本发明提供了一种反常霍尔元件及其制备方法,以在单晶MgO(100)上外延生长的Fe、Cr共掺杂的单晶Ni薄膜作为活性层材料,活性层形状为“十”字形,薄膜厚度为2nm～30 nm,采用离子束沉积法生长。本发明的微型反常霍尔元件具有较小的体积,较大的反常霍尔电阻率,较小的电阻率和功耗,较宽的工作温度范围,在磁电信号转换等领域有广泛的应用。

本发明提供了一种AlN薄膜及其制备方法和应用,属于半导体薄膜材料技术领域。本发明在衬底上形成掩膜后刻蚀,在衬底表面形成规则排列的凹坑；然后在凹坑中溅射沉积AlN,并通过退火的方式,在衬底表面得到了规则排列、应力小且致密的AlN籽晶。由于AlN籽晶只在凹坑中而衬底表面其他位置没有,在后续外延生长过程中,AlN籽晶为同质外延,而衬底上为异质外延,可以改善衬底和AlN层的晶格失配和热失配,又能降低位错密度,提高晶体质量。同时,由于同质和异质生长速率的差异,使后续生长的AlN层趋向于二维生长,得到表面光滑的AlN层。溅射AlN层经过退火处理后,会和衬底凹坑的最下层形成空隙层,提高深紫外LED的出光效率。