具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

需要说明，本发明实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。

另外，在本发明中涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围之内。

本发明提出一种硅控整流电路。

参照图1，在本发明实施例中，所述硅控整流电路包括：整流模块100、控制模块200以及驱动模块300，所述控制模块200分别与所述整流模块100和所述驱动模块300连接，所述整流模块100和所述控制模块200均与电网输入端连接，所述整流模块100包括至少一个硅控整流管，各个所述硅控整流管的第一端与所述驱动模块300连接，各个所述硅控整流管的第二端与所述电网输入端连接，各个所述硅控整流管的第三端与母线连接，其中，

所述控制模块200，用于采集所述整流模块100中各个硅控整流管第二端与第三端之间的电压，并根据所述各个硅控整流管第二端与第三端之间的电压生成驱动信号；

本实施例中，所述控制模块200可以为MCU处理器或者其他类型处理器，本实施例对此并不加以限制，例如，整流模块100可以包括硅控整流桥电路，通过MCU处理器检测硅控整流桥电路中各个硅控整流管两端电压的方式控制硅控整流管发波，控制模块200采集硅控整流桥电路中硅控整流管两端电压，并根据硅控整流管两端电压生成驱动信号。

易于理解的是，继续参照图1，控制模块200可以包括处理单元201和调理单元202，调理就是放大、缓冲或定标模拟信号等，使其适合于模数转换器的输入，模数转换器对模拟信号进行数字化，并把数字信号送到处理单元201中的MCU处理器或其他处理器，或者调理单元202可以直接将模拟信号发送至处理单元201中的MCU处理器或其他处理器，以便用于MCU处理器或其他处理器的数据处理。本实施例中，该调理单元202可以对采集到的各个硅控整流管第二端与第三端之间的电压进行信号处理。例如对各个硅控整流管第二端与第三端之间的电压进行滤波、对各个硅控整流管第二端与第三端之间的电压进行电压抬高等，本实施例对调理单元202具体的调理电路结构以及信号处理方式并不加以限制。

所述驱动模块300，用于接收所述驱动信号，并根据所述驱动信号控制所述整流模块100的硅控整流管。本实施例中，驱动模块300与整流模块100的控制端连接，驱动模块300接收驱动信号，并根据驱动信号通过整流模块100的控制端实现控制整流模块100的输出电压。整流模块100可以包括可控硅，驱动信号可以直接控制可控硅，进而控制输出电压。本实施例中，控制模块200将驱动信号传输至驱动模块300，驱动模块300根据驱动信号控制整流模块100的输出电压，其中，驱动模块300可以为推挽三极管电路、推挽MOS管电路以及恒流源电路中的任意一种，驱动模块300还可以为其他类型的驱动电路，本实施例对此并不加以限制。

需要说明的是，控制模块200将驱动信号传输至驱动模块300，整流模块100可以包括硅控整流桥电路，硅控整流桥电路可以包括若干可控硅，控制模块200还可以控制硅控整流桥电路中的可控硅以移相角方式开关，这样可以省去上电缓冲电路，降低成本。

易于理解的是，所述整流模块100还可以包括直流总线电路，直流总线电路的输入端与硅控整流桥电路的输出端连接，直流总线电路可以包括充电电容，直流总线电路接收硅控整流桥电路输出的直流电，将直流电转换成直流电压值并通过该充电电容储存该直流电压值。

本实施例中，所述硅控整流电路包括：整流模块100、控制模块200以及驱动模块300，所述控制模块200分别与所述整流模块100和所述驱动模块300连接，所述整流模块100和所述控制模块200均与电网输入端连接，所述整流模块100包括至少一个硅控整流管，各个所述硅控整流管的第一端与所述驱动模块300连接，各个所述硅控整流管的第二端与所述电网输入端连接，各个所述硅控整流管的第三端与母线连接，其中，所述控制模块200，用于采集所述整流模块100中各个硅控整流管第二端与第三端之间的电压，并根据所述各个硅控整流管第二端与第三端之间的电压生成驱动信号；所述驱动模块300，用于接收所述驱动信号，并根据所述驱动信号控制所述整流模块100的硅控整流管。相对于现有控制单元MCU检测电网电压，进行判断、发波和经功率放大电路后直接驱动整流模块，本实施例中，控制模块通过检测整流模块中硅控整流管两端电压而非电网线电压，并根据检测到的整流模块中硅控整流管两端的电压驱动硅控整流管，本实施例在控制上灵活，上电时不需要使用上电缓冲电阻等，不占用空间，减少成本；同时，检测整流模块中硅控整流管两端电压而非电网线电压，减少与电网相连电阻串数量、减小板子占用面积，降低成本，从而解决了现有可控硅驱动存在不灵活、占用空间大以及成本高的技术问题。

