具体实施方式

在下文中，将参考附图更详细地描述本发明构思的实施例。可以以各种形式修改本发明构思的实施例，并且本发明构思的范围不应解释为由以下描述的本发明构思的实施例限制。提供本发明构思的实施例以对本领域技术人员更完整地描述本发明构思。因此，附图中的部件的形状被放大以强调更清晰的描述。

参照图1至图3，基板处理设备1包括转位模块20、处理模块30和接口模块40。根据一个实施例，转位模块20、处理模块30和接口模块40顺序地排列成一直线。在下文中，将转位模块20、处理模块30和接口模块40被布置方向称为第一方向12，当从上方观察时，垂直于第一方向12的方向将称为第二方向14，垂直于第一方向12和第二方向14的全部的方向称为第三方向16。

转位模块20将基板“W”从容器10传送到处理模块30，并且转位模块20将完全处理的基板“W”传送到容器10。在第二方向14上设置转位模块20的纵向方向。转位模块20具有装载端口22和转位框架24。该装载端口22基于转位框架24、位于处理模块30的相反侧处。具有基板“W”的容器10放置在装载端口22上。可以设置多个装载端口22，并且可以沿着第二方向14布置多个装载端口22。

容器10可以是用于密封的容器10，例如前部开放式统一舱(Front Open UnifiedPod,FOUP)。可以通过诸如架空传送(Overhead Transfer)、架空输送机或自动引导车辆之类的运输单元(未示出)或通过工人将容器10放置在装载端口22上。

转位机械手2200设置在转位框架24的内部。具有在第二方向14上设置的纵向方向的导轨2300可以设置在转位框架24中，并且转位机械手2200可以设置成在导轨2300上可移动。转位机械手2200可以包括在其中定位有基板“W”的手部2220，并且可以将手部2220设置为可向前和向后移动，可绕第三方向16旋转，并且可沿第三方向16移动。

处理模块30相对于基板“W”执行涂布工艺和显影工艺。处理模块30具有涂布块30a和显影块30b。涂布块30a对基板“W”执行涂布工艺，并且显影块30b对基板“W”执行显影工艺。设置有多个涂布块30a并且多个涂布块30a彼此堆叠。提供多个显影块30b，并且多个显影块30b彼此堆叠。根据图1的实施例，提供了两个涂布块30a和两个显影块30b。涂布块30a可以设置在显影块30b下方。根据一个示例，两个涂布块30a可以执行相同的工艺并且可以以相同的结构设置。另外，两个显影块30a可以执行相同的工艺并且可以以相同的结构设置。

参考图3，涂布块30a具有热处理腔室3200、传送腔室3400、液体处理腔室3600和缓冲腔室3800。热处理腔室3200对基板“W”执行热处理工艺。热处理工艺可以包括冷却工艺和加热工艺。液体处理腔室3600将液体供应到基板“W”上以形成液体膜。液体膜可以是光致抗蚀剂膜或抗反射膜。传送腔室3400在涂布块30a内的热处理腔室3200和液体处理腔室3600之间传送基板“W”。

传送腔室3400具有平行于第一方向12的纵向方向。传送机械手3422设置在传送腔室3400中。传送机械手3422在热处理腔室3200、液体处理腔室3600和缓冲腔室3800之间传送基板“W”。根据示例，传送机械手3422可包括其中放置有基板“W”的手部3420，并且手部3420可被设置为可向前和向后移动，可绕着第三方向16旋转，并且可沿第三方向16移动。在传送腔室3400中设置导轨3300，导轨3300具有的纵向方向平行于第二方向12，并且传送机械手3422被设置为可在导轨3300上移动。

图4示出图3的传送单元的手部的示例。参考图4，手部3420具有基部3428和支撑突起部3429。基部3428可以具有其中一部分圆周被弯曲的环形圈形状。基座3428的内径大于基板“W”的直径。支撑突起部3429从基部3428向内延伸。设置多个支撑突起部3429以支撑基板“W”的边缘区域。根据示例，可以以相等的距离设置四个支撑突起部3429。

提供了多个热处理腔室3200。参照图3和图4，热处理腔室3200沿第一方向12布置。热处理腔室3200位于传送腔室3400的一侧处。

图5是示意性地示出图1的热处理腔室的示例的平面图，而图6是示出图5的热处理腔室的正视图。热处理腔室3200具有壳体3210、冷却设备3220、加热设备3230以及传送板3240。

