具体实施方式

以下，基于附图对本发明的实施方式进行说明。图1是表示本发明的实施方式的气相成长装置1的框图，中央所示的气相成长装置1的主体由俯视图表示。本实施方式的气相成长装置1是所谓的CVD装置，具备一对反应炉11、11、设置有处理单晶硅晶圆等的晶圆WF的第1机器人121的晶圆移载室12、一对装载锁定室13、设置有处理晶圆WF的第2机器人141的工厂接口14、设置收纳着多张晶圆WF的晶圆收纳容器15(卡式盒)的装载端口。

工厂接口14是与载置晶圆收纳容器15的清洁室大气氛围相同的区域。在该工厂接口14设置有第2机器人141，前述第2机器人141将收纳于晶圆收纳容器15的处理前的晶圆WF取出来向装载锁定室13投入，另一方面，将向装载锁定室13搬运来的处理后的晶圆WF向晶圆收纳容器15收纳。第2机器人141被第2机器人控制器142控制，装配于机器人手的末端的第2叶片143沿预先学习的既定的轨迹移动。

在装载锁定室13和工厂接口14之间，设置有具有气密性的能够开闭的第1门131，在装载锁定室13和晶圆移载室12之间，同样设置有具有气密性的能够开闭的第2门132。并且，装载锁定室13在为非活性气体氛围的晶圆移载室12和为大气氛围的工厂接口14之间作为置换氛围气体的空间发挥功能。因此，设置有将装载锁定室13的内部真空排气的排气装置、向装载锁定室13供给非活性气体的供给装置。

例如，从晶圆收纳容器15将处理前的晶圆WF向晶圆移载室12搬运的情况下，关闭工厂接口14侧的第1门131，关闭晶圆移载室12侧的第2门132，在使装载锁定室13为非活性气体氛围的状态下，用第2机器人141取出晶圆收纳容器15的晶圆WF，打开工厂接口14侧的第1门131，将晶圆WF向装载锁定室13搬运。接着，关闭工厂接口14侧的第1门131，使该装载锁定室13再次为非活性气体氛围后，打开晶圆移载室12侧的第2门132，用第1机器人121将该晶圆WF向晶圆移载室12搬运。

反之，将处理后的晶圆WF从晶圆移载室12向晶圆收纳容器15搬运的情况下，关闭工厂接口14侧的第1门131，关闭晶圆移载室12侧的第2门132，在使装载锁定室13为非活性气体氛围的状态下，打开晶圆移载室12侧的第2门132，用第1机器人121将晶圆移载室12的晶圆WF向装载锁定室13搬运。接着，关闭晶圆移载室12侧的第2门132，再次使该装载锁定室13为非活性气体氛围后，打开工厂接口14侧的第1门131，用第2机器人141将该晶圆WF向晶圆收纳容器15搬运。

晶圆移载室12由密闭的腔构成，一方与装载锁定室13经由能够开闭的具有气密性的第2门132连接，另一方经由具有气密性的能够开闭的闸门阀114连接。在晶圆移载室12设置有第1机器人121，前述第1机器人121将处理前的晶圆WF从装载锁定室13向反应室111搬运，并且将处理后的晶圆WF从反应室111向装载锁定室13搬运。第1机器人121被第1机器人控制器122控制，装配于机器人手的末端的第1叶片123沿预先学习的动作轨迹移动。

总管气相成长装置1的整体的控制的总管控制器16、第1机器人控制器122、第2机器人控制器142相互接受发送控制信号。并且，来自总管控制器16的动作指令信号被向第1机器人控制器122传送时，第1机器人控制器122控制第1机器人121的动作，该第1机器人121的动作结果被从第1机器人控制器122向总管控制器16传送。由此，总管控制器16识别第1机器人121的动作状态。同样地，来自总管控制器16的动作指令信号被向第2机器人控制器142传送时，第2机器人控制器142控制第2机器人141的动作，该第2机器人141的动作结果被从第2机器人控制器142向总管控制器16传送。由此，总管控制器16识别第2机器人141的动作状态。