进一步地，参照图2，所述控制模块200，用于采集所述整流模块100中各个硅控整流管第二端与所述母线P之间的电压，并根据所述各个硅控整流管第二端与所述母线P之间的电压生成驱动信号。

需要说明的是，控制模块200采集所述整流模块100中各个硅控整流管第二端与所述母线P之间的电压，并根据所述各个硅控整流管第二端与所述母线P之间的电压生成驱动信号，即通过检测第一相R、第二相S、第三相T和母线P之间的电压生产驱动信号。

进一步地，参照图3，所述控制模块200和所述驱动模块300的接地端GND与所述母线P连接。

需要说明的是，控制模块200可以包括处理单元201和调理单元202，参照图3，调理单元202与驱动模块300连接，处理单元201、调理单元202、控制模块200和驱动模块300的接地端GND均与母线P连接，其中，所述控制模块200和所述驱动模块300的接地端GND与母线P连接，接地端GND为信号地，所述母线P为母线的正电压。

进一步地，继续参照图2，各个所述硅控整流管的第一端为控制端，各个所述硅控整流管的第二端为阳极，各个所述硅控整流管的第三端为阴极。

需要说明的是，所述整流模块100包括至少一个硅控整流管，本实施例中以三个硅控整流管进行说明，所述整流模块100包括三个硅控整流管即第一可控硅SCR1、第二可控硅SCR2和第三可控硅SCR3，各个所述硅控整流管的第一端与所述驱动模块300连接，各个所述硅控整流管的第二端与所述电网输入端连接，各个所述硅控整流管的第三端与母线P连接，且所述控制模块200和所述驱动模块300的接地端与所述母线连接。

进一步地，继续参照图2，所述控制模块200包括处理单元201和调理单元202；其中，

所述调理单元202，用于对所述电网输入端输入的电网电压进行调理，并将调理后的电压信号发送至所述处理单元201；

在上电缓启时，所述处理单元201，用于根据接收到的调理后的电压信号生成包含移相信号的驱动信号，并发送至所述驱动模块300。

需要说明的是，所述控制模块200可以包括处理单元201和调理单元202，处理单元201中的MCU还可以控制硅控整流管以移相角方式缓慢开关，这样可以省去上电缓冲电路，控制上灵活，上电时不需要使用上电缓冲电阻等，不占用空间，减少成本。

进一步地，继续参照图2，所述整流模块100包括硅控整流桥电路101，所述硅控整流桥电路101与电网输入端连接；其中，

所述硅控整流桥电路101，用于接收所述电网输入端输入的三相交流电，并对所述三相交流电进行整流，以输出直流电；

所述硅控整流桥电路101，还用于接收所述驱动模块300的驱动信号，并根据所述驱动信号控制所述直流电输出。

需要说明的是，控制模块200可以包括处理单元201和调理单元202，参照图3，调理单元202与驱动模块300连接，处理单元201、调理单元202、控制模块200和驱动模块300的接地端GND均与母线P连接，其中，所述控制模块200和所述驱动模块300的接地端GND与母线P连接，接地端GND为信号地，所述母线P为母线的正电压。

本实施例中所述硅控整流电路可以为半控型硅控整流电路，其中，所述电源可以为三相交流电源，硅控整流桥电路101与三相交流电源连接，硅控整流桥电路101可以包括若干可控硅，通过MCU处理器检测三相交流电源输入的电网输入电压的方式控制硅控整流桥电路101发波。即电网输入电压将连接到三相连接器，通过硅控整流桥电路101进行整流，以向可控硅的中间dc电压电路提供dc电压U_dc+、U_dc-，即硅控整流桥电路101接收三相交流电，并将该三相交流电整流为直流电后输出。