壳体3210具有大致长方体的形状。壳体3210在侧壁中限定入口(未示出)以引入或取出基板“W”。入口可以保持在打开状态。可以提供门(未示出)以选择性地打开或关闭入口。冷却设备3220、加热设备3230和传送板3240设置在壳体3210的内部。冷却设备3220和加热设备3230沿着第二方向14平行设置。根据实施例，冷却设备3220可以定位成比加热设备3230更靠近传送腔室3400。

冷却设备3220具有冷却板3222。从上方观察时，冷却板3222可具有大致圆形的形状。冷却板3222具有冷却构件3224。根据实施例，冷却构件3224可以形成在冷却板3222的内部以用作冷却流体流过的流体通道。

加热单元3230设置在加热单元1000中，该加热单元1000将基板“W”加热到高于室温的温度。加热设备3230在大气压或更低气压的气体氛围下加热基板“W”。

传送板3240被设置成大致圆盘形，并且具有与基板“W”的直径相对应的直径。在传送板3240的边缘上形成有切口3244。切口3244可以具有与在所描述的传送机械手3422、3424的手部3420上形成的突起部3429相对应的形状。另外，可以设置多个切口3244，其对应于形成在手部3420中的突起部3429的数量，并且多个切口3244可以形成在与突起部3429的位置相对应的位置处。当在手部3420和传送板3240在竖直方向上对准的状态下改变手部3420和传送板3240的竖直位置时，基板“W”在手部3420和传送板3240之间传送。传送板3240可以安装在导轨3249上，并且可以通过驱动器3246沿着导轨3249移动。在传送板3240中设置具有狭缝形状的多个引导槽3242。该引导槽3242从传送版的端部部分向内延伸。引导槽3242的纵向方向沿着第二方向14设置，并且引导槽3242被定位成沿着第一方向12彼此间隔开。当基板“W”在传送板3240和加热设备3230之间传送时，引导槽3242防止传送板3240和提升销1340之间的干扰。

在基板“W”被直接放置在支撑板1320上的同时执行基板“W”的加热，并且在其上放置基板“W”的传送板3240与冷却板3222接触的同时执行基板“W”的冷却。传送板3240由具有高导热率的材料提供，使得在冷却板3222和基板“W”之间良好地进行热传递。根据一个示例，传送板3240可以由金属材料提供。

设置在热处理腔室3200的一部分中的加热设备3230可以在加热基板“W”期间供应气体，以提高光致抗蚀剂对基板“W”的附着率。根据一个示例，气体可以是六甲基二硅烷气体。

设置了多个液体处理腔室3600。液体处理腔室3600中的一些可以设置为彼此堆叠。液体处理腔室3600位于传送腔室3400的、与热处理腔室3200相反的另一侧处。液体处理腔室3600沿着第一方向12布置成一直线。一些液体处理腔室3600设置在与转位模块20相邻的位置。这些液体处理腔室3602在下文中被称为前液体处理腔室。其他液体处理腔室3600设置在与接口模块40相邻的位置。以下，将这些液体处理腔室称为后液体处理腔室3604。

第一液体被涂布在前液体处理腔室3602中的基板“W”上，第二液体被涂布在后液体处理腔室3604中的基板“W”上。第一液体可以与第一液体不同。根据一个示例，第一液体将形成抗反射膜，第二液体将形成光致抗蚀剂。可将光致抗蚀剂涂布在具有预先形成的抗反射膜的基板“W”上。替代地，第一液体可以是光致抗蚀剂，第二液体可以用于抗反射膜。在这种情况下，抗反射膜可以被涂布在涂布有光致抗蚀剂的基板“W”上。可选地，第一液体和第二液体可以是相同类型的液体，并且所有的第一液体和第二液体可以是光致抗蚀剂。

图7是示出图6的加热设备的剖视图。参照图7，加热单元1000包括壳体1100、支撑单元1300和排放单元1500。

壳体1100在其中提供用于对基板“W”进行热处理的处理空间1110。处理空间1110设置成与外部隔离。壳体1100包括上主体1120、下主体1140和密封构件1160。

上主体1120设置为具有开口的下部的圆柱形状。在上主体1120的上表面上形成有排放孔1122和流入孔1124。在上主体1120的中心上形成有排放孔1122。排放孔1122用于排出处理空间1110的气体。多个流入孔1124被设置为间隔开并且布置成围绕排放孔1122。流入孔1124将外部气流引入处理空间1110。根据示例，流入孔1124可以是四个，并且外部气流可以是空气。

