一种耐高温抗静电非硅离型膜的制备方法
阅读说明：本技术 一种耐高温抗静电非硅离型膜的制备方法 (Preparation method of high-temperature-resistant antistatic non-silicon release film ) 是由 金闯 胡代鹏 冯慧杰 于 2021-07-29 设计创作，主要内容包括：本发明公开了一种耐高温抗静电非硅离型膜的制备方法,其特征在于,包括如下步骤：对基材进行电晕处理,涂布底涂剂,得到底涂层；在底涂层上涂布抗静电剂,得到抗静电层；在抗静电层上涂布非硅离型剂,120℃下固化30-60s,得到耐高温抗静电非硅离型膜；其中,非硅离型剂的制备方法如下：将聚乙烯亚胺十八烷基脲和聚乙烯氨基十八烷基甲酸酯按照1:0.8的重量比例混合,得到混合物A；将混合物A用溶剂B稀释至0.25-2wt%,加热溶解,得到非硅离型剂。(The invention discloses a preparation method of a high-temperature-resistant antistatic non-silicon release film, which is characterized by comprising the following steps of: carrying out corona treatment on the base material, and coating a primer to obtain a primer layer; coating an antistatic agent on the bottom coating to obtain an antistatic layer; coating a non-silicon release agent on the antistatic layer, and curing at 120 ℃ for 30-60s to obtain a high-temperature-resistant antistatic non-silicon release film; the preparation method of the non-silicon release agent comprises the following steps: mixing polyethyleneimine octadecyl urea and polyethylene amino octadecyl formate according to the weight ratio of 1:0.8 to obtain a mixture A; diluting the mixture A to 0.25-2wt% by using a solvent B, and heating to dissolve to obtain the non-silicon release agent.)
技术领域
本发明属于离型膜领域，具体涉及一种耐高温抗静电非硅离型膜的制备方法。
背景技术
离型膜是在薄膜上涂布了离型剂的膜材料，其特点是表面平整、洁净度高，后续加工尺寸稳定，透明度及颜色可调整，薄膜的厚度与基材的种类可选择的范围广，离型膜与特定的材料在有限的条件下接触后不具有粘性，或轻微的粘性；目前PET离型膜之所以具有离型效果，主要是因为表面涂布一层具有阻隔效果的硅油；但是随着电子显示屏行业的兴起，华为、苹果等众多公司要求离型膜不能含有任何硅元素，因为即使微量的硅转移也会导致OCA胶带在显示屏领域上的贴合出现瑕疵，污染面板，导致良品率降低；因此，非硅离型膜逐步兴起；此外，现有的非硅离型膜，耐高温性能差，在高温环境下容易老化，使用寿命短，且抗压和抗静电效果差，使用时容易产生静电造成火灾。
发明内容
针对现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种耐高温抗静电非硅离型膜的制备方法，解决现有技术中硅转移、抗静电效果差、老化后离型力爬升严重等问题。
为解决现有技术问题，本发明采取的技术方案为：
本发明提供的一种耐高温抗静电非硅离型膜的制备方法，包括如下步骤：
对基材进行电晕处理，涂布底涂剂，得到底涂层；
在底涂层上涂布抗静电剂，得到抗静电层；
在抗静电层上涂布非硅离型剂，120℃下固化30-60s，得到耐高温抗静电非硅离型膜；
其中，非硅离型剂的制备方法如下：
将聚乙烯亚胺十八烷基脲和聚乙烯氨基十八烷基甲酸酯按照1:0.8的重量比例混合，得到混合物A；
将混合物A用溶剂B稀释至0.25-2wt%，加热溶解，得到非硅离型剂。
进一步的，底涂剂包括聚乙烯醇缩丁醛。
进一步的，底涂剂的涂布量为0.1-1 um。
进一步的，抗静电剂的制备方法如下：将聚噻吩和溶剂C按照1:7的重量比例混合，得到抗静电剂。
进一步的，溶剂C的制备方法如下：将异丙醇和水按照6:4的重量比例混合，得到溶剂C。
进一步的，抗静电剂的涂布量为0.1-0.2 um。
进一步的，溶剂B的制备方法如下：将甲苯和异丙醇按照3:1的重量比例混合，得到溶剂B。
进一步的，加热溶解的温度是42-45℃，加热溶解的时间是30min。
进一步的，非硅离型剂的涂布量为0.1-0.4 um。
进一步的，基材包括0.05mm哑光PET。
与现有技术相比，本发明的有益效果在于：
