具体实施方式

首先，对于本发明的液晶组合物进行说明。需说明的是，以下的说明中，“总量”的含义是“总质量”，各化合物的含量的单位“％”的含义是“质量％”。

(极性化合物)

本发明的液晶组合物含有极性化合物，其具备吸附并捕集液晶组合物中存在的离子性化合物、自由基性化合物等极性杂质的功能。此外，前述极性化合物在结构中具有极性基，因此极性基吸附在夹持液晶组合物(液晶层)的基板表面而偏聚在基板表面附近。尤其是由于前述极性化合物为结构中同时具有聚合性基的聚合性极性化合物，因此借助通过前述聚合性极性化合物的聚合而得到的聚合物的效果，能够提高液晶组合物和液晶层的电阻率、VHR。

关于电阻率和VHR降低的因素，认为是杂质在液晶层内分散(扩散)所导致。本发明中，推测通过前述聚合性极性化合物的聚合而得到的聚合物所具有的极性基会与杂质形成结合或者形成相当于结合的极性引力，从而使得上述杂质被固定于通过上述聚合性极性化合物的聚合而得到的聚合物。如此，杂质被由聚合性极性化合物得到的聚合物吸附而捕集，从而杂质不会在整个液晶层内扩散，并且能够在基板表面附近固定化，因此能够抑制杂质导致的电阻率、VHR的降低。上述极性基可认为是能够起到例如存在氢键的质子的供体或受体等作用的结构，可以起到供体和受体中的任一者的作用，或者也可以起到两者的作用。

此外，前述聚合性极性化合物也与液晶显示元件的基板表面发生相互作用，容易从液晶组合物中向基板表面移动、局部存在。因此认为，UV照射时以单体集聚在基板表面上的状态高效地进行聚合，能够有效减少残存在液晶层中的聚合性化合物，由此也显示出使液晶组合物和液晶层的电阻率、VHR提高的效果。

根据本发明，具有式(K-1)所表示的结构的极性化合物由于在液晶组合物中的溶解性优异而析出少，在将该极性化合物添加于含有聚合性化合物的液晶组合物的情况下，聚合速度足够快且聚合反应充分进行，因此能够制成聚合后的未反应聚合性化合物的残留量少的含有聚合性化合物的液晶组合物。

本发明的极性化合物优选为在分子中含有式(K-1)所表示的结构的化合物。

[化1]

(式中，黑点表示结合键，

Yⁱ¹各自独立地表示碳原子数1～20的直链或支链的烷基，这些烷基中的至少1个以上的-CH₂-被-SO₂-取代，这些烷基中的氢原子可以被卤素原子、氰基或苯基(存在于该苯基中的氢原子可以被氰基、卤素原子、碳原子数1～8的烷基、碳原子数1～8的烷氧基、碳原子数1～8的烯基或硝基取代)取代，此外，这些烷基中的-CH₂-可以以氧原子不直接相邻的方式被-CH＝CH-、-C≡C-、-O-、-NH-、-C(＝O)-、-CH(-CN)-、-COO-或-OCO-取代，此外，这些烷基中的氢原子可以被Pⁱ¹-Spⁱ¹-取代，

Sⁱ¹和Sⁱ³各自独立地表示碳原子数1～6的亚烷基或单键，该亚烷基中的-CH₂-可以以氧原子不直接相邻的方式被-CH＝CH-、-C≡C-、-C(＝CH₂)-、-O-、-NH-、-C(＝O)-、-COO-或-OCO-取代，

Sⁱ²表示碳原子、氮原子或硅原子，

Rⁱ²各自独立地表示氢原子、碳原子数1～20的直链或支链的烷基，这些烷基中的氢原子可以被卤素原子或氰基取代，这些基团中的-CH₂-可以以氧原子不直接相邻的方式被-CH＝CH-、-C≡C-、-O-、-NH-、-C(＝O)-、-CH(-CN)-、-COO-或-OCO-取代，

Pⁱ¹各自独立地表示聚合性基，

Spⁱ¹各自独立地表示间隔基或单键，

nⁱ¹表示1～3的整数，nⁱ²和nⁱ³各自独立地表示0～2的整数，但在Sⁱ²表示碳原子或硅原子的情况下，nⁱ¹+nⁱ²+nⁱ³为3，在Sⁱ²表示氮原子的情况下，nⁱ¹+nⁱ²+nⁱ³为2。通式(K-1)中Rⁱ²、Yⁱ¹、Sⁱ³、Pⁱ¹和Spⁱ¹存在多个的情况下，它们可以相同也可以不同。)。

Yⁱ¹优选表示碳原子数1～12的直链或支链的烷基，这些烷基中的至少1个以上的-CH₂-被-SO₂-取代，这些烷基中的氢原子可以被卤素原子、氰基或苯基(存在于该苯基中的氢原子可以被氰基、卤素原子、甲基或硝基取代)取代，此外，这些烷基中的-CH₂-可以以氧原子不直接相邻的方式被-CH＝CH-、-C≡C-、-O-、-NH-、-C(＝O)-、-COO-或-OCO-取代，此外，这些烷基中的氢原子可以被Pⁱ¹-Spⁱ¹-取代。此外，更优选表示碳原子数1～12的直链或支链的烷基，这些烷基中的至少1个以上的-CH₂-被-SO₂-取代，这些烷基中的氢原子可以被氟原子、氯原子、氰基或苯基(存在于该苯基中的氢原子可以被氰基、氟原子、氯原子、甲基或硝基取代)取代，此外，这些烷基中的-CH₂-可以以氧原子不直接相邻的方式被-CH＝CH-、-O-、-NH-、-C(＝O)-、-COO-或-OCO-取代。此外，Yⁱ¹进一步优选表示碳原子数1～6的直链或支链的烷基，这些烷基中的至少2个以上的-CH₂-被-SO₂-取代，这些烷基中的氢原子可以被氟原子或苯基(存在于该苯基中的氢原子可以被甲基或硝基取代)取代，此外，这些烷基中的-CH₂-可以以氧原子不直接相邻的方式被-CH＝CH-、-O-、-C(＝O)-、-COO-或-OCO-取代。需说明的是，这些优选的结构中，从制造的简便性以及提高液晶组合物的可靠性的观点出发，特别优选被-SO₂-取代的位置的相邻的-CH₂-被-O-取代而形成-OSO₂-。

Sⁱ¹和Sⁱ³各自独立地优选表示碳原子数1～6的亚烷基或单键，该亚烷基中的-CH₂-可以以氧原子不直接相邻的方式被-CH＝CH-、-C≡C-、-C(＝CH₂)-、-O-、-NH-、-C(＝O)-、-COO-或-OCO-取代。此外，各自独立地更优选表示碳原子数1～4的亚烷基或单键，该亚烷基中的-CH₂-可以以氧原子不直接相邻的方式被-CH＝CH-、-O-、-NH-、-C(＝O)-、-COO-或-OCO-取代。此外，各自独立地进一步优选表示碳原子数1～3的亚烷基或单键，该亚烷基中的-CH₂-可以以氧原子不直接相邻的方式被-CH＝CH-、-O-、-C(＝O)-、-COO-或-OCO-取代。

Sⁱ²优选表示碳原子或氮原子，特别优选表示碳原子。

Rⁱ²优选表示氢原子、碳原子数1～12的直链或支链的烷基，这些烷基中的氢原子可以被氟原子、氯原子或氰基取代，这些基团中的-CH₂-可以以氧原子不直接相邻的方式被-CH＝CH-、-C≡C-、-O-、-NH-、-C(＝O)-、-CH(-CN)-、-COO-或-OCO-取代。此外，更优选表示氢原子、碳原子数1～6的直链或支链的烷基，这些烷基中的氢原子可以被氟原子、氯原子或氰基取代，这些基团中的-CH₂-可以以氧原子不直接相邻的方式被-CH＝CH-、-C≡C-、-O-、-C(＝O)-、-COO-或-OCO-取代。

Pⁱ¹优选各自独立地表示选自式(P-1)～式(P-14)所表示的组中的取代基(式中，黑点表示与Spⁱ¹的结合键。)，

[化2]

更优选表示(P-1)、(P-2)、(P-4)、(P-5)、(P-7)、(P-9)、(P-11)、(P-12)和(P-13)，进一步优选表示(P-1)、(P-2)、(P-7)、(P-12)和(P-13)。

Spⁱ¹各自独立地优选表示间隔基或单键。这里，间隔基优选表示碳原子数1～6的亚烷基或单键，该亚烷基中的-CH₂-可以以氧原子不直接相邻的方式被-CH＝CH-、-C≡C-、-C(＝CH₂)-、-O-、-NH-、-C(＝O)-、-COO-或-OCO-取代。此外，各自独立地更优选表示碳原子数1～4的亚烷基或单键，该亚烷基中的-CH₂-可以以氧原子不直接相邻的方式被-CH＝CH-、-O-、-NH-、-C(＝O)-、-COO-或-OCO-取代。此外，各自独立地进一步优选表示碳原子数1～3的亚烷基或单键，该亚烷基中的-CH₂-可以以氧原子不直接相邻的方式被-CH＝CH-、-O-、-C(＝O)-、-COO-或-OCO-取代。

nⁱ¹优选表示1～3的整数，更优选表示1～2的整数，特别优选表示2的整数。nⁱ²和nⁱ³各自独立地优选表示0～2的整数，更优选表示0～1的整数，特别优选表示1的整数。在Sⁱ²表示碳原子或硅原子的情况下，nⁱ¹+nⁱ²+nⁱ³优选为3，在Sⁱ²表示氮原子的情况下，nⁱ¹+nⁱ²+nⁱ³优选为2。尤其在nⁱ¹为2且nⁱ²为1的情况下，可充分发挥极性基带来的效果，并且由于极性基和聚合基处于靠近的位置，从而能够在靠近基板表面的位置形成交联聚合物，更加提高使VHR提升的效果，因此特别优选。

具有前述式(K-1)所表示的结构的极性化合物优选为聚合性极性化合物。作为上述聚合性极性化合物，优选为下述通式(Y-1)所表示的化合物。

[化3]

(式中，R^y1和R^y2各自独立地表示选自由氢原子、卤素原子、氰基、P^y1-S^y1-、碳原子数1～30的直链或支链的烷基组成的组中的基团，该烷基中的氢原子可以被卤素原子、氰基或硝基取代，该烷基中的-CH₂-可以被-CH＝CH-、-C≡C-、-CO-、-COO-、-OCO-、-OCOO-、-O-、-NH-或-S-取代但2个以上-O-不会连续而导致邻接，

S^y3为单键或碳原子数1～12个的直链或支链的亚烷基，该亚烷基中的氢原子可以被卤素原子、氰基或硝基取代，该亚烷基中的-CH₂-可以被-CH＝CH-、-C≡C-、-CO-、-COO-、-OCO-、-OCOO-、-O-、-NH-或-S-取代但2个以上-O-不会连续而导致邻接，

Z^y1和Z^y2各自独立地表示单键、-C₂H₄-、-C₄H₈-、-C₃H₆-、-OCH₂-、-CH₂O-、-CO-、-COO-、-OCO-、-OCOOCH₂-、-CH₂OCOO-、-OCH₂CH₂O-、-CH＝CRa-COO-、-CH＝CRa-OCO-、-COO-CRa＝CH-、-OCO-CRa＝CH-、-COO-CRa＝CH-COO-、-COO-CRa＝CH-OCO-、-OCO-CRa＝CH-COO-、-OCO-CRa＝CH-OCO-、-COOC₂H₄-、-OCOC₂H₄-、-C₂H₄OCO-、-CH₂OCO-、-COOCH₂-、-OCOCH₂-、-CH＝CH-、-CF＝CF-、-CF＝CH-、-CH＝CF-、-CF₂O-、-OCF₂-、-CF₂CH₂-、-CH₂CF₂-、-CF₂CF₂-或-C≡C-(式中，Ra各自独立地表示氢原子或碳原子数1～4的烷基)，

M^y2各自独立地表示3价的芳香族基、3价的环脂肪族基、3价的杂环式化合物基、3价的缩合环或3价的缩合多环，这些环结构中的氢原子可以被L^y1取代，

M^y1和M^y3各自独立地表示2价的芳香族基、2价的环脂肪族基、2价的杂环式化合物基、2价的缩合环或2价的缩合多环，这些环结构中的氢原子可以被L^y1取代，L^y1表示K^y1、P^y2-S^y2-、卤素原子、氰基、硝基、碳原子数1～30的直链或支链的烷基，该烷基中的氢原子可以被卤素原子、氰基、硝基或K^y1所表示的结构取代，该烷基中的-CH₂-可以被-CH＝CH-、-C≡C-、-CO-、-COO-、-OCO-、-OCOO-、-O-、-NH-或-S-取代但2个以上-O-不会连续而导致邻接，在L^y1存在多个的情况下，它们可以相同也可以不同，

P^y1和P^y2各自独立地表示聚合性基，

S^y1和S^y2各自独立地为单键或碳原子数1～12个的直链或支链的亚烷基，该亚烷基中的氢原子可以被卤素原子、氰基或硝基取代，该亚烷基中的-CH₂-可以被-CH＝CH-、-C≡C-、-CO-、-COO-、-OCO-、-OCOO-、-O-、-NH-或-S-取代但2个以上-O-不会连续而导致邻接，

K^y1表示式(K-1)所表示的基团，

m和n各自独立地表示0～4的整数，其中，m+n的合计数为0～6，

其中，通式(Y-1)所表示的结构中所含的Pⁱ¹、P^y1和P^y2的个数的合计为至少1个以上。)。

R^y1和R^y2优选各自独立地为选自由氢原子、卤素原子、氰基、P^y1-S^y1-、碳原子数1～30的直链或支链的烷基或式(K-1)所表示的结构组成的组中的基团，该烷基中的氢原子可以被卤素原子、氰基、硝基、P^y1-S^y1-或式(K-1)所表示的结构取代，该烷基中的-CH₂-可以被-CH＝CH-、-C≡C-、-CO-、-COO-、-OCO-、-OCOO-、-O-、-NH-或-S-取代(2个以上的-O-不会连续而导致邻接)，更优选各自独立地为选自由氢原子、氟原子、氯原子、氰基、P^y1-S^y1-或碳原子数1～12的直链或支链的烷基组成的组中的基团，该烷基中的氢原子可以被卤素原子、P^y1-S^y1-或氰基取代，该烷基中的-CH₂-可以被-CH＝CH-、-C≡C-、-CO-、-COO-、-OCO-、-O-或-S-取代(2个以上的-O-不会连续而导致邻接)，进一步优选各自独立地为选自由氢原子、氟原子、氯原子、P^y1-S^y1-或碳原子数1～12的直链或支链的烷基组成的组中的基团，该烷基中的氢原子可以被氟原子、氯原子或P^y1-S^y1-取代，该烷基中的-CH₂-可以被-CH＝CH-、-CO-、-COO-、-OCO-、-O-或-S-取代(2个以上的-O-不会连续而导致邻接)。特别是从预倾角稳定性的观点出发，特别优选R^y1和R^y2两者各自独立地为P^y1-S^y1-所表示的结构。

S^y3优选为单键或碳原子数1～30个的直链或支链的亚烷基，该亚烷基中的氢原子可以被卤素原子、氰基或硝基取代，该亚烷基中的-CH₂-可以被-CH＝CH-、-C≡C-、-CO-、-COO-、-OCO-、-OCOO-、-O-、-NH-或-S-取代(2个以上的-O-不会连续而导致邻接)，更优选为单键或碳原子数1～12个的直链或支链的亚烷基，该亚烷基中的氢原子可以被卤素原子、氰基或硝基取代，该亚烷基中的-CH₂-可以被-CH＝CH-、-C≡C-、-CO-、-COO-、-OCO-、-O-或-S-取代(2个以上的-O-不会连续而导致邻接)，进一步优选为单键或碳原子数1～6个的直链或支链的亚烷基，该亚烷基中的氢原子可以被氟原子、氯原子或氰基，该亚烷基中的-CH₂-可以被-CH＝CH-、-C≡C-、-CO-、-COO-、-OCO-、-O-或-S-取代但2个以上-O-不会连续而导致邻接。

S^y2优选为单键或碳原子数1～12个的直链或支链的亚烷基，该亚烷基中的氢原子可以被卤素原子、氰基或硝基取代，该亚烷基中的-CH₂-可以被-CH＝CH-、-C≡C-、-CO-、-COO-、-OCO-、-OCOO-、-O-、-NH-或-S-取代(2个以上的-O-不会连续而导致邻接)，更优选为单键或碳原子数1～6个的直链或支链的亚烷基，该亚烷基中的氢原子可以被卤素原子、氰基或硝基取代，该亚烷基中的-CH₂-可以被-CH＝CH-、-C≡C-、-CO-、-COO-、-OCO-、-O-、-NH-或-S-取代(2个以上的-O-不会连续而导致邻接)，进一步优选为单键或碳原子数1～6个的直链或支链的亚烷基，该亚烷基中的氢原子可以被氟原子、氯原子或氰基取代，该亚烷基中的-CH₂-可以被-CH＝CH-、-C≡C-、-COO-、-OCO-、-O-或-S-取代(2个以上的-O-不会连续而导致邻接)。

Z^y1和Z^y2各自独立地优选为单键、-C₂H₄-、-C₄H₈-、-C₃H₆-、-OCH₂-、-CH₂O-、-CO-、-COO-、-OCO-、-OCOOCH₂-、-CH₂OCOO-、-OCH₂CH₂O-、-CH＝CRa-COO-、-CH＝CRa-OCO-、-COO-CRa＝CH-、-OCO-CRa＝CH-、-COO-CRa＝CH-COO-、-COO-CRa＝CH-OCO-、-OCO-CRa＝CH-COO-、-OCO-CRa＝CH-OCO-、-COOC₂H₄-、-OCOC₂H₄-、-C₂H₄OCO-、-CH₂OCO-、-COOCH₂-、-OCOCH₂-、-CH＝CH-、-CF＝CF-、-CF＝CH-、-CH＝CF-、-CF₂O-、-OCF₂-、-CF₂CH₂-、-CH₂CF₂-、-CF₂CF₂-或-C≡C-(式中，Ra各自独立地表示氢原子或碳原子数1～4的烷基)，更优选为单键、-C₂H₄-、-C₄H₈-、-OCH₂-、-CH₂O-、-COO-、-OCO-、-OCOOCH₂-、-CH₂OCOO-、-OCH₂CH₂O-、-CH＝CRa-COO-、-CH＝CRa-OCO-、-COO-CRa＝CH-、-OCO-CRa＝CH-、-COO-CRa＝CH-COO-、-COO-CRa＝CH-OCO-、-OCO-CRa＝CH-COO-、-OCO-CRa＝CH-OCO-、-COOC₂H₄-、-OCOC₂H₄-、-C₂H₄OCO-、-CH＝CH-、-CF＝CF-、-CF＝CH-、-CH＝CF-、-CF₂O-、-OCF₂-、-CF₂CH₂-、-CH₂CF₂-、-CF₂CF₂-或-C≡C-(式中，Ra各自独立地表示氢原子或碳原子数1～4的烷基)，进一步优选为单键、-C₂H₄-、-C₄H₈-、-OCH₂-、-CH₂O-、-COO-、-OCO-、-OCH₂CH₂O-、-CH＝CRa-COO-、-CH＝CRa-OCO-、-COO-CRa＝CH-、-OCO-CRa＝CH-、-COOC₂H₄-、-OCOC₂H₄-、-C₂H₄OCO-、-CH＝CH-、-CF＝CF-、-CF₂O-、-OCF₂-、-CF₂CF₂-或-C≡C-(式中，Ra各自独立地表示氢原子或碳原子数1～4的烷基)。

M^y1、M^y2和M^y3各自独立地优选表示选自由下述式(T-1)至式(T-21)组成的组中的基团，

[化4]

(式中，可以在任意的位置具有结合键，任意的-CH＝可以各自独立地被-N＝取代，-CH₂-可以各自独立地被-O-、-S-、-NR⁰-(式中，R⁰表示氢原子或碳原子数1至20的烷基。)、-CS-或-CO-取代，但不包括-O-O-键。)。此外，这些基团也优选被L^y1取代。

在重视液晶组合物中的溶解性的情况下，优选为(T-1)、(T-2)、(T-3)、(T-4)和(T-7)，在重视高反应性的情况下，优选为(T-4)、(T-11)、(T-16)和(T-20)，在重视良好的预倾角形成的情况下，优选为(T-2)、(T-4)、(T-7)、(T-8)、(T-10)和(T-11)，在重视VHR的改善效果的情况下，优选为(T-2)、(T-4)和(T-11)，在重视它们的平衡的情况下，更优选为(T-2)、(T-4)、(T-10)和(T-11)。

从原料的获取容易性以及合成容易性的观点出发，M^y2特别优选为下述式(T-4-1)或式(T-4-2)所表示的基团，

[化5]

