一种二极管生产加工用刻蚀装置及其使用方法
阅读说明：本技术 一种二极管生产加工用刻蚀装置及其使用方法 (Etching device for diode production and processing and use method thereof ) 是由 华铁军 黄春城 于 2021-08-17 设计创作，主要内容包括：本发明公开了一种二极管生产加工用刻蚀装置及其使用方法,包括调整机构和静电机构,承接内筒外圈的静电机构环绕传动机构进行螺旋旋转,利用外接触件与拨动排列轴进行接触,二者之间摩擦产生静电,因外接触件的环形阵列开设,使其成为一个类圆状,从而产生的静电形成一类圆状电场,产生的类圆形静电场直径大于刻蚀衬底的直径,使其能够对刻蚀衬底上的二极管进行限位,产生的静电场通过外伸横杆对其进行吸引,使产生的静电场的边缘高度提升,使整体静电场成为类倒漏斗状,对湿法刻蚀时的化学反应生成的物质进行吸附,且能够对密闭器皿中的杂质进行阻隔,使刻蚀衬底上的二极管接触杂质减少。(The invention discloses an etching device for producing and processing diodes and a using method thereof, the etching device comprises an adjusting mechanism and an electrostatic mechanism, the electrostatic mechanism for bearing the outer ring of an inner cylinder rotates spirally around a transmission mechanism, an outer contact member is contacted with a toggle arrangement shaft, the outer contact member and the toggle arrangement shaft generate static electricity by friction, the outer contact member is formed into a similar circle shape due to the annular array of the outer contact member, so that the generated static electricity forms a quasi-circular electric field, the diameter of the generated quasi-circular static electric field is larger than that of the etched substrate, the generated quasi-circular static electric field can limit the diode on the etched substrate, the generated static electric field is attracted by the overhanging cross rod, the edge height of the generated static electric field is improved, and the whole static electric field is in a quasi-funnel shape, the material generated by chemical reaction in wet etching is adsorbed, and impurities in a closed vessel can be blocked, so that the contact impurities of the diode on the etching substrate are reduced.)
技术领域
