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坩埚及晶体制造装置
本发明提供一种坩埚及晶体制造装置,其能够提高由晶种引出的熔液的温度分布的均匀化并得到更均匀的组成的晶体。是具有贮存成为晶体的原料的熔液的熔液贮存部(24)、和控制晶体的形状的模具部(34)的坩埚。模具部(34)具有使熔液(30)从熔液贮存部(24)的底面所具备的贮存部流出口(32)通向模具部(34)的端面所具备的模具流出口(38)的模具流路(36),模具流路(36)具有流路截面积小于模具流出口(38)的开口面积的狭窄部(36a1)。
2021-11-02
访问量:56
单晶荧光体及晶体的制造方法
本发明提供一种能够得到比较大的尺寸且更均匀的组成的晶体的晶体的制造方法和利用该制造方法得到的新型单晶荧光体。单晶荧光体具有由YAG或LuAG构成的主成分和包含Ce、Pr、Sm、Eu、Tb、Dy、Tm及Yb中的至少一种元素的副成分。在单晶荧光体的横截面中,副成分均匀分布的均匀浓度区域位于横截面的中央部,相对于横截面的截面积,均匀浓度区域的面积比例为35%以上。
2021-11-02
访问量:38
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技术分类
电解法
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金属溶剂
使用其他溶剂的
使用晶体组成之一种组分作溶剂的
熔融溶液冷却法
熔融态溶剂的蒸发法
使用熔融态溶剂之熔体的单晶生长
由溶液中的化学反应生成的结晶化材料
电解法
加压法,例如水热法
溶液冷却法
用非水溶剂的
用水溶剂的
溶剂蒸发法
常温液态溶剂之溶液,例如水溶液的单晶生长;用正常凝固法或温度梯度凝固法的入C30B11/00;在保护流体下的入C30B27/00)
添加掺杂材料的
凝胶的单晶生长
未包括在其他分类位置中的专门适用于单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的生长、制备或后处理的装置
在气体气氛或等离子体内
在溶液或熔体内
侵蚀
晶体的接合
用电场或磁场或粒子辐射
热处理
单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的后处理
离子注入法
电磁波辐照或粒子辐射法掺杂
控制或调节
气体供给或排出的装置;气流的变换
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