栅极驱动电路
阅读说明：本技术 栅极驱动电路 (Gate drive circuit ) 是由 深井真志 于 2020-10-14 设计创作，主要内容包括：在通过使N沟道MOSFET和P沟道MOSFET进行推挽连接来放大输入脉冲信号而驱动输出元件的栅极驱动电路中,在所述N沟道MOSFET和所述P沟道MOSFET的栅极端子之间连接温度补偿电路,所述温度补偿电路随着周围温度的升高而降低所述N沟道MOSFET和所述P沟道MOSFET的各栅极电压。(In a gate driving circuit for driving an output element by amplifying an input pulse signal by push-pull connection of an N-channel MOSFET and a P-channel MOSFET, a temperature compensation circuit is connected between gate terminals of the N-channel MOSFET and the P-channel MOSFET, and the temperature compensation circuit decreases respective gate voltages of the N-channel MOSFET and the P-channel MOSFET with an increase in ambient temperature.)
技术领域
本发明涉及一种使N沟道MOSFET和P沟道MOSFET进行推免连接而驱动功率半导体元件的栅极驱动电路。
背景技术
对功率MOSFET和IGBT等功率半导体元件进行驱动的栅极驱动电路有多个种类。例如，有对N沟道MOSFET和P沟道MOSFET进行推挽连接的栅极驱动电路(实开平05-048584号公报)。该栅极驱动电路可实现在低损耗下高速开关驱动。
但是，在上述现有技术专利文献示出的栅极驱动电路中，因为栅极电压是恒定的，没有温度补偿，会伴随着温度变化出现如下文所述的问题。
1)低温时和高温时的打开延迟时间及关闭延迟时间不同。因此，栅极驱动电路的应答性存在温度依赖性。
2)N沟道MOSFET和P沟道MOSFET同时开启时间延长，损耗增大。特别是一旦在高频开关时元件的温度升高，则容易发生同时开启的情况，损耗变大。
这些问题的原因在于MOSFET的阈值随温度(周围温度)而变化。
本发明着眼于MOSFET的阈值随温度(周围温度)而变化的问题。本发明的目的是提供一种栅极驱动电路，使栅极电压根据温度(周围温度)而变化。
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