具体实施方式

为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本发明保护的范围。

需要说明的是，本发明的说明书和权利要求书及附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本发明的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。

芯片变压器需要设计磁芯间距，即气隙。对于E字形磁芯，是通过机械加工方式将中柱去除一部分，由于两边边柱没有去除，这样E字形磁芯两两结合时，中柱就会留出空隙，形成设计需要的气隙。如图1所示，两个E型磁芯11对接后，两中柱之间形成气隙12。然而，通过机械加工方式形成所需气隙，其加工精度要求高，加工难度大，容易减损磁芯性能。对于U字形磁芯，主要是通过在边柱上涂覆粘接胶来设置气隙，但因粘接胶是液态，无法精准控制气隙的高度。鉴于此，本发明提供一种全新的气隙形成方案，不是通过对磁芯进行加工或胶粘处理来获得气隙，而是通过与磁芯配合的绕组来精确控制气隙。

图2和图3示出了绕组组件的结构，请参见图2和图3，本发明实施例提供的绕组组件包括层叠设置的第一绕组21、隔膜23和第二绕组22，所述第一绕组21的中部设有第一通孔211，所述第二绕组22的中部设有第二通孔221，所述隔膜23设置在第一绕组21与第二绕组22之间，以至少部分阻隔所述第一通孔211与第二通孔221贯通。

所述绕组组件是将所述第一绕组21、所述隔膜23和所述第二绕组22压制形成的一整体结构。第一通孔211与第二通孔221的形状和大小一致，第一通孔211的中心线与第二通孔221的中心线同轴，第一绕组21与第二绕组22叠置时，隔膜23在第一绕组21上的投影能够完全覆盖第一通孔211或者部分覆盖第一通孔211，第一通孔211与第二通孔221之间因隔膜23的设置不完全贯通。所述隔膜23的材质为非导电材质，例如可以是PE塑料、PET塑料、PI塑料、CPI塑料、PEN塑料、PP塑料、陶瓷和木材中的任意一种或者多种。隔膜23的厚度与磁芯所需气隙高度一致，在制备绕组组件时，可以根据所需气隙高度选择同等厚度的隔膜，从而可以通过隔膜来精准控制气隙高度。此外，隔膜23上处于所述第一通孔211与所述第二通孔221之间的区域还设有通孔，通孔的形状可以为圆形、方形、三角形等不同形状，以便于排放气体和刻蚀液。

在一种可能的实现方式中，隔膜23的面积大于所述第一通孔211的孔径且大于所述第二通孔221的孔径，所述隔膜23的第一表面的边沿处于所述第一绕组21的外沿与所述第一通孔211之间，所述隔膜23的第二表面的边沿处于所述第二绕组22的外沿与所述第二通孔221之间。如图2所示，隔膜23的形状可以与其他绕组层的结构相同，隔膜23的边沿与第一绕组21或者第二绕组22的边沿平齐；又如图3所示，隔膜23的形状可以仅比第一通孔211和第二通孔221稍大，隔膜23的边沿插入第一绕组21与第二绕组22之间。

本发明实施例提供的绕组组件可以通过如下工艺加工获得：

S11，分别对上绕组和下绕组中各绕组层进行图形化处理，其中，上绕组和下绕组的层数相同；

S12，将图形化的上绕组的各绕组层压制成整体，获得第一绕组，将图形化的下绕组的各绕组层压制成整体，获得第二绕组；

S13，分别在第一绕组和第二绕组上对应需要插入磁芯柱的位置进行开孔；

S14，将隔膜叠置在第一绕组与第二绕组之间，并将第一绕组、隔膜和第二绕组压制成整体，获得绕组组件。

在一个可能的实现方式中，可以通过步骤S1-S5所示工艺流程制备绕组。绕组结构总计m层，可以分为上半部分的m/2层(层数为N1)和下半部分m/2层(层数为N2)，隔膜层N3，绕组总层数为N0。

