise连接驱动芯片电流反馈端口，RCt连接振荡频率设置端口，S端连接主回路MOSFET源极。R8、R9、C9组成振荡频率设置电路，通过设置这三个参数可自由改变UC2843B的振荡频率。

参考图4信号给定电路图，系统通过控制器给PWM控制芯片发送指令。主控单片机向电路输入电压信号In，光电隔离器TF1导通，+15V电压、R5通路导通，三极管V1基极电压加持，V1导通，Vcc输出+15V直流电压。电容C5、C6起到滤波的作用，发光二极管VD4为信号指示。

以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变形，这些改进和变形也应视为本发明的保护范围。