一种磁过滤技术制备钠离子电池负极材料的方法

本发明揭示了一种磁过滤技术制备钠离子电池负极材料的方法,具体为一种预先进行功能化处理多壁碳纳米管,并将多壁碳纳米管做基底,再通过磁过滤筛选射频等离子体的化学气相共沉积技术制备功能化多壁碳纳米管与半金属靶材源的复合材料载体。这种结构中的功能化多壁碳纳米管作为导电骨架提高了涂敷载体的结构稳定性和导电性能,半金属靶材源作为活性材料,其上的硒和磷与功能化多壁碳纳米管骨架具有高的化学结合力,提高了电极的固硒和固磷性能、多硒化物及磷化物转化动力学和循环寿命。

2021-11-02

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一种二氧化碳激光超硬膜及其制备方法

本发明公开了一种二氧化碳激光超硬膜及其制备方法,二氧化碳激光超硬膜的膜层结构为：SUB/aHbLcHdM/A,其中,SUB代表ZnSe基底、A代表空气、H代表Ge、L代表ZnS、M代表DLC；a、b、c和d代表每层的四分之一参考波长光学厚度的系数。本发明二氧化碳激光超硬膜,用极少的间隔膜层,得到了光学性能优良、制备重复性好、膜层附着力强、耐摩擦的激光超硬增透膜,该增透膜在10.6μm和9.4μm波段的透过率均>99.5％,满足了激光的保护窗的使用要求。

2021-11-02

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低摩擦磨损膜和其制造方法

低摩擦磨损膜(10)包括：铬层(11),形成于金属基材(1)表面；碳化钨倾斜层(14),形成在所述铬层(11)的表面上；以及作为顶层的类金刚石碳层(15),形成在所述碳化钨倾斜层(14)的表面上。所述碳化钨倾斜层(14)包含铬－碳化钨倾斜层(12)和碳化钨均匀层(13)。上述铬－碳化钨倾斜层(14)在上述铬－碳化钨倾斜层(12)与上述碳化钨均匀层(13)的边界不形成存在钨单质的钨浓缩层。

2021-11-02

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一种CNTs@TC4复合粉末的快速原位制备方法

本发明公开了一种CNTs@TC4复合粉末的快速原位制备方法,通过电泳沉积技术在TC4粉末表面附着纳米铁颗粒,结合等离子增强化学气相沉积技术在TC4粉末表面原位生长碳纳米管；首先对TC4粉末进行去油去脂预处理,接着以去离子水为溶剂配制硝酸铁溶液,将去油脂后的TC4粉末平铺在作为阴极的铝片上放入盛有电解质溶液的容器中进行电沉积从而制备得到用于在TC4粉末表面生长碳纳米管的催化剂前驱体,最后用等离子增强化学气相沉积法进行碳纳米管的原位生长。本发明制备所得的碳纳米管分布均匀以及具有较高的长径比,利于后续制备所得的碳纳米管增强钛基复合材料的各项性能的提升。

2021-10-29

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具有梯度密度结构的轻质抗冲击碳材料、制备方法与应用

本发明公开了一种具有梯度密度结构的轻质抗冲击碳材料、制备方法与应用。所述轻质抗冲击碳材料包括碳纳米管泡沫和分布于碳纳米管泡沫内的多个碳颗粒,其中所述碳纳米管泡沫的第一局部区域内的碳颗粒分布密度大于所述碳纳米管泡沫的第二局部区域内的碳颗粒分布密度,所述第一局部区域与第二局部区域相邻设置,从而使所述轻质抗冲击碳材料与第一局部区域相应位置处的密度大于与第二局部相应位置处的密度。本发明通过二次沉积进行碳纳米管泡沫的节点焊接,通过改变材料放置位置来调控无定形碳分布,制备的轻质抗冲击碳材料具有优异的抗冲击性能,可实现新型冲击防护材料的软硬不同结构一体化制备,且进一步降低抗冲击材料的密度。

