阅读说明：本技术 一种光功率检测电路的升压模块 (Boosting module of optical power detection circuit ) 是由 徐浩 陈传荣 于 2019-08-21 设计创作，主要内容包括：本发明公开了一种光功率检测电路的升压模块,包括升压芯片,升压芯片引脚IN与电容C1027的一端连接,引脚LX1和LX2与电感L12和二极管D21连接,二极管D21的负极与电阻R949的一端连接,另一端与电阻R948的一端连接,引脚BIAS与电阻R162的一端连接,另一端与电容C1028连接,电容C136一端与电阻R162连接,另一端与地极连接,引脚APD与电阻R164的一端连接,引脚CLAMP与电阻R174的一端连接,引脚MOUT与电阻R956、R1124连接,电容C124与R1124并联连接,引脚RLIM与电阻R169的一端连接,引脚ILIM与电阻R169的一端连接,另一端与电阻R175连接,电容C171与电阻R175并联连接,引脚SGND与地极连接,升压模块,引脚SGND与地极连接,起到很好的抗干扰作用,电容C124与R1124并联连接可以很好的过滤掉电路中的杂波,使上报值准确。(The invention discloses a boosting module of an optical power detection circuit, which comprises a boosting chip, wherein a pin IN of the boosting chip is connected with one end of a capacitor C1027, pins LX1 and LX2 are connected with an inductor L12 and a diode D21, the cathode of the diode D21 is connected with one end of a resistor R949, the other end of the diode D21 is connected with one end of a resistor R948, a pin BIAS is connected with one end of a resistor R162, the other end of the pin BIAS is connected with a capacitor C1028, one end of a capacitor C136 is connected with a resistor R162, the other end of the capacitor C136 is connected with a ground pole, a pin APD is connected with one end of a resistor R164, a pin CLAMP is connected with one end of a resistor R174, a pin MOUT is connected with resistors R956 and R1124, a capacitor C124 is connected with R1124 IN parallel, a pin RLIM is connected with one end of a resistor R169, a pin ILIM is connected with one end of a resistor R169, the other end of a resistor R169, a capacitor C171 is connected with, the capacitor C124 is connected with the capacitor R1124 in parallel, so that noise waves in the circuit can be well filtered out, and reported values are accurate.)

一种光功率检测电路的升压模块

技术领域

本发明涉及光功率检测技术领域，具体为一种光功率检测电路的升压模块。

背景技术

现在的光功率检测电路，一般从OLT接收到光后,光电探测器产生光感应电流，收光则由接收机完成，将接收到的光放大并转化为电信号传给控制系统进行信号处理，得到需要的信息。

现在市场上一般采用升压芯片为I7990的升压模块,在下行光是大光, 超过-15DB的情况下, ONU上报的值与实际收到的光相差较大, 偏差经常超过2DB,造成产品上报的不良比率高。

发明内容

基于此，本发明提供了一种光功率检测电路的升压模块。

一种光功率检测电路的升压模块，包括升压芯片，所述升压芯片引脚IN与电容C1027的一端连接，引脚LX1和LX2与电感L12和二极管D21的正极之间的公共连接点连接，二极管D21的负极与电阻R949的一端连接，另一端与电阻R948的一端连接，引脚BIAS与电阻R162的一端连接，电阻R162的另一端与电容C1028连接，电容C136一端与电阻R162连接，另一端与地极连接，引脚APD与电阻R164的一端连接，引脚CLAMP与电阻R174的一端连接，引脚MOUT分别与电阻R956、R1124连接，电容C124与R1124并联连接，引脚RLIM与电阻R169的一端连接，引脚ILIM与电阻R169的一端连接，另一端与电阻R175连接，电容C171与电阻R175并联连接，引脚CNTRL与电阻R950连接，引脚SGND与地极连接。

其中一个实施例为，所述电容C124的容量为100PF。

其中一个实施例为，所述升压芯片的型号为I799N。

上述一种光功率检测电路的升压模块，通过将引脚SGND与地极连接, 以及电容C124与R1124并联连接, 引脚SGND与地极连接，可以起到很好的抗干扰作用，电容C124与R1124并联连接可以很好的过滤掉电路中的杂波，有效改善大光上报不准的问题，使上报值准确,偏差小,一致性好。

附图说明

图1为本发明一实施例一种光功率检测电路的升压模块的电路图。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。

需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

如图1所示，一种光功率检测电路的升压模块，包括升压芯片，所述升压芯片引脚IN与电容C1027的一端连接，引脚LX1和LX2与电感L12和二极管D21的正极之间的公共连接点连接，二极管D21的负极与电阻R949的一端连接，另一端与电阻R948的一端连接，引脚BIAS与电阻R162的一端连接，电阻R162的另一端与电容C1028连接，电容C136一端与电阻R162连接，另一端与地极连接，引脚APD与电阻R164的一端连接，引脚CLAMP与电阻R174的一端连接，引脚MOUT分别与电阻R956、R1124连接，电容C124与R1124并联连接，引脚RLIM与电阻R169的一端连接，引脚ILIM与电阻R169的一端连接，另一端与电阻R175连接，电容C171与电阻R175并联连接，引脚CNTRL与电阻R950连接，引脚SGND与地极连接。

当对光功率进行检测时，光接收机接收到光后转化为电信号从升压芯片的IN引脚进入，在升压芯片中升压后，由引脚MOUT输出，分别经过电阻R956和R1124分压后，将输出的电流提供给控制模块后进行信息处理，最终得到光功率值，电容C124与电阻R1124并联连接可以很好的过滤掉电路中的杂波，引脚SGND与地极连接，可以起到很好的抗干扰作用。

上述一种光功率检测电路的升压模块，通过将引脚SGND与地极连接, 以及电容C124与R1124并联连接, 引脚SGND与地极连接，可以起到很好的抗干扰作用，电容C124与R1124并联连接可以很好的过滤掉电路中的杂波，有效改善大光上报不准的问题，使上报值准确,偏差小,一致性好。

进一步地，为了达到更好的滤波效果，所述电容C124的容量为100PF。

这样，采用容量为100PF的电容，滤波电容C124不仅使电源直流输出平滑稳定，同时还可吸收电子电路工作过程中产生的电流波动和经由交流电源串入的干扰，使得电路的工作性能更加稳定。

进一步地，所述升压芯片的型号为I799N。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。