非活性气体从未图示的非活性气体供给装置向晶圆移载室12供给，晶圆移载室12的气体被与排气口连接的洗涤器(洗涤集尘装置)净化后向系统外放出。这种洗涤器省略详细的图示，例如能够用以往公知的加压水式洗涤器。

反应炉11是用于通过CVD法在晶圆WF的表面生成外延膜的装置，具备反应室111，在该反应室111内设置有载置晶圆WF而旋转的基座112，此外在反应室111设置有供给氢气及用于生成CVD膜的原料气体(CVD膜为硅外延膜的情况下例如是四氯化硅SiCl ₄、三氯硅烷SiHCl ₃等)的气体供给装置113。此外，虽省略图示，但在反应室111的周围设置有用于将晶圆WF升温至既定温度的加热灯。进而，在反应室111和晶圆移载室12之间设置有闸门阀114，通过关闭闸门阀114，确保反应室111和晶圆移载室12的气密性。这些反应炉11的基座112的驱动、气体供给装置113进行的气体的供给・停止、加热灯的开启/关闭、闸门阀114的开闭动作的各控制被来自总管控制器16的指令信号控制。另外，图1所示的气相成长装置1表示设置有一对反应炉11、11的例子，但也可以设置一个反应炉11，也可以是三个以上的反应炉。

在反应炉11也设置有具有与晶圆移载室12相同的结构的洗涤器(洗涤集尘装置)。即，从气体供给装置113供给的氢气或原料气体被与设置于反应室111的排气口连接的洗涤器净化后，被向系统外放出。关于该洗涤器，例如也能够使用以往公知的加压水式洗涤器。

本实施方式的气相成长装置1中，将晶圆WF用支承该晶圆WF的整周外边缘的环状的载具C在装载锁定室13和反应室111之间搬运。图2A是表示载具C的俯视图，图2B是包括晶圆WF及反应炉11的基座112的载具C的剖视图，图5是表示反应室111内的晶圆WF及载具C的移载流程的俯视图及剖视图。

本实施方式的载具C例如由SiC等材料构成，形成为无端的环状，具有载置于图2B所示的基座112的上表面的底面C11、接触晶圆WF的背面的外边缘整周来支承的上表面C12、外周侧壁面C13、内周侧壁面C14。并且，支承于载具C的晶圆WF被搬入反应室111内的情况下，如图5(A)的俯视图所示，在第1机器人121的第1叶片123载置有载具C的状态下，如同图(B)所示地搬运至基座112的上部，如同图(C)所示地借助相对于基座112能够上下移动地设置的三个以上的载具升降销115暂时抬起载具C，如同图(D)所示地使第1叶片123后退后，如同图(E)所示地使基座112上升，由此将载具C载置于基座112的上表面。

反之，将在反应室111结束处理的晶圆WF以搭载于载具C的状态取出的情况下，从如图5(E)所示的状态，如同图(D)所示地使基座112下降，仅借助载具升降销115支承载具C，如同图(C)所示，使第1叶片123向载具C和基座112之间前进，之后如同图(B)所示地使三个载具升降销115下降，将第1叶片123载置于载具C，使第1机器人121的手动作。由此，能够将结束处理后的晶圆WF以搭载于载具C的状态取出。

此外，在本实施方式的气相成长装置1，为了将载具C在从装载锁定室13至反应室111的工序间搬运，在装载锁定室13，将处理前的晶圆WF载置于载具C，将处理后的晶圆WF从载具C取出。因此，在装载锁定室13，设置有将载具C在上下2层支承的架17。图3A是表示在装载锁定室13设置的架17的俯视图，图3B是包括晶圆WF的架17的剖视图。本实施方式的架17设置有被固定的架基部171、能够相对于该架基部171上下升降地设置的将两个载具C上下两层支承的第1架172及第2架173、能够相对于架基部171上下升降地设置的三个晶圆升降销174。