本发明涉及二极管生产技术领域，尤其涉及一种二极管生产加工用刻蚀装置及其使用方法。
背景技术
二极管是最早诞生的半导体器件之一，其应用非常广泛。特别是在各种电子电路中，利用二极管和电阻、电容、电感等元器件进行合理的连接，构成不同功能的电路，可以实现对交流电整流、对调制信号检波、限幅和钳位以及对电源电压的稳压等多种功能。
专利号CN201910049595.2公开了一种二极管生产加工用刻蚀装置，包括机壳、泵机壳、储存罐、保护壳和水冷管，所述保护壳位于机壳顶部，所述机壳的顶部表面一体成型有轨道B，所述保护壳通过滑块安装在轨道B上，所述保护壳的顶部表面固定有固定板A，所述固定板A连接的保护壳顶部一面通过合页与保护壳侧面进行连接，所述保护壳远离泵机壳一侧设置有把手，所述把手一端与连接杆螺纹连接，所述连接杆远离把手一端连接有固定板C，所述固定板C固定于固定板B的上表面。此发明解决了具备实用性强、便于使用等优点，解决了效率不高，且散热不强的问题，但无法利用静电场对湿法刻蚀时的化学反应生成的物质进行吸附，且能够对密闭器皿中的杂质进行阻隔。
专利号CN201921378453.2公开了一种二极管生产加工用刻蚀装置，包括上电极板、下电极板和等离子体，所述等离子体设在所述上电极板的下表面，所述上电极板与所述等离子体的外侧设置有刻蚀枪，所述刻蚀枪为圆柱形空心腔体，所述刻蚀枪的上端侧壁设有进气风扇，所述刻蚀枪的下端设有喷气口，所述刻蚀枪的下端外侧壁插接有防护罩，此专利解决了刻蚀衬底上的二极管接触杂质减少。
为此，我们提出一种二极管生产加工用刻蚀装置及其使用方法来解决上述问题。
发明内容
本发明的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，利用产生的静电场通过外伸横杆对其进行吸引，使产生的静电场的边缘高度提升，使整体静电场成为类倒漏斗状，对湿法刻蚀时的化学反应生成的物质进行吸附，且能够对密闭器皿中的杂质进行阻隔，使刻蚀衬底上的二极管接触杂质减少，而提出的一种二极管生产加工用刻蚀装置及其使用方法。
为了实现上述目的，本发明采用了如下技术方案：一种二极管生产加工用刻蚀装置，包括调整机构和静电机构，所述调整机构包括安装盘、安装竖筒、旋转轴、串联外筒、连接件、连接筒、外伸横杆、承接内筒和传动机构，所述安装盘的下端安装有安装竖筒，所述安装竖筒的内腔贯穿设置有旋转轴，所述旋转轴的另一端外圈套接有串联外筒，所述串联外筒的两端通过连接件与连接筒内端面连接，所述连接筒的外端面开设有外伸横杆，所述连接筒的上端安装有承接内筒，所述安装竖筒的外圈安装有传动机构，所述承接内筒的外圈套接有静电机构，所述静电机构包括限位外筒、边缘腔、边缘开腔和接触机构，所述限位外筒的两端均开设有边缘腔，所述边缘腔之间设置有边缘开腔，所述边缘开腔的内腔横向设置有接触机构，将安装盘11吊挂于密闭器皿的内腔顶端，安装竖筒12的内腔安装外接电机，使其与旋转轴13的顶端能够进行旋转配合，使串联外筒14在旋转轴13的带动下进行同向旋转，从而驱使连接件15外端的连接筒16进行旋转，承接内筒18外圈的静电机构2环绕传动机构19进行螺旋旋转。
优选的，所述传动机构包括内串联环、旋转盘、外接触件和通透腔，所述内串联环的外圈安装有旋转盘，所述旋转盘的外圈环形阵列开设有外接触件，所述外接触件的侧端开设有通透腔。
优选的，所述接触机构包括横安装筒、中通腔、双耳横杆和拨动排列轴，所述横安装筒的内腔设置有中通腔，所述横安装筒的两端均安装有双耳横杆，所述双耳横杆的外端排列设置有拨动排列轴。
优选的，所述拨动排列轴包括内连接机构、连接块、活动连块和接触棒，所述内连接机构的侧端开设有连接块，所述连接块的另一端通过活动连块与接触棒活动连接。
优选的，所述活动连块为一种合成橡胶材质制成的构件。
优选的，所述外接触件的设置宽度使其能够与接触棒横向接触。
优选的，所述中通腔与双耳横杆的内腔贯穿。
优选的，所述内串联环的内腔壁与安装竖筒外端壁贴合，且旋转盘的开设高度不超过边缘腔的开设高度。
优选的，所述外伸横杆为一种合金材质制成的构件，产生的静电场通过外伸横杆17对其进行吸引，使产生的静电场的边缘高度提升，使整体静电场成为类倒漏斗状，对湿法刻蚀时的化学反应生成的物质进行吸附，且能够对密闭器皿中的杂质进行阻隔，使刻蚀衬底上的二极管接触杂质减少。