替代地，可以将流入孔1124设置为三个或设置为五个以上，或者外部气流可以是惰性气体。

下主体1140被设置为具有开口的上部的圆柱形状。下主体1140位于上主体1120的下方。上主体1120和下主体1140被定位成在竖直方向上彼此面对。上主体1120和下主体1140彼此组合以在其中形成处理空间1110。上主体1120和下主体1140被定位成使得上主体1120和下主体1140的中心轴线在竖直方向上对准。下主体1140可以具有与上主体1120相同的直径。也就是说，下主体1140的上端可以定位成至少对应于上主体1120的下端。

上主体1120和下主体1140中的一个通过提升构件1130移动到打开位置和阻挡位置，而另一个被固定。本发明构思的实施例描述了下主体1140的位置被固定并且上主体1120被移动。打开位置是上主体1120和下主体1140彼此间隔开以打开处理空间1110的位置。阻挡位置是处理空间1110通过下主体1140和上主体1120相对于外部密封的位置。

密封构件1160定位在上主体1120和下主体1140之间。当上主体1120和下主体1140接触时，密封构件1160允许将处理空间相对于外部密封。密封构件1160可以设置成环形圈形状。密封构件1160可以固定地联接到下主体1140的上端。

支撑单元1300在处理空间中支撑基板“W”。支撑单元1300包括支撑板1320、提升销1340、支撑销1360和冷却单元900。

图8是示出图7的支撑单元的平面图。参照图7和图8，支撑板1320设置成圆板形状。支撑板1320的上表面具有比基板“W”更大的直径。

当从上方观察时，提升孔1322被布置成围绕支撑板1320的上表面的中心。每个提升孔1322被布置成在圆周方向上彼此间隔开。

提升销1340在支撑板1320上使基板“W”上下移动。设置有多个提升销1340，并且每个提升销1340被设置为面向竖直方向的销的形状。提升销1340位于每个提升孔1322中。驱动构件(未示出)使每个提升销1340在上移位置和下移位置之间移动。驱动构件(未示出)可以是气缸。

支撑销1360防止基板“W”直接与支撑板1320的底座表面接触。支撑销1360被设置成销的形状，该销的纵向方向平行于提升销1340的纵向方向。提供了多个支撑销1360。每个支撑销1360可以固定地安装在支撑板1320上。支撑销1360从支撑板1320向上突出。支撑销1360的上端具有与基板“W”的底表面直接接触的接触表面，并且支撑销1360的接触表面可以具有向上凸起的形状。因此，支撑销1360与基板“W”之间的接触面积可以最小化。

引导件1380引导基板“W”，使得基板“W”处于正常位置。引导件1380的直径大于基板“W”的直径。引导件1380的内表面随着其靠近支撑板1320的中心轴线而向下倾斜。因此，基板“W”沿着引导件1380的倾斜表面向下滑动到正常位置。另外，引导件1380可以防止空气流过基板“W”和支撑板1320之间。

加热器构件1400加热放置在支撑板1320上的基板“W”。加热器构件1400位于放置在支撑板1320上的基板“W”之下。加热器构件1420包括多个加热器1420。加热器1420位于支撑板1320内部。

加热器1420加热支撑表面的不同区域。当从上方观察时，加热器1420可在支撑板1320中限定多个加热区域。每个加热器1420的温度可独立调节。例如，加热区可以是15。每个加热区的温度由测量构件(未示出)测量。加热器1420可以是印刷图案或加热丝。加热器构件1400可以将支撑板1320加热到工艺温度。

排放单元1500强制地对处理空间1110的内部进行排放。排放单元1500包括排放管道1530和引导板1540。排放管道1530具有纵向方向垂直于竖直方向的管道形状。排放管道1530被定位成穿透上主体1120的上壁。根据示例，排放管道1530可以被定位成插入到排放孔1122中。即，排放管道1530的下端位于处理空间1110中，而排放管道1530的上端位于处理空间1110的外部。减压部件1560连接到排放管道1530的上端。减压部件1560对排放管道1530进行减压。因此，处理空间1110的气体通过引导板的通孔1452和排放管道1530循序排出。

引导板1540具有在中央具有通孔1452的板形。引导板1540具有从排放管道1530的下端延伸的圆板形状。引导板1540固定地连接到排放管道1530，从而通孔1452和排放管道1530的内部彼此连通。引导板1540在支撑板1320的上端处面对支撑板1320的支撑表面。引导板1540被定位成高于下主体1140。根据示例，引导板1540可以被定位在与上主体1120相对应的高度。当从上方看时，引导板1540定位成与流入孔1124重叠，并且引导板的直径与上主体1120的内表面间隔开。因此，在引导板1540的侧端与上主体1120的内表面之间形成间隙，并且该间隙设置在流动路径中，通过该流动路径将从流入孔1124引入的气流供应到基板“W”。