易于理解的是，驱动模块300与整流模块100的控制端连接，硅控整流桥电路101接收驱动模块300的驱动信号，并根据驱动信号控制直流电输出。

进一步地，参照图2，所述整流模块100还包括直流总线电路102，所述直流总线电路102的输入端与所述硅控整流桥电路101的输出端连接；其中，

所述直流总线电路102，用于接收所述硅控整流桥电路101输出的直流电，并将所述直流电转换成直流电压值；

所述直流总线电路102，还用于储存所述直流电压值。

需要说明的是，所述整流模块100还可以包括直流总线电路102，直流总线电路102的输入端与硅控整流桥电路101的输出端连接，直流总线电路102可以包括充电电容C，直流总线电路102接收硅控整流桥电路101输出的直流电，将直流电转换成直流电压值并通过该充电电容C储存该直流电压值。

易于理解的是，直流总线电路102可以包括一个或多个充电电容C，充电电容C可以与所述硅控整流桥电路101并联，充电电容C也可以与所述硅控整流桥电路101串联，本实施例对此不加以限制。

进一步地，参照图2，所述硅控整流桥电路101包括第一整流桥1011、第二整流桥1012以及第三整流桥1013；其中，

所述第一整流桥1011与所述三相交流电源的第一相连接，所述第一整流桥1011与所述第二整流桥1012连接，所述第二整流桥1012与所述三相交流电源的第二相连接，所述第二整流桥1012与所述第三整流桥1013连接，所述第三整流桥1013与所述三相交流电源的第三相连接，所述第三整流桥1013与所述驱动模块300连接。

需要说明的是，在使用MCU处理器进行软件发波时，通过MCU处理器检测三相交流电源输入的电网输入电压的方式控制硅控整流桥电路发波，检测三相交流电源输入的电网输入电压至少需要4串电阻串与电网相连，占用面积大，成本高，而本实施例中，检测硅控整流桥电路101两端电压而非电网线电压，减少与电网相连电阻串数量、减小板子占用面积，降低成本，本实施例中只需要3串电阻串与电网相连即硅控整流桥电路101可以包括第一整流桥1011、第二整流桥1012以及第三整流桥1013，其中，第一整流桥1011与三相交流电源的第一相R连接，第二整流桥1012与三相交流电源的第二相S连接，第三整流桥1013与三相交流电源的第三相T连接。

进一步地，继续参照图2，所述第一整流桥1011包括第一可控硅SCR1以及第一二极管D1；其中，

所述第一可控硅SCR1的阳极与所述第一二极管D1的阴极连接，所述第一可控硅SCR1的阳极与所述三相交流电源的第一相连接，所述第一可控硅SCR1的阴极与所述第二整流桥1012连接，所述第一二极管D1的阳极与所述第二整流桥1012连接。

需要说明的是，可控硅为晶闸管，晶闸管的特性为：晶闸管电压正向偏置时，可以通过向门极提供门极电流而接通到导电状态。然而，传统的晶闸管不能从门极切断，而是只要存在通过晶闸管的电流，其就保持导电。晶闸管应用于变频器的整流器时，则需要驱动晶闸管以产生所期望的中间电路dc电压。

具体地，第一整流桥1011可以包括第一可控硅SCR1以及第一二极管D1，第一可控硅SCR1以及第一二极管D1形成了串联连接对，在该串联连接对中，第一二极管D1的阴极连接到第一可控硅SCR1的阳极，整流电压Udc在第一可控硅SCR1的阴极和第一二极管D1的阳极之间形成。

进一步地，继续参照图2，所述第二整流桥1012包括第二可控硅SCR2以及第二二极管D2；其中，

所述第二可控硅SCR2的阳极与所述第二二极管D2的阴极连接，所述第二可控硅SCR2的阳极与所述三相交流电源的第二相连接，所述第二可控硅SCR2的阴极与所述第三整流桥1013连接，所述第二二极管D2的阳极与所述第三整流桥1013连接。

