具体实施方式

研究发现，采用BST来去除所述晶圆背面的微粒时清洁效果不佳的原因在于，(1)毛刷在刷洗所述晶圆背面时，由于摩擦作用，所述晶圆背面与毛刷之间进行了电荷的转移，所述晶圆背面会不断累积静电电荷，增强了所述晶圆背面对微粒的吸引力，此处请参阅图4，为本发明的一种具体实施方式中晶圆背面的电荷的示意图；(2)去离子水的导电率很低，去离子水的冲洗不利于静电荷的释放，使得所述晶圆背面对微粒的吸引力很难被释放。

以下结合附图和具体实施方式对本发明提出的一种晶圆清洁装置、系统以及方法作进一步详细说明。

请参阅图1、2，其中图1为本发明的一种具体实施方式中晶圆清洁装置的立体结构示意图；图2为本发明的一种具体实施方式中晶圆清洁装置的侧视示意图。

在该具体实施方式中，提供了一种晶圆清洁装置，包括清洁刷102，用于清洁待清洁的晶圆100背面的杂质，还包括喷淋器101，能够朝向所述晶圆100喷淋清洗液，所述清洗液具有导电性，能够释放所述晶圆100背面的电荷。

在该具体实施方式中，所述晶圆清洁装置具有喷淋器101，能够朝向晶圆100背面喷淋具有导电性的清洗液，从而释放所述晶圆100背面的电荷，减小由于所述晶圆100背面的电荷的存在而产生的静电场，从而减小所述晶圆100背面对微粒的吸附作用，此处可参阅图5，为本发明的一种具体实施方式中晶圆100背面的电荷被释放时的示意图。

在一种具体实施方式中，所述清洁刷102设置到所述晶圆100背面，用于清洗所述晶圆100背面。此处可参阅图1、2。在图1、2所示的具体实施方式中，所述清洁刷102具有两个用来与晶圆100接触的刷头1021，实际上，可根据需要设置所述刷头1021的个数，如设置成三个以上等。当设置有多个刷头1021时，各个清洁刷102的刷头1021均朝向所述晶圆100设置，并且均匀的设置在同一平面上。在一种具体实施方式中，各个清洁刷102的刷头1021所在的平面与所述晶圆100放置到的放置位平行，这样，各个刷头1021刷洗晶圆100的力度均等。

在一种具体实施方式中，所述喷淋器101包括至少两个喷嘴，均朝向所述晶圆100设置，且所述喷嘴中至少包括一个清洗液喷嘴1012，用于喷淋具有导电性的清洗液。所述具有导电性的清洗液，指的是溶液内有可以自由移动的离子，包括正离子、负离子等。释放晶圆100背面的电荷，指的是溶液内可以自动移动的正、负离子，分别可以中和晶圆100背面的负、正离子，从而消除所述晶圆100背面的电荷，释放所述晶圆100背面对微粒的吸引力。

在图1至3所示的具体实施方式中，所有所述喷嘴均朝向所述晶圆100的背面设置。这是因为，所述清洁刷102的刷头1021是朝向所述晶圆100的背面设置的，而晶圆100背面由于与刷头1021之间的摩擦作用，也积累了许多电荷。所述喷嘴朝向所述晶圆100背面设置，能够快速的清除所述晶圆100背面的电荷，减弱晶圆100背面对微粒的吸引力。

如图2所示，所述喷淋器101包括一个清洗液喷嘴1012，如图3所示，所述喷淋器101包括两个清洗液喷嘴1012。实际上，可根据需要设置所述清洗液喷嘴1012的数目。当设置有多个清洗液喷嘴1012时，所述多个清洗液喷嘴1012均匀分布在一与所述晶圆100放置到的放置位平行的第一平面上，以实现对所述晶圆100的均匀喷淋。实际上，也可根据需要设置所述清洗液喷嘴1012的具体位置。