S1.分别将上半部的第1-m/2层和下半部分的第m/2-m层进行刻蚀图案化处理；

S2.将已图案化的第1-m/2层进行整体快压成一个整体N1，再将已图案化的第m/2-m层进行整体快压成一个整体N2；

S3.分别将形成一个整体的N1和N2在对应需要插入磁芯柱的位置进行开通孔；

S4.将开好通孔的N1与隔膜层N3快压成一个整体(N1+N3),然后再将N2与(N1+N3)快压形成成品结构N0；

S5.将N0进行其他工序加工，完成绕组组件的制作。

本发明实施例通过在第一绕组与第二绕组之间增加一层与变压器设计气隙厚度一致的隔膜，达到精准控制气隙厚度的效果，同时，隔膜连接第一绕组和第二绕组，使绕组与磁芯组装时可直接拼接，简化了磁芯气隙控制工艺的难度，能够更准确地管控气隙高度。

本发明实施例还提供了一种电磁装置，图4-7示出了本发明实施例提供的电磁装置的结构示意图，该电磁装置包括磁芯组件和绕组组件。

所述绕组组件包括层叠设置的第一绕组21、隔膜23和第二绕组22，所述第一绕组21的中部设有第一通孔211，所述第二绕组22的中部设有第二通孔221，所述隔膜23设置在第一绕组21与第二绕组22之间，以至少部分阻隔所述第一通孔211与第二通孔221贯通；所述磁芯组件包括第一磁芯31和第二磁芯32，所述第一磁芯31具有第一磁芯本体和第一磁芯柱，所述第一磁芯柱的一端与所述第一磁芯本体相连，所述第一磁芯柱的另一端穿过所述第一绕组21的第一通孔211后与所述隔膜23的第一表面231接触，所述第二磁芯32具有第二磁芯本体和第二磁芯柱，所述第二磁芯柱的一端与所述第二磁芯本体相连，所述第二磁芯柱的另一端穿过所述第二绕组22的第二通孔221后与所述隔膜23的第二表面232接触，所述第一表面231与所述第二表面232相对。

其中，所述绕组组件是将所述第一绕组21、所述隔膜23和所述第二绕组22压制形成的整体结构。所述隔膜23的厚度与磁芯组件所需气隙的高度一致。所述隔膜23上处于所述第一通孔211与所述第二通孔221之间的区域设有通孔。隔膜23的材质为PE塑料、PET塑料、PI塑料、CPI塑料、PEN塑料或PP塑料。所述隔膜23的面积大于所述第一通孔211和所述第二通孔221的孔径，所述隔膜23的第一表面的边沿处于所述第一绕组21的外沿与所述第一通孔211之间，所述隔膜23的第二表面的边沿处于所述第二绕组22的外沿与所述第二通孔221之间。

所述第一磁芯31的第一磁芯柱的数量、所述第二磁芯32的第二磁芯柱的数量与所述绕组组件的数量相同。第一磁芯31和第二磁芯32可以是结构相同的磁芯，例如同为E型磁芯或者同为U型磁芯，在所述第一磁芯和所述第二磁芯均为U型磁芯的情况下，所述第一磁芯柱为所述第一磁芯的边柱，所述第二磁芯柱为所述第二磁芯的边柱；在所述第一磁芯和所述第二磁芯均为E型磁芯的情况下，所述第一磁芯柱为所述第一磁芯的中柱，所述第二磁芯柱为所述第二磁芯的中柱。下面结合附图分别对基于E型结构磁芯和U型结构磁芯制备的电磁装置进行说明。

请参见图4和图5，电磁装置包括第一磁芯31、第二磁芯32和两个绕组组件。第一磁芯31包括第一磁芯本体和两个第一边柱311，两个第一边柱311设置在第一磁芯本体的同一侧，并沿第一磁芯本体的长轴对称。第二磁芯32包括第二磁芯本体和两个第二边柱321，两个第二边柱321设置在第二磁芯本体的同一侧，并沿第二磁芯本体的长轴对称。两个绕组组件结构相同，每个绕组组件包括第一绕组21、第二绕组22和隔膜23，第一绕组21具有第一通孔211，第二绕组22具有第二通孔221，隔膜23设置在第一绕组21与第二绕组22之间，并将第一通孔211与第二通孔221隔开。第一磁芯31的两个第一边柱311分别插入两个第一绕组21的第一通孔211后，与隔膜23的第一表面231接触，第二磁芯32的两个第二边柱321分别插入两个第二绕组22的第二通孔221后，与隔膜23的第二表面232接触，两个第一边柱311与两个第二边柱321之间形成窗口33。