需要说明的是，第二整流桥1012包括第二可控硅SCR2以及第二二极管D2，第二可控硅SCR2以及第二二极管D2形成了串联连接对，在该串联连接对中，第二二极管D2的阴极连接到第二可控硅SCR2的阳极，整流电压U_dc在第二可控硅SCR2的阴极和第二二极管D2的阳极之间形成。

进一步地，继续参照图2，所述第三整流桥1013包括第三可控硅SCR3以及第三二极管D3；其中，

所述第三可控硅SCR3的阳极与所述第三二极管D3的阴极连接，所述第三可控硅SCR3的阳极与所述三相交流电源的第三相连接，所述第三可控硅SCR3的阴极与所述直流总线电路102连接，所述第三二极管D3的阳极与所述直流总线电路102连接。

需要说明的是，第三整流桥1013包括第三可控硅SCR3以及第三二极管D3，第三可控硅SCR3以及第三二极管D3形成了串联连接对，在该串联连接对中，第三二极管D3的阴极连接到第三可控硅SCR3的阳极，整流电压U_dc在第三可控硅SCR3的阴极和第三二极管D3的阳极之间形成。

易于理解的是，继续参照图2，第三可控硅SCR3的控制极与驱动模块300连接，硅控整流桥电路101接收驱动模块300的驱动信号，并根据驱动信号控制直流电输出。

需要说明的是，控制模块200将驱动信号传输至驱动模块300，第三可控硅SCR3的控制极与驱动模块300连接，控制模块200还可以控制硅控整流桥电路101中的可控硅以移相角方式开关，这样可以省去上电缓冲电路，降低成本。

进一步地，继续参照图2，所述直流总线电路102包括充电电容C；其中，

所述充电电容C的第一端与所述第三可控硅SCR3的阴极连接，所述充电电容C的第二端与所述第三二极管D3的阳极连接。

需要说明的是，所述整流模块100还可以包括直流总线电路102，直流总线电路102的输入端与硅控整流桥电路101的输出端连接，直流总线电路102可以包括充电电容C，直流总线电路102接收硅控整流桥电路101输出的直流电，将直流电转换成直流电压值并通过该充电电容C储存该直流电压值。

进一步地，所述驱动模块300为推挽三极管电路、推挽MOS管电路以及恒流源电路中的任意一种。

需要说明的是，推挽电路就是两个不同极性晶体管间连接的输出电路，推挽电路可以采用两个参数相同的功率三极管或MOS管，以推挽方式存在于电路中，各负责正负半周的波形放大任务，推挽电路工作时，两只对称的功率开关管每次只有一个导通，所以导通损耗小效率高。推挽电路的输出既可以向负载灌电流，也可以从负载抽取电流，推挽电路可以包括推挽三极管电路以及推挽MOS管电路等。

具体地，控制模块200将驱动信号传输至驱动模块300，驱动模块300根据驱动信号控制整流模块100的输出电压，其中，驱动模块300可以为推挽三极管电路、推挽MOS管电路以及恒流源电路中的任意一种，驱动模块300还可以为其他类型的驱动电路，本实施例对此并不加以限制。

本发明实施例提供了一种基于如上文所述的硅控整流电路的硅控整流方法，参照图4，图4为本发明一种基于硅控整流电路的硅控整流方法第一实施例的流程示意图。

本实施例中，所述硅控整流方法包括以下步骤：

步骤S10：所述控制模块采集所述整流模块中各个硅控整流管第二端与第三端之间的电压，并根据所述各个硅控整流管第二端与第三端之间的电压生成驱动信号。

需要说明的是，所述控制模块可以为MCU处理器或者其他类型处理器，本实施例对此并不加以限制，例如，整流模块可以包括硅控整流桥电路，通过MCU处理器检测硅控整流桥电路中各个硅控整流管两端电压的方式控制硅控整流管发波，控制模块采集硅控整流桥电路中硅控整流管两端电压，并根据硅控整流管两端电压生成驱动信号。