设置多个清洗液喷嘴1012可以加快释放所述晶圆100背面电荷的速度，提高晶圆100的清洗效率。

在一种具体实施方式中，所述喷嘴中还包括至少一个去离子水喷嘴1011，用于喷淋去离子水。

在图2中，所述去离子水喷嘴1011的数目为1个，在图3中，所述去离子水喷嘴1011的数目为2个。实际上，可根据需要设置所述去离子水喷嘴1011的数目。当设置有多个去离子水喷嘴1011时，所述多个去离子水喷嘴1011均匀分布在一与所述晶圆100放置到的放置位平行的第二平面上，以实现对所述晶圆100的均匀喷淋。在一种具体实施方式中，所述第一平面与第二平面重合。

实际上，也可根据需要设置所述去离子水喷嘴1011的具体位置。

在一种具体实施方式中，所述清洗液喷嘴1012喷淋的清洗液包括碳酸溶液，由水和注入水中的二氧化碳反应生成。实际上，也可以采用其他的弱酸溶液，如醋酸、氢氟酸等。需要注意的是，无论采用的是哪种弱酸溶液，都需要对喷淋后的晶圆100进行清洗，以防止所述晶圆100上沾染的清洗液影响晶圆100的后续加工生产。

如图6所示，在一种具体实施方式中，所述晶圆清洁装置还包括控制阀601，设置在所述喷淋器101的液路上，用于控制所述喷淋器101的液路通断。在该具体实施方式中，所述控制阀601是设置到各个喷嘴连通的喷淋管路105上的，每一喷嘴都连通有一喷淋管路105，待喷淋的液体经由所述喷淋管路105运输到所述喷嘴。在该具体实施方式中，将控制阀601设置在所述喷淋液路上，可以有效的控制所有所述喷嘴的喷淋情况：当所述控制阀601关断时，所述喷嘴停止喷淋；当所述控制阀601打开时，所述喷嘴开始喷淋。

在一些具体实施方式中，所述控制阀601可以部分打开，这时，所述喷淋管路105也部分导通，这使得一部分液体可以通过所述控制阀601，流至所述喷嘴被喷出。这时，也可通过所述控制阀601控制所述喷嘴喷出的液体的流量。

请参阅图6，为本发明的一种具体实施方式中喷嘴和喷淋管路105的连接示意图。

在该具体实施方式中，所述晶圆清洁装置还包括流量计602以及控制器，所述流量计602设置在所述喷淋器101的液路上，用于计量所述喷淋器101的喷淋量；所述控制器连接所述流量计602以及所述控制阀601，并根据所述流量计602的测量结果控制所述控制阀601的通断。

在该具体实施方式中，所述流量计602也是设置到所述喷淋管路105上的。在该具体实施方式中，每一喷嘴所连接到的喷淋管路105上都设置有所述流量计602，所述控制器可以获取到每一喷嘴连接的喷淋管路105内的液体流量，并根据该液体流量控制所述控制阀601，分别调控所有所述喷嘴的喷淋情况。

在该具体实施方式中，由于具有控制阀601、流量计602以及所述控制器，且所述控制阀601、流量计602以及控制器形成闭环，所述控制器能够根据所述流量计602的检测结构控制所述控制阀601的开关情况，这样获取到的控制结果更加精确，能够优化喷淋效果。

在该具体实施方式中，还提供了一种晶圆清洁系统，包括如所述的晶圆清洁装置，以及清洗液源103，所述清洗液源103用于提供待喷淋的清洗液，且所述清洗液源103连通至所述喷淋器101。

在该具体实施方式中，所述晶圆清洁系统包含一晶圆清洁装置，且所述晶圆清洁装置具有喷淋器101，能够朝向晶圆100背面喷淋具有导电性的清洗液，从而释放所述晶圆100背面的电荷，减小由于所述晶圆100背面的电荷而产生的静电场，减小所述晶圆100背面对微粒的吸附作用。

在一种具体实施方式中，所述喷淋器101包括至少一个去离子水喷嘴1011以及至少一个清洗液喷嘴1012，其中所述清洗液喷嘴1012与所述清洗液源103连通；所述晶圆清洁系统还包括去离子水源104，用于提供待喷淋的去离子水，且所述去离子水源104连通至所述去离子水喷嘴1011。

在一种具体实施方式中，所有所述喷嘴均朝向所述晶圆100的背面设置。这是因为，所述清洁刷102的刷头1021是朝向所述晶圆100的背面设置的，而晶圆100背面由于与刷头1021之间的摩擦作用，也积累了许多电荷。所述喷嘴朝向所述晶圆100背面设置，能够快速的清除所述晶圆100背面的电荷，减弱晶圆100背面对微粒的吸引力。