(式中，结合键分别与S^y3、Z^y1、Z^y2、R^y1和R^y2中的任一者结合)。

此外，从原料的获取容易性以及合成容易性的观点出发，M^y1和M^y3各自独立地优选表示无取代或可以被1个以上的L^y1取代的1,4-亚苯基、1,4-亚环己基或萘-2,6-二基，各自独立地更优选表示选自下述式(A-1)至式(A-11)的基团，

[化6]

各自独立地进一步优选表示选自式(A-1)至式(A-8)的基团，各自独立地特别优选表示选自式(A-1)至式(A-4)的基团。

L^y1优选表示P^y2-S^y2-、卤素原子、氰基、硝基、碳原子数1～30的直链或支链的烷基或式(K-1)所表示的结构，该烷基中的氢原子可以被卤素原子、氰基、硝基、P^y2-S^y2-或式(K-1)所表示的结构取代，该烷基中的-CH₂-可以被-CH＝CH-、-C≡C-、-CO-、-COO-、-OCO-、-OCOO-、-O-、-NH-或-S-取代(2个以上的-O-不会连续而导致邻接)，更优选表示P^y2-S^y2-、氟原子、氯原子、氰基、碳原子数1～12的直链或支链的烷基或式(K-1)所表示的结构，该烷基中的氢原子可以被氟原子、氯原子、氰基、P^y2-S^y2-或式(K-1)所表示的结构取代，该烷基中的-CH₂-可以被-CH＝CH-、-COO-、-OCO-、-O-或-S-取代(2个以上的-O-不会连续而导致邻接)，进一步优选表示P^y2-S^y2-、氟原子、氯原子、碳原子数1～6的直链或支链的烷基或式(K-1)所表示的结构，该烷基中的氢原子可以被氟原子、氯原子、P^y2-S^y2-或式(K-1)所表示的结构，该烷基中的-CH₂-可以被-CH＝CH-、-COO-、-OCO-或-O-取代(2个以上的-O-不会连续而导致邻接)。

m和n各自独立地优选表示0～4的整数，更优选表示0～3的整数，进一步优选表示0～2的整数。其中，从添加于组合物中时的溶解性以及制成液晶显示元件时的挥发性的观点出发，m+n的合计数优选为0～6，更优选为0～4，进一步优选为1～3。

P^y1和P^y2优选各自独立地表示选自式(P-1)～式(P-14)所表示的组中的取代基，

[化7]

(式中，黑点表示与S^y1或S^y2的结合键。)，更优选表示(P-1)、(P-2)、(P-4)、(P-5)、(P-7)、(P-9)、(P-11)、(P-12)和(P-13)，进一步优选表示(P-1)、(P-2)、(P-7)、(P-12)和(P-13)。

其中，通式(Y-1)所表示的结构中所含的Pⁱ¹、P^y1和P^y2的个数的合计优选为至少1个以上，更优选为2个以上。此外，通式(Y-1)所表示的结构中所含的Pⁱ¹、P^y1和P^y2的个数的合计优选为1～4，更优选为2～4，进一步优选为2～3。特别是在Pⁱ¹、P^y1和P^y2的个数的合计为2～3的情况下，通过聚合而得到的聚合物为交联聚合物，因此从聚合物的立体结构变得稳定、倾斜稳定性提高考虑是优选的。

作为通式(Y-1)所表示的结构，可以优选举出下述的式(Y-1-A1)。

[化8]

(式中，K^y1a表示与K^y1相同的含义，

R^y1a和R^y2a各自独立地表示氢原子、卤素原子、氰基、P^y1a-S^y1a-或碳原子数1～12的直链或支链的烷基，该烷基中的氢原子可以被氟原子、氯原子、氰基或P^y1a-S^y1a-取代，该烷基中的-CH₂-可以被-CH＝CH-、-CO-、-COO-、-OCO-、-O-或-S-取代但2个以上-O-不会连续而导致邻接，

S^y3a为单键或碳原子数1～12个的直链或支链的亚烷基，该亚烷基中的氢原子可以被氟原子、氯原子或氰基取代，该亚烷基中的-CH₂-可以被-CH＝CH-、-CO-、-COO-、-OCO-、-O-或-S-取代但2个以上-O-不会连续而导致邻接，

Z^y1a和Z^y2a各自独立地表示单键、-C₂H₄-、-C₄H₈-、-OCH₂-、-CH₂O-、-COO-、-OCO-、-OCOOCH₂-、-CH₂OCOO-、-OCH₂CH₂O-、-CH＝CRa-COO-、-CH＝CRa-OCO-、-COO-CRa＝CH-、-OCO-CRa＝CH-、-COO-CRa＝CH-COO-、-COO-CRa＝CH-OCO-、-OCO-CRa＝CH-COO-、-OCO-CRa＝CH-OCO-、-COOC₂H₄-、-OCOC₂H₄-、-C₂H₄OCO-、-CH＝CH-、-CF＝CF-、-CF＝CH-、-CH＝CF-、-CF₂O-、-OCF₂-、-CF₂CH₂-、-CH₂CF₂-、-CF₂CF₂-或-C≡C-(式中，Ra各自独立地表示氢原子或碳原子数1～4的烷基)，

M^y1a、M^y2a和M^y3a各自独立地表示选自由下述式(T-1)至式(T-21)组成的组中的基团，

[化9]

(式中，可以在任意的位置具有结合键，任意的-CH＝可以各自独立地被-N＝取代，-CH₂-可以各自独立地被-O-、-S-、-NR⁰-(式中，R⁰表示氢原子或碳原子数1至20的烷基。)、-CS-或-CO-取代，但不包括-O-O-键。)，这些环结构中的氢原子可以被L^y1a取代，L^y1a表示P^y2a-S^y2a-、氟原子、氯原子、氰基、碳原子数1～30的直链或支链的烷基或通式(K-1)所表示的结构，该烷基中的氢原子可以被氟原子、氯原子、P^y2a-S^y2a-或氰基取代，该烷基中的-CH₂-可以被-CH＝CH-、-CO-、-COO-、-OCO-、-O-或-S-取代但2个以上-O-不会连续而导致邻接，在L^y1a存在多个的情况下，它们可以相同也可以不同，

P^y1a和P^y2a各自独立地表示选自式(P-1)～式(P-14)所表示的组中的取代基，

[化10]

(式中，黑点表示与S^y1a或S^y2a的结合键。)，

S^y1a和S^y2a各自独立地为单键或碳原子数1～8个的直链或支链的亚烷基，该亚烷基中的氢原子可以被氟原子、氯原子或氰基取代，该亚烷基中的-CH₂-可以被-CH＝CH-、-CO-、-COO-、-OCO-、-O-或-S-取代但2个以上-O-不会连续而导致邻接，

m^a和n^a各自独立地表示0～3的整数，其中，m+n的合计数为0～4，

其中，通式(Y-1-A1)所表示的结构中所含的Pⁱ¹、P^y1a和P^y2a的个数的合计为至少1个以上。)

作为通式(Y-1)所表示的结构，更优选举出下述式(Y-1-A2)和式(Y-1-A3)。

[化11]

[化12]

(式中，K^y1a、R^y2a、S^y2a、S^y3a、P^y1a、P^y2a、Z^y1a、Z^y2a、M^y1a、M^y2a、M^y3a、m^a和n^a表示与式(Y-1-A1)中的K^y1、R^y2a、S^y2a、S^y3a、P^y1a、P^y2a、Z^y1a、Z^y2a、M^y1a、M^y2a、M^y3a、m^a和n^a相同的含义，P^y4a表示与P^y2a相同的含义，S^y4a表示与S^y2a相同的含义。)

特别是在式(Y-1-A3)所表示的结构中聚合基位于环结构的两端，因此从通过聚合而得到的交联聚合物的刚性增大、倾斜稳定性提高考虑是优选的。

作为通式(Y-1)所表示的结构，更优选举出下述式(Y-1-B1)和式(Y-1-B2)。

[化13]

[化14]

(式中，K^y1b表示式(K-1b-1)或式(K-1b-2)所表示的结构，

[化15]

(式中，黑点表示结合键，

Y^i1b和Y^i2b各自独立地表示碳原子数1～12的直链或支链的烷基，这些烷基中的至少1个以上的-CH₂-被-SO₂-取代，这些烷基中的氢原子可以被氟原子、氯原子、氰基或苯基(存在于该苯基中的氢原子可以被氰基、氟原子、氯原子、碳原子数1～4的烷基、碳原子数1～4的烷氧基、碳原子数2～5的烯基或硝基取代)取代，此外，这些烷基中的-CH₂-可以以氧原子不直接相邻的方式被-CH＝CH-、-C≡C-、-O-、-NH-、-C(＝O)-、-COO-或-OCO-取代，

S^i1b、S^i3b和S^i4b各自独立地表示碳原子数1～6的亚烷基或单键，该亚烷基中的-CH₂-可以以氧原子不直接相邻的方式被-CH＝CH-、-C≡C-、-O-、-NH-、-C(＝O)-、-COO-或-OCO-取代，

R^i2b各自独立地表示氢原子、碳原子数1～12的直链或支链的烷基，这些烷基中的氢原子可以被氟原子、氯原子或氰基取代，这些基团中的-CH₂-可以以氧原子不直接相邻的方式被-CH＝CH-、-C≡C-、-O-、-NH-、-C(＝O)-、-COO-或-OCO-取代，

P^i1b表示式(P-1)或式(P-2)，

[化16]

(式中，黑点表示与Sp^i1b的结合键。)，

Sp^i1b表示碳原子数1～6的亚烷基或单键，该亚烷基中的-CH₂-可以以氧原子不直接相邻的方式被-CH＝CH-、-C≡C-、-O-、-NH-、-C(＝O)-、-COO-或-OCO-取代。)，

R^y2b各自独立地表示氢原子、卤素原子、氰基、或碳原子数1～6的直链或支链的烷基，该烷基中的-CH₂-可以被-COO-、-OCO-或-O-取代但2个以上-O-不会连续而导致邻接，

S^y3b为单键或碳原子数1～12个的直链或支链的亚烷基，该亚烷基中的氢原子可以被氟原子取代，该亚烷基中的-CH₂-可以被-COO-、-OCO-或-O-取代但2个以上-O-不会连续而导致邻接，

P^y2b和P^y4b各自独立地表示式(P-1)或式(P-2)，

[化17]

(式中，黑点表示与S^y2b或S^y4b的结合键。)，

S^y2b和S^y4b各自独立地为单键或碳原子数1～6个的直链亚烷基，该亚烷基中的氢原子可以被氟原子取代，该亚烷基中的-CH₂-可以被-COO-、-OCO-或-O-取代但2个以上-O-不会连续而导致邻接，

Z^y1b和Z^y2b各自独立地表示单键、-C₂H₄-、-OCH₂-、-CH₂O-、-COO-、-OCO-、-OCH₂CH₂O-、-CH＝CRa-COO-、-CH＝CRa-OCO-、-COO-CRa＝CH-、-OCO-CRa＝CH-、-COOC₂H₄-、-OCOC₂H₄-、-C₂H₄OCO-、-CH＝CH-、-CF₂O-、-OCF₂-、或-C≡C-(式中，Ra各自独立地表示氢原子或碳原子数1～2的烷基)，M^y2b为式(T-4-1)或式(T-4-2)所表示的基团，

[化18]

(式中，结合键分别与S^y3b、Z^y1b、Z^y2b、R^y2b、S^y2b或S^y4b中的任一者结合)，

M^y1b和M^y3b各自独立地表示选自下述式(A-1)至式(A-8)的基团，

[化19]

L^y1b表示P^y2b-S^y2b-、氟原子、氯原子、氰基、碳原子数1～6的直链或支链的烷基，该烷基中的-CH₂-可以被-COO-、-OCO-或-O-取代但2个以上-O-不会连续而导致邻接，

m^b和n^b各自独立地表示0～2的整数，其中，m+n的合计数为0～2，

其中，式(Y-1-B1)或式(Y-1-B2)所表示的结构中所含的P^y2b和P^y4b的个数的合计为1以上3以下。)

作为通式(Y-1)所表示的结构，更优选举出下述式(Y-1-B3)～式(Y-1-B6)。

[化20]

(式中，K^y1b、S^y3b、S^y2b、S^y4b、Z^y1b、Z^y2b、M^y1b、M^y3b、m^b和n^b各自表示与式(Y-1-B1)或式(Y-1-B2)中的K^y1b、S^y3b、S^y2b、S^y4b、Z^y1b、Z^y2b、M^y1b、M^y3b、m^b和n^b相同的含义。)

此外，通式(Y-1)所表示的聚合性化合物也优选在式(K-1)中或S^y3b上具有聚合基。这是因为，通过通式(Y)所表示的结构与聚合基处于靠近的位置，从而能够在靠近基板表面的位置形成交联聚合物，更加提高使VHR提升的效果。

作为本发明涉及的通式(Y-1)所表示的聚合性化合物，具体优选通式(Y-1-1)至通式(Y-41-35)所表示的化合物。通式(Y-1-1)至通式(Y-41-35)所表示的化合物中，优选通式(Y-28-1)至通式(Y-39-10)。

[化21]

[化22]

[化23]

[化24]

[化25]

[化26]

[化27]

[化28]

[化29]

[化30]

[化31]

[化32]

[化33]

[化34]

[化35]

[化36]

[化37]

[化38]

[化39]

[化40]

[化41]

[化42]

[化43]

[化44]

[化45]

[化46]

[化47]

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[化49]

[化50]

[化51]

[化52]

[化53]

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[化55]

[化56]

[化57]

[化58]

[化59]

[化60]

[化61]

[化62]

[化63]

[化64]

[化65]

[化66]

[化67]

[化68]

[化69]

[化70]

[化71]

[化72]

[化73]

[化74]

[化75]

[化76]

[化77]

[化78]

[化79]

[化80]

[化81]

[化82]

[化83]

[化84]

[化85]

[化86]

[化87]

[化88]

[化89]

[化90]

[化91]

[化92]

以下，在以“％”来标记本发明的液晶组合物中的含量的情况下，在无特别注释时表示重量％。

本发明的液晶组合物中，前述分子中含有式(K-1)所表示的结构的化合物的含量的下限优选为0.01质量％、优选为0.02质量％、优选为0.03质量％、优选为0.04质量％、优选为0.05质量％、优选为0.06质量％、优选为0.07质量％、优选为0.08质量％、优选为0.09质量％、优选为0.1质量％、优选为0.12质量％、优选为0.15质量％、优选为0.17质量％、优选为0.2质量％、优选为0.22质量％、优选为0.25质量％、优选为0.27质量％、优选为0.3质量％、优选为0.32质量％、优选为0.35质量％、优选为0.37质量％、优选为0.4质量％、优选为0.42质量％、优选为0.45质量％、优选为0.5质量％、优选为0.55质量％。

此外，本发明的液晶组合物中，前述分子中含有式(K-1)所表示的结构的化合物的含量的上限优选为5质量％、优选为4.5质量％、优选为4质量％、优选为3.5质量％、优选为3质量％、优选为2.5质量％、优选为2质量％、优选为1.5质量％、优选为1质量％、优选为0.95质量％、优选为0.9质量％、优选为0.85质量％、优选为0.8质量％、优选为0.75质量％、优选为0.7质量％、优选为0.65质量％、优选为0.6质量％、优选为0.55质量％、优选为0.5质量％、优选为0.45质量％、优选为0.4质量％。

进一步详细描述，为了获得充分的预倾角或聚合性化合物少的残留量或高电压保持率(VHR)，其含量优选为0.2至1.5质量％，在重视抑制低温时的析出的情况下，其含量优选为0.01至1.0质量％。此外，含有多种前述分子中包含式(K-1)所表示的结构的化合物的情况下，各自的含量优选为0.01至0.6质量％。因此，为了解决这些所有的课题，特别希望在0.1至1.0质量％的范围内调整前述分子中包含式(K-1)所表示的结构的化合物，从低温保存性的观点出发，尤其优选在0.1至0.5质量％的范围内进行调制。

本发明的液晶组合物优选含有1种或2种以上通式(L)所表示的化合物。通式(L)所表示的化合物相当于介电性大体中性的化合物(Δε的值为-2～2)。因此，优选将分子内所具有的卤素等极性基的个数设为2个以下，优选设为1个以下，优选没有。

[化93]

(式中，R^L1和R^L2各自独立地表示碳原子数1～8的烷基，该烷基中的1个或不相邻的2个以上的-CH₂-可以各自独立地被-CH＝CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-取代，

n^L1表示0、1、2或3，

A^L1、A^L2和A^L3各自独立地表示选自由以下基团组成的组中的基团：

(a)1,4-亚环己基(存在于该基团中的1个-CH₂-或不相邻的2个以上-CH₂-可以被-O-取代。)以及

(b)1,4-亚苯基(存在于该基团中的1个-CH＝或不相邻的2个以上-CH＝可以被-N＝取代。)

(c)萘-2,6-二基、1,2,3,4-四氢萘-2,6-二基或十氢萘-2,6-二基(存在于萘-2,6-二基或1,2,3,4-四氢萘-2,6-二基中的1个-CH＝或不相邻的2个以上-CH＝可以被-N＝取代。)

上述基团(a)、基团(b)以及基团(c)各自独立地可以被氰基、氟原子或氯原子取代，

Z^L1和Z^L2各自独立地表示单键、-CH₂CH₂-、-(CH₂)₄-、-OCH₂-、-CH₂O-、-COO-、-OCO-、-OCF₂-、-CF₂O-、-CH＝N-N＝CH-、-CH＝CH-、-CF＝CF-或-C≡C-，

在n^L1为2或3而存在多个A^L2的情况下，它们可以相同也可以不同，在n^L1为2或3而存在多个Z^L2的情况下，它们可以相同也可以不同，但不包括通式(N-1)、(N-2)和(N-3)所表示的化合物。)

通式(L)所表示的化合物可以单独使用，也可以组合使用。可组合的化合物的种类没有特别制限，根据低温时的溶解性、转变温度、电可靠性、双折射率等期望的性能而适宜组合使用。所使用的化合物的种类例如在本发明的一实施方式中为1种。或者在本发明的其他实施方式中为2种、3种、4种、5种、6种、7种、8种、9种、10种以上。

本发明的组合物中，通式(L)所表示的化合物的含量有必要根据低温时的溶解性、转变温度、电可靠性、双折射率、工艺合适性、滴痕、烧屏、介电常数各向异性等所要求的性能来适宜调整。

相对于本发明的组合物的总量，式(L)所表示的化合物的优选含量的下限值为1％、10％、20％、30％、40％、50％、55％、60％、65％、70％、75％、80％。优选含量的上限值为95％、85％、75％、65％、55％、45％、35％、25％。

将本发明的组合物的粘度保持得低而需要响应速度快的组合物的情况下，优选上述下限值高且上限值高。进一步，为了将本发明的组合物的Tni保持得高而需要温度稳定性佳的组合物的情况下，优选上述下限值高且上限值高。此外，为了将驱动电压保持得低而想要增大介电常数各向异性时，优选上述下限值低且上限值低。

在重视可靠性的情况下，优选R^L1和R^L2均为烷基。在重视降低化合物的挥发性的情况下，优选为烷氧基，在重视粘性降低的情况下，优选至少一方为烯基。

分子内存在的卤素原子优选为0、1、2或3个，优选为0或1，在重视与其他液晶分子的相溶性的情况下，优选为1。

R^L1和R^L2在其所结合的环结构为苯基(芳香族)的情况下优选为直链状的碳原子数1～5的烷基、直链状的碳原子数1～4的烷氧基和碳原子数4～5的烯基，在其所结合的环结构为环己烷、吡喃以及二烷等饱和的环结构的情况下，优选为直链状的碳原子数1～5的烷基、直链状的碳原子数1～4的烷氧基和直链状的碳原子数2～5的烯基。为了使向列相稳定化，碳原子以及存在时的氧原子的合计优选为5以下，优选为直链状。

作为烯基，优选选自式(R1)至式(R5)中的任一者所表示的基团。(各式中的黑点表示环结构中的碳原子。)

[化94]

n^L1在重视响应速度的情况下优选为0，为了改善向列相的上限温度，优选为2或3，为了取得它们的平衡，优选为1。此外，为了满足作为组合物所要求的特性，优选组合不同值的化合物。

A^L1、A^L2和A^L3在要求增大Δn的情况下优选为芳香族，为了改善响应速度而优选为脂肪族，优选各自独立地表示反式-1,4-亚环己基、1,4-亚苯基、2-氟-1,4-亚苯基、3-氟-1,4-亚苯基、3,5-二氟-1,4-亚苯基、1,4-亚环己烯基、1,4-双环[2.2.2]亚辛基、哌啶-1,4-二基、萘-2,6-二基、十氢萘-2,6-二基或1,2,3,4-四氢萘-2,6-二基，更优选表示下述结构，

[化95]

