本申请公开了一种高纯锗探测器,包括：探测器本体；探测器壳体,探测器壳体设置在探测器本体的外侧,且与探测器本体间隔开,以形成第一真空腔；制冷组件,制冷组件包括内壳和设置在内壳外侧的外壳,内壳和外壳间隔开以形成第二真空腔,内壳限定出容纳液氮的容纳腔,外壳与探测器壳体固定连接,其中第一真空腔与第二真空腔通过封堵组件间隔。本申请的高纯锗探测器,将制冷组件与高纯锗探测器集成于一体,通过封堵组件将探测器本体的第一真空腔和制冷组件的第二真空腔分隔开,形成两个独立的真空腔室,既可以避免制冷组件内部材料释放的物质污染探测器本体内的核心部件,又可以对两个独立的真空腔室进行单独维护。

本发明提供一种放射性气溶胶自动走纸取样和测量装置,包括：取样测量容器；安装于取样测量容器内的探测器容器；安装于所述探测器容器内的反符合放射性探测器、前置放大器；安装于取样测量容器内以及探测器容器外的锥形导流容器；安装于探测器容器顶部上方以及进气口下方的气流分散套,具有上小下大的圆盘状结构,该气流分散套的下边缘与锥形导流容器的上边缘在水平方向保持1～4mm的间隙；以及安装于探测器容器下方的自动走纸取样装置,其上配制有穿过滤纸支撑台与反符合放射性探测器下端面之间狭缝的滤纸。根据本发明提供的装置,具有结构简单、体积小、可减少气溶胶取样过程中粒子损失并确保粒子沉积均匀、避免断纸、卡纸及滤纸浪费的优点。

本文公开了一种方法,其包括：当辐射源(105)位于相对于图像传感器(100)的第一位置(910,930)时,利用来自人体外部的所述辐射源(105)的第一辐射束,使用在所述人体内部的图像传感器(100)来捕获所述人体的一部分(1602)的第一图像；当所述辐射源(105)位于相对于所述图像传感器(100)的第二位置(920,940)时,利用来自所述辐射源(105)的第二辐射束,使用所述图像传感器(100)从所述人体外部获取所述人体的所述部分(1602)的第二图像；其中,所述第一位置(910,930)与所述第二位置(920,940)不同,或者所述第一辐射束与所述第二辐射束不同；基于所述第一图像和所述第二图像确定所述部分(1602)的三维结构。

本发明公开了一种基于阵列碲锌镉探测器的层析γ扫描装置及方法,层析γ扫描装置包括用于放置废物桶的废物桶旋转平台；废物桶旋转平台的两侧均设置有支撑架,每个支撑架上对应设置有升降机构,每个升降机构上对应设置有升降台,其中一个升降台上布置有多个第二准直器,每个第二准直器内对应设置有碲锌镉探测器,多个碲锌镉探测器的探测射线均穿过废物桶,多束射线均匀布置在废物桶的轴向半侧,另一个升降台上滑动设置有第一准直器,第一准直器能够在升降台上水平滑动,所述第一准直器内设置有透射源,所述透射源的γ射线与碲锌镉探测器的探测射线位于同一水平面。本发明解决了现有层析γ扫描装置体积大、需要附属制冷设备、检测效果低的问题。

本发明公开了SGS效率刻度函数模型及构建方法、刻度方法、应用,本发明首先通过MCNP计算不同线衰减系数和γ能量条件下的断层效率值；然后,通过多元非线性回归方法确定效率刻度函数及参数；再次,通过SGS透射测量放射性废物桶样品,获取断层介质的γ射线衰减系数；最后,将桶内出射γ射线衰减系数、出射γ射线能量和函数参数代入体源效率函数模型,计算得到介质不同断层的效率矩阵,实现断层的效率刻度。该方法准确快捷的实现了放射性废物桶SGS系统的效率刻度,不受SGS系统差异的影响,不受实验源和其他软件的局限,具有较强的通用性。