本发明提出的另一种技术方案：提供一种铸钢砂生产装置的方法，包括以下步骤：
S1：将整体装置放置于密闭器皿内，将氩气分解为氩离子，氩离子经过阳极电场的加速对样品表面进行化学反应；
S2：将安装盘吊挂于密闭器皿的内腔顶端，安装竖筒的内腔安装外接电机，使其与旋转轴的顶端能够进行旋转配合，使串联外筒在旋转轴的带动下进行同向旋转，从而驱使连接件外端的连接筒进行旋转，承接内筒外圈的静电机构环绕传动机构进行螺旋旋转；
S3：利用外接触件与拨动排列轴进行接触，二者之间摩擦产生静电，因外接触件的环形阵列开设，使其成为一个类圆状，从而产生的静电形成一类圆状电场，产生的类圆形静电场直径大于刻蚀衬底的直径，使其能够对刻蚀衬底上的二极管进行限位；
S4：产生的静电场通过外伸横杆对其进行吸引，使产生的静电场的边缘高度提升，使整体静电场成为类倒漏斗状，对湿法刻蚀时的化学反应生成的物质进行吸附，且能够对密闭器皿中的杂质进行阻隔，使刻蚀衬底上的二极管接触杂质减少。
与现有技术相比，本发明的有益效果为：
1、本发明提出的一种二极管生产加工用刻蚀装置及其使用方法，将整体装置放置于密闭器皿内，将氩气分解为氩离子，氩离子经过阳极电场的加速对样品表面进行化学反应，将安装盘吊挂于密闭器皿的内腔顶端，安装竖筒的内腔安装外接电机，使其与旋转轴的顶端能够进行旋转配合，使串联外筒在旋转轴的带动下进行同向旋转，从而驱使连接件外端的连接筒进行旋转，承接内筒外圈的静电机构环绕传动机构进行螺旋旋转，利用外接触件与拨动排列轴进行接触，二者之间摩擦产生静电，因外接触件的环形阵列开设，使其成为一个类圆状，从而产生的静电形成一类圆状电场。
2、本发明提出的一种二极管生产加工用刻蚀装置及其使用方法，产生的类圆形静电场直径大于刻蚀衬底的直径，使其能够对刻蚀衬底上的二极管进行限位，产生的静电场通过外伸横杆对其进行吸引，使产生的静电场的边缘高度提升，使整体静电场成为类倒漏斗状，对湿法刻蚀时的化学反应生成的物质进行吸附，且能够对密闭器皿中的杂质进行阻隔，使刻蚀衬底上的二极管接触杂质减少。
附图说明
图1为本发明提出的一种二极管生产加工用刻蚀装置的整体结构图；
图2为调整机构结构示意图；
图3为传动机构结构示意图；
图4为静电机构结构示意图；
图5为接触机构结构示意图；
图6为拨动排列轴结构示意图。
图中：1、调整机构；11、安装盘；12、安装竖筒；13、旋转轴；14、串联外筒；15、连接件；16、连接筒；17、外伸横杆；18、承接内筒；19、传动机构；191、内串联环；192、旋转盘；193、外接触件；194、通透腔；2、静电机构；21、限位外筒；22、边缘腔；23、边缘开腔；24、接触机构；241、横安装筒；242、中通腔；243、双耳横杆；244、拨动排列轴；2441、内连接机构；2442、连接块；2443、活动连块；2444、接触棒。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。
实施例1
参照图1-4，一种二极管生产加工用刻蚀装置，包括调整机构1和静电机构2，调整机构1包括安装盘11、安装竖筒12、旋转轴13、串联外筒14、连接件15、连接筒16、外伸横杆17、承接内筒18和传动机构19，安装盘11的下端安装有安装竖筒12，安装竖筒12的内腔贯穿设置有旋转轴13，旋转轴13的另一端外圈套接有串联外筒14，串联外筒14的两端通过连接件15与连接筒16内端面连接，连接筒16的外端面开设有外伸横杆17，连接筒16的上端安装有承接内筒18，安装竖筒12的外圈安装有传动机构19，承接内筒18的外圈套接有静电机构2，静电机构2包括限位外筒21、边缘腔22、边缘开腔23和接触机构24，限位外筒21的两端均开设有边缘腔22，边缘腔22之间设置有边缘开腔23，边缘开腔23的内腔横向设置有接触机构24，将安装盘11吊挂于密闭器皿的内腔顶端，安装竖筒12的内腔安装外接电机，使其与旋转轴13的顶端能够进行旋转配合，使串联外筒14在旋转轴13的带动下进行同向旋转，从而驱使连接件15外端的连接筒16进行旋转，承接内筒18外圈的静电机构2环绕传动机构19进行螺旋旋转，传动机构19包括内串联环191、旋转盘192、外接触件193和通透腔194，内串联环191的外圈安装有旋转盘192，旋转盘192的外圈环形阵列开设有外接触件193，外接触件193的侧端开设有通透腔194，内串联环191的内腔壁与安装竖筒12外端壁贴合，且旋转盘192的开设高度不超过边缘腔22的开设高度。