更优选表示反式-1,4-亚环己基或1,4-亚苯基。

关于Z^L1和Z^L2，在重视响应速度的情况下，优选为单键。

通式(L)所表示的化合物优选分子内的卤素原子数为0个或1个。

通式(L)所表示的化合物优选为选自通式(L-1)～(L-7)所表示的化合物组中的化合物。

通式(L-1)所表示的化合物为下述化合物。

[化96]

(式中，R^L11和R^L12各自独立地表示与通式(L)中的R^L1和R^L2相同的含义。)

R^L11和R^L12优选为直链状的碳原子数1～5的烷基、直链状的碳原子数1～4的烷氧基和直链状的碳原子数2～5的烯基。

通式(L-1)所表示的化合物可以单独使用，也可以将2种以上的化合物组合使用。可组合的化合物的种类没有特别限制，根据低温时的溶解性、转变温度、电可靠性、双折射率等所要求的性能而适宜组合使用。所使用的化合物的种类例如在本发明的一实施方式中为1种、2种、3种、4种、5种以上。

相对于本发明的组合物的总量，优选含量的下限值为1％、2％、3％、5％、7％、10％、15％、20％、25％、30％、35％、40％、45％、50％、55％。相对于本发明的组合物的总量，优选含量的上限值为95％、90％、85％、80％、75％、70％、65％、60％、55％、50％、45％、40％、35％、30％、25％。

将本发明的组合物的粘度保持得低而需要响应速度快的组合物的情况下，优选上述下限值高且上限值高。进一步，将本发明的组合物的Tni保持得高而需要温度稳定性佳的组合物的情况下，优选上述下限值中等且上限值中等。此外，为了将驱动电压保持得低而想要增大介电常数各向异性时，优选上述下限值低且上限值低。

通式(L-1)所表示的化合物优选为选自通式(L-1-1)所表示的化合物组中的化合物。

[化97]

(式中，R^L12表示与通式(L-1)中的含义相同的含义。)

通式(L-1-1)所表示的化合物优选为选自式(L-1-1.1)至式(L-1-1.3)所表示的化合物组中的化合物，优选为式(L-1-1.2)或式(L-1-1.3)所表示的化合物，特别优选为式(L-1-1.3)所表示的化合物。

[化98]

相对于本发明的组合物的总量，式(L-1-1.3)所表示的化合物的优选含量的下限值为1％、2％、3％、5％、7％、10％。相对于本发明的组合物的总量，优选含量的上限值为20％、15％、13％、10％、8％、7％、6％、5％、3％。

通式(L-1)所表示的化合物优选为选自通式(L-1-2)所表示的化合物组中的化合物。

[化99]

(式中，R^L12表示与通式(L-1)中的含义相同的含义。)

相对于本发明的组合物的总量，式(L-1-2)所表示的化合物的优选含量的下限值为1％、5％、10％、15％、17％、20％、23％、25％、27％、30％、35％。相对于本发明的组合物的总量，优选含量的上限值为60％、55％、50％、45％、42％、40％、38％、35％、33％、30％。

进一步，通式(L-1-2)所表示的化合物优选为选自式(L-1-2.1)至式(L-1-2.4)所表示的化合物组中的化合物，优选为式(L-1-2.2)至式(L-1-2.4)所表示的化合物。特别是式(L-1-2.2)所表示的化合物尤其改善本发明的组合物的响应速度，因此优选。此外，相比响应速度更要求高Tni时，优选使用式(L-1-2.3)或式(L-1-2.4)所表示的化合物。为了使低温时的溶解度佳，式(L-1-2.3)和式(L-1-2.4)所表示的化合物的含量不宜设为30％以上。

[化100]

相对于本发明的组合物的总量，式(L-1-2.2)所表示的化合物的优选含量的下限值为10％、15％、18％、20％、23％、25％、27％、30％、33％、35％、38％、40％。相对于本发明的组合物的总量，优选含量的上限值为60％、55％、50％、45％、43％、40％、38％、35％、32％、30％、27％、25％、22％。

相对于本发明的组合物的总量，式(L-1-1.3)所表示的化合物和式(L-1-2.2)所表示的化合物的合计的优选含量的下限值为10％、15％、20％、25％、27％、30％、35％、40％。相对于本发明的组合物的总量，优选含量的上限值为60％、55％、50％、45％、43％、40％、38％、35％、32％、30％、27％、25％、22％。

通式(L-1)所表示的化合物优选为选自通式(L-1-3)所表示的化合物组中的化合物。

[化101]

(式中，R^L13和R^L14各自独立地表示碳原子数1～8的烷基或碳原子数1～8的烷氧基。)

R^L13和R^L14优选为直链状的碳原子数1～5的烷基或直链状的碳原子数1～4的烷氧基。

相对于本发明的组合物的总量，式(L-1-3)所表示的化合物的优选含量的下限值为1％、5％、10％、13％、15％、17％、20％、23％、25％、30％。相对于本发明的组合物的总量，优选含量的上限值为60％、55％、50％、45％、40％、37％、35％、33％、30％、27％、25％、23％、20％、17％、15％、13％、10％。

进一步，通式(L-1-3)所表示的化合物优选为选自式(L-1-3.1)至式(L-1-3.13)所表示的化合物组中的化合物，优选为式(L-1-3.1)、式(L-1-3.3)或式(L-1-3.4)所表示的化合物。特别是式(L-1-3.1)所表示的化合物尤其改善本发明的组合物的响应速度，因此优选。此外，相比响应速度更要求高Tni时，优选使用式(L-1-3.3)、式(L-1-3.4)、式(L-1-3.11)和式(L-1-3.13)所表示的化合物。为了使低温时的溶解度佳，式(L-1-3.3)、式(L-1-3.4)、式(L-1-3.11)和式(L-1-3.13)所表示的化合物的合计含量不宜设为20％以上。

[化102]

相对于本发明的组合物的总量，式(L-1-3.1)所表示的化合物的优选含量的下限值为1％、2％、3％、5％、7％、10％、13％、15％、18％、20％。相对于本发明的组合物的总量，优选含量的上限值为20％、17％、15％、13％、10％、8％、7％、6％。

通式(L-1)所表示的化合物优选为选自通式(L-1-4)和/或(L-1-5)所表示的化合物组中的化合物。

[化103]

(式中，R^L15和R^L16各自独立地表示碳原子数1～8的烷基或碳原子数1～8的烷氧基。)

R^L15和R^L16优选为直链状的碳原子数1～5的烷基或直链状的碳原子数1～4的烷氧基。

相对于本发明的组合物的总量，式(L-1-4)所表示的化合物的优选含量的下限值为1％、5％、10％、13％、15％、17％、20％。相对于本发明的组合物的总量，优选含量的上限值为25％、23％、20％、17％、15％、13％、10％。

相对于本发明的组合物的总量，式(L-1-5)所表示的化合物的优选含量的下限值为1％、5％、10％、13％、15％、17％、20％。相对于本发明的组合物的总量，优选含量的上限值为25％、23％、20％、17％、15％、13％、10％。

进一步，通式(L-1-4)和(L-1-5)所表示的化合物优选为选自式(L-1-4.1)至式(L-1-5.3)所表示的化合物组中的化合物，优选为式(L-1-4.2)或式(L-1-5.2)所表示的化合物。

[化104]

相对于本发明的组合物的总量，式(L-1-4.2)所表示的化合物的优选含量的下限值为1％、2％、3％、5％、7％、10％、13％、15％、18％、20％。相对于本发明的组合物的总量，优选含量的上限值为20％、17％、15％、13％、10％、8％、7％、6％。

优选组合选自式(L-1-1.3)、式(L-1-2.2)、式(L-1-3.1)、式(L-1-3.3)、式(L-1-3.4)、式(L-1-3.11)和式(L-1-3.12)所表示的化合物中的2种以上的化合物，优选组合选自式(L-1-1.3)、式(L-1-2.2)、式(L-1-3.1)、式(L-1-3.3)、式(L-1-3.4)和式(L-1-4.2)所表示的化合物中的2种以上的化合物，相对于本发明的组合物的总量，这些化合物的合计含量的优选含量的下限值为1％、2％、3％、5％、7％、10％、13％、15％、18％、20％、23％、25％、27％、30％、33％、35％，相对于本发明的组合物的总量，上限值为80％、70％、60％、50％、45％、40％、37％、35％、33％、30％、28％、25％、23％、20％。重视组合物的可靠性的情况下，优选组合选自式(L-1-3.1)、式(L-1-3.3)和式(L-1-3.4)所表示的化合物中的2种以上的化合物，重视组合物的响应速度的情况下，优选组合选自式(L-1-1.3)、式(L-1-2.2)所表示的化合物中的2种以上的化合物。

通式(L-1)所表示的化合物优选为选自通式(L-1-6)所表示的化合物组中的化合物。

[化105]

(式中，R^L17和R^L18各自独立地表示甲基或氢原子。)

相对于本发明的组合物的总量，式(L-1-6)所表示的化合物的优选含量的下限值为1％、5％、10％、15％、17％、20％、23％、25％、27％、30％、35％。相对于本发明的组合物的总量，优选含量的上限值为60％、55％、50％、45％、42％、40％、38％、35％、33％、30％。

进一步，通式(L-1-6)所表示的化合物优选为选自式(L-1-6.1)至式(L-1-6.3)所表示的化合物组中的化合物。

[化106]

通式(L-2)所表示的化合物为下述化合物。

[化107]

(式中，R^L21和R^L22各自独立地表示与通式(L)中的R^L1和R^L2相同的含义。)

R^L21优选为碳原子数1～5的烷基或碳原子数2～5的烯基，R^L22优选为碳原子数1～5的烷基、碳原子数4～5的烯基或碳原子数1～4的烷氧基。

通式(L-2)所表示的化合物可以单独使用，也可以将2种以上的化合物组合使用。可组合的化合物的种类没有特别限制，根据低温时的溶解性、转变温度、电可靠性、双折射率等所要求的性能而适宜组合使用。所使用的化合物的种类例如在本发明的一实施方式中为1种、2种、3种、4种、5种以上。

重视低温时的溶解性的情况下，将含量设定得较高时效果好，相反，重视响应速度的情况下，将含量设定得较低时效果好。进一步，改良滴痕、烧屏特性的情况下、优选将含量的范围设定为居中。

相对于本发明的组合物的总量，式(L-2)所表示的化合物的优选含量的下限值为1％、2％、3％、5％、7％、10％。相对于本发明的组合物的总量，优选含量的上限值为20％、15％、13％、10％、8％、7％、6％、5％、3％。

进一步，通式(L-2)所表示的化合物优选为选自式(L-2.1)至式(L-2.6)所表示的化合物组中的化合物，优选为式(L-2.1)、式(L-2.3)、式(L-2.4)和式(L-2.6)所表示的化合物。

[化108]

通式(L-3)所表示的化合物为下述化合物。

[化109]

(式中，R^L31和R^L32各自独立地表示与通式(L)中的R^L1和R^L2相同的含义。)

R^L31和R^L32各自独立地优选为碳原子数1～5的烷基、碳原子数4～5的烯基或碳原子数1～4的烷氧基。

通式(L-3)所表示的化合物可以单独使用，也可以将2种以上的化合物组合使用。可组合的化合物的种类没有特别限制，根据低温时的溶解性、转变温度、电可靠性、双折射率等所要求的性能而适宜组合使用。所使用的化合物的种类例如在本发明的一实施方式中为1种、2种、3种、4种、5种以上。

相对于本发明的组合物的总量，式(L-3)所表示的化合物的优选含量的下限值为1％、2％、3％、5％、7％、10％。相对于本发明的组合物的总量，优选含量的上限值为20％、15％、13％、10％、8％、7％、6％、5％、3％。

在获得高双折射率的情况下，将含量设定得较高时效果好，相反，在重视高Tni的情况下，将含量设定得较低时效果好。进一步，在改良滴痕、烧屏特性的情况下，优选将含量的范围设定为居中。

进一步，通式(L-3)所表示的化合物优选为选自式(L-3.1)至式(L-3.7)所表示的化合物组中的化合物，优选为式(L-3.2)至式(L-3.5)所表示的化合物。

[化110]

通式(L-4)所表示的化合物为下述化合物。

[化111]

(式中，R^L41和R^L42各自独立地表示与通式(L)中的R^L1和R^L2相同的含义。)

R^L41优选为碳原子数1～5的烷基或碳原子数2～5的烯基，R^L42优选为碳原子数1～5的烷基、碳原子数4～5的烯基或碳原子数1～4的烷氧基。)

通式(L-4)所表示的化合物可以单独使用，也可以将2种以上的化合物组合使用。可组合的化合物的种类没有特别限制，根据低温时的溶解性、转变温度、电可靠性、双折射率等所要求的性能而适宜组合使用。所使用的化合物的种类例如在本发明的一实施方式中为1种、2种、3种、4种、5种以上。

本发明的组合物中，通式(L-4)所表示的化合物的含量有必要根据低温时的溶解性、转变温度、电可靠性、双折射率、工艺合适性、滴痕、烧屏、介电常数各向异性等所要求的性能来适宜调整。

相对于本发明的组合物的总量，式(L-4)所表示的化合物的优选含量的下限值为1％、2％、3％、5％、7％、10％、14％、16％、20％、23％、26％、30％、35％、40％。相对于本发明的组合物的总量，式(L-4)所表示的化合物的优选含量的上限值为50％、40％、35％、30％、20％、15％、10％、5％。

通式(L-4)所表示的化合物优选为例如式(L-4.1)至式(L-4.3)所表示的化合物。

[化112]

根据低温时的溶解性、转变温度、电可靠性、双折射率等所要求的性能，可以含有式(L-4.1)所表示的化合物，可以含有式(L-4.2)所表示的化合物，也可以含有式(L-4.1)所表示的化合物和式(L-4.2)所表示的化合物这两者，还可以将式(L-4.1)至式(L-4.3)所表示的化合物全部包含。相对于本发明的组合物的总量，式(L-4.1)或式(L-4.2)所表示的化合物的优选含量的下限值为3％、5％、7％、9％、11％、12％、13％、18％、21％，优选的上限值为45％、40％、35％、30％、25％、23％、20％、18％、15％、13％、10％、8％。

在含有式(L-4.1)所表示的化合物和式(L-4.2)所表示的化合物这两者的情况下，相对于本发明的组合物的总量，两化合物的优选含量的下限值为15％、19％、24％、30％，优选的上限值为45％、40％、35％、30％、25％、23％、20％、18％、15％、13％。

通式(L-4)所表示的化合物优选为例如式(L-4.4)至式(L-4.6)所表示的化合物，优选为式(L-4.4)所表示的化合物。

[化113]

根据低温时的溶解性、转变温度、电可靠性、双折射率等所要求的性能，可以含有式(L-4.4)所表示的化合物，可以含有式(L-4.5)所表示的化合物，也可以含有式(L-4.4)所表示的化合物和式(L-4.5)所表示的化合物这两者。

相对于本发明的组合物的总量，式(L-4.4)或式(L-4.5)所表示的化合物的优选含量的下限值为3％、5％、7％、9％、11％、12％、13％、18％、21％。优选的上限值为45％、40％、35％、30％、25％、23％、20％、18％、15％、13％、10％、8％。

在含有式(L-4.4)所表示的化合物和式(L-4.5)所表示的化合物这两者的情况下，相对于本发明的组合物的总量，两化合物的优选含量的下限值为15％、19％、24％、30％，优选的上限值为45％、40％、35％、30％、25％、23％、20％、18％、15％、13％。

通式(L-4)所表示的化合物优选为式(L-4.7)至式(L-4.10)所表示的化合物，特别优选为式(L-4.9)所表示的化合物。

[化114]

通式(L-5)所表示的化合物为下述化合物。

[化115]

(式中，R^L51和R^L52各自独立地表示与通式(L)中的R^L1和R^L2相同的含义。)

R^L51优选为碳原子数1～5的烷基或碳原子数2～5的烯基，R^L52优选为碳原子数1～5的烷基、碳原子数4～5的烯基或碳原子数1～4的烷氧基。

通式(L-5)所表示的化合物可以单独使用，也可以将2种以上的化合物组合使用。可组合的化合物的种类没有特别限制，根据低温时的溶解性、转变温度、电可靠性、双折射率等所要求的性能而适宜组合使用。所使用的化合物的种类例如在本发明的一实施方式中为1种、2种、3种、4种、5种以上。

本发明的组合物中，通式(L-5)所表示的化合物的含量有必要根据低温时的溶解性、转变温度、电可靠性、双折射率、工艺合适性、滴痕、烧屏、介电常数各向异性等所要求的性能来适宜调整。

相对于本发明的组合物的总量，式(L-5)所表示的化合物的优选含量的下限值为1％、2％、3％、5％、7％、10％、14％、16％、20％、23％、26％、30％、35％、40％。相对于本发明的组合物的总量，式(L-5)所表示的化合物的优选含量的上限值为50％、40％、35％、30％、20％、15％、10％、5％。

通式(L-5)所表示的化合物优选为式(L-5.1)或式(L-5.2)所表示的化合物，特别优选为式(L-5.1)所表示的化合物。

相对于本发明的组合物的总量，这些化合物的优选含量的下限值为1％、2％、3％、5％、7％。这些化合物的优选含量的上限值为20％、15％、13％、10％、9％。

[化116]

通式(L-5)所表示的化合物优选为式(L-5.3)或式(L-5.4)所表示的化合物。

相对于本发明的组合物的总量，这些化合物的优选含量的下限值为1％、2％、3％、5％、7％。这些化合物的优选含量的上限值为20％、15％、13％、10％、9％。

[化117]

通式(L-5)所表示的化合物优选为选自式(L-5.5)至式(L-5.7)所表示的化合物组中的化合物，特别优选为式(L-5.7)所表示的化合物。

相对于本发明的组合物的总量，这些化合物的优选含量的下限值为1％、2％、3％、5％、7％。这些化合物的优选含量的上限值为20％、15％、13％、10％、9％。

[化118]

通式(L-6)所表示的化合物为下述化合物。

[化119]

(式中，R^L61和R^L62各自独立地表示与通式(L)中的R^L1和R^L2相同的含义，X^L61和X^L62各自独立地表示氢原子或氟原子。)

R^L61和R^L62各自独立地优选为碳原子数1～5的烷基或碳原子数2～5的烯基，优选X^L61和X^L62中的一方为氟原子另一方为氢原子。

通式(L-6)所表示的化合物可以单独使用，也可以将2种以上的化合物组合使用。可组合的化合物的种类没有特别限制，根据低温时的溶解性、转变温度、电可靠性、双折射率等所要求的性能而适宜组合使用。所使用的化合物的种类例如在本发明的一实施方式中为1种、2种、3种、4种、5种以上。

相对于本发明的组合物的总量，式(L-6)所表示的化合物的优选含量的下限值为1％、2％、3％、5％、7％、10％、14％、16％、20％、23％、26％、30％、35％、40％。相对于本发明的组合物的总量，式(L-6)所表示的化合物的优选含量的上限值为50％、40％、35％、30％、20％、15％、10％、5％。在将重点放在增大Δn的情况下，优选使含量多，在将重点放在低温时的析出的情况下，优选含量少。

通式(L-6)所表示的化合物优选为式(L-6.1)至式(L-6.9)所表示的化合物。

[化120]

可组合的化合物的种类没有特别限制，优选含有这些化合物中的1种～3种，进一步优选含有1种～4种。此外，所选化合物的分子量分布广也对溶解性有效，因此例如优选从式(L-6.1)或(L-6.2)所表示的化合物选择1种化合物、从式(L-6.4)或(L-6.5)所表示的化合物选择1种化合物、从式(L-6.6)或式(L-6.7)所表示的化合物选择1种化合物、从式(L-6.8)或(L-6.9)所表示的化合物选择1种化合物，并将它们适宜组合。其中，优选含有式(L-6.1)、式(L-6.3)、式(L-6.4)、式(L-6.6)和式(L-6.9)所表示的化合物。

进一步，通式(L-6)所表示的化合物优选为例如式(L-6.10)至式(L-6.17)所表示的化合物，其中，优选为式(L-6.11)所表示的化合物。

[化121]

相对于本发明的组合物的总量，这些化合物的优选含量的下限值为1％、2％、3％、5％、7％。这些化合物的优选含量的上限值为20％、15％、13％、10％、9％。

通式(L-7)所表示的化合物为下述化合物。

[化122]

(式中，R^L71和R^L72各自独立地表示与通式(L)中的R^L1和R^L2相同的含义，A^L71和A^L72各自独立地表示与通式(L)中的A^L2和A^L3相同的含义，但A^L71和A^L72上的氢原子各自独立地可以被氟原子取代，Z^L71表示与通式(L)中的Z^L2相同的含义，X^L71和X^L72各自独立地表示氟原子或氢原子。)

