背景技术

金刚石被誉为“终极半导体”材料，具备多种优异的性能，比如大的禁带宽度、大的空穴和电子迁移率、有效的抗辐射能力等等，这些优异性能使得金刚石材料在很多应用领域潜力巨大。金刚石单晶由于具有无晶界、缺陷少等优点,成为了制备大功率电力电子器件、微波窗口、半导体器件、微波功率器件、强辐射探测器、量子通讯及光电子器件的绝佳材料。而这些应用的前提是生长出符合要求的高质量大面积金刚石单晶材料。随着半导体器件、微电子学、核能、航空航天、国防军工等领域的发展，大面积的金刚石单晶需求越来越迫切，天然金刚石远不能满足人们的需求，所以希望通过人工合成的方法来制备高质量大面积的金刚石单晶。

目前，有两种主要的合成金刚石晶体的方法：高压高温(HPHT)和化学气相沉积(CVD)。对于HPHT方法，很难生长大面积的金刚石单晶，其晶体尺寸通常小于10×10mm²，不能满足各领域对金刚石尺寸的需求；而CVD方法是生产大面积金刚石单晶的可行方法。目前，大部分是用微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD)生长大面积金刚石单晶。

为了得到大面积的金刚石单晶，一般使用异质外延和拼接生长技术。金属铱由于其具有和金刚石相同的晶体结构、极为相近的晶格常数等特性，使其成为异质外延金刚石不可替代的过渡层材料。异质外延过程中，一般在氧化物衬底表面溅射金属铱纳米膜进行外延生长，这种方法制备的金刚石单晶面积大。但是，由于是异质外延，必然存在金刚石重新成核的情况，会在生长过程中产生大量的缺陷，并且该方法生长金刚石单晶由于氧化物与金刚石的热膨胀系数差别大，造成附着力差的问题，在改变条件或者停止生长时，由于内应力大，不能完全消除，导致金刚石单晶出现有裂纹或脱落，无法满足目前的应用需求。拼接生长技术是将两片或多片金刚石单晶拼接在一起，然后使用微波等离子化学气相沉积技术对这两片或多片金刚石单晶外延生长，最终使得这两片或多片金刚石单晶拼接成一体，并且可以继续生长成完整的大面积金刚石单晶材料。但是，该方法的缺点是两片或多片金刚石单晶在生长过程中，拼接缝处由于晶向、缺陷等因素在生长过程中晶格不能完全生长在一起，成为一个完整的金刚石单晶材料，而是挤在一起的，生长抛光之后，表面看不出任何拼接痕迹，但是在重新生长的时候在拼接缝处会出现台阶或者缺陷。近年来，日本科学家通过在同一片金刚石单晶上，经过离子注入-生长金刚石单晶-剥离金刚石单晶的方法，得到多片晶向几乎一致的多片金刚石单晶，然后用拼接的方法生长出大面积金刚石单晶，虽然拼接缝处的问题有所好转，然而，在接缝处的生长缺陷会不可避免地延伸至生长的金刚石单晶内部，影响最终生长的金刚石单晶质量。

目前金刚石单晶的同质外延生长已经成熟，要用拼接法得到大面积的金刚石单晶片，主要是需要解决拼接缝处金刚石单晶晶格的生长问题，通过异质外延的生长技术，我们可以借鉴过渡层的方法，在拼接的金刚石单晶表面溅射一层铱膜，但是由于整个表面都是铱，在生长过程中会出现大量的缺陷，导致金刚石单晶的质量大幅下降。

因此需要一种新的拼接缝处理方法，使得两片或多片金刚石单晶拼接更好、缺陷更少，最后生长为完整的高质量大面积金刚石单晶片。