本文公开了一种用于检测辐射的装置及其制备方法。该方法包括在半导体衬底(102)中形成凹部(104),其中所述半导体衬底(102)的一部分(107)延伸到所述凹部(104)中并且被所述凹部(104)包围；将半导体纳米晶体(106)沉积到所述凹部(104)中,所述半导体纳米晶体(106)具有与所述半导体衬底(102)不同的组成；在所述半导体衬底(102)中形成第一掺杂半导体区(108)；在所述半导体衬底(102)中形成第二掺杂半导体区(109)；其中所述第一掺杂半导体区(108)和所述第二掺杂半导体区(109)形成将所述部分(107)与所述半导体衬底(102)的其余部分分开的p-n结。

一种半导体X射线检测器(100),其包括：X射线吸收层(110),其包括电极、电子器件层(120)和密封所述X射线吸收层(110)与所述电子器件层(120)之间的电连接(131)之间的空间的壁(130)。所述电子器件层(120)包括：第一电压比较器和第二电压比较器(301,302),其被配置为将电极的电压分别与第一阈值和第二阈值(V1,V2)进行比较；计数器(320),其被配置为记录所述X射线吸收层(110)所吸收的X射线光子的数目；控制器(310),其被配置为：从所述电压的绝对值等于或超过所述第一阈值(V1)的绝对值的时间开始时间延迟(TD1,TD2)；在所述时间延迟(TD1,TD2)期间启动所述第二电压比较器(302)；如果在所述时间延迟(TD1,TD2)期间所述电压的绝对值等于或超过所述第二阈值(V2)的绝对值,则使所述计数器(320)记录的所述数目增加一。

本发明提供一种放射线检测器,具备基板和形成于其表面的半导体元件,维持受到载重、冲击时的基板的不易破损性并且实现轻量化。放射线检测器(100)具备：放射线检测部(3),具备具有可挠性的基板(312a)和形成于基板(312a)的摄像面(312g)的半导体元件(312b)；支撑部件(4),由发泡体形成,支撑放射线检测部(3)；以及框体(110),具备与摄像面(312g)对置的前面部(11)及隔着放射线检测部(3)而与前面部(11)对置的背面部(21),收容放射线检测部(3),支撑部件(4)设置于放射线检测部(3)与背面部(21)之间。

本发明涉及一种PMOS剂量计零温度系数测量及抑制方法,该方法首先将辐射剂量传感器放置于高低温环境试验箱内,开展4个不同温度环境下的应力试验,利用半导体参数测试系统对辐射剂量传感器的输出转移特性曲线Ids-Vgs进行在线测试,获得Ids-Vgs曲线簇,并提取出辐射剂量传感器的零温度系数电流值I-(ztc)。再利用电子电路基本原理建立恒流源电路模块为辐射剂量传感器提供恒流I-(ztc),使得PMOS剂量计温度效应受到抑制,从而保证PMOS剂量计辐射剂量的测量精度。该方法可提高用于探测空间电子元器件被辐照后经电离过程中产生的吸收剂量设备PMOS剂量计的测量精度,为航天器的设计、电子元器件及电子设备可靠性应用提供重要数据支撑,实用性强。

静电收集法测量Po-216迁移率和中和率的装置及方法,测量装置包括测量箱、氡-220室、泵及高压模块。测量箱为一个矩形的箱体,在箱体两个对应的侧壁上分别设有第一接头及第二接头,箱体的面板及底板均为导电金属板,在面板上设有圆形半导体探测器。测量箱的第一接头与氡-220室的第一接头连接,测量箱的第二接头与泵的一端连接,泵的另一端与氡-220室的第二接头连接,测量箱的面板与高压模块的负极连接,测量箱的底板与高压模块的正极连接。测量时,打开高压模块,在圆形半导体探测器与底板之间形成圆柱形的均匀静电场,带正电的Po-216被收集到圆形半导体探测器的表面,得到不同电压下对Po-216的收集效率,然后对收集效率进行拟合就能够得到Po-216中和率和迁移率的值。