第1架172及第2架173(图3A的俯视图中，第2架173由于第1架172而隐藏，所以仅图示第1架172。)具有用于将载具C在4点支承的突起，在第1架172载置一个载具C，在第2架173也载置一个载具C。另外，在第2架173载置的载具C被插入第1架172和第2架173之的间的间隙。

图4是表示装载锁定室13的晶圆WF及载具C的移载流程的俯视图及剖视图，同图(B)所示地表示在第1架172支承有载具C的状态下在该载具C搭载处理前的晶圆WF的流程。即，设置于工厂接口14的第2机器人141将收纳于晶圆收纳容器15的一张晶圆WF载置于第2叶片143，经由装载锁定室13的第1门131，如同图(B)所示地搬运至架17的上部。接着，如同图(C)所示，相对于架基部171使三个晶圆升降销174上升，暂时抬起晶圆WF，如同图(D)所示地使第2叶片143后退。另外，三个晶圆升降销174如同图(A)的俯视图所示，设置于不与第2叶片143干涉的位置。接着，如同图(D)及(E)所示，使三个晶圆升降销174下降且使第1架172及第2架173上升，由此在载具C搭载晶圆WF。该情况下，第2机器人141以晶圆WF的圆周方向的位置、即凹口WN(参照图6)的位置和第2叶片143的位置关系为既定的关系的方式预先将晶圆WF的方向对齐来收纳于晶圆收纳容器15，或第2机器人141将晶圆WF的方向对齐来载置于第2叶片143，最终以载具C的圆周方向的位置和晶圆WF的圆周方向的位置的关系为后述的图7C或图8C那样的关系方式搭载。

反之，将载置于载具C的状态下向装载锁定室13搬运来的处理后的晶圆WF向晶圆收纳容器15搬运的情况下，从图4(E)所示的状态，如同图(D)所示地使三个晶圆升降销174上升且使第1架172及第2架173下降，仅借助晶圆升降销174支承晶圆WF，如同图(C)所示地使第2叶片143向载具C和晶圆WF之间前进后，如同图(B)所示地使三个晶圆升降销174下降，将晶圆WF载置于第2叶片143，使第2机器人141的手动作。由此，能够将结束处理的晶圆WF从载具C向晶圆收纳容器15取出。另外，图4(E)所示的状态下结束处理的晶圆WF在搭载于载具C的搭载的状态下被向第1架172搬运，但被向第2架173搬运的情况也能够以同样的流程，将晶圆WF从载具C向晶圆收纳容器15取出。

特别地，本实施方式的载具C为与作为CVD处理基板的晶圆WF(单晶硅晶圆等)的晶体方位对应的构造或形状，借助该构造或形状使晶圆周边缘部的CVD膜厚均匀。图6是表示使(100)面为主面的晶圆WF(严密地说是单晶硅晶圆)的晶体方位的俯视图。在该晶圆WF的外周边缘的一部分，在从单晶硅锭切成晶圆的工序中，形成表示晶体方位的凹口WN。本说明书的晶体方位如图6所示的晶圆WF的俯视图所示，用将原点Wp设为0度的基准点逆时针旋转至360度的角度。如图6所示，以(100)面为主面的晶圆WF的外周方向的晶体方位为，0度为＜110＞、45度为＜100＞、90度为＜110＞，每45度以镜面折返那样的晶体方位重复，进而，晶体方位以90度周期重复。另外，0度至45度之间为＜230＞、＜120＞、＜130＞。并且，晶圆WF的外周边缘部的膜厚分布取决于该晶体方位，在0度(360度)、90度、180度、270度的附近膜厚变厚，在45度、135度、230度、315度的附近膜厚变薄。即，在晶体方位为＜110＞方向的范围为相对的厚膜，在晶体方位为＜100＞方向的范围为相对的薄膜，它们之间的膜厚连续地推移。