在下文中，参考图9和图10，将描述冷却单元。图9是示出图7的支撑单元的剖视图，而图10是从上方观察时的冷却板920的平面图。

参考图9和图10，冷却单元900包括冷却板920、驱动器970和气体供应构件950。冷却单元900冷却支撑板1320。支撑板1320设置有包括加热器1420的板形加热器构件1400。

冷却板920与加热器构件1400间隔开。喷嘴952设置到冷却板920，并且将冷却气体供应到加热器构件1400的底表面。在一个示例中，多个喷嘴952可以布置成沿冷却板920的圆周方向间隔开。

驱动器970使冷却板920移动。在一个示例中，驱动器970被设置在电机中。替代地，驱动器970设置在气缸中。

驱动器970使冷却板920在与加热器部件1400间隔开第一距离的待用位置以及与加热器部件1400间隔开第二距离的冷却位置之间移动。第二距离被设置成为比第一距离更短的距离。

当从上方观察时，冷却板920被定位成在待用位置和冷却位置中与加热器构件1400重叠。因此，设置冷却板920以冷却加热器构件1400的整个表面。

在一个示例中，冷却板920在其上表面上形成有安装槽953，并且喷嘴952设置在安装槽953中。在一个示例中，提供了多个安装槽953。例如，沿着冷却板920的圆周方向设置有多个安装槽953。

气体供应构件950将冷却气体供应到安装槽953中。气体供应构件950包括气体供应管线954、控制阀956和喷嘴952。气体供应构件950将冷却气体供应到喷嘴中952。在一个示例中，气体是空气。气体供应管线954将冷却气体供应至喷嘴952。控制阀956控制从气体供应源(未示出)供应至气体供应管线954的冷却气体的流速。

在下文中，将参考图11至图13描述本发明构思的用于处理基板的方法。图11是示出用于处理基板的方法的流程图，图12和图13是示出根据本发明构思的实施例的冷却板移动的剖视图。

参考图11，本发明构思的用于处理基板的方法包括第一加热步骤S10、冷却步骤S20和第二加热步骤S30。本发明构思的示例包括冷却步骤S20，该冷却步骤S20用于在第一加热步骤S10中将在前的基板处理至第一温度，并且用于在第二加热步骤S30中将后续的基板处理至第二温度。

在第一加热步骤S10中，支撑板1320在第一温度下加热基板。这时，如图2所示，从参照图12，冷却板920位于待用位置，该待用位置与加热器构件1400间隔开第一距离。

此后，在冷却步骤S20中，将冷却气体供应至支撑板1320，以将支撑板1320冷却至预定温度。在冷却步骤S20中，冷却气体通过气体供应构件950被供应到加热器构件1400的底表面，并且支撑板1320的温度下降。继续冷却步骤S20，直到支撑板1320的温度变为低于第一温度的第二温度。

对于冷却步骤S20，使冷却板920朝着加热器部件1400的方向移动。参照图13，在第一加热步骤中，冷却板920位于与加热器构件1400相隔第二距离的冷却位置。第二距离设置成比第一距离短。

在冷却步骤S20之后，第二加热步骤S30开始。在第二加热步骤S30中，支撑板1320在低于第一温度的第二温度下处理基板。对于第二加热步骤S30，冷却板920返回到与加热器构件1400相隔第一距离的待用位置。

根据本发明构思，由于在第一加热步骤S20或第二加热步骤S30中冷却单元900保持与加热器构件1400的预定距离，因此当加热基板时，可以减少冷却单元900相对于加热器构件1400的影响，从而使加热器构件1400的热损失最小。

根据本发明构思，由于在冷却步骤S20中将冷却板920设置成靠近加热器构件1400，因此容易维持从喷嘴952排出的冷却气体的流速。

根据本发明构思，由于在冷却步骤S20中将冷却板920设置为靠近加热器构件1400，因此可以将冷却气体从喷嘴952直接提供到加热器构件1400的底表面，从而缩短了冷却时间。

再次参考图2和图3，提供了多个缓冲室3800。在转位模块20与传送腔室3400之间设置有缓冲室3800的一部分3802。在下文中，将这些缓冲室3802称为前缓冲件3802。设置多个前缓冲件3802，并且多个前缓冲件3802在竖直方向上彼此堆叠。缓冲室3800中的其他缓冲室3804设置在传送腔室3400和接口模块40之间。在下文中，这些缓冲室3804被称为后缓冲件3804。设置多个后缓冲件3804，并且多个后缓冲件3804在竖直方向上彼此堆叠。前缓冲件3802和后缓冲件3804临时存放多个基板“W”。存放在前缓冲件3802中的基板“W”由转位机械手2200和传送机械手3422引入和取出。存放在后缓冲件3804中的基板“W”由传送机械手3422和第一机械手4602引入和取出。