本发明提供的一种耐高温抗静电非硅离型膜的制备方法，在底涂层上涂布抗静电剂，形成抗静电层，抗静电效果好；使用聚乙烯亚胺十八烷基脲和聚乙烯氨基十八烷基甲酸酯制备非硅离型剂，避免了硅转移带来的产品瑕疵；120℃下固化30-60s即可完全成型，无需后期熟化，最终得到的离型膜耐高温性能好，在高温环境下不会出现老化后离型力爬升严重的现象。
具体实施方式
下面对本发明作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本发明的技术方案，而不能以此来限制本发明的保护范围。
实施例1
本发明实施例提供的一种耐高温抗静电非硅离型膜的制备方法，先对50哑光PET进行电晕处理，涂布底涂剂聚乙烯醇缩丁醛，涂布量为0.5um，得到底涂层。
将异丙醇和水以6:4的重量比例混合成溶剂C，将聚噻吩和溶剂C以1:7的重量比例混合，得到抗静电剂，然后将抗静电剂涂布在底涂层上，涂布量为0.1 um，得到抗静电层。
将聚乙烯亚胺十八烷基脲和聚乙烯氨基十八烷基甲酸酯按照1:0.8的重量比例混合，得到混合物A；将甲苯和异丙醇按照3:1的重量比例混合，得到溶剂B；将混合物A和溶剂B以1:220的重量比例混合，在42℃下加热溶解30min，得到非硅离型剂，将非硅离型剂涂布在抗静电层上，涂布量为0.1um，在120℃下高温固化45s，得到最终的耐高温抗静电非硅离型膜。
对制得的耐高温抗静电非硅离型膜进行不同温度下24小时离型力测试，数据如下：23℃下离型力24.5(gf/inch)，50℃下离型力44.7(gf/inch)，70℃下离型力67.8(gf/inch)，120℃下离型力147(gf/inch)。
实施例2
本发明实施例提供的一种耐高温抗静电非硅离型膜的制备方法，先对50哑光PET进行电晕处理，涂布底涂剂聚乙烯醇缩丁醛，涂布量为0.5um，得到底涂层。
将异丙醇和水以6:4的重量比例混合成溶剂C，将聚噻吩和溶剂C以1:7的重量比例混合，得到抗静电剂，然后将抗静电剂涂布在底涂层上，涂布量为0.2 um，得到抗静电层。
将聚乙烯亚胺十八烷基脲和聚乙烯氨基十八烷基甲酸酯按照1:0.8的重量比例混合，得到混合物A；将甲苯和异丙醇按照3:1的重量比例混合，得到溶剂B；将混合物A和溶剂B以1:100的重量比例混合，在45℃下加热溶解30min，得到非硅离型剂，将非硅离型剂涂布在抗静电层上，涂布量为0.3um，在120℃下高温固化30s，得到最终的耐高温抗静电非硅离型膜。
对制得的耐高温抗静电非硅离型膜进行不同温度下24小时离型力测试，数据如下：23℃下离型力15.5(gf/inch)，50℃下离型力22.5(gf/inch)，70℃下离型力35.4(gf/inch)，120℃下离型力62(gf/inch)。
实施例3
本发明实施例提供的一种耐高温抗静电非硅离型膜的制备方法，先对50哑光PET进行电晕处理，涂布底涂剂聚乙烯醇缩丁醛，涂布量为0.5um，得到底涂层。
将异丙醇和水以6:4的重量比例混合成溶剂C，将聚噻吩和溶剂C以1:7的重量比例混合，得到抗静电剂，然后将抗静电剂涂布在底涂层上，涂布量为0.1um，得到抗静电层。
将聚乙烯亚胺十八烷基脲和聚乙烯氨基十八烷基甲酸酯按照1:0.8的重量比例混合，得到混合物A；将甲苯和异丙醇按照3:1的重量比例混合，得到溶剂B；将混合物A和溶剂B以1:150的重量比例混合，在44℃下加热溶解30min，得到非硅离型剂，将非硅离型剂涂布在抗静电层上，涂布量为0.4um，在120℃下高温固化60s，得到最终的耐高温抗静电非硅离型膜。
对制得的耐高温抗静电非硅离型膜进行不同温度下24小时离型力测试，数据如下：23℃下离型力22(gf/inch)，50℃下离型力37(gf/inch)，70℃下离型力52.6(gf/inch)，120℃下离型力135(gf/inch)。
实施例4
本发明实施例提供的一种耐高温抗静电非硅离型膜的制备方法，先对50哑光PET进行电晕处理，涂布底涂剂聚乙烯醇缩丁醛，涂布量为0.5um，得到底涂层。
将异丙醇和水以6:4的重量比例混合成溶剂C，将聚噻吩和溶剂C以1:7的重量比例混合，得到抗静电剂，然后将抗静电剂涂布在底涂层上，涂布量为0.2um，得到抗静电层。
将聚乙烯亚胺十八烷基脲和聚乙烯氨基十八烷基甲酸酯按照0.8:1的重量比例混合，得到混合物A；将甲苯和异丙醇按照3:1的重量比例混合，得到溶剂B；将混合物A和溶剂B以1:100的重量比例混合，在44℃下加热溶解30min，得到非硅离型剂，将非硅离型剂涂布在抗静电层上，涂布量为0.4um，在120℃下高温固化60s，得到最终的耐高温抗静电非硅离型膜。
对制得的耐高温抗静电非硅离型膜进行不同温度下24小时离型力测试，数据如下：23℃下离型力45(gf/inch)，50℃下离型力60(gf/inch)，70℃下离型力82.4(gf/inch)，120℃下离型力154(gf/inch)。
综上所述，本发明提供的一种耐高温抗静电非硅离型膜的制备方法，在底涂层上涂布抗静电剂，形成抗静电层，抗静电效果好；使用聚乙烯亚胺十八烷基脲和聚乙烯氨基十八烷基甲酸酯制备非硅离型剂，避免了硅转移带来的产品瑕疵；120℃下固化30-60s即可完全成型，无需后期熟化，最终得到的离型膜耐高温性能好，在高温环境下不会出现老化后离型力爬升严重的现象；所用的非硅离型剂中不含有硅元素、氟元素及重金属有害物质，属于环保型产品。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变形，这些改进和变形也应视为本发明的保护范围。
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