阅读说明：本技术 从氮化钛表面去除氧化物 (Removal of oxides from titanium nitride surfaces ) 是由 J·J·王 仲華 于 2019-08-07 设计创作，主要内容包括：提供了用于从氮化钛表面去除氧化物的系统和工艺。在一个示例实施中,方法包括将工件放置在处理腔室中的工件支撑件上。工件可具有氮化钛层。方法可包括对氮化钛层进行基于等离子体的氧化物去除工艺。基于等离子体的氧化物去除工艺可包括：使用等离子体源在工艺气体中通过诱导等离子体生成一种或多种物质；和将工件暴露于等离子体中生成的物质。工艺气体可包括第一气体和第二气体的混合物。第一气体可包括含氢气体和含氮气体的一种或多种。第二气体可包括含氟气体。(Systems and processes for removing oxide from a titanium nitride surface are provided. In one example implementation, a method includes placing a workpiece on a workpiece support in a processing chamber. The workpiece may have a titanium nitride layer. The method may include subjecting the titanium nitride layer to a plasma-based oxide removal process. The plasma-based oxide removal process may include: generating one or more species in the process gas by inducing a plasma using a plasma source; and exposing the workpiece to species generated in the plasma. The process gas may comprise a mixture of a first gas and a second gas. The first gas may include one or more of a hydrogen-containing gas and a nitrogen-containing gas. The second gas may comprise a fluorine-containing gas.)

从氮化钛表面去除氧化物

优先权声明

本申请要求2018年8月31日提交的名称为“Oxide Removal from TitaniumNitride Surfaces(从氮化钛表面去除氧化物)”的美国临时申请系列号62/725,337的优先权权益，其通过引用并入本文。

技术领域

本公开大体上涉及半导体加工，并且更具体地涉及从工件，比如半导体工件去除氧化物。

背景技术

在半导体加工中，在集成电路的制造中氮化钛表面可用作导电性扩散阻挡层。例如，氮化钛可用作半导体材料(例如，Si、SiGe等)和金属(比如铝、铜或钨)之间的导电性扩散阻挡体。作为扩散层，氮化钛可减少金属和其他杂质(其可大幅度地改变设备性能)扩散入半导体材料。作为导电层，氮化钛层可用作金属和半导体层之间的导电性接触层。