2021-10-29

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一种工业大批量生产直立式石墨烯复合碳毡的方法

本发明公开一种工业大批量生产直立式石墨烯复合碳毡的方法,该方法采用直流或交流电源直接连接于碳毡两侧,当电流通过碳毡时,碳毡由于焦耳效应产生高温,通过化学气相沉积的方法制备直立式石墨烯复合碳毡。该方法解决了制备直立式石墨烯复合碳毡的现有技术中外部加热源升温速度慢与直立式石墨烯生长依赖的等离子体发生设备昂贵等问题,并且采用卷对卷的方式可以实现对立式石墨烯复合碳毡商业化大批量生产。

2021-10-26

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一种C/TiC/TiN/TiAlN复合涂层的制备装置及其制备方法

本发明公开了一种C/TiC/TiN/TiAlN复合涂层制备装置及其方法。本发明提出的装置主要包括弧光放电等离子体装置、射频等离子体装置和磁过滤筛选装置三部分,充分组合利用三部分的技术优势,从而达到制备优质涂层的目的。本发明提供的复合涂层的制备方法,包括以下步骤：将固态源进行弧光放电后得到弧光放电等离子体；将气态源进行射频处理后得到射频等离子体；将所述两种等离子体经过磁过滤去除较大颗粒后共沉积在基底表面,从而得到复合涂层。本发明提供的制备方法为制备不同成分的复合涂层提供了新的合成思路,且制备得到的复合涂层材料具有高均匀性,高致密性以及优异的机械性能。

2021-10-26

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一种沉积炉的连续化进出料的装置及其方法

本发明公开一种沉积炉的连续化进出料的装置及其方法,沉积炉置于一自由伸缩隔热桶内,还包括一自动料盘和丝杠升降机构,自动料盘在丝杠升降机构的作用下完成提升和下降,提升时,提升至沉积炉的炉底位置,且自由伸缩隔热桶在所述丝杠升降机构的作用下完成收缩和伸展。本发明主要解决了沉积炉的连续化作业问题,可以有效提升沉积炉的工作效率,降低人力及资源浪费。

2021-10-26

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一种异形件表面Si掺杂多层DLC涂层的沉积系统及其方法

本发明涉及一种异形件表面Si掺杂多层DLC涂层的沉积系统,包括真空腔室及置于所述真空腔室内的样品架；所述样品架置于样品台上,该样品台的上表面密布有蜂窝孔且下方设有进气口,其特征在于：所述真空腔室内且所述样品台上设有圆桶状空心的辅助阴极,该辅助阴极内设有所述样品架。同时,本发明还公开了该沉积系统的沉积方法。本发明利用空心阴极效应在其内部产生高密度的等离子体,可将复杂工件完全浸没,从而实现Si掺杂多层DLC涂层在异形件表面全方位的均匀沉积,并且所制备的Si掺杂多层DLC涂层具有良好的结合力和优异的耐磨防腐性能,能有效延长了工件的使用寿命,具有极大的工业应用价值。

2021-10-22

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一种活塞环表面高结合力超厚DLC涂层的超高速沉积方法

本发明涉及一种活塞环表面高结合力超厚DLC涂层的超高速沉积方法,该方法包括以下步骤：⑴将活塞环经脱脂、清洗后进行活塞环夹装；将夹好的活塞环放入样品台上,在夹好的活塞环的外围且样品台上放置一个同轴的辅助阴极,密闭抽真空；⑵通入氩气,然后对辅助阴极施加负脉冲偏压,对活塞环表面进行去氧化物清洗和活化；⑶通入氩气和硅烷的混合气体,采用等离子体浸没注入方式进行沉积,得到梯度硅支撑层；⑷通过逐步增加乙炔气流量进行沉积,得到梯度硅掺杂DLC过渡层；⑸通过周期交替调节乙炔的气流量在活塞环表面进行周期交替沉积,得到多层硅掺杂DLC功能层,经自然降温,去真空,取出所述活塞环即可。本发明工艺简单、稳定易于工业化生产。

2021-10-22

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