具体实施方式

在下文中，将参照附图详细描述本公开的实施例，需要注意的是，示例不限于此。

提供以下具体实施方式以帮助读者获得对这里所描述的方法、设备和/或系统的全面理解。然而，这里所描述的方法、设备和/或系统的各种变化、修改及等同方案在理解本公开内容后将是明显的。例如，这里所描述的操作顺序仅仅是示例，并且并不局限于这里所阐述的顺序，而是除了必须以特定顺序发生的操作之外，可做出在理解本公开内容后将是明显的改变。另外，为了提高清楚性和简洁性，可省略本领域中已知的特征的描述。

这里所描述的特征可以以许多不同的形式实现，并且不应该被解释为局限于这里所描述的示例。更确切的说，已经提供这里所描述的示例仅是为了说明在理解本公开内容后将是明显的实现这里描述的方法、设备和/或系统的许多可能的方式中的一些。

在整个说明书中，当元件(诸如层、区域或者基板)被描述为“在”另一元件“上”、“连接到”另一元件或者“结合到”另一元件时，该元件可直接“在”该另一元件“上”、直接“连接到”该另一元件或者直接“结合到”该另一元件，或者可存在介于上述两个元件之间的一个或者更多个其他元件。相反，当元件被描述为“直接”在另一元件“上”、“直接连接到”另一元件或者“直接结合到”另一元件时，不存在介于上述两个元件之间的其他元件。如这里使用的元件的“部分”可包括整个元件或少于整个元件。

如这里所使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的任何一个或者任何两个或更多个的任何组合；同样地，“……中的至少一个”包括相关所列项中的任何一个或任何两个或更多个的任何组合。

尽管可在这里使用诸如“第一”、“第二”和“第三”等的术语来描述各种构件、组件、区域、层或部分，但是这些构件、组件、区域、层或部分不受这些术语的限制。更确切地说，这些术语仅用于将一个构件、组件、区域、层或部分与另一构件、组件、区域、层或部分区分开。因而，在不脱离示例的教导的情况下，这里描述的示例中的第一构件、第一组件、第一区域、第一层或第一部分也可被称为第二构件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分。

为了易于描述，这里可使用诸如“在……上方”、“上”、“在……下方”以及“下”等的空间相关术语来描述如附图中所示的一个元件与另一元件的关系。这样的空间相关术语除了意图包含附图中所描绘的方位以外还意图包含装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的装置翻转，则描述为相对于其他元件在“上方”或“上”的元件于是将相对于其他元件在“下方”或“下”。因而，术语“在……上方”可根据装置的空间方位包括“在……上方”和“在……下方”两种方位。装置也可以其他方式定位(旋转90度或处于其他方位)，且可对这里使用的空间相关术语做出相应解释。

这里使用的术语仅用于描述各种示例，且不用于限制本公开。除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式也意图包括复数形式。说明书的术语“包含”、“包括”、“构造为”、“具有”等列举存在所陈述的特征、数量、步骤、操作、构件、元件、部件和/或它们的组合，但是不排除存在或添加一个或更多个其他特征、数量、步骤、操作、构件、元件、部件和/或它们的组合。

这里描述的示例的特征可以在理解本公开内容后将明显的各种方式组合。此外，尽管这里描述的示例具有各种构造，但是在理解本公开内容后将明显的其他构造也是可行的。

由于制造技术和/或公差，附图中示出的形状可能发生变化。因此，这里描述的示例不限于附图中示出的特定形状，而是包括在制造期间发生的形状上的改变。

图1示出了根据一个或更多个实施例的示例电子器件封装件的立体图，图2是沿着图1中的线II-II截取的示例电子器件封装件的剖面图，并且图3示出图2的“A”部的放大剖面图。

参照图1和图2，根据一个或更多个实施例的示例电子器件封装件100可包括：板130，电子器件120安装在板130上；模制部140，覆盖电子器件120；以及导电层150，设置在模制部140上。电子器件120可包括有源元件(作为非限制性示例，诸如IC(集成电路)芯片)或无源元件。板130可以是可通过重复堆叠例如多个绝缘层和多个布线层而形成的多层电路板，并且可根据需要构造为布线层形成在一个绝缘层的两侧上的双面电路板。

