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同气态扩散材料接触的
一种氮化硅陶瓷制备方法
本发明涉及一种氮化硅陶瓷制备方法,包括:S1)多晶硅铸锭:硅粉形核法定向凝固多晶硅铸锭,将80wt%-95wt%高纯硅粉、1-10wt%含镁粉末、1-10%稀土元素粉末混匀后装入底部喷涂有石英砂成核层的石英坩埚内,并装入铸锭炉膛内,铸锭后控制降温速率,形成晶粒大小为0.5μm-100μm的超细微晶多晶硅锭;S2)多晶硅片制备:将硅锭切割制成厚度为0.1mm-1mm的多晶硅片;S3)硅片氮化:将多晶硅片堆叠在烧结炉中,硅片间使用带有BN涂层的石墨板隔开,抽真空后,氮气气氛下在氮化温度为1350℃-1400℃、升温速率为20-100℃/h、保温时间为1h-12h的条件下进行氮化,并随炉冷降温;S4)硅片坯体烧结:经氮化烧结的硅片坯体连同治具放置在烧结炉中,采用氮气气氛,在烧结温度1700-1900℃、氮气压力0.5MPa-20MPa条件下进行烧结。
2021-10-01
访问量:50
一种利用全回料生长磷化铟单晶的工艺
本发明公开了一种利用全回料生长磷化铟单晶的工艺,涉及晶体生长技术领域。本发明的一种利用全回料生长磷化铟单晶的工艺,所述工艺是将回料进行筛分、加工分段得到圆饼料、锥形料和边角料,然后根据原料种类选择相应的装料的方式进行装料,装料完成后,真空封管,进行长晶。本发明的一种利用全回料生长磷化铟单晶的工艺,在后续单晶生长工艺不变的情况下,使用全回料长晶,和现有的长晶工艺相比,成晶率有一定提升,同时减少了回料库存,大大的降低了生产成本。
2021-09-24
访问量:49
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技术分类
电解法
盐溶剂,例如助熔剂生长
金属溶剂
使用其他溶剂的
使用晶体组成之一种组分作溶剂的
熔融溶液冷却法
熔融态溶剂的蒸发法
使用熔融态溶剂之熔体的单晶生长
由溶液中的化学反应生成的结晶化材料
电解法
加压法,例如水热法
溶液冷却法
用非水溶剂的
用水溶剂的
溶剂蒸发法
常温液态溶剂之溶液,例如水溶液的单晶生长;用正常凝固法或温度梯度凝固法的入C30B11/00;在保护流体下的入C30B27/00)
添加掺杂材料的
凝胶的单晶生长
未包括在其他分类位置中的专门适用于单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的生长、制备或后处理的装置
在气体气氛或等离子体内
在溶液或熔体内
侵蚀
晶体的接合
用电场或磁场或粒子辐射
热处理
单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的后处理
离子注入法
电磁波辐照或粒子辐射法掺杂
控制或调节
气体供给或排出的装置;气流的变换
衬底夹持器或基座
反应室的加热
反应室;其所用材料的选择
扩散材料为被扩散元素之化合物的
同气态扩散材料接触的
同液态扩散材料接触的
同固态扩散材料接触的
单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之扩散或掺杂工艺;其所用装置
在微重力或零重力条件下的
用机械振荡的
拨打电话
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