晶圆处理系统与防撞方法

文档序号:636259 发布日期:2021-05-11 浏览:1次 >En<

阅读说明:本技术 晶圆处理系统与防撞方法 (Wafer processing system and collision avoidance method ) 是由 金成基 崔钟武 崔致久 李殷廷 于 2019-11-08 设计创作,主要内容包括:本发明提供了一种在晶圆处理系统中防止碰撞的方法,包括:对齐第一传感器与第二传感器,所述第一传感器设置于升降构件的预定位置,所述升降构件连接至所述晶圆处理系统的垂直晶舟的底部,所述第二传感器设置在所述晶圆处理系统的腔室的遮盘;以及当所述腔室被所述遮盘关闭时,启动所述第一传感器与所述第二传感器以监测沿着所述垂直晶舟侧边的路径。(The invention provides a method for preventing collision in a wafer processing system, which comprises the following steps: aligning a first sensor disposed at a predetermined position of a lifting member connected to a bottom of a vertical boat of the wafer processing system with a second sensor disposed at a shadow disc of a chamber of the wafer processing system; and activating the first sensor and the second sensor to monitor a path along the side of the vertical boat when the chamber is closed by the shutter disk.)

晶圆处理系统与防撞方法

技术领域

本发明涉及一种半导体制造领域,尤其涉及一种在晶圆处理系统中防止碰撞的方法。

背景技术

当垂直晶舟被转移至反应炉时,移动中的震动可能会使垂直晶舟倾斜。垂直晶舟与反应炉间的撞击会让二者皆产生伤害,维修反应炉或是更换垂直晶舟会增加产线的停机时间。

发明内容

有鉴于此,有必要提供一种在晶圆处理系统中防止碰撞的方法。

本发明提供一种在晶圆处理系统中防止碰撞的方法,包括对齐第一传感器与第二传感器,所述第一传感器设置于升降构件的预定位置,所述升降构件连接至所述晶圆处理系统的垂直晶舟的底部,所述第二传感器设置在所述晶圆处理系统的腔室的遮盘;以及当所述腔室被所述遮盘关闭时,启动所述第一传感器与所述第二传感器以监测沿着所述垂直晶舟侧边的路径。

在本发明一些实施方式中,所述第一传感器与所述第二传感器的其中之一沿着所述路径传送讯号至所述第一传感器与所述第二传感器的另一个。

在本发明一些实施方式中,所述方法进一步包括:当所述讯号被遮蔽时,由所述晶圆处理系统的监控组件产生警示。

在本发明一些实施方式中,所述讯号被所述垂直晶舟的部分所遮蔽。

在本发明一些实施方式中,所述讯号被从所述垂直晶舟滑出的晶圆所遮蔽。

在本发明一些实施方式中,所述腔室是化学气相沉积炉。

在本发明一些实施方式中,所述第一传感器与所述第二传感器是雷射传感器。

本发明还提供一种晶圆处理系统,包括:腔室;设置于所述腔室的入口的遮盘;用于承载晶圆的垂直晶舟;连接至所述垂直晶舟的底部的升降构件、以及第一传感器以及第二传感器。所述第一传感器设置于所述升降构件的预定位置,所述第二传感器设置在所述遮盘,所述第一传感器设与所述第二传感器设相互对齐,以在所述腔室被所述遮盘关闭时,监测沿着所述垂直晶舟侧边的路径。

在本发明一些实施方式中,所述第一传感器与所述第二传感器的其中之一沿着所述路径传送讯号至所述第一传感器与所述第二传感器的另一个。

在本发明一些实施方式中,所述系统进一步包括:监控组件,配置以从所述第一传感器与所述第二传感器接收数据。

在本发明一些实施方式中,当所述讯号被所述垂直晶舟的部分或从所述垂直晶舟滑出的晶圆所遮蔽时,所述监控组件产生警示。

附图说明

图1A为本发明实施方式提供晶圆处理系统示意图。

图1B为图1A中所示的系统侦测到所述路径被阻挡时的第一示意图。

图1C为图1A中所示的系统侦测到所述路径被阻挡时的第二示意图。

主要元件符号说明

晶圆处理系统 100

升降构件 110

支持杆 111

腔室 120

遮盘 130

控制模块 131

第一传感器 140

第二传感器 150

路径 160

垂直晶舟 170

晶圆 171

箭号 172

如下

具体实施方式

将结合上述附图进一步说明本发明。

具体实施方式

下面将结合具体实施例及附图对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施方式仅是本发明一部分实施方式,而不是全部的实施方式。基于本发明中的实施方式,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式,都属于本发明保护的范围。除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的,不是旨在于限制本发明。

