本发明公开了一种用于磷化铟单晶生长的装置及方法,用于磷化铟单晶生长的装置,包括筒体、承接座、加热器、坩埚托和石英管；筒体侧壁的顶部和底部分别开设有上、下气孔；筒体内侧设有两根竖直、且相对设置的导轨；筒体的顶部和底部分别使用上、下法兰面密封；承接座设在筒体内的下法兰上；加热器为四区的圆柱形电阻加热器；加热器的两侧分别通过连接件滑动连接在两根导轨上；承接座上设有电机,电机驱动加热器沿导轨上下移动；坩埚托安装在承接座上、且从加热器底部伸入加热器内侧,加热器可相对坩埚托上下移动；石英管位于加热器内侧的坩埚托上,石英管的顶部用石英帽密封。本发明降低了单晶的生长温度,显著提高了单晶质量和成晶率。