实施例2
参照图5和6，一种二极管生产加工用刻蚀装置，接触机构24包括横安装筒241、中通腔242、双耳横杆243和拨动排列轴244，横安装筒241的内腔设置有中通腔242，横安装筒241的两端均安装有双耳横杆243，双耳横杆243的外端排列设置有拨动排列轴244，利用外接触件193与拨动排列轴244进行接触，二者之间摩擦产生静电，因外接触件193的环形阵列开设，使其成为一个类圆状，从而产生的静电形成一类圆状电场，产生的类圆形静电场直径大于刻蚀衬底的直径，使其能够对刻蚀衬底上的二极管进行限位，中通腔242与双耳横杆243的内腔贯穿，拨动排列轴244包括内连接机构2441、连接块2442、活动连块2443和接触棒2444，内连接机构2441的侧端开设有连接块2442，连接块2442的另一端通过活动连块2443与接触棒2444活动连接，活动连块2443为一种合成橡胶材质制成的构件，外接触件193的设置宽度使其能够与接触棒2444横向接触。
实施例3
参照图1-6，一种二极管生产加工用刻蚀装置的使用方法，外伸横杆17为一种合金材质制成的构件，产生的静电场通过外伸横杆17对其进行吸引，使产生的静电场的边缘高度提升，使整体静电场成为类倒漏斗状，对湿法刻蚀时的化学反应生成的物质进行吸附，且能够对密闭器皿中的杂质进行阻隔，使刻蚀衬底上的二极管接触杂质减少。
为了更好的展现一种二极管生产加工用刻蚀装置的使用方法，本实施例现提出一种二极管生产加工用刻蚀装置的使用方法，包括以下步骤：
S1：将整体装置放置于密闭器皿内，将氩气分解为氩离子，氩离子经过阳极电场的加速对样品表面进行化学反应；
S2：将安装盘11吊挂于密闭器皿的内腔顶端，安装竖筒12的内腔安装外接电机，使其与旋转轴13的顶端能够进行旋转配合，使串联外筒14在旋转轴13的带动下进行同向旋转，从而驱使连接件15外端的连接筒16进行旋转，承接内筒18外圈的静电机构2环绕传动机构19进行螺旋旋转；
S3：利用外接触件193与拨动排列轴244进行接触，二者之间摩擦产生静电，因外接触件193的环形阵列开设，使其成为一个类圆状，从而产生的静电形成一类圆状电场，产生的类圆形静电场直径大于刻蚀衬底的直径，使其能够对刻蚀衬底上的二极管进行限位；
S4：产生的静电场通过外伸横杆17对其进行吸引，使产生的静电场的边缘高度提升，使整体静电场成为类倒漏斗状，对湿法刻蚀时的化学反应生成的物质进行吸附，且能够对密闭器皿中的杂质进行阻隔，使刻蚀衬底上的二极管接触杂质减少。
工作原理：将整体装置放置于密闭器皿内，将氩气分解为氩离子，氩离子经过阳极电场的加速对样品表面进行化学反应，将安装盘11吊挂于密闭器皿的内腔顶端，安装竖筒12的内腔安装外接电机，使其与旋转轴13的顶端能够进行旋转配合，使串联外筒14在旋转轴13的带动下进行同向旋转，从而驱使连接件15外端的连接筒16进行旋转，承接内筒18外圈的静电机构2环绕传动机构19进行螺旋旋转，利用外接触件193与拨动排列轴244进行接触，二者之间摩擦产生静电，因外接触件193的环形阵列开设，使其成为一个类圆状，从而产生的静电形成一类圆状电场，产生的类圆形静电场直径大于刻蚀衬底的直径，使其能够对刻蚀衬底上的二极管进行限位，产生的静电场通过外伸横杆17对其进行吸引，使产生的静电场的边缘高度提升，使整体静电场成为类倒漏斗状，对湿法刻蚀时的化学反应生成的物质进行吸附，且能够对密闭器皿中的杂质进行阻隔，使刻蚀衬底上的二极管接触杂质减少。
需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。
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