在本发明的实施方式的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明的实施方式和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或组件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的实施方式的限制。此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本发明的实施方式的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。

请参阅图1A,本发明实施方式提供一种晶圆处理系统100。本实施方式中,所述晶圆处理系统100包括腔室120、设置在所述腔室120的入口的遮盘130、用于承载晶圆171的垂直晶舟170、由支持杆111连接至所述垂直晶舟170的底部的升降构件110,以及第一传感器140与第二传感器150。所述第一传感器140与所述第二传感器150为一对传感器。所述第一传感器140设置在所述升降构件110的预定位置。所述第二传感器150设置在所述遮盘130上。举例来说,所述第一传感器140安装在所述升降构件110的边缘并且将讯号发射或接收方向朝上设置。所述第二传感器150安装在所述遮盘130的边缘并且将讯号发射或接收方向朝下设置。在一些实施方式中,所述晶圆处理系统100可具有多对传感器,例如在垂直晶舟的两侧皆设置一对传感器。

所述腔室120可为用于沉积工艺的炉室或炉管,例如低压化学气相沉积炉。所述遮盘130是可移动的,所述晶圆处理系统100的控制模块131可藉由水平转动遮盘130来关闭或开启所述腔室120。所述垂直晶舟170可藉由所述升降构件110而提升或下降。

在一些实施方式中,所述第一传感器140与所述第二传感器150相互对齐,以在所述腔室120被所述遮盘130关闭时,监测沿着所述垂直晶舟170侧边的路径160,如图1A所示。在启动监测后,所述第一传感器140与所述第二传感器150的其中之一沿着所述路径160传送讯号至所述第一传感器140与所述第二传感器150的另一个。举例来说,所述第一传感器140与所述第二传感器150是光学传感器,例如雷射传感器,沿着所述路径160发送可见雷射光。所述第一传感器140与所述第二传感器150之间的距离至多可相距10公尺。所述第一传感器140与所述第二传感器150能承受超过摄氏600度的热度。

请参阅图1B至1C,其为当所述晶圆处理系统100侦测到所述路径160被阻挡时的示意图。所述晶圆处理系统100可进一步包括监控单元(未显示),用于从所述第一传感器140及/或所述第二传感器150接收数据。所述监控单元被配置以监测所述路径160,以防止当所述垂直晶舟170被升降构件110抬升进入所述腔室120时(如箭号172所示),所述垂直晶舟170与所述腔室120碰撞。在一些实施方式中,所述控制模块131在所述垂直晶舟170与所述入口相距预定距离时开启所述腔室120。当所述遮盘130移动至预定位置以让开空间给所述垂直晶舟170时,传感侦测会暂时停用。

举例来说,在所述垂直晶舟170于垂直移动过程中歪倾的情况,当所述路径160上的讯号被所述垂直晶舟170的部分遮住时,所述监控单元产生警示,如图1B所示。额外地或选择地,所述晶圆处理系统100可在警示产生时暂停制程运作。

又,在所述晶圆171于垂直移动过程中脱离所述垂直晶舟170的插槽的情况,当所述路径160上的讯号被从所述垂直晶舟170滑出的晶圆所阻挡时,所述监控单元产生警示,如图1C所示。额外地或选择地,所述晶圆处理系统100可在警示产生时暂停制程运作。

如同将所述垂直晶舟170装载入所述腔室120,所述监控单元可在所述垂直晶舟170从所述腔室120卸除时监控所述路160。当所述垂直晶舟170的上表面在下降过程中离开所述腔室120,所述遮盘130会随之关闭。相应地,传感侦测会被启用。所述垂直晶舟170在下降回至原始位置的过程中,所述路径160有任何阻挡被侦测到,所述监控单元会产生警示。

透过上述实施方法,垂直晶舟或晶圆与腔室的碰撞可被避免。

可以理解的是,以上实施例仅用来说明本发明,并非用作对本发明的限定。对于本领域的普通技术人员来说,根据本发明的技术构思做出的其它各种相应的改变与变形,都落在本发明权利要求的保护范围之内。

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