本发明提供了一种铸造类单晶用籽晶的重复利用方法,包括：(1)将类单晶硅锭的开方尺寸相同的单晶硅籽晶拼接铺设在坩埚底部,形成籽晶层；并利用该籽晶层制得类单晶硅锭；(2)将类单晶硅锭的底面朝上,将底面上的籽晶拼接缝用缝隙标记线标出,并使其延伸至类单晶硅锭的四个侧面；对类单晶硅锭开方得到多个第一硅块,且在开方前使开方钢线与籽晶拼接缝对齐,将第一硅块对应坩埚底部和开口的两个端面打磨平整后,再切割掉其上的籽晶区域,得到回收后的多块单晶硅籽晶,并标记每块的类型；(3)将步骤(2)得到的籽晶按步骤(1)的方法进行再利用。该方法可实现籽晶的多次高质量重复利用,降低了铸造类单晶的籽晶成本。

本发明属于籽晶生长设备技术领域,提供了籽晶培养固定装置,包括：籽晶板,籽晶板的顶中部一侧开设有限位槽,限位槽的内部固定放置有籽晶,籽晶的周向外部一侧设置有用于维持籽晶纵向生长的生长控制板,生长控制板远离籽晶板的一侧设置有用于控制生长控制板围绕籽晶旋转的驱动机构；所述生长控制板远离籽晶的侧壁上设置有用于对培养液进行混合搅拌的搅拌机构；通过驱动机构运行控制生长控制板围绕籽晶转动,固定在限位槽内部的籽晶只能向上生长,而且同时生长控制板的转动带动搅拌机构旋转,从而促进培养液均匀对籽晶进行生长。

本发明提供一种利用单籽晶桥式结构诱导生长REBCO超导块材的方法,包括以下步骤：配制RE123和RE211纯相粉末,按照RE123+30mol％RE211+1wt％CeO2的组分配料,充分碾磨混合均匀,得到前驱粉料；根据模具直径不同,将所述粉料称取合适质量,放入模具,压制成圆柱形状的籽晶桥1个、缓冲层2～3个和前驱体1个；将籽晶、籽晶桥、缓冲层、前驱体从上至下依次放置；所述籽晶、所述籽晶桥、所述缓冲层构成单籽晶桥式结构；其中,所述籽晶放置在所述籽晶桥的上表面中心,所述籽晶桥搭设在所述缓冲层上方,所述缓冲层沿所述籽晶[110]晶向排列成一列；将所述放置好的前驱体连同和所述单籽晶桥式结构置于生长炉中进行顶部籽晶熔融织构生长,以实现(110)∥(110)取向诱导生长REBCO超导块材。

本发明公开了低浓度位错铸锭单晶缓冲式籽晶熔化控制方法,包括以下步骤：(1)在石英坩埚底部铺设籽晶；(2)使用第一热电偶和第二热电偶获取石英坩埚底部边角部位的温度信号,温度信号为坩埚底部边角部位的温度和温度变化率的数值；(3)根据获取到的所述温度信号,判断所述籽晶熔化的高度；当所述温度信号出现突然上升的突变点时,表示籽晶熔化至设定高度,此时控制热场和工艺,进入长晶阶段；本发明将热电偶安装在坩埚底部边角部位,避开了侧部加热器对温度信号的影响,监测结果更准确。