模制部140可形成为在板130上的至少一部分区域中覆盖并密封电子器件120，并且因此形成的模制部140可延伸为覆盖电子器件120的侧面从而接触板130，并且由此可构造为形成边界135(图3)。在非限制性示例中，模制部140可通过使用环氧模塑料(EMC)作为模制材料来形成。

导电层150可形成在模制部140上以覆盖模制部140。导电层150可通过沿着模制部140的表面沉积导电材料形成，以用作电磁干扰(EMI)屏蔽层，并且可通过例如溅射工艺进行沉积。

在电子器件封装件100中，沟槽137可与模制部140相邻地形成在板130上。沟槽137可设置为与由板130和模制部140相交形成的边界135相邻，并且导电层150可设置为延伸到沟槽137中。也就是说，延伸到模制部140的侧面的导电层150覆盖模制部140与板130的边界135，然后延伸到沟槽137中，并且之后可到达沟槽137的底部。

沟槽137可通过使形成在板130的上表面上的绝缘保护层132的与边界135相邻的部分凹入而形成。绝缘保护层132可利用阻焊剂形成，并且当在板130的上表面上处理阻焊剂时可使具有这种形状的沟槽137图案化。

参照图3，沟槽137可形成为使得宽度w大于深度d。在示例中，沟槽137的宽度可在与板130的上表面平行并且与模制部140的边缘或边界135垂直的方向(图中的x轴方向或y轴方向)上测量，并且沟槽137的深度可在板130的厚度方向(图中的z轴方向)上测量。因此，沟槽137的沿附图的y轴方向延伸的部分的宽度w可沿附图的x轴方向测量，并且沟槽137的沿附图的x轴方向延伸的部分的宽度w可沿附图的y轴方向测量。

导电层150可在用掩模M遮蔽屏蔽层未形成区域NS时通过溅射工艺形成。在该示例中，通过将掩模M的边缘定位为突出至沟槽137上方的位置，当去除掩模M时，涂覆在屏蔽层未形成区域NS中的导电层151可从涂覆在屏蔽层形成区域S中的导电层150相对于沟槽137容易地截断。这将在下面参照工艺图进行更详细的描述。

图4示出了根据一个或更多个实施例的示例电子器件封装件的俯视平面图。

参照图4，在电子器件封装件100中，沟槽137可形成为在沿着模制部140的边缘平行的方向上延伸，并且形成为沿着模制部140的外周在环形平面中围绕模制部140。另外，在板130上，另一电子器件160可设置在屏蔽层未形成区域NS上，并且在示例中，可安装连接器。因此，沟槽137可设置在另一电子器件160和模制部140之间。

在示例中，延伸到沟槽137中的导电层150在沟槽137中终止，使得导电层150的端部可设置在沟槽137中。这是因为在形成导电层150的工艺中，在沉积导电层150后去除突出至沟槽137上方的掩模M之后，导电层150可在沟槽137中被截断。结果，当使用掩模M沉积导电层150时，可防止可能在板130的表面上发生导电层150的隆起。

图5示出了根据图1中所示的一个或更多个实施例的变型的俯视平面图。

参照图5，在根据示例的电子器件封装件100'中，沟槽137'可沿着模制部140'的一个边缘在板130'上以直线延伸，并且可延伸到板130'的边缘。在示例中，沟槽137'可设置在模制部140'的两侧上的两个地方处，并且导电层150'可延伸到沟槽137'中。

图6A至图6D是示出根据图1中所示的一个或更多个实施例的示例电子器件封装件的制造过程的工艺图。根据一个或更多个实施例的示例电子器件封装件的制造方法参照图6A至图6D描述如下。这里，电子器件封装件可通过将多个模块以阵列的形式布置在单个板上以生产电子器件封装件阵列101，然后将电子器件封装件阵列101切割成单个模块封装件来制造电子器件封装件。

参照图6A，根据示例电子器件封装件的制造方法，在一个步骤中，电子器件120可安装在板130上。板130可使用印刷电路板(PCB)，并且电子器件120可包括有源元件(诸如IC芯片)或无源元件。