式中，R^L71和R^L72各自独立地优选为碳原子数1～5的烷基、碳原子数2～5的烯基或碳原子数1～4的烷氧基，A^L71和A^L72各自独立地优选为1,4-亚环己基或1,4-亚苯基，A^L71和A^L72上的氢原子各自独立地可以被氟原子取代，Z^L71优选为单键或-COO-，优选为单键，X^L71和X^L72优选为氢原子。

可组合的化合物的种类没有特别限制，根据低温时的溶解性、转变温度、电可靠性、双折射率等所要求的性能而组合。所使用的化合物的种类例如在本发明的一实施方式中为1种、2种、3种、4种。

本发明的组合物中，通式(L-7)所表示的化合物的含量有必要根据低温时的溶解性、转变温度、电可靠性、双折射率、工艺合适性、滴痕、烧屏、介电常数各向异性等所要求的性能来适宜调整。

相对于本发明的组合物的总量，式(L-7)所表示的化合物的优选含量的下限值为1％、2％、3％、5％、7％、10％、14％、16％、20％。相对于本发明的组合物的总量，式(L-7)所表示的化合物的优选含量的上限值为30％、25％、23％、20％、18％、15％、10％、5％。

在期望本发明的组合物为高Tni的实施方式的情况下，优选使式(L-7)所表示的化合物的含量较多，在期望低粘度的实施方式的情况下，优选使含量较少。

进一步，通式(L-7)所表示的化合物优选为式(L-7.1)至式(L-7.4)所表示的化合物，优选为式(L-7.2)所表示的化合物。

[化123]

进一步，通式(L-7)所表示的化合物优选为式(L-7.11)至式(L-7.13)所表示的化合物，优选为式(L-7.11)所表示的化合物。

[化124]

进一步，通式(L-7)所表示的化合物为式(L-7.21)至式(L-7.23)所表示的化合物。优选为式(L-7.21)所表示的化合物。

[化125]

进一步，通式(L-7)所表示的化合物优选为式(L-7.31)至式(L-7.34)所表示的化合物，优选为式(L-7.31)或/和式(L-7.32)所表示的化合物。

[化126]

进一步，通式(L-7)所表示的化合物优选为式(L-7.41)至式(L-7.44)所表示的化合物，优选为式(L-7.41)或/和式(L-7.42)所表示的化合物。

[化127]

进一步，通式(L-7)所表示的化合物优选为式(L-7.51)至式(L-7.53)所表示的化合物。

[化128]

本发明的组合物优选含有1种或2种以上选自通式(N-1)、(N-2)和(N-3)所表示的化合物中的化合物。这些化合物相当于介电性为负的化合物(Δε的符号为负，且其绝对值大于2。)。

[化129]

(式中，R^N11、R^N12、R^N21、R^N22、R^N31和R^N32各自独立地表示碳原子数1～8的烷基，该烷基中的1个或不相邻的2个以上-CH₂-各自独立地可以被-CH＝CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-取代，

A^N11、A^N12、A^N21、A^N22、A^N31和A^N32各自独立地表示选自由以下基团组成的组中的基团：

(a)1,4-亚环己基(存在于该基团中的1个-CH₂-或不相邻的2个以上-CH₂-可以被-O-取代。)、

(b)1,4-亚苯基(存在于该基团中的1个-CH＝或不相邻的2个以上-CH＝可以被-N＝取代。)、

(c)萘-2,6-二基、1,2,3,4-四氢萘-2,6-二基或十氢萘-2,6-二基(存在于萘-2,6-二基或1,2,3,4-四氢萘-2,6-二基中的1个-CH＝或不相邻的2个以上-CH＝可以被-N＝取代。)以及

(d)1,4-亚环己烯基，

上述基团(a)、基团(b)、基团(c)和基团(d)各自独立地可以被氰基、氟原子或氯原子取代，

Z^N11、Z^N12、Z^N21、Z^N22、Z^N31和Z^N32各自独立地表示单键、-CH₂CH₂-、-(CH₂)₄-、-OCH₂-、-CH₂O-、-COO-、-OCO-、-OCF₂-、-CF₂O-、-CH＝N-N＝CH-、-CH＝CH-、-CF＝CF-或-C≡C-，

X^N21表示氢原子或氟原子，

T^N31表示-CH₂-或氧原子，

n^N11、n^N12、n^N21、n^N22、n^N31和n^N32各自独立地表示0～3的整数，但n^N11+n^N12、n^N21+n^N22和n^N31+n^N32各自独立地为1、2或3，在A^N11～A^N32、Z^N11～Z^N32存在多个的情况下，它们可以相同也可以不同。)

通式(N-1)、(N-2)和(N-3)所表示的化合物优选Δε为负且其绝对值大于3的化合物。

通式(N-1)、(N-2)和(N-3)中，R^N11、R^N12、R^N21、R^N22、R^N31和R^N32各自独立地优选为碳原子数1～8的烷基、碳原子数1～8的烷氧基、碳原子数2～8的烯基或碳原子数2～8的烯氧基，优选为碳原子数1～5的烷基、碳原子数1～5的烷氧基、碳原子数2～5的烯基或碳原子数2～5的烯氧基，进一步优选为碳原子数1～5的烷基或碳原子数2～5的烯基，进一步优选为碳原子数2～5的烷基或碳原子数2～3的烯基，特别优选为碳原子数3的烯基(丙烯基)。

此外，在其所结合的环结构为苯基(芳香族)的情况下，优选为直链状的碳原子数1～5的烷基、直链状的碳原子数1～4的烷氧基和碳原子数4～5的烯基，在其所结合的环结构为环己烷、吡喃和二烷等饱和的环结构的情况下，优选为直链状的碳原子数1～5的烷基、直链状的碳原子数1～4的烷氧基和直链状的碳原子数2～5的烯基。为了使向列相稳定化，碳原子和存在时的氧原子的合计优选为5以下，优选为直链状。

作为烯基，优选选自式(R1)至式(R5)中的任一者所表示的基团。(各式中的黑点表示环结构中的碳原子。)

[化130]

A^N11、A^N12、A^N21、A^N22、A^N31和A^N32各自独立地在要求增大Δn的情况下优选为芳香族，为了改善响应速度而优选为脂肪族，优选表示反式-1,4-亚环己基、1,4-亚苯基、2-氟-1,4-亚苯基、3-氟-1,4-亚苯基、3,5-二氟-1,4-亚苯基、2,3-二氟-1,4-亚苯基、1,4-亚环己烯基、1,4-双环[2.2.2]亚辛基、哌啶-1,4-二基、萘-2,6-二基、十氢萘-2,6-二基或1,2,3,4-四氢萘-2,6-二基，更优选表示下述结构，

[化131]

更优选表示反式-1,4-亚环己基、1,4-亚环己烯基或1,4-亚苯基。

Z^N11、Z^N12、Z^N21、Z^N22、Z^N31和Z^N32各自独立地优选表示-CH₂O-、-CF₂O-、-CH₂CH₂-、-CF₂CF₂-或单键，进一步优选为-CH₂O-、-CH₂CH₂-或单键，特别优选为-CH₂O-或单键。

X^N21优选为氟原子。

T^N31优选为氧原子。

n^N11+n^N12、n^N21+n^N22和n^N31+n^N32优选为1或2，优选n^N11为1且n^N12为0的组合、n^N11为2且n^N12为0的组合、n^N11为1且n^N12为1的组合、n^N11为2且n^N12为1的组合、n^N21为1且n^N22为0的组合、n^N21为2且n^N22为0的组合、n^N31为1且n^N32为0的组合、n^N31为2且n^N32为0的组合。

相对于本发明的组合物的总量，式(N-1)所表示的化合物的优选含量的下限值为1％、10％、20％、30％、40％、50％、55％、60％、65％、70％、75％、80％。优选含量的上限值为95％、85％、75％、65％、55％、45％、35％、25％、20％。

相对于本发明的组合物的总量，式(N-2)所表示的化合物的优选含量的下限值为1％、10％、20％、30％、40％、50％、55％、60％、65％、70％、75％、80％。优选含量的上限值为95％、85％、75％、65％、55％、45％、35％、25％、20％。

相对于本发明的组合物的总量，式(N-3)所表示的化合物的优选含量的下限值为1％、10％、20％、30％、40％、50％、55％、60％、65％、70％、75％、80％。优选含量的上限值为95％、85％、75％、65％、55％、45％、35％、25％、20％。

在将本发明的组合物的粘度保持得低而需要响应速度快的组合物的情况下，优选上述下限值低且上限值低。进一步，在将本发明的组合物的Tni保持得高而需要温度稳定性佳的组合物的情况下，优选上述下限值低且上限值低。此外，为了将驱动电压保持得低而想要增大介电常数各向异性时，优选上述下限值高且上限值高。

作为通式(N-1)所表示的化合物，可以举出下述通式(N-1a)～(N-1g)所表示的化合物组。

[化132]

(式中，R^N11和R^N12表示与通式(N-1)中的R^N11和R^N12相同的含义，n^Na11表示0或1，n^Nb11表示1或2，n^Nc11表示0或1，n^Nd11表示1或2，n^Ne11表示1或2，n^Nf12表示1或2，n^Ng11表示1或2，A^Ne11表示反式-1,4-亚环己基或1,4-亚苯基，A^Ng11表示反式-1,4-亚环己基、1,4-亚环己烯基或1,4-亚苯基且至少1个表示1,4-亚环己烯基，Z^Ne11表示单键或亚乙基且分子内存在的至少1个表示亚乙基，分子内存在的多个A^Ne11、Z^Ne11和/或A^Ng11可以相同也可以不同。)

更具体而言，通式(N-1)所表示的化合物优选为选自通式(N-1-1)～(N-1-22)所表示的化合物组中的化合物。

通式(N-1-1)所表示的化合物为下述化合物。

[化133]

(式中，R^N111和R^N112各自独立地表示与通式(N-1)中的R^N11和R^N12相同的含义。)

R^N111优选为碳原子数1～5的烷基或碳原子数2～5的烯基，优选为丙基、戊基或乙烯基。R^N112优选为碳原子数1～5的烷基、碳原子数4～5的烯基或碳原子数1～4的烷氧基，优选为乙氧基或丁氧基。

通式(N-1-1)所表示的化合物可以单独使用，也可以将2种以上的化合物组合使用。可组合的化合物的种类没有特别限制，根据低温时的溶解性、转变温度、电可靠性、双折射率等所要求的性能而适宜组合使用。所使用的化合物的种类例如在本发明的一实施方式中为1种、2种、3种、4种、5种以上。

在重视Δε的改善的情况下，优选将含量设定得较高，在重视低温时的溶解性的情况下，将含量设定得较高时效果好，在重视T_NI的情况下，将含量设定得较低时效果好。进一步，在改良滴痕、烧屏特性的情况下，优选将含量的范围设定为居中。

相对于本发明的组合物的总量，式(N-1-1)所表示的化合物的优选含量的下限值为5％、10％、13％、15％、17％、20％、23％、25％、27％、30％、33％、35％。相对于本发明的组合物的总量，优选含量的上限值为50％、40％、38％、35％、33％、30％、28％、25％、23％、20％、18％、15％、13％、10％、8％、7％、6％、5％、3％。

进一步，通式(N-1-1)所表示的化合物优选为选自式(N-1-1.1)至式(N-1-1.25)所表示的化合物组中的化合物，优选为式(N-1-1.1)～(N-1-1.4)所表示的化合物，优选为式(N-1-1.1)和式(N-1-1.3)所表示的化合物。

[化134]

式(N-1-1.1)～(N-1-1.25)所表示的化合物可以单独使用，也可以组合使用，相对于本发明的组合物的总量，单独或这些化合物的优选含量的下限值为5％、10％、13％、15％、17％、20％、23％、25％、27％、30％、33％、35％。相对于本发明的组合物的总量，优选含量的上限值为50％、40％、38％、35％、33％、30％、28％、25％、23％、20％、18％、15％、13％、10％、8％、7％、6％、5％、3％。

通式(N-1-2)所表示的化合物为下述化合物。

[化135]

(式中，R^N121和R^N122各自独立地表示与通式(N-1)中的R^N11和R^N12相同的含义。)

R^N121优选为碳原子数1～5的烷基或碳原子数2～5的烯基，优选为乙基、丙基、丁基或戊基。R^N122优选为碳原子数1～5的烷基、碳原子数4～5的烯基或碳原子数1～4的烷氧基，优选为甲基、丙基、甲氧基、乙氧基或丙氧基。

通式(N-1-2)所表示的化合物可以单独使用，也可以将2种以上的化合物组合使用。可组合的化合物的种类没有特别限制，根据低温时的溶解性、转变温度、电可靠性、双折射率等所要求的性能而适宜组合使用。所使用的化合物的种类例如在本发明的一实施方式中为1种、2种、3种、4种、5种以上。

在重视Δε的改善的情况下，优选将含量设定得较高，在重视低温时的溶解性的情况下，将含量设定得较低时效果好，在重视T_NI的情况下，将含量设定得较高时效果好。进一步，在改良滴痕、烧屏特性的情况下，优选将含量的范围设定为居中。

相对于本发明的组合物的总量，式(N-1-2)所表示的化合物的优选含量的下限值为5％、7％、10％、13％、15％、17％、20％、23％、25％、27％、30％、33％、35％、37％、40％、42％。相对于本发明的组合物的总量，优选含量的上限值为50％、48％、45％、43％、40％、38％、35％、33％、30％、28％、25％、23％、20％、18％、15％、13％、10％、8％、7％、6％、5％。

进一步，通式(N-1-2)所表示的化合物优选为选自式(N-1-2.1)至式(N-1-2.25)所表示的化合物组中的化合物，优选为式(N-1-2.3)至式(N-1-2.7)、式(N-1-2.10)、式(N-1-2.11)、式(N-1-2.13)和式(N-1-2.20)所表示的化合物，在重视Δε的改良的情况下，优选为式(N-1-2.3)至式(N-1-2.7)所表示的化合物，在重视T_NI的改良的情况下，优选为式(N-1-2.10)、式(N-1-2.11)和式(N-1-2.13)所表示的化合物，在重视响应速度的改良的情况下，优选为式(N-1-2.20)所表示的化合物。

[化136]

式(N-1-2.1)至式(N-1-2.25)所表示的化合物可以单独使用，也可以组合使用，相对于本发明的组合物的总量，单独或这些化合物的优选含量的下限值为5％、10％、13％、15％、17％、20％、23％、25％、27％、30％、33％、35％。相对于本发明的组合物的总量，优选含量的上限值为50％、40％、38％、35％、33％、30％、28％、25％、23％、20％、18％、15％、13％、10％、8％、7％、6％、5％、3％。

通式(N-1-3)所表示的化合物为下述化合物。

[化137]

(式中，R^N131和R^N132各自独立地表示与通式(N-1)中的R^N11和R^N12相同的含义。)

R^N131优选为碳原子数1～5的烷基或碳原子数2～5的烯基，优选为乙基、丙基或丁基。R^N132优选为碳原子数1～5的烷基、碳原子数3～5的烯基或碳原子数1～4的烷氧基，优选为1-丙烯基、乙氧基、丙氧基或丁氧基。

通式(N-1-3)所表示的化合物可以单独使用，也可以将2种以上的化合物组合使用。可组合的化合物的种类没有特别限制，根据低温时的溶解性、转变温度、电可靠性、双折射率等所要求的性能而适宜组合使用。所使用的化合物的种类例如在本发明的一实施方式中为1种、2种、3种、4种、5种以上。

在重视Δε的改善的情况下，优选将含量设定得较高，在重视低温时的溶解性的情况下，将含量设定得较高时效果好，在重视T_NI的情况下，将含量设定得较高时效果好。进一步，在改良滴痕、烧屏特性的情况下，优选将含量的范围设定为居中。

相对于本发明的组合物的总量，式(N-1-3)所表示的化合物的优选含量的下限值为5％、10％、13％、15％、17％、20％。相对于本发明的组合物的总量，优选含量的上限值为35％、30％、28％、25％、23％、20％、18％、15％、13％。

进一步，通式(N-1-3)所表示的化合物优选为选自式(N-1-3.1)至式(N-1-3.21)所表示的化合物组中的化合物，优选为式(N-1-3.1)～(N-1-3.7)和式(N-1-3.21)所表示的化合物，优选为式(N-1-3.1)、式(N-1-3.2)、式(N-1-3.3)、式(N-1-3.4)和式(N-1-3.6)所表示的化合物。

[化138]

式(N-1-3.1)～式(N-1-3.4)、式(N-1-3.6)和式(N-1-3.21)所表示的化合物可以单独使用，也可以组合使用，优选为式(N-1-3.1)和式(N-1-3.2)的组合、选自式(N-1-3.3)、式(N-1-3.4)和式(N-1-3.6)中的2种或3种的组合。相对于本发明的组合物的总量，单独或这些化合物的优选含量的下限值为5％、10％、13％、15％、17％、20％。相对于本发明的组合物的总量，优选含量的上限值为35％、30％、28％、25％、23％、20％、18％、15％、13％。

通式(N-1-4)所表示的化合物为下述化合物。

[化139]

(式中，R^N141和R^N142各自独立地表示与通式(N-1)中的R^N11和R^N12相同的含义。)

R^N141和R^N142各自独立地优选为碳原子数1～5的烷基、碳原子数4～5的烯基或碳原子数1～4的烷氧基，优选为甲基、丙基、乙氧基或丁氧基。

通式(N-1-4)所表示的化合物可以单独使用，也可以将2种以上的化合物组合使用。可组合的化合物的种类没有特别限制，根据低温时的溶解性、转变温度、电可靠性、双折射率等所要求的性能而适宜组合使用。所使用的化合物的种类例如在本发明的一实施方式中为1种、2种、3种、4种、5种以上。

在重视Δε的改善的情况下，优选将含量设定得较高，在重视低温时的溶解性的情况下，将含量设定得较高时效果好，在重视T_NI的情况下，将含量设定得较低时效果好。进一步，在改良滴痕、烧屏特性的情况下，优选将含量的范围设定为居中。

相对于本发明的组合物的总量，式(N-1-4)所表示的化合物的优选含量的下限值为3％、5％、7％、10％、13％、15％、17％、20％。相对于本发明的组合物的总量，优选含量的上限值为35％、30％、28％、25％、23％、20％、18％、15％、13％、11％、10％、8％。

进一步，通式(N-1-4)所表示的化合物优选为选自式(N-1-4.1)至式(N-1-4.24)所表示的化合物组中的化合物，优选为式(N-1-4.1)～(N-1-4.4)所表示的化合物，优选为式(N-1-4.1)、式(N-1-4.2)和式(N-1-4.4)所表示的化合物。

[化140]

式(N-1-4.1)～(N-1-4.24)所表示的化合物可以单独使用，也可以组合使用，相对于本发明的组合物的总量，单独或这些化合物的优选含量的下限值为3％、5％、7％、10％、13％、15％、17％、20％。相对于本发明的组合物的总量，优选含量的上限值为35％、30％、28％、25％、23％、20％、18％、15％、13％、11％、10％、8％。

通式(N-1-5)所表示的化合物为下述化合物。

[化141]

(式中，R^N151和R^N152各自独立地表示与通式(N-1)中的R^N11和R^N12相同的含义。)

R^N151和R^N152各自独立地优选为碳原子数1～5的烷基、碳原子数4～5的烯基或碳原子数1～4的烷氧基，优选为乙基、丙基或丁基。

通式(N-1-5)所表示的化合物可以单独使用，也可以将2种以上的化合物组合使用。可组合的化合物的种类没有特别限制，根据低温时的溶解性、转变温度、电可靠性、双折射率等所要求的性能而适宜组合使用。所使用的化合物的种类例如在本发明的一实施方式中为1种、2种、3种、4种、5种以上。

在重视Δε的改善的情况下，优选将含量设定得较高，在重视低温时的溶解性的情况下，将含量设定得较低时效果好，在重视T_NI的情况下，将含量设定得较高时效果好。进一步，在改良滴痕、烧屏特性的情况下，优选将含量的范围设定为居中。

相对于本发明的组合物的总量，式(N-1-5)所表示的化合物的优选含量的下限值为5％、8％、10％、13％、15％、17％、20％。相对于本发明的组合物的总量，优选含量的上限值为35％、33％、30％、28％、25％、23％、20％、18％、15％、13％。

进一步，通式(N-1-5)所表示的化合物优选为选自式(N-1-5.1)至式(N-1-5.12)所表示的化合物组中的化合物，优选为式(N-1-5.1)、式(N-1-5.2)和式(N-1-5.4)所表示的化合物。

[化142]

式(N-1-5.1)、式(N-1-5.2)和式(N-1-5.4)所表示的化合物可以单独使用，也可以组合使用，相对于本发明的组合物的总量，单独或这些化合物的优选含量的下限值为5％、8％、10％、13％、15％、17％、20％。相对于本发明的组合物的总量，优选含量的上限值为35％、33％、30％、28％、25％、23％、20％、18％、15％、13％。