因此，本实施方式的载具C为以下那样的构造或形状。图7A是表示载具C的第1例的要部剖视图，图7B是同样表示载具C的第1例的俯视图，图7C是同样将载具C的第1例的上表面C12沿图7B的箭头的方向展开的图。第1例的载具C具有载置于基座112的上表面的底面C11、与晶圆WF的背面的外边缘整周接触而支承的上表面C12、外周侧壁面C13、内周侧壁面C14，进而上表面C12具有与外周侧壁面C13相连的上表面C121、与内周侧壁面C14相连的上表面C122。并且，在上表面C122，晶圆WF的外周边缘的整周接触而搭载。

这里，若将从晶圆WF的外周边缘接触上表面C122的位置至上表面C121的铅垂方向的高度定义成沉孔深度D，则本实施方式的载具C如图7C所示，在0度(360度)、90度、180度、270度的附近，沉孔深度为相对较大的D2，在45度、135度、230度、315度的附近，沉孔深度为相对较小的D1，以它们之间的沉孔深度在D1和D2之间连续变化的方式，呈上表面C121的高度关于圆周方向周期性变化的形状。

在图7A所示的剖视图中，在沉孔深度为大的D2的部分，在水平方向流动的反应气流被相对较高地形成的上表面C121将其一部分遮挡，所以在晶圆WF的外周边缘部的周围产生反应气流的停滞，反应气体流量稍变少。与之相对，在图7A所示的剖视图，在使沉孔深度为小的D1的部分，沿水平方向流动的反应气流不被相对较低地形成的上表面C121将其一部分遮挡地流动，作为目标的反应气体流量的反应气体包括晶圆WF的外周边缘部地流动。因此，使沉孔深度沿圆周方向像图7C的展开图那样地变化，由此，CVD膜的膜厚在0度(360度)、90度、180度、270度的附近相对变薄，在45度、135度、230度、315度的附近相对变厚。然而，如上所述，在以(100)面为主面的晶圆，在晶体方位为＜110＞方向的范围为相对的厚膜，在晶体方位为＜100＞方向的范围为相对的薄膜，它们之间的膜厚连续地推移，所以如第1例那样地设定载具C的沉孔深度，由此能够消除由晶体方位引起的膜厚的周期性的不均。

图7D是表示本发明的载具C的第1例的其他例的要部剖视图。图7D所示的载具C的外径比图7A所示的载具C的外径小，因此在载置于基座112的上表面的情况下，与基座112的外周隆起部1121一同构成上表面C121。这里，若将晶圆WF的外周边缘与上表面C122接触的位置至载具C的上表面C121及基座112的外周隆起部1121的上表面的铅垂方向的高度定义成沉孔深度D，则本实施方式的载具C如图7C所示，在0度(360度)、90度、180度、270度的附近，沉孔深度为相对较大的D2，在45度、135度、230度、315度的附近，沉孔深度为相对较小的D1，它们间的沉孔深度以在D1和D2之间连续地变化的方式，为载具C的上表面C121及基座112的外周隆起部1121的上表面的高度沿圆周方向周期性变化的形状。

本实施方式的载具C为与作为CVD处理基板的晶圆WF的晶体方位对应的构造或形状时，除上述第1例以外也能够是第2例的构造或形状。图8A是表示本发明的载具C的第2例的要部剖视图，图8B是同样表示载具C的俯视图，图8C是同样将载具C的兜孔宽度沿图8B的箭头的方向展开的图。

第2例的载具C具有载置于基座112的上表面的底面C11、与晶圆WF的背面的外边缘整周接触来支承的上表面C12、外周侧壁面C13、内周侧壁面C14，进而，上表面C12具有与外周侧壁面C13相连的上表面C121、与内周侧壁面C14相连的上表面C122。并且，在上表面C122，晶圆WF的外周边缘的整周接触而被搭载。

这里，若将从晶圆WF的外周边缘至上表面C121及上表面C122的边界面C123(纵壁面)的水平方向的距离定义成兜孔宽度WD，则本实施方式的载具C如图8C所示，在0度(360度)、90度、180度、270度的附近兜孔宽度为相对较小的WD1，在45度、135度、230度、315度的附近为兜孔宽度相对较大的WD2，它们之间的兜孔宽度以在WD1和WD2之间连续地变化的方式，成边界面C123的位置关于圆周方向周期性变化的形状。