参照图6A，在另一步骤中，密封电子器件120的模制部140可形成在板130上。模制部140可形成为在板130上的至少一些区域中覆盖和密封电子器件120。由此形成的模制部140可延伸为覆盖电子器件120的侧面，并且可与板130相交或接触以形成边界135。模制部140可使用例如环氧模塑料(EMC)作为模制材料。

参照图6A，在又一步骤中，沟槽137可与模制部140相邻地形成在板130上。可通过在板130的上表面上形成绝缘保护层132时加工阻焊剂使之图案化形成沟槽137，由此沟槽137可形成为板130的上表面上的绝缘保护层132凹入的结构。

参照图6B，在又一步骤中，设置了包括模制部140的屏蔽层形成区域S和作为其他区域的屏蔽层未形成区域NS，并且可在屏蔽层未形成区域NS中应用掩模M作为覆盖物。此时，掩模M的一个边缘可设置为使得其位于沟槽137上方或延伸穿过沟槽137，也就是说，掩模M突出到沟槽137的区域中。

参照图6C，在又一步骤中，导电层150和151可分别形成在模制部140和掩模M上。导电层150可通过沿着模制部140的表面沉积导电材料形成。导电层150可实现为电磁干扰(EMI)屏蔽层，并且可应用例如溅射工艺。导电层150可形成为覆盖模制部140，并且导电层151也可涂覆在掩模M上，但是可形成为在沟槽137的区域中容易断开。

也就是说，当应用溅射工艺时，可喷射并真空沉积导电层形成材料的电离气体原子以在模制部140的上表面上和掩模M上整体形成薄膜。因此，在溅射工艺期间喷射的电离气体原子可沉积导电层150，导电层150从模制部140的顶部和侧面连接、覆盖模制部140和板130的边界135并且延伸到沟槽137的一侧的内壁和底部。另一方面，由于掩模M可设置为使得沟槽137上方的至少一个边缘突出，因此可在掩模M的边缘与沟槽137的底部之间确保由沟槽137的宽度和深度形成的空间。在通过该空间形成台阶时，掩模M的边缘可悬置在沟槽137的上方，由此沉积在掩模M上的导电层151不能厚厚地连接到位于沟槽137内部的导电层150，并且可形成为弱连接或断开。

参照图6D，在又一步骤中，可去除掩模M。在完成导电层150和151的沉积后，可在去除掩模M时去除沉积在屏蔽层未形成区域NS上的导电层151。此时，由沟槽137确保的台阶可使覆盖模制部140的导电层150和掩模M上的导电层151的连接断开。

也就是说，如图12中所示，在根据在板上形成导电层而不形成沟槽的比较示例的示例电子器件封装件中，由于沉积在板30上的导电层50和沉积在掩模M上的导电层51厚厚地彼此连接，因此当去除掩模M时，可能发生导电层的抬起。

然而，如上所述，在根据本实施例的示例电子器件封装件的制造方法中，由于掩模M上的导电层151和覆盖模制部140的导电层150可通过板130上的沟槽137的结构而容易地断开，因此可在去除掩模M时防止导电层150的端部的抬起。

可沿着切割线CL切割导电层150的形成已经完成的电子器件封装件100的阵列，以制造各个模块封装件。

图7是示出根据一个或更多个实施例的示例电子器件封装件的剖面图，并且图8是图7的示例实施例中的“B”部的放大剖面图。

参照图7，根据一个或更多个实施例的电子器件封装件200包括：板230，安装有电子器件220；模制部240，覆盖电子器件220；以及导电层250，可设置在模制部240上。电子器件220可包括有源元件(作为非限制性示例，诸如集成电路(IC)芯片)或无源元件。作为示例，板230可包括例如印刷电路板(PCB)。

模制部240可形成为在板230上方的区域的至少一部分中覆盖并密封电子器件220，并且模制部240可延伸为覆盖电子器件220的侧面，并且与板230相交或接触，从而构造为形成边界235。模制部240可用例如环氧模塑料(EMC)作为模制材料形成。