通式(N-1-10)所表示的化合物为下述化合物。

[化143]

(式中，R^N1101和R^N1102各自独立地表示与通式(N-1)中的R^N11和R^N12相同的含义。)

R^N1101优选为碳原子数1～5的烷基或碳原子数2～5的烯基，优选为乙基、丙基、丁基、乙烯基或1-丙烯基。R^N1102优选为碳原子数1～5的烷基、碳原子数4～5的烯基或碳原子数1～4的烷氧基，优选为乙氧基、丙氧基或丁氧基。

通式(N-1-10)所表示的化合物可以单独使用，也可以将2种以上的化合物组合使用。可组合的化合物的种类没有特别限制，根据低温时的溶解性、转变温度、电可靠性、双折射率等所要求的性能而适宜组合使用。所使用的化合物的种类例如在本发明的一实施方式中为1种、2种、3种、4种、5种以上。

在重视Δε的改善的情况下，优选将含量设定得较高，在重视低温时的溶解性的情况下，将含量设定得较高时效果好，在重视T_NI的情况下，将含量设定得较低时效果好。进一步，在改良滴痕、烧屏特性的情况下，优选将含量的范围设定为居中。

相对于本发明的组合物的总量，式(N-1-10)所表示的化合物的优选含量的下限值为5％、10％、13％、15％、17％、20％。相对于本发明的组合物的总量，优选含量的上限值为35％、30％、28％、25％、23％、20％、18％、15％、13％。

进一步，通式(N-1-10)所表示的化合物优选为选自式(N-1-10.1)至式(N-1-10.14)所表示的化合物组中的化合物，优选为式(N-1-10.1)～(N-1-10.5)所表示的化合物，优选为式(N-1-10.1)和式(N-1-10.2)所表示的化合物。

[化144]

式(N-1-10.1)和式(N-1-10.2)所表示的化合物可以单独使用，也可以组合使用，相对于本发明的组合物的总量，单独或这些化合物的优选含量的下限值为5％、10％、13％、15％、17％、20％。相对于本发明的组合物的总量，优选含量的上限值为35％、30％、28％、25％、23％、20％、18％、15％、13％。

通式(N-1-11)所表示的化合物为下述化合物。

[化145]

(式中，R^N1111和R^N1112各自独立地表示与通式(N-1)中的R^N11和R^N12相同的含义。)

R^N1111优选为碳原子数1～5的烷基或碳原子数2～5的烯基，优选为乙基、丙基、丁基、乙烯基或1-丙烯基。R^N1112优选为碳原子数1～5的烷基、碳原子数4～5的烯基或碳原子数1～4的烷氧基，优选为乙氧基、丙氧基或丁氧基。

通式(N-1-11)所表示的化合物可以单独使用，也可以将2种以上的化合物组合使用。可组合的化合物的种类没有特别限制，根据低温时的溶解性、转变温度、电可靠性、双折射率等所要求的性能而适宜组合使用。所使用的化合物的种类例如在本发明的一实施方式中为1种、2种、3种、4种、5种以上。

在重视Δε的改善的情况下，优选将含量设定得较高，在重视低温时的溶解性的情况下，将含量设定得较低时效果好，在重视T_NI的情况下，将含量设定得较高时效果好。进一步，在改良滴痕、烧屏特性的情况下，优选将含量的范围设定为居中。

相对于本发明的组合物的总量，式(N-1-11)所表示的化合物的优选含量的下限值为5％、10％、13％、15％、17％、20％。相对于本发明的组合物的总量，优选含量的上限值为35％、30％、28％、25％、23％、20％、18％、15％、13％。

进一步，通式(N-1-11)所表示的化合物优选为选自式(N-1-11.1)至式(N-1-11.14)所表示的化合物组中的化合物，优选为式(N-1-11.1)～(N-1-11.14)所表示的化合物，优选为式(N-1-11.2)和式(N-1-11.4)所表示的化合物。

[化146]

式(N-1-11.2)和式(N-1-11.4)所表示的化合物可以单独使用，也可以组合使用，相对于本发明的组合物的总量，单独或这些化合物的优选含量的下限值为5％、10％、13％、15％、17％、20％。相对于本发明的组合物的总量，优选含量的上限值为35％、30％、28％、25％、23％、20％、18％、15％、13％。

通式(N-1-12)所表示的化合物为下述化合物。

[化147]

(式中，R^N1121和R^N1122各自独立地表示与通式(N-1)中的R^N11和R^N12相同的含义。)

R^N1121优选为碳原子数1～5的烷基或碳原子数2～5的烯基，优选为乙基、丙基或丁基。R^N1122优选为碳原子数1～5的烷基、碳原子数4～5的烯基或碳原子数1～4的烷氧基，优选为乙氧基、丙氧基或丁氧基。

通式(N-1-12)所表示的化合物可以单独使用，也可以将2种以上的化合物组合使用。可组合的化合物的种类没有特别限制，根据低温时的溶解性、转变温度、电可靠性、双折射率等所要求的性能而适宜组合使用。所使用的化合物的种类例如在本发明的一实施方式中为1种、2种、3种、4种、5种以上。

在重视Δε的改善的情况下，优选将含量设定得较高，在重视低温时的溶解性的情况下，将含量设定得较高时效果好，在重视T_NI的情况下，将含量设定得较低时效果好。进一步，在改良滴痕、烧屏特性的情况下，优选将含量的范围设定为居中。

相对于本发明的组合物的总量，式(N-1-12)所表示的化合物的优选含量的下限值为5％、10％、13％、15％、17％、20％。相对于本发明的组合物的总量，优选含量的上限值为35％、30％、28％、25％、23％、20％、18％、15％、13％。

通式(N-1-13)所表示的化合物为下述化合物。

[化148]

(式中，R^N1131和R^N1132各自独立地表示与通式(N-1)中的R^N11和R^N12相同的含义。)

R^N1131优选为碳原子数1～5的烷基或碳原子数2～5的烯基，优选为乙基、丙基或丁基。R^N1132优选为碳原子数1～5的烷基、碳原子数4～5的烯基或碳原子数1～4的烷氧基，优选为乙氧基、丙氧基或丁氧基。

通式(N-1-13)所表示的化合物可以单独使用，也可以将2种以上的化合物组合使用。可组合的化合物的种类没有特别限制，根据低温时的溶解性、转变温度、电可靠性、双折射率等所要求的性能而适宜组合使用。所使用的化合物的种类例如在本发明的一实施方式中为1种、2种、3种、4种、5种以上。

在重视Δε的改善的情况下，优选将含量设定得较高，在重视低温时的溶解性的情况下，将含量设定得较高时效果好，在重视T_NI的情况下，将含量设定得较高时效果好。进一步，在改良滴痕、烧屏特性的情况下，优选将含量的范围设定为居中。

相对于本发明的组合物的总量，式(N-1-13)所表示的化合物的优选含量的下限值为5％、10％、13％、15％、17％、20％。相对于本发明的组合物的总量，优选含量的上限值为35％、30％、28％、25％、23％、20％、18％、15％、13％。

通式(N-1-14)所表示的化合物为下述化合物。

[化149]

(式中，R^N1141和R^N1142各自独立地表示与通式(N-1)中的R^N11和R^N12相同的含义。)

R^N1141优选为碳原子数1～5的烷基或碳原子数2～5的烯基，优选为乙基、丙基或丁基。R^N1142优选为碳原子数1～5的烷基、碳原子数4～5的烯基或碳原子数1～4的烷氧基，优选为乙氧基、丙氧基或丁氧基。

通式(N-1-14)所表示的化合物可以单独使用，也可以将2种以上的化合物组合使用。可组合的化合物的种类没有特别限制，根据低温时的溶解性、转变温度、电可靠性、双折射率等所要求的性能而适宜组合使用。所使用的化合物的种类例如在本发明的一实施方式中为1种、2种、3种、4种、5种以上。

在重视Δε的改善的情况下，优选将含量设定得较高，在重视低温时的溶解性的情况下，将含量设定得较高时效果好，在重视T_NI的情况下，将含量设定得较低时效果好。进一步，在改良滴痕、烧屏特性的情况下，优选将含量的范围设定为居中。

相对于本发明的组合物的总量，式(N-1-14)所表示的化合物的优选含量的下限值为5％、10％、13％、15％、17％、20％。相对于本发明的组合物的总量，优选含量的上限值为35％、30％、28％、25％、23％、20％、18％、15％、13％。

通式(N-1-15)所表示的化合物为下述化合物。

[化150]

(式中，R^N1151和R^N1152各自独立地表示与通式(N-1)中的R^N11和R^N12相同的含义。)

R^N1151优选为碳原子数1～5的烷基或碳原子数2～5的烯基，优选为乙基、丙基或丁基。R^N1152优选为碳原子数1～5的烷基、碳原子数4～5的烯基或碳原子数1～4的烷氧基，优选为乙氧基、丙氧基或丁氧基。

通式(N-1-15)所表示的化合物可以单独使用，也可以将2种以上的化合物组合使用。可组合的化合物的种类没有特别限制，根据低温时的溶解性、转变温度、电可靠性、双折射率等所要求的性能而适宜组合使用。所使用的化合物的种类例如在本发明的一实施方式中为1种、2种、3种、4种、5种以上。

在重视Δε的改善的情况下，优选将含量设定得较高，在重视低温时的溶解性的情况下，将含量设定得较高时效果好，在重视T_NI的情况下，将含量设定得较高时效果好。进一步，在改良滴痕、烧屏特性的情况下，优选将含量的范围设定为居中。

相对于本发明的组合物的总量，式(N-1-15)所表示的化合物的优选含量的下限值为5％、10％、13％、15％、17％、20％。相对于本发明的组合物的总量，优选含量的上限值为35％、30％、28％、25％、23％、20％、18％、15％、13％。

通式(N-1-16)所表示的化合物为下述化合物。

[化151]

(式中，R^N1161和R^N1162各自独立地表示与通式(N-1)中的R^N11和R^N12相同的含义。)

R^N1161优选为碳原子数1～5的烷基或碳原子数2～5的烯基，优选为乙基、丙基或丁基。R^N1162优选为碳原子数1～5的烷基、碳原子数4～5的烯基或碳原子数1～4的烷氧基，优选为乙氧基、丙氧基或丁氧基。

通式(N-1-16)所表示的化合物可以单独使用，也可以将2种以上的化合物组合使用。可组合的化合物的种类没有特别限制，根据低温时的溶解性、转变温度、电可靠性、双折射率等所要求的性能而适宜组合使用。所使用的化合物的种类例如在本发明的一实施方式中为1种、2种、3种、4种、5种以上。

在重视Δε的改善的情况下，优选将含量设定得较高，在重视低温时的溶解性的情况下，将含量设定得较高时效果好，在重视T_NI的情况下，将含量设定得较高时效果好。进一步，在改良滴痕、烧屏特性的情况下，优选将含量的范围设定为居中。

相对于本发明的组合物的总量，式(N-1-16)所表示的化合物的优选含量的下限值为5％、10％、13％、15％、17％、20％。相对于本发明的组合物的总量，优选含量的上限值为35％、30％、28％、25％、23％、20％、18％、15％、13％。

通式(N-1-17)所表示的化合物为下述化合物。

[化152]

(式中，R^N1171和R^N1172各自独立地表示与通式(N-1)中的R^N11和R^N12相同的含义。)

R^N1171优选为碳原子数1～5的烷基或碳原子数2～5的烯基，优选为乙基、丙基或丁基。R^N1172优选为碳原子数1～5的烷基、碳原子数4～5的烯基或碳原子数1～4的烷氧基，优选为乙氧基、丙氧基或丁氧基。

通式(N-1-17)所表示的化合物可以单独使用，也可以将2种以上的化合物组合使用。可组合的化合物的种类没有特别限制，根据低温时的溶解性、转变温度、电可靠性、双折射率等所要求的性能而适宜组合使用。所使用的化合物的种类例如在本发明的一实施方式中为1种、2种、3种、4种、5种以上。

在重视Δε的改善的情况下，优选将含量设定得较高，在重视低温时的溶解性的情况下，将含量设定得较高时效果好，在重视T_NI的情况下，将含量设定得较高时效果好。进一步，在改良滴痕、烧屏特性的情况下，优选将含量的范围设定为居中。

相对于本发明的组合物的总量，式(N-1-17)所表示的化合物的优选含量的下限值为5％、10％、13％、15％、17％、20％。相对于本发明的组合物的总量，优选含量的上限值为35％、30％、28％、25％、23％、20％、18％、15％、13％。

通式(N-1-18)所表示的化合物为下述化合物。

[化153]

(式中，R^N1181和R^N1182各自独立地表示与通式(N-1)中的R^N11和R^N12相同的含义。)

R^N1181优选为碳原子数1～5的烷基或碳原子数2～5的烯基，优选为甲基、乙基、丙基或丁基。R^N1182优选为碳原子数1～5的烷基、碳原子数4～5的烯基或碳原子数1～4的烷氧基，优选为乙氧基、丙氧基或丁氧基。

通式(N-1-18)所表示的化合物可以单独使用，也可以将2种以上的化合物组合使用。可组合的化合物的种类没有特别限制，根据低温时的溶解性、转变温度、电可靠性、双折射率等所要求的性能而适宜组合使用。所使用的化合物的种类例如在本发明的一实施方式中为1种、2种、3种、4种、5种以上。

在重视Δε的改善的情况下，优选将含量设定得较高，在重视低温时的溶解性的情况下，将含量设定得较高时效果好，在重视T_NI的情况下，将含量设定得较高时效果好。进一步，在改良滴痕、烧屏特性的情况下，优选将含量的范围设定为居中。

相对于本发明的组合物的总量，式(N-1-18)所表示的化合物的优选含量的下限值为5％、10％、13％、15％、17％、20％。相对于本发明的组合物的总量，优选含量的上限值为35％、30％、28％、25％、23％、20％、18％、15％、13％。

进一步，通式(N-1-18)所表示的化合物优选为选自式(N-1-18.1)至式(N-1-18.5)所表示的化合物组中的化合物，优选为式(N-1-18.1)～(N-1-18.3)所表示的化合物，优选为式(N-1-18.2)和式(N-1-18.3)所表示的化合物。

[化154]

通式(N-1-20)所表示的化合物为下述化合物。

[化155]

(式中，R^N1201和R^N1202各自独立地表示与通式(N-1)中的R^N11和R^N12相同的含义。)

R^N1201和R^N1202各自独立地优选为碳原子数1～5的烷基或碳原子数2～5的烯基，优选为乙基、丙基或丁基。

通式(N-1-20)所表示的化合物可以单独使用，也可以将2种以上的化合物组合使用。可组合的化合物的种类没有特别限制，根据低温时的溶解性、转变温度、电可靠性、双折射率等所要求的性能而适宜组合使用。所使用的化合物的种类例如在本发明的一实施方式中为1种、2种、3种、4种、5种以上。

在重视Δε的改善的情况下，优选将含量设定得较高，在重视低温时的溶解性的情况下，将含量设定得较高时效果好，在重视T_NI的情况下，将含量设定得较高时效果好。进一步，在改良滴痕、烧屏特性的情况下，优选将含量的范围设定为居中。

相对于本发明的组合物的总量，式(N-1-20)所表示的化合物的优选含量的下限值为5％、10％、13％、15％、17％、20％。相对于本发明的组合物的总量，优选含量的上限值为35％、30％、28％、25％、23％、20％、18％、15％、13％。

通式(N-1-21)所表示的化合物为下述化合物。

[化156]

(式中，R^N1211和R^N1212各自独立地表示与通式(N-1)中的R^N11和R^N12相同的含义。)

R^N1211和R^N1212各自独立地优选为碳原子数1～5的烷基或碳原子数2～5的烯基，优选为乙基、丙基或丁基。

通式(N-1-21)所表示的化合物可以单独使用，也可以将2种以上的化合物组合使用。可组合的化合物的种类没有特别限制，根据低温时的溶解性、转变温度、电可靠性、双折射率等所要求的性能而适宜组合使用。所使用的化合物的种类例如在本发明的一实施方式中为1种、2种、3种、4种、5种以上。

在重视Δε的改善的情况下，优选将含量设定得较高，在重视低温时的溶解性的情况下，将含量设定得较高时效果好，在重视T_NI的情况下，将含量设定得较高时效果好。进一步，在改良滴痕、烧屏特性的情况下，优选将含量的范围设定为居中。

相对于本发明的组合物的总量，式(N-1-21)所表示的化合物的优选含量的下限值为5％、10％、13％、15％、17％、20％。相对于本发明的组合物的总量，优选含量的上限值为35％、30％、28％、25％、23％、20％、18％、15％、13％。

通式(N-1-22)所表示的化合物为下述化合物。

[化157]

(式中，R^N1221和R^N1222各自独立地表示与通式(N-1)中的R^N11和R^N12相同的含义。)

R^N1221和R^N1222各自独立地优选为碳原子数1～5的烷基或碳原子数2～5的烯基，优选为乙基、丙基或丁基。

通式(N-1-22)所表示的化合物可以单独使用，也可以将2种以上的化合物组合使用。可组合的化合物的种类没有特别限制，根据低温时的溶解性、转变温度、电可靠性、双折射率等所要求的性能而适宜组合使用。所使用的化合物的种类例如在本发明的一实施方式中为1种、2种、3种、4种、5种以上。

在重视Δε的改善的情况下，优选将含量设定得较高，在重视低温时的溶解性的情况下，将含量设定得较高时效果好，在重视T_NI的情况下，将含量设定得较高时效果好。进一步，在改良滴痕、烧屏特性的情况下，优选将含量的范围设定为居中。

相对于本发明的组合物的总量，式(N-1-21)所表示的化合物的优选含量的下限值为1％、5％、10％、13％、15％、17％、20％。相对于本发明的组合物的总量，优选含量的上限值为35％、30％、28％、25％、23％、20％、18％、15％、13％、10％、5％。

进一步，通式(N-1-22)所表示的化合物优选为选自式(N-1-22.1)至式(N-1-22.12)所表示的化合物组中的化合物，优选为式(N-1-22.1)～(N-1-22.5)所表示的化合物，优选为式(N-1-22.1)～(N-1-22.4)所表示的化合物。

[化158]

通式(N-3)所表示的化合物优选为选自通式(N-3-2)所表示的化合物组中的化合物。

[化159]

(式中，R^N321和R^N322各自独立地表示与通式(N-3)中的R^N11和R^N12相同的含义。)

R^N321和R^N322优选为碳原子数1～5的烷基或碳原子数2～5的烯基，优选为丙基或戊基。

通式(N-3-2)所表示的化合物可以单独使用，也可以将2种以上的化合物组合使用。可组合的化合物的种类没有特别限制，根据低温时的溶解性、转变温度、电可靠性、双折射率等所要求的性能而适宜组合使用。所使用的化合物的种类例如在本发明的一实施方式中为1种、2种、3种、4种、5种以上。

在重视Δε的改善的情况下，优选将含量设定得较高，在重视低温时的溶解性的情况下，将含量设定得较高时效果好，在重视T_NI的情况下，将含量设定得较高时效果好。进一步，在改良滴痕、烧屏特性的情况下，优选将含量的范围设定为居中。

相对于本发明的组合物的总量，式(N-3-2)所表示的化合物的优选含量的下限值为3％、5％、10％、13％、15％、17％、20％、23％、25％、27％、30％、33％、35％。相对于本发明的组合物的总量，优选含量的上限值为50％、40％、38％、35％、33％、30％、28％、25％、23％、20％、18％、15％、13％、10％、8％、7％、6％、5％。

进一步，通式(N-3-2)所表示的化合物优选为选自式(N-3-2.1)至式(N-3-2.3)所表示的化合物组中的化合物。

[化160]

本发明的组合物优选含有1种或2种以上通式(J)所表示的化合物。这些化合物相当于介电性为正的化合物(Δε大于2。)。

[化161]

(式中，R^J1表示碳原子数1～8的烷基，该烷基中的1个或不相邻的2个以上-CH₂-各自独立地可以被-CH＝CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-取代，

n^J1表示0、1、2、3或4，

A^J1、A^J2和A^J3各自独立地表示选自由以下基团组成的组中的基团：

(a)1,4-亚环己基(存在于该基团中的1个-CH₂-或不相邻的2个以上-CH₂-可以被-O-取代。)

(b)1,4-亚苯基(存在于该基团中的1个-CH＝或不相邻的2个以上-CH＝可以被-N＝取代。)以及

(c)萘-2,6-二基、1,2,3,4-四氢萘-2,6-二基或十氢萘-2,6-二基(存在于萘-2,6-二基或1,2,3,4-四氢萘-2,6-二基中的1个-CH＝或不相邻的2个以上-CH＝可以被-N＝取代。)

上述基团(a)、基团(b)和基团(c)各自独立地可以被氰基、氟原子、氯原子、甲基、三氟甲基或三氟甲氧基取代，

Z^J1和Z^J2各自独立地表示单键、-CH₂CH₂-、-(CH₂)₄-、-OCH₂-、-CH₂O-、-OCF₂-、-CF₂O-、-COO-、-OCO-或-C≡C-，