显影块30b具有热处理腔室3200、传送腔室3400和液体处理腔室3600。由于显影块30b中的热处理腔室3200、传送腔室3400和液体处理腔室3600具有与涂布块30a中的热处理腔室3200、传送腔室3400和液体处理腔室3600基本相似的结构和布置，因此将省略其详细说明。然而，显影块30b中的所有液体处理腔室3600供应相同的显影液，使得基板“W”受到显影处理。

接口模块40将处理模块30与外部曝光设备50连接。接口模块40包括接口框架4100、附加工艺腔室4200、接口缓冲件4400和传送构件4600。

接口框架4100的上端可以设置在风扇过滤器单元中，风扇过滤器单元在其中形成下降的气流。附加工艺腔室4200、接口缓冲件4400和传送构件4600布置在接口框架4100内部。在已经在涂布块30a中处理的基板“W”被传送到曝光设备50之前，附加工艺腔室4200可以执行预定的附加工艺。替代地，在已经由曝光设备50处理过的基板“W”被传送到显影块30b之前，附加工艺腔室4200可以执行预定的附加处理。根据一个示例，附加工艺可以是使基板“W”的边缘区域曝光的边缘曝光工艺、清洁基板“W”的上表面的上表面清洁工艺或清洁基板“W”的底表面的清洁工艺。可以提供多个附加工艺腔室4200，其可以被设置成彼此堆叠。附加工艺腔室4200可以全部被设置成执行相同的工艺。替代地，可以提供一些附加工艺腔室4200以执行不同的工艺。

接口缓冲件4400提供了在传送期间基板“W”暂时保留的空间。基板“W”在涂布块30a、附加工艺腔室4200、曝光设备50和显影块30b之间传送。可以提供多个接口缓冲件4400，并且可以提供多个接口缓冲件4400以彼此堆叠。

根据本发明构思的示例性实施例，附加工艺腔室4200可以基于传送腔室3400的纵向方向而设置在传送腔室3400的一侧上，并且接口缓冲件4400可以设置在传送腔室3400的另一侧上。

传送构件4600在涂布块30a、附加工艺腔室4200、曝光设备50和显影块30b之间传送基板“W”。传送构件4600可以设置在一个或多个机械手中。根据一个示例，传送构件4600具有第一机械手4602和第二机械手4606。第一机械手4602在涂布块30a、附加工艺腔室4200和接口缓冲件4400之间传送基板“W”，且接口机械手4606在接口缓冲件4400和曝光设备50之间传送基板“W”，并且第二机械手4604可以设置成在接口缓冲件4400和显影块30b之间传送基板“W”。

第一机械手4602和第二机械手4606可包括分别放置有基板“W”的手部，并且手部3420可被设置为可向前和向后移动，并且可绕第三方向16旋转，并且可沿第三方向16移动。

可以将转位机械手2200、第一机械手4602和第二机械手4606的手部全部设置为与传送机械手3422、3424的手部3420相同的形状。替代地，利用热处理腔室的传送板3240直接传送基板“W”的机械手的手部被设置为与传送机械手3422、3424的手部3420相同的形状，并且其他机械手的手部可以被设置为不同的形状。

根据示例，可以设置转位机械手2200以利用设置在涂布块30a中的前热处理腔室3200的加热设备3230直接传送基板“W”。

另外，可以提供设置在涂布块30a和显影块30b中的传送机械手3422，以利用位于热处理腔室3200中的传送板3420直接传送基板“W”。

上述基板处理设备1的处理块被描述为执行涂层处理工艺和显影处理工艺。然而，基板处理设备1可以仅包括转位模块20和处理块37，而没有接口模块。在这种情况下，处理块37仅执行涂布处理工艺，并且施加在基板“W”上的膜可以是旋涂硬掩模(SOH)。

上面的描述是出于说明性目的。此外，上述内容描述了本发明构思的示例性实施例，并且本发明构思可以以各种其他组合、改变和环境来使用。即，在不脱离说明书中公开的发明构思的范围、与书面公开等同的范围和/或本领域技术人员的技术或知识范围的情况下，可以对本发明构思进行修改和修正。书面实施例描述了用于实现本发明构思的技术精神的最佳状态，并且可以在发明构思的详细应用领域和目的中进行各种改变。因此，本发明构思的详细描述不旨在将本发明构思限制于所公开的实施例。此外，应解释为所附权利要求包括其他实施例。