导电层250可形成在模制部240上以覆盖模制部240。导电层250可通过沿着模制部240的表面沉积导电材料来形成。导电层250可实现为电磁干扰(EMI)屏蔽层，并且可通过例如溅射工艺进行沉积。

在电子器件封装件200中，沟槽237可与模制部240相邻地形成在板230上。沟槽237可设置为与由板230和模制部240的相交或接触形成的边界235相邻，并且导电层250可设置为延伸到沟槽237中。也就是说，延伸到模制部240的侧面的导电层250覆盖模制部240和板230的边界235，然后延伸到沟槽237中，并且可到达沟槽237的底部。

沟槽237可通过使板230的上表面上的与边界235相邻的模制部240图案化来形成。也就是说，模制部240可包括在板230上沿与板230的上表面平行的方向延伸的延伸区域241，并且沟槽237可通过使包括边界235的延伸区域241的上表面凹入而形成。因此，沟槽237的一个侧壁可由覆盖电子器件220的模制部240限定，并且沟槽237的另一侧壁可由从板230突出的模制凸块243限定。

参照图8，在示例中，沟槽237可形成为使得宽度w大于深度d。在示例中，沟槽237的宽度可在平行于板230的上表面并且垂直于模制部240的边缘或边界235的方向(图中的x轴方向或y轴方向)上测量，并且沟槽237的深度可在板230的厚度方向(图中的z轴方向)上测量。因此，在沟槽237沿附图中的y轴方向延伸的部分中，宽度w可沿附图中的x轴方向测量，并且在沟槽237的沿附图中的x轴方向延伸的部分中，宽度w可沿附图中的y轴方向测量。

导电层250可在利用掩模M遮蔽屏蔽层未形成区域NS时通过施加溅射工艺来形成。此时，由于掩模M的边缘设置为突出至沟槽237上方同时支撑在模制凸块243的顶部上，因此当去除掩模M时，可从屏蔽层未形成区域NS相对于沟槽237容易地截断涂覆到屏蔽层形成区域S的导电层250。这将在下面参照工艺图进行更详细的描述。

图9是示出根据图7中所示的一个或更多个实施例的示例电子器件封装件的俯视平面图。

参照图9，在电子器件封装件200中，沟槽237可沿着模制部240的边缘并排延伸，并且可形成为沿着模制部240的外周在环形平面中围绕模制部240。此外，另一电子器件260可设置在板230上的屏蔽层未形成区域NS中，并且例如，可安装连接器。因此，沟槽237可设置在模制部240和另一电子器件260之间。

在示例中，延伸到沟槽237中的导电层250可在沟槽237中终止，使得导电层250的端部可设置在沟槽237中。这是因为在导电层250的形成工艺期间，在沉积导电层250后去除突出至沟槽237上方的掩模M之后，导电层250在沟槽237中断开。结果，可防止在使用掩模M沉积导电层250时可能在板230的表面上发生的导电层250的抬起。

图10是示出图7的示例实施例的示例变型的俯视平面图。

参照图10，在根据示例变型的电子器件封装件200'中，沟槽237'可沿着模制部240'的一个边缘以直线延伸，并且可延伸到板230'的边缘。因此，限定沟槽237'的一个侧壁的模制凸块243'也可在直线上延伸，并且可延伸到板230'的边缘。在示例中，沟槽237'可设置在模制部240'的两侧上的两个区域处，并且导电层250'可延伸到沟槽237'中。

图11A至图11D示出了根据图7中所示的实施例的示例电子器件封装件的制造过程的工艺图。将参照图11A至图11D如下描述制造根据本实施例的电子器件封装件的制造方法。在示例中，电子器件封装件可通过将多个模块以阵列的形式布置在板上以生产电子器件封装件阵列201来制造。然后可针对每个单个的模块封装件而切割板。

根据根据本示例实施例的电子器件封装件的制造方法，在一个步骤中，电子器件220可安装在板230上(参照图11A)。板230可实现为印刷电路板(PCB)，并且电子器件220可包括有源元件(例如但不限于，IC芯片)或无源元件。