易于理解的是，控制模块可以包括处理单元和调理单元，调理就是放大、缓冲或定标模拟信号等，使其适合于模数转换器的输入，模数转换器对模拟信号进行数字化，并把数字信号送到处理单元中的MCU处理器或其他处理器，或者调理单元可以直接将模拟信号发送至处理单元中的MCU处理器或其他处理器，以便用于MCU处理器或其他处理器的数据处理。本实施例中，该调理单元可以对采集到的各个硅控整流管第二端与第三端之间的电压进行信号处理。例如对各个硅控整流管第二端与第三端之间的电压进行滤波、对各个硅控整流管第二端与第三端之间的电压进行电压抬高等，本实施例对调理单元202具体的调理电路结构以及信号处理方式并不加以限制。

步骤S20：所述驱动模块接收所述驱动信号，并根据所述驱动信号控制所述整流模块的硅控整流管。

易于理解的是，驱动模块与整流模块的控制端连接，驱动模块接收驱动信号，并根据驱动信号通过整流模块的控制端实现控制整流模块的输出电压。整流模块可以包括可控硅，驱动信号可以直接控制可控硅，进而控制输出电压。本实施例中，控制模块将驱动信号传输至驱动模块，驱动模块根据驱动信号控制整流模块的输出电压，其中，驱动模块可以为推挽三极管电路、推挽MOS管电路以及恒流源电路中的任意一种，驱动模块还可以为其他类型的驱动电路，本实施例对此并不加以限制。

需要说明的是，控制模块将驱动信号传输至驱动模块，整流模块可以包括硅控整流桥电路，硅控整流桥电路可以包括若干可控硅，控制模块还可以控制硅控整流桥电路中的可控硅以移相角方式开关，这样可以省去上电缓冲电路，降低成本。

易于理解的是，所述整流模块还可以包括直流总线电路，直流总线电路的输入端与硅控整流桥电路的输出端连接，直流总线电路可以包括充电电容，直流总线电路接收硅控整流桥电路输出的直流电，将直流电转换成直流电压值并通过该充电电容储存该直流电压值。

本实施例通过控制模块采集所述整流模块中各个硅控整流管第二端与第三端之间的电压，并根据所述各个硅控整流管第二端与第三端之间的电压生成驱动信号；所述驱动模块接收所述驱动信号，并根据所述驱动信号控制所述整流模块的硅控整流管。相对于现有控制单元MCU检测电网电压，进行判断、发波和经功率放大电路后直接驱动整流模块，本实施例中，控制模块通过检测整流模块中硅控整流管两端电压而非电网线电压，并根据检测到的整流模块中硅控整流管两端的电压驱动硅控整流管，本实施例在控制上灵活，上电时不需要使用上电缓冲电阻等，不占用空间，减少成本；同时，检测整流模块中硅控整流管两端电压而非电网线电压，减少与电网相连电阻串数量、减小板子占用面积，降低成本，从而解决了现有可控硅驱动存在不灵活、占用空间大以及成本高的技术问题。

应当理解的是，以上仅为举例说明，对本发明的技术方案并不构成任何限定，在具体应用中，本领域的技术人员可以根据需要进行设置，本发明对此不做限制。

需要说明的是，以上所描述的工作流程仅仅是示意性的，并不对本发明的保护范围构成限定，在实际应用中，本领域的技术人员可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部来实现本实施例方案的目的，此处不做限制。

另外，未在本实施例中详尽描述的技术细节，可参见本发明任意实施例所提供的硅控整流电路，此处不再赘述。

此外，需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者电路不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者电路所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者电路中还存在另外的相同要素。

上述本发明实施例序号仅仅为了描述，不代表实施例的优劣。

通过以上的实施方式的描述，本领域的技术人员可以清楚地了解到上述实施例方法可借助软件加必需的通用硬件平台的方式来实现，当然也可以通过硬件，但很多情况下前者是更佳的实施方式。基于这样的理解，本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质(如只读存储器(Read Only Memory，ROM)/RAM、磁碟、光盘)中，包括若干指令用以使得一台终端设备(可以是手机，计算机，服务器，或者网络设备等)执行本发明各个实施例所述的方法。

以上仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。