本发明提供一种外延基底用硅晶片之背面膜层及制造方法。所述外延基底用硅晶片之背面膜层包括：双层膜,所述双层膜包括直接覆盖在硅晶片背面上的第一层,以及第一层上覆盖的第二层；所述外延基底用硅晶片之背面膜层的制造方法包括：步骤1,待处理硅晶片正面(抛光面)向上、背面向下置于炉内晶舟中,采用低压化学气相沉积法分两步生长第一层膜；步骤2,翻转步骤1后的硅晶片,正面(抛光面)向下、背面朝上置于炉内托盘上,采用低温高速化学气相沉积法继续在第一层上生长第二层膜。本发明的优势在于：提高了背面双层膜的膜厚均匀性,解决了因硅晶片背面膜厚不均匀、晶舟印、颗粒等问题导致的抛光不良。

本发明公开一种碳化硅晶体的制备方法、碳化硅晶片、碳化硅衬底及半导体器件,所述碳化硅晶体的制备方法包括以下步骤：将甲基三氯硅烷和氢气在第一反应腔内进行还原分解反应,生成四氢化硅和乙烷；将所述四氢化硅和乙烷在第二反应腔内进行反应,生成碳化硅单晶；使所述碳化硅单晶在籽晶处形核、长大,结晶形成碳化硅单晶并生长成为碳化硅晶体。本发明以甲基三氯硅烷为原料,采用HTCVD方法生长制备碳化硅,显著降低了碳化硅制备过程中的反应温度,避免了碳源挥发造成碳化硅质量下降的问题,提高了制备所得的碳化硅晶体的质量。

本发明的一种拼接生长金刚石单晶的方法属于金刚石单晶制备技术领域。以金刚石单晶作为籽晶,将2～25片籽晶拼接在一起得到金刚石单晶衬底,在拼接缝处通过磁控溅射或者真空镀膜溅射一层铱膜；利用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)设备在溅射铱膜的金刚石单晶衬底的表面外延生长完整的金刚石单晶外延层,得到金刚石单晶材料,生长面为(100)晶面。本发明提出了一种拼接生长金刚石单晶的新方法,得到高质量的大面积金刚石单晶片。

本申请公开了一种表面颗粒物少的晶片及其处理方法,属于半导体材料制备技术领域。该晶片的厚度不低于100μm,所述晶片具有第一表层、中间层和第二表层；所述第一表层和/或第二表层中,粒径＞10μm的碳包裹体数量＜1个,粒径在5μm-10μm的碳包裹体数量＜5个,粒径在1μm-5μm的碳包裹体数量＜10个,粒径0.5μm-1μm的碳包裹体数量＜20个,粒径在0.1μm-0.5μm的碳包裹体数量＜50个；所述第一表层和第二表层中的碳包裹体数量小于所述中间层中的碳包裹体的数量,所述第一表层和第二表层的厚度为5-20μm。将该晶片制备碳化硅晶体时,能够减少长晶过程中微管、多型、位错、空洞等缺陷的产生。

本发明公开了一种阻碍半极性面氮化镓生长并制备自剥离氮化镓晶体的方法,包括以下步骤：制备具有倒六棱锥结构、暴露出半极性面的GaN晶体；可还原的金属盐溶液或金属盐熔液在GaN非极性面电解还原得到对应金属；以及在GaN晶体生长过程中,电沉积金属阻碍非极性面GaN生长,产生空隙进而在降温过程中由于应力作用得到自剥离GaN晶体。通过在半极性面沉积金属的方法,仅在样品半极性面形成了阻碍结构,借助空位辅助分离原理,制备的处理衬底在后期生长GaN体单晶过程中,有助于缓解晶体中的应力和实现晶体的自剥离。

单晶CVD金刚石材料,包含至少5ppm的总氮浓度和至少0.7的中性单一替位氮N-s～0与总单一替位氮N-s之比。尽管氮的浓度相对高,但观察到这样的金刚石具有相对少量的棕色着色。还公开了制造单晶金刚石的方法,该方法包括在工艺气体中生长CVD金刚石,所述工艺气体除含碳气体和氢之外还包含60至200ppm氮,其中含碳气体中的碳原子与氢气中的氢原子之比为0.5至1.5％。