在图8A所示的剖视图中，沿水平方向流动的反应气流被上表面C121将其一部分遮挡，所以在晶圆WF的外周边缘部的周围产生反应气流的停滞，反应气体流量稍变少。这里，在使兜孔宽度为较小的WD1的部分，反应气流的停滞由于兜孔宽度小而停留于晶圆WF的外周边缘部的上部，所以在该晶圆WF的外周边缘部，反应气体流量稍微变少。与之相对，在将兜孔宽度设为较大的WD2的部分，反应气流的停滞与较宽地形成的兜孔宽度的部分偏离，所以作为目标的反应气体流量的反应气体包括晶圆WF的外周边缘部地流动。因此，通过将兜孔宽度沿圆周方向像图8C的展开图那样地变化，CVD膜的膜厚在0度(360度)、90度、180度、270度的附近相对变薄，在45度、135度、230度、315度的附近相对变厚。然而，如上所述，在以(100)面为主面的晶圆处，在晶体方位为＜110＞方向的范围为相对的厚膜，在晶体方位为＜100＞方向的范围为相对的薄膜，它们之间的膜厚连续地推移，所以像第2例那样设定载具C的兜孔宽度，由此能够消除由晶体方位引起的膜厚的周期性的不均。

图8D是表示本发明的载具C的第2例的其他例的要部剖视图。图8D所示的载具C的外径比图8A所示的载具C的外径小，因此，载置于基座112的上表面的情况下，与基座112的外周隆起部1121一同构成上表面C121。这里，若将从晶圆WF的外周边缘至上表面C121及上表面C122的边界面C123(纵壁面)的水平方向的距离定义为兜孔宽度WD，则本实施方式的载具C如图8C所示，在0度(360度)、90度、180度、270度的附近兜孔宽度为相对较小的WD1，在45度、135度、230度、315度的附近兜孔宽度为相对较大的WD2，它们之间的兜孔宽度以在WD1和WD2之间连续地变化的方式，为边界面C123的位置关于圆周方向周期性地变化的形状。顺便说明，兜孔宽度相对较大的部分缺少载具C的外周的隆起部分，并且基座112的外周隆起部1121的内壁为凹状。

接着，说明将本实施方式的气相成长装置1的、外延膜的生成前(以下也仅称作处理前)及外延膜的生成后(以下也仅称作处理后)的晶圆WF、载具C处置的流程。图9~图12是表示本实施方式的气相成长装置的晶圆及载具的处置流程的示意图，与图1的一侧的晶圆收纳容器15、装载锁定室13及反应炉11对应，在晶圆收纳容器15收纳多张晶圆W1，W2，W3…(例如合计25张)，以该顺序开始处理。

图9的工序S0表示从此用气相成长装置1开始处理的等待状态，在晶圆收纳容器15收纳多张晶圆W1，W2，W3…(例如合计25张)，在装载锁定室13的第1架172支承空的载具C1，在第2架173支承空的载具C2，装载锁定室13呈非活性气体氛围。

下一工序S1中，第2机器人141将收纳于晶圆收纳容器15的晶圆W1载置于第2叶片143，经由装载锁定室13的第1门131向支承于第1架172的载具C1移载。该移载的流程如参照图4所作说明。

下一工序S2中，关闭装载锁定室13的第1门131也关闭第2门132的状态下，将装载锁定室13的内部置换成非活性气体氛围。然后，打开第2门132，在第1机器人121的第1叶片123载置载具C1，打开反应炉11的闸门阀114，经由该闸门阀114将搭载有晶圆W1的载具C1向基座112移载。该移载的流程如参照图4所作说明。工序S2~S4中，反应炉11中进行相对于晶圆W1的CVD膜的生成处理。