如图4所示，隔膜23的形状与绕组层的形状一致，隔膜23的边沿与绕组层的边沿几乎平齐，第一边柱311与隔膜23的第一表面接触，第二边柱321与隔膜23的第二表面接触，第一边柱311与第二边柱321之间被隔膜23分隔，隔膜23的厚度与气隙高度一致，能够通过隔膜23精准控制气隙高度。如图5所示，隔膜23的形状还可以仅比第一通孔211及第二通孔221略大，隔膜23的边沿插入第一绕组21与第二绕组22之间，使第一绕组21与第二绕组22连成整体，该结构仍能起到简化组装工艺、精准控制气隙高度的效果。

请参见图6和图7，电磁装置包括第一磁芯31、第二磁芯32和一个绕组组件。第一磁芯31包括第一磁芯本体、第一中柱312和两个第一边柱311，第一中柱312和两个第一边柱311设置在第一磁芯本体的同一侧，第一中柱312设置在第一磁芯本体的中心位置，两个第一边柱311沿第一中柱312对称。第二磁芯32包括第二磁芯本体、第二中柱322和两个第二边柱321，第二中柱322和两个第二边柱321设置在第二磁芯本体的同一侧，第二中柱322位于第二磁芯本体的中心位置，两个第二边柱321沿第二中柱322对称。所述绕组组件包括第一绕组21、第二绕组22和隔膜23，第一绕组21具有第一通孔211，第二绕组22具有第二通孔221，隔膜23设置在第一绕组21与第二绕组22之间，并将第一通孔211与第二通孔221隔开。第一磁芯31的第一中柱312插入第一绕组21的第一通孔211后，与隔膜23的第一表面231接触，第二磁芯32的第二中柱322插入第二绕组22的第二通孔221后，与隔膜23的第二表面232接触，第一磁芯31的两个第一边柱311分别与第二磁芯32的两个第二边柱321一一对应，每组相对的第一边柱311与第二边柱321之间形成间隙，第一边柱311、第二边柱321、第一中柱312及第二中柱322之间形成窗口33。

本发明实施例通过在第一绕组与第二绕组之间增设隔膜，使两个E型磁芯之间形成气隙，不需要对E型磁芯的中柱进行机械加工，减少制备工序，还避免了磁芯因机械加工导致性能下降的风险。

如图6所示，隔膜23的形状与绕组层的形状一致，隔膜23的边沿与绕组层的边沿几乎平齐，第一中柱312与隔膜23的第一表面231接触，第二中柱322与隔膜23的第二表面232接触，第一中柱312与第二中柱322之间被隔膜23分隔，使得第一边柱311与第二边柱321之间形成气隙，该气隙的高度与隔膜23的厚度一致，因而能够通过隔膜23精准控制气隙高度。如图7所示，隔膜23的形状还可以仅比第一通孔211及第二通孔221略大，隔膜23的边沿插入第一绕组21与第二绕组22之间，使第一绕组21与第二绕组22连成整体，该结构仍能起到简化组装工艺、精准控制气隙高度的效果。

本发明实施例还提供了一种电磁装置的制备方法，用于制备上述的电磁装置，该方法包括以下步骤：

S21，获取第一磁芯、第二磁芯和绕组组件，所述第一磁芯包括第一磁芯柱，所述第二磁芯包括第二磁芯柱，所述绕组组件包括层叠设置的第一绕组、隔膜和第二绕组，所述第一绕组的中部设有第一通孔，所述第二绕组的中部设有第二通孔，所述隔膜设置在第一绕组与第二绕组之间，并至少部分阻隔所述第一通孔与第二通孔贯通；

S22，将所述第一磁芯柱插入所述第一绕组的第一通孔中，使所述第一磁芯柱的端面与所述隔膜的第一表面接触，将所述第二磁芯柱插入所述第二绕组的第二通孔中，使所述第二磁芯柱的端面与所述隔膜的第二表面接触，所述第一表面与所述第二表面相对。

其中，步骤S21中的绕组组件通过上述实施例中绕组组件的制备方法制备得到，具体请见上文，在此不赘述。

以上实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。