在n^J1为2、3或4而A^J2存在多个的情况下，它们可以相同也可以不同，在n^J1为2、3或4而Z^J1存在多个的情况下，它们可以相同也可以不同，

X^J1表示氢原子、氟原子、氯原子、氰基、三氟甲基、氟甲氧基、二氟甲氧基、三氟甲氧基或2,2,2-三氟乙基。)

通式(J)中，R^J1优选为碳原子数1～8的烷基、碳原子数1～8的烷氧基、碳原子数2～8的烯基或碳原子数2～8的烯氧基，优选为碳原子数1～5的烷基、碳原子数1～5的烷氧基、碳原子数2～5的烯基或碳原子数2～5的烯氧基，进一步优选为碳原子数1～5的烷基或碳原子数2～5的烯基，进一步优选为碳原子数2～5的烷基或碳原子数2～3的烯基，特别优选为碳原子数3的烯基(丙烯基)。

在重视可靠性的情况下，R^J1优选为烷基，在重视粘性的降低的情况下，优选为烯基。

此外，在其所结合的环结构为苯基(芳香族)的情况下，优选为直链状的碳原子数1～5的烷基、直链状的碳原子数1～4的烷氧基和碳原子数4～5的烯基，在其所结合的环结构为环己烷、吡喃和二烷等饱和的环结构的情况下，优选为直链状的碳原子数1～5的烷基、直链状的碳原子数1～4的烷氧基和直链状的碳原子数2～5的烯基。为了使向列相稳定化，碳原子和存在时的氧原子的合计优选为5以下，优选为直链状。

作为烯基，优选选自式(R1)至式(R5)中的任一者所表示的基团。(各式中的黑点表示烯基所结合的环结构中的碳原子。)

[化162]

A^J1、A^J2和A^J3各自独立地在要求增大Δn的情况下优选为芳香族，为了改善响应速度而优选为脂肪族，优选表示反式-1,4-亚环己基、1,4-亚苯基、1,4-亚环己烯基、1,4-双环[2.2.2]亚辛基、哌啶-1,4-二基、萘-2,6-二基、十氢萘-2,6-二基或1,2,3,4-四氢萘-2,6-二基，它们可以被氟原子取代，更优选表示下述结构，

[化163]

更优选表示下述结构。

[化164]

Z^J1和Z^J2各自独立地优选表示-CH₂O-、-OCH₂-、-CF₂O-、-CH₂CH₂-、-CF₂CF₂-或单键，进一步优选为-OCH₂-、-CF₂O-、-CH₂CH₂-或单键，特别优选为-OCH₂-、-CF₂O-或单键。

X^J1优选为氟原子或三氟甲氧基，优选为氟原子。

n^J1优选为0、1、2或3，优选为0、1或2，在将重点放在Δε的改善的情况下，优选为0或1，在重视T_NI的情况下，优选为1或2。

可组合的化合物的种类没有特别限制，根据低温时的溶解性、转变温度、电可靠性、双折射率等期望的性能而组合使用。所使用的化合物的种类例如在本发明的一实施方式中为1种、2种、3种。此外，进一步，在本发明的其他实施方式中为4种、5种、6种、7种以上。

本发明的组合物中，通式(J)所表示的化合物的含量有必要根据低温时的溶解性、转变温度、电可靠性、双折射率、工艺合适性、滴痕、烧屏、介电常数各向异性等所要求的性能来适宜调整。

相对于本发明的组合物的总量，通式(J)所表示的化合物的优选含量的下限值为1％、10％、20％、30％、40％、50％、55％、60％、65％、70％、75％、80％。相对于本发明的组合物的总量，优选含量的上限值例如在本发明的一方式中为95％、85％、75％、65％、55％、45％、35％、25％。

将本发明的组合物的粘度保持得低而需要响应速度快的组合物的情况下，优选使上述下限值较低且使上限值较低。进一步，在将本发明的组合物的T_NI保持得高而需要温度稳定性佳的组合物的情况下，优选使上述下限值较低且使上限值较低。此外，为了将驱动电压保持得低而想要增大介电常数各向异性时，优选使上述下限值较高且使上限值较高。

在重视可靠性的情况下，R^J1优选为烷基，在重视粘性的降低的情况下，优选为烯基。

作为通式(J)所表示的化合物，优选为通式(M)所表示的化合物。

本发明的组合物优选含有1种或2种以上通式(M)所表示的化合物。这些化合物相当于介电性为正的化合物(Δε大于2。)。

[化165]

(式中，R^M1表示碳原子数1～8的烷基，该烷基中的1个或不相邻的2个以上-CH₂-各自独立地可以被-CH＝CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-取代，

n^M1表示0、1、2、3或4，

A^M1和A^M2各自独立地表示选自由以下基团组成的组中的基团：

(a)1,4-亚环己基(存在于该基团中的1个-CH₂-或不相邻的2个以上-CH₂-可以被-O-或-S-取代。)以及

(b)1,4-亚苯基(存在于该基团中的1个-CH＝或不相邻的2个以上-CH＝可以被-N＝取代。)

上述基团(a)和基团(b)上的氢原子各自独立地可以被氰基、氟原子或氯原子取代，

Z^M1和Z^M2各自独立地表示单键、-CH₂CH₂-、-(CH₂)₄-、-OCH₂-、-CH₂O-、-OCF₂-、-CF₂O-、-COO-、-OCO-或-C≡C-，

在n^M1为2、3或4而A^M2存在多个的情况下，它们可以相同也可以不同，在n^M1为2、3或4而Z^M1存在多个的情况下，它们可以相同也可以不同、

X^M1和X^M3各自独立地表示氢原子、氯原子或氟原子，

X^M2表示氢原子、氟原子、氯原子、氰基、三氟甲基、氟甲氧基、二氟甲氧基、三氟甲氧基或2,2,2-三氟乙基。

通式(M)中，R^M1优选为碳原子数1～8的烷基、碳原子数1～8的烷氧基、碳原子数2～8的烯基或碳原子数2～8的烯氧基，优选为碳原子数1～5的烷基、碳原子数1～5的烷氧基、碳原子数2～5的烯基或碳原子数2～5的烯氧基，进一步优选为碳原子数1～5的烷基或碳原子数2～5的烯基，进一步优选为碳原子数2～5的烷基或碳原子数2～3的烯基，特别优选为碳原子数3的烯基(丙烯基)。

在重视可靠性的情况下，R^M1优选为烷基，在重视粘性的降低的情况下，优选为烯基。

此外，在其所结合的环结构为苯基(芳香族)的情况下，优选为直链状的碳原子数1～5的烷基、直链状的碳原子数1～4的烷氧基和碳原子数4～5的烯基，在其所结合的环结构为环己烷、吡喃和二烷等饱和的环结构的情况下，优选为直链状的碳原子数1～5的烷基、直链状的碳原子数1～4的烷氧基和直链状的碳原子数2～5的烯基。为了使向列相稳定化，碳原子和存在时的氧原子的合计优选为5以下，优选为直链状。

作为烯基，优选选自式(R1)至式(R5)中的任一者所表示的基团。(各式中的黑点表示烯基所结合的环结构中的碳原子。)

[化166]

A^M1和A^M2各自独立地在要求增大Δn的情况下优选为芳香族，为了改善响应速度而优选为脂肪族，优选表示反式-1,4-亚环己基、1,4-亚苯基、2-氟-1,4-亚苯基、3-氟-1,4-亚苯基、3,5-二氟-1,4-亚苯基、2,3-二氟-1,4-亚苯基、1,4-亚环己烯基、1,4-双环[2.2.2]亚辛基、哌啶-1,4-二基、萘-2,6-二基、十氢萘-2,6-二基或1,2,3,4-四氢萘-2,6-二基，更优选表示下述结构，

[化167]

更优选表示下述结构。

[化168]

Z^M1和Z^M2各自独立地优选表示-CH₂O-、-CF₂O-、-CH₂CH₂-、-CF₂CF₂-或单键，进一步优选为-CF₂O-、-CH₂CH₂-或单键，特别优选为-CF₂O-或单键。

n^M1优选为0、1、2或3，优选为0、1或2，在将重点放在Δε的改善的情况下，优选为0或1，在重视T_NI的情况下，优选为1或2。

可组合的化合物的种类没有特别限制，根据低温时的溶解性、转变温度、电可靠性、双折射率等期望的性能而组合使用。所使用的化合物的种类例如在本发明的一实施方式中为1种、2种、3种。此外，进一步，在本发明的其他实施方式中为4种、5种、6种、7种以上。

本发明的组合物中，通式(M)所表示的化合物的含量有必要根据低温时的溶解性、转变温度、电可靠性、双折射率、工艺合适性、滴痕、烧屏、介电常数各向异性等所要求的性能来适宜调整。

相对于本发明的组合物的总量，式(M)所表示的化合物的优选含量的下限值为1％、10％、20％、30％、40％、50％、55％、60％、65％、70％、75％、80％。相对于本发明的组合物的总量，优选含量的上限值例如在本发明的一方式中为95％、85％、75％、65％、55％、45％、35％、25％。

在将本发明的组合物的粘度保持得低而需要响应速度快的组合物的情况下，优选使上述下限值较低且使上限值较低。进一步，在将本发明的组合物的T_NI保持得高而需要温度稳定性佳的组合物的情况下，优选使上述下限值较低且使上限值较低。此外，为了将驱动电压保持得低而想要增大介电常数各向异性时，优选使上述下限值较高且使上限值较高。

本发明的液晶组合物含有前述分子中包含式(K-1)所表示的结构的化合物，但也可以并用其他聚合性化合物。通过并用其他聚合性化合物，可更进一步加快聚合性化合物的聚合速度和预倾角的形成。此外，可充分获得预倾角，聚合性化合物的残留量少，可获得高电压保持率(VHR)，进而能够抑制液晶显示元件的烧屏。作为该其他聚合性化合物，优选以下通式(P)所表示的化合物。

[化169]

(上述通式(P)中，R^p1表示氢原子、氟原子、氰基、碳原子数1～15的烷基或-Sp^p2-P^p2，该烷基中的1个或不相邻的2个以上-CH₂-各自独立地可以被-CH＝CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-取代，该烷基中的1个或2个以上氢原子各自独立地可以被氰基、氟原子或氯原子取代，

P^p1和P^p2各自独立地表示通式(P^p1-1)～式(P^p1-9)中的任一者，

[化170]

(式中，R^p11和R^p12各自独立地表示氢原子、碳原子数1～5的烷基或碳原子数1～5的卤代烷基，W^p11表示单键、-O-、-COO-或亚甲基，t^p11表示0、1或2，但分子内R^p11、R^p12、W^p11和/或t^p11存在多个的情况下，它们可以相同也可以不同。)

Sp^p1和Sp^p2各自独立地表示单键或间隔基，

Z^p1和Z^p2各自独立地表示单键、-O-、-S-、-CH₂-、-OCH₂-、-CH₂O-、-CO-、-C₂H₄-、-COO-、-OCO-、-OCOOCH₂-、-CH₂OCOO-、-OCH₂CH₂O-、-CO-NR^ZP1-、-NR^ZP1-CO-、-SCH₂-、-CH₂S-、-CH＝CR^ZP1-COO-、-CH＝CR^ZP1-OCO-、-COO-CR^ZP1＝CH-、-OCO-CR^ZP1＝CH-、-COO-CR^ZP1＝CH-COO-、-COO-CR^ZP1＝CH-OCO-、-OCO-CR^ZP1＝CH-COO-、-OCO-CR^ZP1＝CH-OCO-、-(CH₂)_z-COO-、-(CH₂)₂-OCO-、-OCO-(CH₂)₂-、-(C＝O)-O-(CH₂)₂-、-CH＝CH-、-CF＝CF-、-CF＝CH-、-CH＝CF-、-CF₂-、-CF₂O-、-OCF₂-、-CF₂CH₂-、-CH₂CF₂-、-CF₂CF₂-或-C≡C-(式中，z各自独立地表示1～4的整数，R^ZP1各自独立地表示氢原子或碳原子数1～4的烷基，在分子内R^ZP1存在多个的情况下，它们可以相同也可以不同。)，

A^p1、A^p2和A^p3各自独立地表示选自由以下基团组成的组中的基团：

(a^p)1,4-亚环己基(存在于该基团中的1个-CH₂-或不相邻的2个以上-CH₂-可以被-O-取代。)

(b^p)1,4-亚苯基(存在于该基团中的1个-CH＝或不相邻的2个以上-CH＝可以被-N＝取代。)以及

(c^p)萘-2,6-二基、1,2,3,4-四氢萘-2,6-二基、十氢萘-2,6-二基、菲-2,7-二基或蒽-2,6-二基(存在于这些基团中的1个-CH＝或不相邻的2个以上-CH＝可以被-N＝取代，存在于该基团中的氢原子可以被卤素原子、碳原子数1～8的烷基或碳原子数1～8的烯基取代。)

关于上述基团(a^p)、基团(b^p)和基团(c^p)，存在于该基团中的氢原子各自独立地可以被卤素原子、碳原子数1～8的烷基、碳原子数1～8的烷氧基、碳原子数1～8的烯基、氰基或-Sp^p2-P^p2取代，

m^p1表示0、1、2或3，在分子内Z^p1、A^p2、Sp^p2和/或P^p2存在多个的情况下，它们可以相同也可以不同。)。

此外，该聚合性化合物优选含有1种或2种以上。

本发明涉及的通式(P)中，R^p1优选为-Sp^p2-P^p2。

P^p1和P^p2各自独立地优选为式(P^p1-1)～式(P^p1-3)中的任一者，优选为(P^p1-1)。

R^p11和R^p12各自独立地优选为氢原子或甲基。

t^p11优选为0或1。

W^p11优选为单键、亚甲基或亚乙基。

m^p1优选为0、1或2，优选为0或1。

Z^p1和Z^p2各自独立地优选为单键、-OCH₂-、-CH₂O-、-CO-、-C₂H₄-、-COO-、-OCO-、-COOC₂H₄-、-OCOC₂H₄-、-C₂H₄OCO-、-C₂H₄COO-、-CH＝CH-、-CF₂-、-CF₂O-、-(CH₂)₂-COO-、-(CH₂)₂-OCO-、-OCO-(CH₂)₂-、-CH＝CH-COO-、-COO-CH＝CH-、-OCOCH＝CH-、-COO-(CH₂)₂-、-OCF₂-或-C≡C，优选为单键、-OCH₂-、-CH₂O-、-C₂H₄-、-COO-、-OCO-、-COOC₂H₄-、-OCOC₂H₄-、-C₂H₄OCO-、-C₂H₄COO-、-CH＝CH-、-(CH₂)₂-COO-、-(CH₂)₂-OCO-、-OCO-(CH₂)₂-、-CH＝CH-COO-、-COO-CH＝CH-、-OCOCH＝CH-、-COO-(CH₂)₂-或-C≡C-，优选分子内存在的仅1个为-OCH₂-、-CH₂O-、-C₂H₄-、-COO-、-OCO-、-COOC₂H₄-、-OCOC₂H₄-、-C₂H₄OCO-、-C₂H₄COO-、-CH＝CH-、-(CH₂)₂-COO-、-(CH₂)₂-OCO-、-OCO-(CH₂)₂-、-CH＝CH-COO-、-COO-CH＝CH-、-OCOCH＝CH-、-COO-(CH₂)₂-或-C≡C-，其他全部为单键，优选分子内存在的仅1个为-OCH₂-、-CH₂O-、-C₂H₄-、-COO-或-OCO-，其他全部为单键，优选全部为单键。

此外，分子内存在的Z^p1和Z^p2中的仅1个为选自由-CH＝CH-COO-、-COO-CH＝CH-、-(CH₂)₂-COO-、-(CH₂)₂-OCO-、-O-CO-(CH₂)₂-、-COO-(CH₂)₂-组成的组中的连结基，其他优选为单键。

Sp^p1和Sp^p2各自独立地表示单键或间隔基，间隔基优选为碳原子数1～30的亚烷基，该亚烷基中的-CH₂-只要氧原子彼此不直接连结则可以被-O-、-CO-、-COO-、-OCO-、-CH＝CH-或-C≡C-取代，该亚烷基中的氢原子可以被卤素原子取代，优选为直链的碳原子数1～10的亚烷基或单键。

A^p1、A^p2和A^p3各自独立地优选为1,4-亚苯基或1,4-亚环己基，优选为1,4-亚苯基。为了改善与液晶化合物的相溶性，1,4-亚苯基优选取代有1个氟原子、1个甲基或1个甲氧基。

相对于本申请的包含通式(P)所表示的化合物的组合物，通式(P)所表示的化合物的合计含量优选为0.05～10％，优选为0.1～8％，优选为0.1～5％，优选为0.1～3％，优选为0.2～2％，优选为0.2～1.3％，优选为0.2～1％，优选为0.2～0.56％。

相对于本申请的包含通式(P)所表示的化合物的组合物，通式(P)所表示的化合物的合计含量的优选下限值为0.01％、0.03％、0.05％、0.08％、0.1％、0.15％、0.2％、0.25％、0.3％。

相对于本申请的包含通式(P)所表示的化合物的组合物，通式(P)所表示的化合物的合计含量的优选上限值为10％、8％、5％、3％、1.5％、1.2％、1％、0.8％、0.5％。

如果含量少，则会产生难以表现出添加通式(P)所表示的化合物的效果、液晶组合物的取向约束力弱或经时变弱等问题，如果过多，则会产生固化后残存的量变多、固化耗费时间、液晶的可靠性降低等问题。因此，考虑它们的平衡来设定含量。

关于通式(I)所表示的化合物和通式(P)所表示的化合物的合计含量，相对于包含这些化合物的组合物，优选包含0.05～10％，优选包含0.1～8％，优选包含0.1～5％，优选包含0.1～3％，优选包含0.2～2％，优选包含0.2～1.3％，优选包含0.2～1％，优选包含0.2～0.56％。

通式(I)所表示的化合物和通式(P)所表示的化合物的合计含量的优选下限值相对于包含这些化合物的组合物为0.01％、0.03％、0.05％、0.08％、0.1％、0.15％、0.2％、0.25％、0.3％。

通式(I)所表示的化合物和通式(P)所表示的化合物的合计含量的优选上限值相对于包含这些化合物的组合物为10％、8％、5％、3％、1.5％、1.2％、1％、0.8％、0.5％。

如果含量少，则会产生难以表现出添加前述分子中包含式(K-1)所表示的结构的化合物和通式(P)所表示的化合物的效果、液晶组合物的取向约束力弱或经时变弱等问题，如果过多，则会产生固化后残存的量变多、固化耗费时间、液晶的可靠性下降等问题。因此，考虑它们的平衡来设定含量。

作为本发明涉及的通式(P)所表示的化合物的优选例，可以举出下述式(P-1-1)～式(P-1-46)所表示的聚合性化合物。

[化171]

[化172]

[化173]

[化174]

[化175]

(式中，P^p11、P^p12、Sp^p11和Sp^p12分别表示与通式(P)中的P^p1、P^p2、Sp^p1和Sp^p2相同的含义。)

作为本发明涉及的通式(P)所表示的化合物的优选例，可以举出下述式(P-2-1)～式(P-2-14)所表示的聚合性化合物。

[化176]

(式中，P^p21、P^p22、Sp^p21和Sp^p22分别表示与通式(P)中的P^p1、P^p2、Sp^p1和Sp^p2相同的含义。)

作为本发明涉及的通式(P)所表示的化合物的优选例，可以举出下述式(P-3-1)～式(P-3-15)所表示的聚合性化合物。

[化177]

[化178]

(式中，P^p31、P^p32、Sp^p31和Sp^p32表示与通式(P)中的P^p1、P^p2、Sp^p1和Sp^p2相同的含义。)

作为本发明涉及的通式(P)所表示的化合物的优选例，可以举出下述式(P-4-1)～式(P-4-21)所表示的聚合性化合物。

[化179]

[化180]

[化181]

[化182]

(式中，P^p41、P^p42、Sp^p41和Sp^p42表示与通式(P)中的P^p1、P^p2、Sp^p1和Sp^p2相同的含义。式中的多个P^p41、P^p42、Sp^p41和Sp^p42各自可以相同也可以不同。)

在本发明的组合物中添加聚合性化合物的情况下，即使不存在聚合引发剂时也进行聚合，但也可以含有聚合引发剂以促进聚合。作为聚合引发剂，可以举出苯偶姻醚类、二苯甲酮类、苯乙酮类、苯偶酰缩酮类、酰基氧化膦类等。

本发明的组合物可以进一步含有通式(Q)所表示的化合物。

[化183]