如图2所示，所述喷淋器101包括一个清洗液喷嘴1012，如图3所示，所述喷淋器101包括两个清洗液喷嘴1012。实际上，可根据需要设置所述清洗液喷嘴1012的数目。当设置有多个清洗液喷嘴1012时，所述多个清洗液喷嘴1012均匀分布在一与所述晶圆100放置到的放置位平行的第一平面上，以实现对所述晶圆100的均匀喷淋。实际上，也可根据需要设置所述清洗液喷嘴1012的具体位置。

设置多个清洗液喷嘴1012可以加快释放所述晶圆100背面电荷的速度，提高晶圆100的清洗效率。

设置去离子水喷嘴1011喷淋去离子水，能够清洁所述晶圆100背面沾染的清洗液，在去除所述晶圆100背面电荷的同时，还能冲刷掉所述晶圆100背面的清洗液，防止清洗液妨碍所述晶圆100的后续加工生产。

在图2中，所述去离子水喷嘴1011的数目为1个，在图3中，所述去离子水喷嘴1011的数目为2个。实际上，可根据需要设置所述去离子水喷嘴1011的数目。当设置有多个去离子水喷嘴1011时，所述多个去离子水喷嘴1011均匀分布在一与所述晶圆100放置到的放置位平行的第二平面上，以实现对所述晶圆100的均匀喷淋。在一种具体实施方式中，所述第一平面与第二平面重合。

实际上，也可根据需要设置所述去离子水喷嘴1011的具体位置。

在一种具体实施方式中，所述清洗液源103包括碳酸源，实际上，所述清洗液源103也可以是其他弱酸源，如醋酸源、氢氟酸源等，此处采用弱酸是因为强酸可能对所述晶圆100背面有腐蚀作用。

在该具体实施方式中，还提供了一种晶圆清洁方法，包括以下步骤：向待清洗的晶圆100背面喷淋具有导电性的清洗液。

在该具体实施方式中，所述晶圆清洁方法朝向晶圆100背面喷淋具有导电性的清洗液，能够释放所述晶圆100背面的电荷，减小由于所述晶圆100背面的电荷的存在而产生的静电场，从而减小所述晶圆100背面对微粒的吸附作用。

在一种具体实施方式中，向所述待清洗的晶圆100的背面喷淋具有导电性的清洗液，所述清洗液包括碳酸溶液。

实际上，在其他的具体实施方式中，也可以采用其他的弱酸溶液，如醋酸、氢氟酸等，作为清洗液。需要注意的是，无论采用的是哪种弱酸溶液，都需要对喷淋后的晶圆100进行清洗，以防止所述晶圆100上沾染的清洗液影响晶圆100的后续加工生产。

在一种具体实施方式中，还包括以下步骤：获取所述清洗液已喷淋的喷淋量，并根据所述已喷淋的喷淋量调节后续的喷淋量。在该具体实施方式中，可以通过在清洗液的喷淋管路105上增加控制阀601和流量计602来实现。具体的，在所述清洗液的喷淋管路105上增加控制阀601和流量计602，并将所述控制阀601和流量计602连接到一控制器，由所述控制器根据所述流量计602的检测结果控制所述控制阀601的开关状况，从而控制所述清洗液的喷淋量。

在该具体实施方式中，由于具有控制阀601、流量计602以及所述控制器，且所述控制阀601、流量计602以及控制器形成闭环，所述控制器能够根据所述流量计602的检测结构控制所述控制阀601的开关情况，这样获取到的控制结果更加精确，能够优化喷淋效果。

在一种具体实施方式中，还包括以下步骤：在向待清洗的晶圆100背面喷淋具有导电性的清洗液前，使用清洁刷102刷洗所述晶圆100背面，并使用去离子水冲刷所述晶圆100背面；在向待清洗的晶圆100背面喷淋具有导电性的清洗液后，向所述晶圆100背面喷淋去离子水。这是因为，需要使用去离子水清洗喷淋了清洗液后的晶圆100，防止所述晶圆100上沾染的清洗液影响晶圆100的后续加工生产。

以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。