即，将搭载着处理前的晶圆W1的载具C1向反应室111的基座112移载，关闭闸门阀114，待机既定时间后，借助气体供给装置113向反应室111供给氢气，使反应室111为氢气氛围。接着，借助加热灯使反应室111的晶圆W1升温至既定温度，根据需要实施蚀刻、热处理等的前处理后，借助气体供给装置113将原料气体在控制流量及/或供给时间的同时供给。由此，在晶圆W1的表面生成CVD膜。形成CVD膜后，借助气体供给装置113向反应室111再次供给氢气来将反应室111置换成氢气氛围后，待机既定时间。

这样在工序S2~S4中，借助反应炉11对晶圆W1进行处理的期间，第2机器人141从晶圆收纳容器15取出下一晶圆W2，准备下一处理。在此之前，在本实施方式中，工序S3中，关闭装载锁定室13的第2门132也关闭第1门131的状态下，将装载锁定室13的内部置换成非活性气体氛围。然后，打开第2门132，借助第1机器人121，将支承于第2架173的载具C2移载至第1架172，关闭第2门132。接着，在工序S4中，第2机器人141将收纳于晶圆收纳容器15的晶圆W2载置于第2叶片143，打开第1门131，向支承于装载锁定室13的第1架172的载具C2移载。

这样在本实施方式中，追加工序S3，收纳于晶圆收纳容器15的处理前的晶圆WF搭载于作为装载锁定室13的架17的最上层的架的第1架172。这是由于以下的理由。即，如工序S2所示，搭载下一晶圆W2的空的载具C2支承于第2架173的情况下，在其上搭载晶圆W2时，有处理后的晶圆W1被向第1架172移载的可能性。本实施方式的气相成长装置1的载具C被搬运至反应室111，所以载具C成为颗粒的发生要因，在处理前的晶圆W2的上部支承载具C1时，有尘埃落下至处理前的晶圆W2的可能。因此，追加工序S3，将空的载具C2向第1架172移载，使得处理前的晶圆WF搭载于装载锁定室13的架17的最上层的架(第1架172)。

工序S5中，关闭装载锁定室13的第1门131也关闭第2门132的状态下，将装载锁定室13的内部置换成非活性气体氛围。然后，打开反应炉11的闸门阀114，将第1机器人121的第1叶片123插入反应室111，移载搭载有处理后的晶圆W1的载具C1，从反应室111取出，关闭闸门阀114后，打开第2门132，向装载锁定室13的第2架173移载。接着，向第1机器人121的第1叶片123载置支承于第1架172的载具C2，将搭载有该处理前的晶圆W2的载具C2如工序S6所示，经由晶圆移载室12，打开闸门阀114来向反应炉11的基座112移载。

工序S6~S9中，在反应炉11，进行相对于晶圆W2的CVD膜的生成处理。即，将搭载有处理前的晶圆W2的载具C2向反应室111的基座112移载，关闭闸门阀114，待机既定时间后，借助气体供给装置113向反应室111供给氢气，使反应室111为氢气氛围。接着，借助加热灯使反应室111的晶圆W2升温至既定温度，根据需要实施蚀刻、热处理等的前处理后，借助气体供给装置113将原料气体在控制流量及/或供给时间的同时供给。由此，在晶圆W2的表面生成CVD膜。形成CVD膜后，借助气体供给装置113再次反应室111供给氢气，将反应室111置换成氢气氛围后，待机既定时间。

这样工序S6~S9中，借助反应炉11对晶圆W2进行处理的期间，第2机器人141将处理后的晶圆W1收纳于晶圆收纳容器15，并且从晶圆收纳容器15取出下一晶圆W3，准备下一处理。即，工序S7中，关闭装载锁定室13的第2门132也关闭第1门131的状态下，将装载锁定室13的内部置换成非活性气体氛围。然后，打开第1门131，借助第2机器人141，将处理后的晶圆W1从支承于第2架173的载具C1载置于第2叶片143，如工序S8所示地将该处理后的晶圆W1收纳于晶圆收纳容器15。接着，与上述的工序S3同样地，在工序S8中，关闭载锁定室13的第1门131也关闭第2门132的状态下，将装载锁定室13的内部置换成非活性气体氛围。并且，借助第1机器人121，将支承于第2架173的载具C2向第1架172移载。