(式中，R^Q表示碳原子数1至22的直链烷基或支链烷基，该烷基中的1个或2个以上CH₂基可以以氧原子不直接相邻的方式被-O-、-CH＝CH-、-CO-、-OCO-、-COO-、-C≡C-、-CF₂O-、-OCF₂-取代，M^Q表示反式-1,4-亚环己基、1,4-亚苯基或单键。)

R^Q表示碳原子数1至22的直链烷基或支链烷基，该烷基中的1个或2个以上CH₂基可以以氧原子不直接相邻的方式被-O-、-CH＝CH-、-CO-、-OCO-、-COO-、-C≡C-、-CF₂O-、-OCF₂-取代，优选为碳原子数1至10的直链烷基、直链烷氧基、1个CH₂基被-OCO-或-COO-取代的直链烷基、支链烷基、支链烷氧基、1个CH₂基被-OCO-或-COO-取代的支链烷基，进一步优选为碳原子数1至20的直链烷基、1个CH₂基被-OCO-或-COO-取代的直链烷基、支链烷基、支链烷氧基、1个CH₂基被-OCO-或-COO-取代的支链烷基。M^Q表示反式-1,4-亚环己基、1,4-亚苯基或单键，优选为反式-1,4-亚环己基或1,4-亚苯基。

通式(Q)所表示的化合物更具体优选为下述通式(Q-a)至通式(Q-d)所表示的化合物。

[化184]

式中，R^Q1优选为碳原子数1至10的直链烷基或支链烷基，R^Q2优选为碳原子数1至20的直链烷基或支链烷基，R^Q3优选为碳原子数1至8的直链烷基、支链烷基、直链烷氧基或支链烷氧基，L^Q优选为碳原子数1至8的直链亚烷基或支链亚烷基。通式(Q-a)至通式(Q-d)所表示的化合物中，进一步优选为通式(Q-c)和通式(Q-d)所表示的化合物。

本申请发明的组合物中，优选含有1种或2种通式(Q)所表示的化合物，进一步优选含有1种至5种，其含量优选为0.001％至1％，进一步优选为0.001％至0.1％，特别优选为0.001％至0.05％。

本发明的液晶组合物除了上述化合物以外还可以含有通常的向列型液晶、近晶型液晶、胆甾型液晶、抗氧化剂、紫外线吸收剂、光稳定剂或红外线吸收剂等。

此外，作为本发明中可使用的抗氧化剂或光稳定剂，更具体优选为以下的(III-1)～(III-40)所表示的化合物。

[化185]

[化186]

[化187]

[化188]

[化189]

[化190]

[化191]

[化192]

[化193]

(式中，n表示0至20的整数。)

本申请发明的组合物中，优选含有1种或2种以上选自通式(Q)所表示的化合物或通式(III-1)～(III-40)中的化合物，进一步优选含有1种至5种，其含量优选为0.001％至1％，进一步优选为0.001％至0.1％，特别优选为0.001％至0.05％。

本发明的液晶组合物在20℃时的介电常数各向异性(Δε)优选为-2.0至-8.0，更优选为-2.0至-5.0，特别优选为-2.5至-5.0。

本发明的液晶组合物在20℃时的折射率各向异性(Δn)优选为0.08至0.14，更优选为0.09至0.13，特别优选为0.09至0.12。进一步详细描述，对应于薄单元间隙时优选为0.10至0.13，对应于厚单元间隙时优选为0.08至0.10。

本发明的液晶组合物在20℃时的粘度(η)优选为10至50mPa·s，优选为10至40mPa·s，优选为10至35mPa·s，优选为10至30mPa·s，进一步优选为10至25mPa·s，特别优选为10至22mPa·s。

本发明的液晶组合物在20℃时的旋转粘性(γ₁)优选为50至160mPa·s，优选为60至160mPa·s，优选为60至150mPa·s，优选为60至140mPa·s，优选为60至130mPa·s，优选为60至125mPa·s，更优选为60至120mPa·s，更优选为60至115mPa·s，更优选为60至110mPa·s，特别优选为60至100mPa·s。

本发明的液晶组合物的向列相-各向同性液体相转变温度(T_ni)优选为60℃至120℃，更优选为70℃至100℃，特别优选为70℃至85℃。

本发明涉及的液晶组合物的优选实施方式优选分为液晶组合物整体显示正的介电常数各向异性的情况以及液晶组合物整体显示负的介电常数各向异性的情况。

例如，本发明涉及的液晶组合物整体显示正的介电常数各向异性的情况下，优选包含前述分子中含有式(K-1)所表示的结构的化合物、1种或2种以上选自通式(J)所表示的化合物中的化合物、以及通式(L)所表示的化合物。

本发明涉及的液晶组合物整体中，仅由前述分子中含有式(K-1)所表示的结构的化合物、通式(J)和通式(L)所表示的化合物构成的成分所占的比例的上限值优选为100质量％、99质量％、98质量％、97质量％、96质量％、95质量％、94质量％、93质量％、92质量％、91质量％、90质量％、89质量％、88质量％、87质量％、86质量％、85质量％、84质量％。

此外，本发明涉及的液晶组合物整体中，仅由前述分子中含有式(K-1)所表示的结构的化合物、通式(J)和通式(L)所表示的化合物构成的成分所占的比例的下限值优选为78质量％、80质量％、81质量％、83质量％、85质量％、86质量％、87质量％、88质量％、89质量％、90质量％、91质量％、92质量％、93质量％、94质量％、95质量％、96质量％、97质量％、98质量％、99质量％。

本发明涉及的液晶组合物整体中，仅由前述分子中含有式(K-1)所表示的结构的化合物、通式(P)和通式(L)所表示的化合物构成的成分所占的比例的上限值优选为100质量％、99质量％、98质量％、97质量％、96质量％、95质量％、94质量％、93质量％、92质量％、91质量％、90质量％、89质量％、88质量％、87质量％、86质量％、85质量％、84质量％。

此外，本发明涉及的液晶组合物整体中，仅由通式(I)、通式(P)和通式(L)所表示的化合物构成的成分所占的比例的下限值优选为78质量％、80质量％、81质量％、83质量％、85质量％、86质量％、87质量％、88质量％、89质量％、90质量％、91质量％、92质量％、93质量％、94质量％、95质量％、96质量％、97质量％、98质量％、99质量％。

例如，本发明涉及的液晶组合物整体显示负的介电常数各向异性的情况下，优选包含前述分子中含有式(K-1)所表示的结构的化合物、1种或2种以上选自通式(N-1)、(N-2)和(N-3)所表示的化合物中的化合物、以及通式(L)所表示的化合物。

本发明涉及的液晶组合物整体中，仅由前述分子中含有式(K-1)所表示的结构的化合物、通式(N-1)、通式(N-2)、通式(N-3)和通式(L)所表示的化合物构成的成分所占的比例的上限值优选为100质量％、99质量％、98质量％、97质量％、96质量％、95质量％、94质量％、93质量％、92质量％、91质量％、90质量％、89质量％、88质量％、87质量％、86质量％、85质量％、84质量％。

此外，本发明涉及的液晶组合物整体中，仅由前述分子中含有式(K-1)所表示的结构的化合物、通式(N-1)、通式(N-2)、通式(N-3)和通式(L)所表示的化合物构成的成分所占的比例的下限值优选为78质量％、80质量％、81质量％、83质量％、85质量％、86质量％、87质量％、88质量％、89质量％、90质量％、91质量％、92质量％、93质量％、94质量％、95质量％、96质量％、97质量％、98质量％、99质量％。

本发明涉及的液晶组合物整体中，仅由前述分子中含有式(K-1)所表示的结构的化合物、通式(N-1a)、通式(N-1b)、通式(N-1c)、通式(N-1d)、通式(N-1e)和通式(L)所表示的化合物构成的成分所占的比例的上限值优选为100质量％、99质量％、98质量％、97质量％、96质量％、95质量％、94质量％、93质量％、92质量％、91质量％、90质量％、89质量％、88质量％、87质量％、86质量％、85质量％、84质量％。

此外，本发明涉及的液晶组合物整体中，仅由前述分子中含有式(K-1)所表示的结构的化合物、通式(N-1a)、通式(N-1b)、通式(N-1c)、通式(N-1d)、通式(N-1e)和通式(L)所表示的化合物构成的成分所占的比例的下限值优选为78质量％、80质量％、81质量％、83质量％、85质量％、86质量％、87质量％、88质量％、89质量％、90质量％、91质量％、92质量％、93质量％、94质量％、95质量％、96质量％、97质量％、98质量％、99质量％。

本发明涉及的液晶组合物整体中，仅由前述分子中含有式(K-1)所表示的结构的化合物、通式(N-1-4)、通式(N-1b)、通式(N-1c)、通式(N-1d)、通式(N-1e)和通式(L)所表示的化合物构成的成分所占的比例的上限值优选为100质量％、99质量％、98质量％、97质量％、96质量％、95质量％、94质量％、93质量％、92质量％、91质量％、90质量％、89质量％、88质量％、87质量％、86质量％、85质量％、84质量％。

此外，本发明涉及的液晶组合物整体中，仅由前述分子中含有式(K-1)所表示的结构的化合物、通式(N-1-4)、通式(N-1b)、通式(N-1c)、通式(N-1d)、通式(N-1e)和通式(L)所表示的化合物构成的成分所占的比例的下限值优选为78质量％、80质量％、81质量％、83质量％、85质量％、86质量％、87质量％、88质量％、89质量％、90质量％、91质量％、92质量％、93质量％、94质量％、95质量％、96质量％、97质量％、98质量％、99质量％。

本发明涉及的液晶组合物整体中，仅由前述分子中含有式(K-1)所表示的结构的化合物、通式(N-1a)、通式(N-1b)、通式(N-1c)、通式(N-1d)、通式(N-1e)、通式(L-1)、通式(L-3)、通式(L-4)、通式(L-5)和通式(L-6)所表示的化合物构成的成分所占的比例的上限值优选为100质量％、99质量％、98质量％、97质量％、96质量％、95质量％、94质量％、93质量％、92质量％、91质量％、90质量％、89质量％、88质量％、87质量％、86质量％、85质量％、84质量％、83质量％、82质量％、81质量％、80质量％。

此外，本发明涉及的液晶组合物整体中，仅由前述分子中含有式(K-1)所表示的结构的化合物、通式(N-1a)、通式(N-1b)、通式(N-1c)、通式(N-1d)、通式(N-1e)以及通式(L-1)、通式(L-3)、通式(L-4)、通式(L-5)和通式(L-6)所表示的化合物构成的成分所占的比例的下限值优选为68质量％、70质量％、71质量％、73质量％、75质量％、78质量％、80质量％、81质量％、83质量％、85质量％、86质量％、87质量％、88质量％、89质量％、90质量％、91质量％、92质量％、93质量％、94质量％、95质量％、96质量％、97质量％、98质量％、99质量％。

本发明涉及的液晶组合物整体中，仅由前述分子中含有式(K-1)所表示的结构的化合物、通式(N-1a)、通式(L-1)、通式(L-3)、通式(L-4)、通式(L-5)和通式(L-6)所表示的化合物构成的成分所占的比例的上限值优选为100质量％、99质量％、98质量％、97质量％、96质量％、95质量％、94质量％、93质量％、92质量％、91质量％、90质量％、89质量％、88质量％、87质量％、86质量％、85质量％、84质量％、83质量％、82质量％、81质量％、80质量％、79质量％、78质量％、77质量％、76质量％、75质量％、74质量％、73质量％、72质量％、71质量％、70质量％、69质量％、68质量％、67质量％、66质量％、65质量％、64质量％、63质量％、62质量％。

此外，本发明涉及的液晶组合物整体中，仅由前述分子中含有式(K-1)所表示的结构的化合物、通式(N-1a)、通式(L-1)、通式(L-3)、通式(L-4)、通式(L-5)和通式(L-6)所表示的化合物构成的成分所占的比例的下限值优选为38质量％、40质量％、41质量％、43质量％、45质量％、48质量％、50质量％、61质量％、63质量％、65质量％、66质量％、67质量％、68质量％、69质量％、70质量％、72质量％、74质量％、76质量％、78质量％、80质量％、82质量％、84质量％、86质量％、88质量％、90质量％、92质量％。

本发明涉及的液晶组合物整体中，仅由前述分子中含有式(K-1)所表示的结构的化合物、通式(N-1d)、通式(L-1)、通式(L-3)、通式(L-4)、通式(L-5)和通式(L-6)所表示的化合物构成的成分所占的比例的上限值优选为100质量％、99质量％、98质量％、97质量％、96质量％、95质量％、94质量％、93质量％、92质量％、91质量％、90质量％、89质量％、88质量％、87质量％、86质量％、85质量％、84质量％、83质量％、82质量％、81质量％、80质量％、79质量％、78质量％、77质量％、76质量％、75质量％、74质量％、73质量％、72质量％、71质量％、70质量％、69质量％、68质量％、67质量％、66质量％、65质量％、64质量％、63质量％、62质量％。

此外，本发明涉及的液晶组合物整体中，仅由前述分子中含有式(K-1)所表示的结构的化合物、通式(N-1d)、通式(L-1)、通式(L-3)、通式(L-4)、通式(L-5)和通式(L-6)所表示的化合物构成的成分所占的比例的下限值优选为38质量％、40质量％、41质量％、43质量％、45质量％、48质量％、50质量％、61质量％、63质量％、65质量％、66质量％、67质量％、68质量％、69质量％、70质量％、72质量％、74质量％、76质量％、78质量％、80质量％、82质量％、84质量％、86质量％、88质量％、90质量％、92质量％。

本申请发明的组合物优选不含有分子内带有过氧(-CO-OO-)结构等氧原子彼此结合而成的结构的化合物。

在重视组合物的可靠性和长期稳定性的情况下，优选将具有羰基的化合物的含量相对于前述组合物的总质量设为5％以下，更优选设为3％以下，进一步优选设为1％以下，最优选实质上不含有。

在重视UV照射后的稳定性的情况下，优选将取代有氯原子的化合物的含量相对于前述组合物的总质量设为15％以下，优选设为10％以下，优选设为8％以下，更优选设为5％以下，优选设为3％以下，进一步优选实质上不含有。

优选使分子内的环结构全部为6元环的化合物的含量增多，优选将分子内的环结构全部为6元环的化合物的含量相对于前述组合物的总质量设为80％以上，更优选设为90％以上，进一步优选设为95％以上，最优选实质上仅由分子内的环结构全部为6元环的化合物构成组合物。

为了抑制组合物的氧化导致的劣化，优选使具有亚环己烯基作为环结构的化合物的含量减少，优选将具有亚环己烯基的化合物的含量相对于前述组合物的总质量设为10％以下，优选设为8％以下，更优选设为5％以下，优选设为3％以下，进一步优选实质上不含有。

在重视粘度的改善和T_NI的改善的情况下，优选使分子内带有氢原子可被卤素取代的2-甲基苯-1,4-二基的化合物的含量减少，优选将前述分子内带有2-甲基苯-1,4-二基的化合物的含量相对于前述组合物的总质量设为10％以下，优选设为8％以下，更优选设为5％以下，优选设为3％以下，进一步优选实质上不含有。

本申请中实质上不含有的意思是，除了非有意含有的物质之外不含有。

(液晶显示元件)

使用本发明的液晶组合物的液晶显示元件具有高速响应这样的显著特征，除此以外，倾斜形成可充分进行，没有未反应的聚合性化合物或少到不成问题，电压保持率(VHR)高，因此没有取向不良、显示不良等不良状况或被充分抑制。此外，能够容易地控制倾角和聚合性化合物的残留量，因此容易优化和削减用于制造的能源成本，因而最适合于生产效率的提高和稳定的量产。

使用本发明的液晶组合物的液晶显示元件尤其在有源矩阵驱动用液晶显示元件中有用，可以用于PSA模式、PSVA模式、VA模式、PS-IPS模式、PS-FFS模式、IPS模式、FFS模式用液晶显示元件。

作为本发明涉及的液晶显示元件的一例，优选具有：相对配置的第一基板和第二基板；设于前述第一基板或前述第二基板的共用电极；设于前述第一基板或前述第二基板且具有薄膜晶体管的像素电极；以及设于前述第一基板和第二基板间的含有液晶组合物的液晶层。根据需要可以以与前述液晶层抵接的方式在第一基板和/或第二基板的至少一个基板的相对面侧设置控制液晶分子的取向方向的取向膜。作为该取向膜，可以根据液晶显示元件的驱动模式来适当选择垂直取向膜、水平取向膜等，可以使用摩擦取向膜(例如，聚酰亚胺)或光取向膜(分解型聚酰亚胺等)等公知的取向膜。进一步，可以将滤色器适当设置在第一基板或第二基板上，此外，可以在前述像素电极、共用电极上设置滤色器。

本发明涉及的液晶显示元件中所使用的液晶单元的2片基板可以使用玻璃或如塑料那样带有柔性的透明材料，也可以一方使用硅等不透明的材料。具有透明电极层的透明基板可以通过例如在玻璃板等透明基板上溅射氧化铟锡(ITO)而得到。

滤色器例如可以利用颜料分散法、印刷法、电沉积法或染色法等来制作。以利用颜料分散法的滤色器的制作方法作为一例进行说明，将滤色器用固化性着色组合物涂布在该透明基板上，实施图案化处理，然后通过加热或光照射使其固化。对于红、绿、蓝这3种颜色分别进行该工序，从而能够制作滤色器用像素部。此外，也可以在该基板上设置设有TFT、薄膜二极管、金属绝缘体金属电阻率元件等有源元件的像素电极。

优选使前述第一基板和前述第二基板以共用电极、像素电极层成为内侧的方式相对。

第一基板与第二基板的间隔可以通过间隔物来调整。此时，优选以所得的调光层的厚度成为1～100μm的方式进行调整。进一步优选为1.5至10μm，在使用偏光板的情况下，优选调整液晶的折射率各向异性Δn与单元厚度d之积以使对比度达到最大。此外，在具有两片偏光板的情况下，也可以通过调整各偏光板的偏光轴来调整为视角、对比度达到良好。进一步，也可以使用用于扩大视角的相位差膜。作为间隔物，例如，可以举出玻璃粒子、塑料粒子、氧化铝粒子、光致抗蚀剂材料等。之后，将环氧系热固化性组合物等密封剂按照设有液晶注入口的形式丝网印刷于该基板，将该基板彼此贴合，加热使密封剂热固化。

关于使液晶组合物夹持于2片基板间的方法，可以使用通常的真空注入法或ODF法等。

作为使本发明的液晶组合物所含的聚合性化合物聚合的方法，为了获得液晶的良好取向性能，期望适度的聚合速度，因此优选为通过单独或并用或依次照射紫外线或电子射线等活性能量射线而进行聚合的方法。在使用紫外线的情况下，可以使用偏振光源，也可以使用非偏振光源。此外，在以使液晶组合物夹持在2片基板间的状态进行聚合的情况下，至少照射面侧的基板必须相对于活性能量射线具有适当的透明性。此外，也可以使用以下方法：在光照射时使用掩模仅使特定的部分聚合后，通过改变电场、磁场或温度等条件而使未聚合部分的取向状态发生变化，且进一步照射活性能量射线使其聚合。特别是在进行紫外线曝光时，优选一边对液晶组合物施加交流电场一边进行紫外线曝光。所施加的交流电场优选频率10Hz至10kHz的交流，更优选频率60Hz至10kHz，电压依据液晶显示元件期望的预倾角进行选择。即，可以通过施加的电压来控制液晶显示元件的预倾角。在PSVA模式的液晶显示元件那样的在无施加电压时的液晶分子的取向、即液晶的初期取向相对于基板呈大致垂直的液晶显示元件中，从取向稳定性和对比度的观点出发，优选将预倾角控制在80度至89.9度。需说明的是，所谓大致垂直，包含如上具有预倾角的角度，优选液晶分子的长轴方向与基板的角度为70度以上，更优选为75度以上，进一步优选为80度以上。

使本发明的液晶组合物所含的聚合性化合物聚合时所使用的紫外线或电子射线等活性能量射线的照射时的温度没有特别限制。例如，在将本发明的液晶组合物应用于具备具有取向膜的基板的液晶显示元件的情况下，优选处于可保持前述液晶组合物的液晶状态的温度范围内。优选以接近室温的温度、即典型的15～35℃进行聚合。

另一方面，例如，在将本发明的液晶组合物应用于具备无取向膜的基板的液晶显示元件的情况下，温度范围可以比上述应用于具备具有取向膜的基板的液晶显示元件的照射时的温度范围宽。

作为产生紫外线的灯，可以使用金属卤化物灯、高压水银灯、超高压水银灯等。此外，作为所照射的紫外线的波长，优选照射波长区域不在液晶组合物的吸收波长区域的紫外线，优选根据需要将紫外线截止后使用。所照射的紫外线的强度优选为0.1mW/cm²～100W/cm²，进一步优选为2mW/cm²～50W/cm²。所照射的紫外线的能量可以适宜调整，优选为10mJ/cm²至500J/cm²，进一步优选为100mJ/cm²至200J/cm²。照射紫外线时，也可以改变强度。照射紫外线的时间根据所照射的紫外线强度来适宜选择，优选为10秒至3600秒，进一步优选为10秒至600秒。

