本发明涉及GaN制备相关技术领域,且公开了一种基于气相外延反应机构的自公转基座嵌入结构,包括自公转基座和安装台,自公转基座设置在安装台上,所述自公转基座的倾斜表面处设置有沉积衬底,自公转基座的倾斜表面顶部开设有与沉积衬底相邻的嵌入槽,嵌入槽内嵌入有嵌入块。该基于气相外延反应机构的自公转基座嵌入结构,在自公转基座自转倾斜面上设置嵌入块,通过对嵌入块进行维护更换,能够有效的将粘附在自转倾斜面的生长晶体清除,避免晶体堆积过多,区别于传统的自公转基座斜面结构,避免自公转基座倾斜面顶部位置晶体生长影响气流平顺流通的问题。

本公开公开了一种外延托盘及外延托盘应用的发光二极管外延片制备方法,属于外延生长技术领域。外延托盘具有圆形凹槽,在圆形凹槽的底面增加多个延伸至外延托盘的另一端的孔洞。将衬底放置在圆形凹槽内,反应腔压力大于外延托盘的孔洞内的压力,压差作用下,衬底会吸附在孔洞上,减小衬底位置出现偏离的可能。衬底被孔洞的吸附力吸附在圆形凹槽的中部,抵消离心力对衬底的影响,减小衬底的外周壁与圆形凹槽的侧壁直接接触的可能性。衬底主要是端面与圆形凹槽的底面相接触,衬底的端面接收的热量与衬底本身的温度较为均匀,因此在衬底各处生长的外延材料也较为均匀,可以提高得到的外延片的质量与均匀程度来提高发光均匀度。

本发明涉及晶体合成技术领域,尤指一种金刚石圆片径向生长方法及装置,该包括升降式旋转支架和晶圆夹持单元；升降式旋转支架包括升降杆装置、横架、距离调整组件、旋转驱动组件和至少两组平行设置的旋转轴；而该生长方法通过晶圆夹持单元将多片金刚石圆片同轴夹持成柱状,然后安置在升降式旋转支架,升降式旋转支架带动金刚石圆片转动、升降及间隙控制作用下,金刚石圆片侧面暴露在工艺气体激发后的等离子体中,使得金刚石圆片只沿着侧面径向旋转生长,从而生长出大直径金刚石圆片,通过晶圆夹持单元保持金刚石圆片的厚度,通过旋转轴的研磨保持金刚石圆片的圆度。

本公开公开了一种提高外延片发光均匀度的外延托盘,属于外延生长技术领域。在每相邻的两个凹槽圈之间增加一个同心的调整圈,调整圈包括的多个沿外延托盘的周向均匀分布的条形槽,条形槽内主要为空气,降低空白区域的传热效应,减小两个相邻的凹槽圈之间的空白区域会积累的热量,由此减小空白区域的温度对临近的凹槽圈内的圆形凹槽的影响。每个条形槽的长度方向均垂直于外延托盘的一条直径,条形槽构成的调整圈也接近环状,提高外延托盘整体的温度的一致性并由此提高外延片的发光均匀度与一致性。

于此描述用于外延腔室的热屏蔽组件。所述热屏蔽组件具有热屏蔽构件及预热构件。热屏蔽构件设置于预热构件上。热屏蔽构件具有切口部分,所述切口部分暴露预热构件的一部分。预热构件具有凹陷部分以接收热屏蔽构件。

本发明提供能够使晶圆周边缘部的CVD膜厚均匀的气相成长装置。载具(C)形成为具有载置于基座(112)的上表面的底面(C11)、与晶圆(WF)的背面的外边缘部接触来支承的上表面(C12)、外周侧壁面(C13)、内周侧壁面(C14)的无端的环状,并且前述上表面(C12)的圆周方向上的构造或形状为具有与前述晶圆(WF)的圆周方向上的晶体方位对应的关系的构造或形状,处理前的晶圆以处理前的晶圆的圆周方向上的晶体方位和圆周方向上的构造或形状呈前述对应的关系的方式搭载于载具。

本发明公开了一种样品生长装置、样品生长方法及分子束外延系统。所述样品生长装置包括真空腔室以及位于真空腔室内的旋转部分和倾斜调节部分,旋转部分包括旋转台、旋转机构和承载于旋转机构上的基片,旋转机构设置于旋转台上且驱动基片绕旋转台周向公转；倾斜调节部分包括倾斜调节机构及与倾斜调节机构相连的分子束源炉,倾斜调节机构在基片公转的过程中调整分子束源炉的倾斜角度,使分子束源炉入射的分子束全覆盖住不同公转位置处的基片。本发明的结构简单紧凑,成本较低,且装卸方便,定位精度高,生产多片样品可通过单个分子束源炉调整角度,进行喷射位置的改变,很好地保证喷射的均匀性。

本发明涉及GaN制备相关技术领域,且公开了一种用于气相外延反应腔结构的自公转基座,包括基板支架和内嵌基板,所述内嵌基板设置在基板支架的内侧,内嵌基板的表面环形阵列开设有多个嵌入开口。该用于气相外延反应腔结构的自公转基座,工艺气体通过空腔基板主体与嵌入开口内侧壁之间缝隙溢出时,环形阻流坡能够有效阻止工艺气体垂直向下的溢出,而环形阻流槽的设置对向下垂直溢出回流的工艺气体进行阻流,同时环形限流坡和环形限位槽的设置,进一步的减少溢出回流气体通过环形嵌入圈和环形嵌入槽之间的缝隙导出,在保障结构之间配合活动稳定的前提下,最大限度的减少工艺气体的溢出,从而有效保障工艺气体的供给反应效率。

本发明公开了一种半导体腔室的进排气结构和半导体腔室,其中进排气结构设置于半导体腔室的上下盖之间,其特征在于,进排气结构包括：环形主体和朝向半导体腔室内部延伸设置的环形支撑部,其中,环形支撑部的内缘用于承载半导体腔室的预热环,且环形支撑部的上方为上腔室,环形支撑部的下方为下腔室；环形主体具有向上腔室通气的进气通道以及将上腔室气体排出的排气通道；环形支撑部靠近排气通道的一侧具有连通上腔室和下腔室的纵向贯穿孔,下腔室中的气体经纵向贯穿孔沿排气通道排出。本发明纵向贯通孔与排气通道距离更近,压力更低,下腔室的氢气会趋向于流向压力更低的纵向贯通孔,避免出现下腔室的氢气与工艺气体碰撞产生紊流的情况。