接着，工序S9中，在关闭装载锁定室13的第2门132也关闭第1门131的状态下，将装载锁定室13的内部置换成非活性气体氛围。然后，借助第2机器人141，将收纳于晶圆收纳容器15的晶圆W3载置于第2叶片143，如工序S9所示，打开第1门131，向在装载锁定室13的第1架172支承的载具C1移载。

工序S10中，与上述的工序S5同样地，关闭装载锁定室13的第1门131也关闭第2门132的状态下，将装载锁定室13的内部置换成非活性气体氛围。然后，打开反应炉11的闸门阀114，将第1机器人121的第1叶片123插入反应室111，载置搭载有处理后的晶圆W2的载具C2，关闭闸门阀114后，打开第2门132，从反应室111向装载锁定室13的第2架173移载。接着，在第1机器人121的第1叶片123载置支承于第1架172的载具C1，将搭载有该处理前的晶圆W3的载具C1如工序S11所示，经由晶圆移载室12向反应炉11的基座112移载。

工序S10中，与上述的工序S7同样地，关闭装载锁定室13的第2门132也关闭第1门131的状态下，将装载锁定室13的内部置换成非活性气体氛围。然后，打开第1门131，借助第2机器人141，将处理后的晶圆W2从支承于第2架173的载具C2向第2叶片143移载，如工序S11所示地将该处理后的晶圆W2收纳于晶圆收纳容器15。以下，重复以上的工序，直至收纳于晶圆收纳容器15的所有处理前的晶圆WF的处理结束。

如上所述，在本实施方式的气相成长装置1，搭载晶圆WF而被向反应室111搬运的载具C的构造或形状具体为，将沿圆周方向的沉孔深度D或兜孔宽度WD设为具有与晶圆WF的圆周方向上的晶体方位对应的关系的构造或形状，并且第2机器人141在将处理前的晶圆WF搭载于载具C时，处理前的晶圆WF的圆周方向上的晶体方位和圆周方向上的构造或形状调节为呈对应的关系方向来搭载，所以能够消除由晶体方位引起的膜厚的周期性的不均。

此外，在本实施方式的气相成长装置1中，借助反应炉11进行处理的期间，将下一处理前的晶圆WF从晶圆收纳容器15取出来准备，或将处理后的晶圆WF收纳于晶圆收纳容器15，由此，能够使仅搬运所花的时间变为极少。该情况下，如本实施方式的架17所示，若将装载锁定室13的载具C的待机数设定成2个以上，则仅搬运所花的时间的缩短自由度进一步变高。并且，若考虑装载锁定室13的专有空间，则与将多个载具C左右排列相比，上下排列成多层的话，气相成长装置1的整体的专有空间变小。但是，将多个载具C上下排列多层时，有在处理前的晶圆WF的上部支承载具C的情况，有尘埃落下至处理前的晶圆WF的可能。然而，本实施方式的气相成长装置1中，处理前的晶圆WF以搭载于装载锁定室13的架17的最上层的架(第1架172)的方式，追加工序S3、S8，将空的载具C2向第1架172移载，由此，处理前的晶圆WF被搭载于最上层的载具C。结果，能够抑制由载具C引起的颗粒附着于晶圆WF，能够提高LPD品质。

附图标记说明

1…气相成长装置

11…反应炉

111…反应室

112…基座

113…气体供给装置

114…闸门阀

115…载具升降销

12…晶圆移载室

121…第1机器人

122…第1机器人控制器

123…第1叶片

13…装载锁定室

131…第1门

132…第2门

14…工厂接口

141…第2机器人

142…第2机器人控制器

143…第2叶片

15…晶圆收纳容器

16…总管控制器

17…架

171…架基部

172…第1架

173…第2架

174…晶圆升降销

C…载具

C11…底面

C12…上表面

C13…外周侧壁面

C14…内周侧壁面

WF…晶圆。