以上，对于本发明的液晶显示元件和液晶显示元件的制造方法的一例进行了说明，但本发明不受前述实施方式的限定。

例如，本发明的液晶显示元件可以将其一部分构成与发挥同样功能的其他构成置换，也可以追加任意的构成。此外，本发明的液晶显示元件的制造方法可以具有带有任意目的的追加工序，也可以与可获得同样作用、效果的任意工序置换。

实施例

以下列举实施例来进一步详细描述本发明，但本发明不受这些实施例的限定。此外，以下的实施例和比较例的组合物中的“％”的意思是“质量％”。实施例中对于化合物的记载使用以下简称。

关于各物性值，只要没有特別记载，则基于电子信息技术产业协会标准JEITA ED-2521B 2009年3月修正社团法人电子信息技术产业协会发行中记载的方法来测定。

(侧链)

(连结基)

(环结构)

[化194]

实施例中，测定的特性如下。

Tni：向列相-各向同性液体相转变温度(℃)

Δn：20℃时的折射率各向异性

Δε：20℃时的介电常数各向异性

γ₁：20℃时的旋转粘性(mPa·s)

(分子中含有式(K-1)所表示的结构的化合物的合成)

(RM-1的合成)

在具备搅拌装置、冷凝器和温度计的反应容器中加入4-戊基苯基硼酸21.6g、4-溴-2-(3-羟基丙基)苯酚32.0g、碳酸钾38.3g、四三苯基膦钯500mg、乙醇128ml，在90℃反应5小时。反应结束后，冷却，加入乙酸乙酯256ml，将有机层用水、饱和食盐水洗涤，将溶剂蒸馏去除，利用甲苯进行再结晶，得到(1)所表示的化合物35.1g。

[化195]

在具备搅拌装置、冷凝器和温度计的反应容器中加入化合物(1)20g、5-(溴甲基)-2,2-二甲基-1,3-二烷-5-基)甲醇21g、碳酸钾13.9g、N,N-二甲基甲酰胺150ml，在90℃反应5小时。反应结束后，冷却，加入乙酸乙酯200ml，将有机层用水、饱和食盐水洗涤，将溶剂蒸馏去除。之后，进行利用甲苯的分散洗涤、利用氧化铝柱的精制，得到式(2)所表示的化合物24.5g。

[化196]

在具备搅拌装置、冷凝器和温度计的反应容器中加入上述化合物(2)13g、三乙胺7.5g、二氯甲烷80ml，将反应容器冷却至10℃以下。之后，缓慢滴加甲基丙烯酰氯7.2g。滴加结束后，将反应容器恢复至室温，反应3小时。反应结束后，利用水、饱和食盐水洗涤，将溶剂蒸馏去除。接着，在具备搅拌装置和温度计的反应容器中一起加入提取物、THF160ml，缓慢滴加10％盐酸16ml。反应结束后，冷却，利用乙酸乙酯提取目标物。将有机层用水、饱和食盐水洗涤，将溶剂蒸馏去除。之后，进行利用硅胶柱的精制，得到化合物(3)所表示的化合物14g。

[化197]

在具备搅拌装置、冷凝器和温度计的反应容器中加入上述化合物(3)3g、吡啶1.10g(14.1mmol)、二氯甲烷12ml，利用冰冷浴将反应容器保持在5℃以下，在氮气气氛下缓慢滴加甲烷磺酰氯1.50g(13.3mmol)。滴加结束后，将反应容器恢复至室温，反应4小时。在反应液中加入二氯甲烷60ml，利用盐酸水溶液洗涤，接着用水洗涤，进一步用饱和食盐水洗涤，利用无水硫酸钠使有机层干燥。将溶剂蒸馏去除后，利用2倍量(重量比)的硅胶柱进行精制，得到(RM-1)所示的化合物1.8g。

[化198]

¹H-NMR(溶剂：氘代氯仿)：δ：0.89(t，3H)，1.23-1.41(m，5H)，1.59-1.67(m，2H)，1.92-2.04(m，9H)，2.62(t，2H)，2.75(t，2H)，3.05(s，6H)，4.08-4.25(m，4H)，4.38-4.47(m，6H)，5.52-5.63(m，2H)，6.06-6.15(m，2H)，6.88(d，1H)，7.21(d，2H)，7.35-7.45(m，4H)

(RM-2的合成)

在具备搅拌装置、冷凝器和温度计的反应容器中加入3-氟-4-(4-戊基(环己基))苯基硼酸42g、4-溴-5乙基-2-(3-羟基丙基)苯酚30g、碳酸钾27g、四三苯基膦钯1.5g、乙醇300ml，在70℃反应5小时。反应结束后，冷却，加入乙酸乙酯300ml，将有机层用水、饱和食盐水洗涤，将溶剂蒸馏去除后，利用甲苯进行再结晶，得到(4)所表示的化合物48g。

[化199]

在具备搅拌装置、冷凝器和温度计的反应容器中加入化合物(4)30g、5-(溴甲基)-2,2-二甲基-1,3-二烷-5-基)甲醇18g、碳酸钾21g、N,N-二甲基甲酰胺150ml，在90℃反应5小时。反应结束后，冷却，加入乙酸乙酯200ml，将有机层用水、饱和食盐水洗涤，将溶剂蒸馏去除。之后，进行利用甲苯的分散洗涤、利用氧化铝柱的精制，得到式(5)所表示的化合物40g。

[化200]

在具备搅拌装置、冷凝器和温度计的反应容器中加入上述化合物(5)16g、三乙胺7.5g、二氯甲烷80ml，将反应容器冷却至10℃以下。之后，缓慢滴加甲基丙烯酰氯7.6g。滴加结束后，将反应容器恢复至室温，反应3小时。反应结束后，利用水、饱和食盐水洗涤，将溶剂蒸馏去除。接着，在具备搅拌装置和温度计的反应容器中一起加入提取物、THF160ml，缓慢滴加10％盐酸16ml。反应结束后，冷却，利用乙酸乙酯提取目标物。将有机层用水、饱和食盐水洗涤，将溶剂蒸馏去除。之后，进行利用硅胶柱的精制，得到化合物(6)所表示的化合物16g。

[化201]

对于(6)所示的化合物，使用与合成(RM-1)时同样的方法，从而得到(RM-2)所示的化合物1.6g。

[化202]

1H-NMR(溶剂：氘代氯仿)：δ：0.88(t，3H)，1.18-1.63(m，16H)，1.76-1.91(m，6H)，2.01(s，6H)，2.63-2.75(m，5H)，3.16(s，6H)，3.80(s，2H)，3.95(s，4H)，4.00(s，2H)，4.20(t，2H)，5.74-6.12(m，2H)，6.47-6.59(m，2H)，6.91-7.03(m，2H)，7.31-7.42(m，3H)

(RM-3的合成)

对于(2-乙基-2'-氟-4'-(4-戊基环己基)-[1,1'-联苯]-4-基)硼酸，使用与合成(4)时同样的方法，从而得到(7)所示的化合物25.7g。

[化203]

在具备搅拌装置、冷凝器和温度计的反应容器中加入化合物(7)20g、5-(溴甲基)-2,2-二甲基-1,3-二烷-5-基)甲醇12.4g、碳酸钾8.3g、N,N-二甲基甲酰胺140ml，在90℃反应5小时。反应结束后，冷却，加入乙酸乙酯210ml，将有机层用水、饱和食盐水洗涤，将溶剂蒸馏去除。之后，进行利用甲苯的分散洗涤、利用氧化铝柱的精制，得到式(8)所表示的化合物22.4g。

[化204]

在具备搅拌装置、冷凝器和温度计的反应容器中加入上述化合物(8)13g、三乙胺5.2g、二氯甲烷65ml，将反应容器冷却至10℃以下。之后，缓慢滴加甲基丙烯酰氯4.9g。滴加结束后，将反应容器恢复至室温，反应3小时。反应结束后，利用水、饱和食盐水洗涤，将溶剂蒸馏去除。接着，在具备搅拌装置和温度计的反应容器中将提取物与THF130ml一起加入，缓慢滴加10％盐酸13ml。反应结束后，冷却，利用乙酸乙酯提取目标物。将有机层用水、饱和食盐水洗涤，将溶剂蒸馏去除。之后，进行利用硅胶柱的精制，得到化合物(9)所表示的化合物12.7g。

[化205]

对于(9)所示的化合物，使用与合成(RM-1)时同样的方法，从而得到(RM-3)所示的化合物2.8g。

[化206]

1H-NMR(溶剂：氘代氯仿)：δ：0.88(t，3H)，1.18-1.63(m，16H)，1.76-1.91(m，6H)，2.01(s，6H)，2.44-2.80(m，5H)，3.05(s，6H)，3.80(s，2H)，3.95(s，4H)，4.00(s，2H)，4.22(t，2H)，5.53-5.62(m，2H)，6.07-6.12(m，2H)，6.90-7.04(m，3H)，7.13-7.25(m，2H)，7.36-7.46(m，4H)

(RM-4的合成)

对于(2-乙基-2'-氟-4'-(4-戊基环己基)-[1,1'-联苯]-4-基)硼酸和4-溴-3-(3-羟基丙基)苯酚，使用与合成(1)时同样的方法，从而得到(10)所示的化合物12.1g。

[化207]

对于(10)所示的化合物，使用与合成(2)时同样的方法，从而得到(11)所示的化合物5.4g。

[化208]

对于(11)所示的化合物，使用与合成(3)时同样的方法，从而得到(12)所示的化合物3.4g。

[化209]

对于(12)所示的化合物，使用与合成(RM-1)时同样的方法，从而得到(RM-4)所示的化合物3.1g。

[化210]

1H-NMR(溶剂：氘代氯仿)：δ：0.88(t，3H)，1.18-1.63(m，16H)，1.72-1.94(m，6H)，2.01(s，6H)，2.63-2.74(m，5H)，3.08(s，6H)，3.80(s，2H)，3.95(s，4H)，4.01(s，2H)，4.21(t，2H)，5.93-6.02(m，2H)，6.37-6.48(m，2H)，6.93-7.15(m，3H)，7.23-7.35(m，2H)，7.63-7.94(m，4H)

(RM-5的合成)

在具备搅拌装置、冷凝器和温度计的反应容器中加入4-(四氢-2H-吡喃-2-基氧基)苯基硼酸30.6g、4-溴-2-氟苯酚25.0g、碳酸钾36.2g、四三苯基膦钯500mg、乙醇128ml，在90℃反应5小时。反应结束后，冷却，加入乙酸乙酯256ml，将有机层用水、饱和食盐水洗涤，将溶剂蒸馏去除，利用甲苯进行再结晶，得到(13)所表示的化合物32.7g。

[化211]

在具备搅拌装置、冷凝器和温度计的反应容器中加入化合物(13)23.0g、5-(溴甲基)-2,2-二甲基-1,3-二烷-5-基)甲醇24.8g、碳酸钾16.6g、N,N-二甲基甲酰胺115ml，在90℃反应5小时。反应结束后，冷却，加入乙酸乙酯161ml，将有机层用水、饱和食盐水洗涤，将溶剂蒸馏去除。之后，进行利用甲苯的分散洗涤、利用氧化铝柱的精制，得到式(14)所表示的化合物32.1g。

[化212]

在具备搅拌装置、冷凝器和温度计的反应容器中加入(14)所示的化合物19.0g、丙酮190ml、乙醇85ml、对甲苯磺酸吡啶盐1.1g，在氮气气氛下于60℃反应5小时。在反应液中加入乙酸乙酯200ml，用水洗涤，进一步用饱和食盐水洗涤，利用无水硫酸钠使有机层干燥。将溶剂蒸馏去除后，利用2倍量(重量比)的硅胶柱进行精制，得到(15)所示的化合物12.4g。

[化213]

在具备搅拌装置、冷凝器和温度计的反应容器中加入上述化合物(15)12.4g、三乙胺9.0g、二氯甲烷72ml，将反应容器冷却至10℃以下。之后，缓慢滴加甲基丙烯酰氯8.5g。滴加结束后，将反应容器恢复至室温，反应3小时。反应结束后，用水、饱和食盐水洗涤，将溶剂蒸馏去除。接着，在具备搅拌装置和温度计的反应容器中将提取物与THF144ml一起加入，缓慢滴加10％盐酸15ml。反应结束后，冷却，利用乙酸乙酯提取目标物。将有机层用水、饱和食盐水洗涤，将溶剂蒸馏去除。之后，进行利用硅胶柱的精制，得到化合物(16)所表示的化合物12.9g。

[化214]

对于(16)所示的化合物，使用与合成(RM-1)时同样的方法，从而得到(RM-5)所示的化合物2.9g。

[化215]

¹H-NMR(溶剂：氘代氯仿)：δ：1.95(s，3H)，2.07(s，3H)，3.05(s，6H)，4.14(s，2H)，4.40(s，2H)，4.43(s，4H)，5.62-5.77(m，2H)，6.12(s，1H)，6.36(s，1H)，7.01-7.06(m，1H)，7.16-7.20(m，2H)，7.25-7.32(m，2H)，7.50-7.53(m，2H)

(RM-6的合成)

在具备搅拌装置、冷凝器和温度计的反应容器中加入4-(苯甲酰氧基)苯基硼酸14.7g、2-苯甲酰氧基-4-溴苯酚17.0g、碳酸钾16.9g、四三苯基膦钯220mg、乙醇88ml，在90℃反应5小时。反应结束后，冷却，加入乙酸乙酯176ml，将有机层用水、饱和食盐水洗涤，将溶剂蒸馏去除，利用甲苯进行再结晶，得到(17)所表示的化合物16.7g。

[化216]

在搅拌装置、冷凝器和温度计的反应容器中加入化合物(17)12.0g、5-(溴甲基)-5-乙基-2,2-二甲基-1,3-二烷9.7g、碳酸钾6.5g、N,N-二甲基甲酰胺60ml，在90℃反应5小时。反应结束后，冷却，加入乙酸乙酯84ml，将有机层用水、饱和食盐水洗涤，将溶剂蒸馏去除。之后，进行利用甲苯的分散洗涤、利用氧化铝柱的精制，得到式(18)所表示的化合物14.4g。

[化217]

在耐压反应容器中加入上述化合物(18)11.4g、THF68.4ml、碳钯1.1g，以氢压0.5MPa反应10小时。反应结束后，冷却，利用乙酸乙酯提取目标物。将有机层用水、饱和食盐水洗涤，将溶剂蒸馏去除。之后，进行利用硅胶柱的精制，得到式(19)所表示的化合物6.1g。

[化1]

在具备搅拌装置、冷凝器和温度计的反应容器中加入上述化合物(19)6.1g、三乙胺4.5g、二氯甲烷30.5ml，将反应容器冷却至10℃以下。之后，缓慢滴加甲基丙烯酰氯4.3g。滴加结束后，将反应容器恢复至室温，反应3小时。反应结束后，用水、饱和食盐水洗涤，将溶剂蒸馏去除。接着，在具备搅拌装置和温度计的反应容器中将提取物与THF61ml一起加入，缓慢滴加10％盐酸6.1ml。反应结束后，冷却，利用乙酸乙酯提取目标物。将有机层用水、饱和食盐水洗涤，将溶剂蒸馏去除。之后，进行利用硅胶柱的精制，得到化合物(20)所表示的化合物6.9g。

[化219]

对于(20)所示的化合物，使用与合成(RM-1)时同样的方法，从而得到(RM-6)所示的化合物3.4g。

[化220]

¹H-NMR(溶剂：氘代氯仿)：δ：0.83(t，3H)，1.69(q，2H)，2.01(s，6H)，3.16(s，6H)，3.39(s，4H)，3.80(s，2H)，6.18(m，2H)，6.43(m，2H)，6.97(d，1H)，7.10-7.20(m，2H)，7.48-7.52(m，2H)，7.67-7.74(m，2H)

(RM-7的合成)

通过使用与合成(RM-5)时同样的方法，从而得到(RM-7)所示的化合物3.1g。

[化221]

GC-MS：m/z＝626.15

¹H-NMR(溶剂：氘代氯仿)：δ：2.00(s，3H)，2.05(s，3H)，3.05(s，6H)，3.39(s，4H)，3.80(s，2H)，3.92(s，3H)，4.01(s，2H)，6.18(s，1H)，6.40(s，1H)，6.43(s，1H)，6.48(s，1H)，6.86-6.94(m，2H)，7.15(m，2H)，7.39(m，1H)，7.71(m，2H)

(液晶组合物的调制和评价结果)

(液晶显示元件的制造方法)

首先，在包含涂布有引发垂直取向的聚酰亚胺取向膜且进行了摩擦处理的带ITO基板的单元间隙3.5μm的液晶单元中，通过真空注入法注入后述的含有聚合性化合物的液晶组合物。然后，对于注入了含有聚合性化合物的液晶组合物的液晶单元，使用荧光UV灯照射90分钟紫外线，得到液晶显示元件。此时，以在中心波长313nm的条件下测定的照度成为3.0mW/cm²的方式调整荧光UV灯。

(电压保持率的评价方法)

对于注入了含有聚合性化合物的液晶组合物的液晶单元，以上述照射条件照射UV90分钟，按照1V、0.6Hz、60℃的条件测定电压保持率(VHR)。其值为95％以上时设为A，小于95％且为90％以上时设为B，小于90％且为80％以上时设为C，小于80％时设为D。

(倾斜形成的评价方法(预倾角变化量))

通过下述方法测定以上述照射条件照射200秒紫外线前后的液晶显示元件的预倾角变化量[°]。首先，测定液晶显示元件的预倾角，设为预倾角(初期)。对于该液晶显示元件，在以频率100Hz施加10V电压的同时照射200秒紫外线。然后，测定预倾角，设为预倾角(UV后)。将测定的预倾角(初期)减去预倾角(UV后)所得的值设为预倾角变化量[°]。预倾角使用Shintec制OPTIPRO来测定。预倾角变化量[°]的值为2.0°以上时设为A，小于2.0°且为1.5°以上时设为B，小于1.5°且为1.0°以上时设为C，小于1.0°时设为D。

(低温保存性的评价方法)

向试管中量取0.5g含有聚合性化合物的液晶组合物，进行15分钟脱气，且进行氮气吹扫，从而得到低温保存性的样品。将其在-20℃的冷冻室中进行保管，10天不析出时设为〇，在5天～9天以内逐渐析出时设为△，在5天以内逐渐析出时设为×。

(液晶组合物的调制和评价结果)

调制基础组合物(LC-001)至(LC-008)，测定其物性值。这些基础组合物的成分比及其物性值如表1所示。

[表1]

将这些基础组合物(LC-001)至(LC-008)与下述式(RM-1)～式(RM-7)、式(RM-11)～式(RM-12)所表示的化合物混合，制成液晶组合物。

[化222]

[化223]

[化224]

(实施例1～23)

对于100质量份基础组合物LC-001，添加作为聚合性化合物的0.4质量份式(RM-1)、0.3质量份式(RM-12)，制作含有聚合性化合物的液晶组合物，评价电压保持率、预倾角变化量、低温保存性，设为实施例1。利用同样的方法进行实施例2～23。结果如以下的表2所示。

(比较例1～9)

对于100质量份基础组合物LC-001，添加作为聚合性化合物的0.3质量份式(RM-11)，制作含有聚合性化合物的液晶组合物，评价电压保持率、预倾角变化量、低温保存性，设为比较例1。利用同样的方法制作比较例2～9。结果如以下的表2所示。

[表2]

实施例1至实施例23确认到，电压保持率充分高，预倾角变化量大，低温保存性也充分。由以上结果确认到，这些实施例解决了本发明的课题。

与此相对，比较例1与使用了相同基础液晶(LC-001)的实施例1相比，电压保持率低，而且预倾角变化量变小。认为这是因为比较例1不含有本发明的极性化合物，因此受到液晶单元中存在的极性杂质的影响而导致电压保持率变低，并且第二成分的聚合性化合物与本申请发明的极性化合物相比不易在基板表面上局部集中，结果聚合变得不充分，倾斜形成能力下降了。

此外，比较例2与使用了相同基础液晶(LC-002)的实施例2相比，结果为电压保持率、预倾角变化量均大幅变差。认为这是因为比较例2是存在容易生成极性杂质的倾向的基础液晶(LC-002)，因此受到液晶单元中存在的极性杂质的影响而导致电压保持率变低，并且第二成分的聚合性化合物与本申请发明的极性化合物相比不易在基板表面上局部集中，结果聚合变得不充分，倾斜形成能力下降了。

由以上结果确认到，这些比较例不能解决本发明的课题。

进一步确认到，比较例3至比较例9的液晶组合物也电压保持率不充分，预倾角变化量不适当，不能解决本发明的课题。