参照图11A，在另一步骤中，密封电子器件220的模制部240可形成在板230上。模制部240可形成为在板230上的至少一些区域中覆盖和密封电子器件220。由此形成的模制部240可延伸为覆盖电子器件220的侧面以接触板230。模制部240例如可实现环氧模塑料(EMC)作为模制材料。

参照图11A，在又一步骤中，沟槽237可与模制部240相邻地形成在板230上(参照图11A)。在示例中，沟槽237可通过对板230的上表面上的模制部240进行去除处理(ablationprocessing)形成。也就是说，形成为在侧表面中具有倾斜表面240a的模制部240可通过使用激光或锯片来切割，以加工竖直侧表面240b以及在与其相交的方向上延伸的延伸区域241。另外，在通过对延伸区域241的上表面进行去除处理使之凹入来形成沟槽237后，可在沟槽237的外部形成模制凸块243。

参照图11B，在又一步骤中，包括模制部240的屏蔽层形成区域S以及包括除了屏蔽层形成区域S之外的区域的屏蔽层未形成区域NS可被确定，并且掩模M可覆盖在屏蔽层未形成区域NS中。此时，掩模M的一个边缘可设置成突出至沟槽237上方，同时支撑在模制凸块243的上表面上。

参照图11C，在又一步骤中，导电层250和251可分别形成在模制部240和掩模M上。导电层250可通过沿着模制部240的表面沉积导电材料来形成，以用作电磁干扰(EMI)屏蔽层，并且在一个示例中，可应用溅射工艺。导电层250可形成为覆盖模制部240，并且导电层251可涂覆在掩模M上，但是该导电层251可形成为在沟槽237的区域中容易断开。

也就是说，当应用溅射工艺时，可喷射并真空沉积导电层形成材料的离子化气体原子以在模制部240的上表面和掩模M上整体形成薄膜。因此，从溅射工艺喷射的离子化气体原子可沉积导电层250，导电层250从模制部240的顶表面和侧表面延伸、覆盖模制部240和板230的边界并延伸至沟槽237的一侧的内壁和底部。在示例中，由于掩模M可设置为使得一个边缘突出至沟槽237上方，因此可在掩模M的边缘与沟槽237的底部之间确保由沟槽237的宽度和深度形成的空间。在形成该空间的步骤后，掩模M的边缘可悬置在沟槽237的上方，由此沉积在掩模M上的导电层251不是厚厚地连接到设置在沟槽237内部的导电层250，而是会弱连接到导电层250或形成为断开。

参照图11D，在又一步骤中，可去除掩模M。通过在导电层250和251的沉积完成后去除掩模M，也可去除沉积在屏蔽层未形成区域NS中的导电层251。此时，由沟槽237确保的台阶截断了掩模M上的导电层251与覆盖模制部240的导电层250之间的连接，从而可防止沉积在板230上的导电层的端部在去除掩模M时抬起。

图12是根据比较示例的示例电子器件封装件的剖面图。

参照图12，比较示例是在板30上形成导电层50和51而不形成沟槽的电子器件封装件10的示例。在形成部分屏蔽结构的工艺中，屏蔽层未形成区域可由掩模屏蔽，并且导电层可通过溅射工艺形成。此时，沉积在板30上的导电层50和沉积在掩模M上的导电层51会厚厚地连接，从而当去除掩模M时，由于导电层的抬起现象，可能发生溅射毛刺。

虽然本公开包括具体示例，但是在理解本申请的公开内容后将明显的是，在不脱离权利要求及它们的等同方案的精神及范围的情况下，可对这些示例作出形式和细节上的各种变化。这里所描述的示例将被认为仅是描述性意义，而非出于限制的目的。在每个示例中的特征或方面的描述将被理解为可适用于其他示例中的相似的特征或方面。如果按照不同的顺序执行描述的技术，和/或如果按照不同的方式组合和/或通过其他组件或它们的等同方案替换或补充描述的系统、架构、装置或电路中的组件，则可实现合适的结果。因此，本公开的范围并不通过具体实施方式限定，而是通过权利要求及它们的等同方案限定，权利要求及它们的等同方案的范围之内的全部变型将被解释为包括在本公开内容中。