首页
最新技术
特色专题
技术名词
热点聚焦
行业风向
登录
注册
以存储器核心区为特征的
半导体器件及其制造方法
根据实施例,利用多重图案化工艺形成存储器阵列。在实施例中,在多层堆叠件内形成第一沟槽,并且沉积第一导电材料到第一沟槽中。在沉积第一导电材料后,在多层堆叠件内形成第二沟槽,并且将第二导电材料沉积到第二沟槽中。蚀刻第一导电材料和第二导电材料。本申请的实施例提供了半导体器件及其制造方法。
2021-11-02
访问量:104
半导体器件及其制造方法
根据实施例,利用多重图案化工艺形成存储器阵列。在实施例中,在多层堆叠件内形成第一沟槽,并且沉积第一导电材料到第一沟槽中。在沉积第一导电材料后,在多层堆叠件内形成第二沟槽,并且将第二导电材料沉积到第二沟槽中。蚀刻第一导电材料和第二导电材料。本申请的实施例提供了半导体器件及其制造方法。
2021-11-02
访问量:104
半导体器件及其制造方法
提供了一种半导体器件及其制造方法。在实施例中,通过在不同且独立的工艺过程中制造字线的部分来形成存储器阵列,从而允许首先形成的部分在之后的工艺过程中用作结构支撑,否则将对结构造成不期望的损坏。
2021-11-02
访问量:76
半导体器件及其制造方法
提供了一种半导体器件及其制造方法。在实施例中,通过在不同且独立的工艺过程中制造字线的部分来形成存储器阵列,从而允许首先形成的部分在之后的工艺过程中用作结构支撑,否则将对结构造成不期望的损坏。
2021-11-02
访问量:76
铁电随机存取存储器器件及其形成方法
形成铁电随机存取存储器(FeRAM)器件的方法包括:在衬底上方形成层堆叠件,其中,层堆叠件包括第一介电材料和字线(WL)材料的交替层;形成垂直延伸穿过层堆叠件的第一沟槽;填充第一沟槽,其中,填充第一沟槽包括在第一沟槽中形成铁电材料、铁电材料上方的沟道材料和沟道材料上方的第二介电材料;在填充第一沟槽之后,形成垂直延伸穿过层堆叠件的第二沟槽,第二沟槽与第一沟槽交错;以及填充第二沟槽,其中,填充第二沟槽包括在第二沟槽中形成铁电材料、铁电材料上方的沟道材料和沟道材料上方的第二介电材料。本申请的实施例还涉及铁电随机存取存储器(FeRAM)器件。
2021-11-02
访问量:50
铁电随机存取存储器器件及其形成方法
形成铁电随机存取存储器(FeRAM)器件的方法包括:在衬底上方形成层堆叠件,其中,层堆叠件包括第一介电材料和字线(WL)材料的交替层;形成垂直延伸穿过层堆叠件的第一沟槽;填充第一沟槽,其中,填充第一沟槽包括在第一沟槽中形成铁电材料、铁电材料上方的沟道材料和沟道材料上方的第二介电材料;在填充第一沟槽之后,形成垂直延伸穿过层堆叠件的第二沟槽,第二沟槽与第一沟槽交错;以及填充第二沟槽,其中,填充第二沟槽包括在第二沟槽中形成铁电材料、铁电材料上方的沟道材料和沟道材料上方的第二介电材料。本申请的实施例还涉及铁电随机存取存储器(FeRAM)器件。
2021-11-02
访问量:50
存储结构、存储器装置及其制造方法
一种存储器装置包括晶体管结构及存储器弧形壁结构。存储器弧形壁结构嵌置在晶体管结构中。晶体管结构包括介电柱、源极电极及漏极电极、闸极电极层及沟道壁结构。源极电极与漏极电极位于介电柱的相对的侧边上。闸极电极层围绕介电柱、源极电极及漏极电极。沟道壁结构从源极电极延伸到漏极电极且环绕介电柱。沟道壁结构设置在闸极电极层与源极电极之间、闸极电极层与漏极电极之间以及闸极电极层与介电柱之间。存储器弧形壁结构在所述沟道壁结构上延伸并贯穿所述沟道壁结构。
2021-11-02
访问量:40
存储结构、存储器装置及其制造方法
一种存储器装置包括晶体管结构及存储器弧形壁结构。存储器弧形壁结构嵌置在晶体管结构中。晶体管结构包括介电柱、源极电极及漏极电极、闸极电极层及沟道壁结构。源极电极与漏极电极位于介电柱的相对的侧边上。闸极电极层围绕介电柱、源极电极及漏极电极。沟道壁结构从源极电极延伸到漏极电极且环绕介电柱。沟道壁结构设置在闸极电极层与源极电极之间、闸极电极层与漏极电极之间以及闸极电极层与介电柱之间。存储器弧形壁结构在所述沟道壁结构上延伸并贯穿所述沟道壁结构。
2021-11-02
访问量:40
半导体装置
一种半导体装置,包含至少一个选择器装置。每个选择器装置包括自底部至顶部包含底部电极、金属氧化物半导体通道层、以及顶部电极,且位于一基板上方的垂直堆叠;接触底部电极、金属氧化物半导体通道层、以及顶部电极的侧壁的栅极介电层;以及形成于栅极介电层之中,且所具有的顶部表面与顶部电极的顶部表面共平面的栅极电极。上述至少一个选择器装置的每个顶部电极或每个底部电极可接触对应的非易失性存储器元件,以提供单选择器-单电阻器存储器单元。
2021-10-26
访问量:37
半导体器件及其形成方法
公开了用于3D存储器阵列的布线布置及其形成方法。在实施例中,半导体器件包括:存储器阵列,包括接触第一字线和第二字线的栅极介电层;以及氧化物半导体(OS)层,接触源极线和位线,栅极介电层设置在OS层和第一字线以及第二字线的每个之间;互连结构,位于存储器阵列上方,第二字线和互连结构之间的距离小于第一字线和互连结构之间的距离;以及集成电路管芯,接合至与存储器阵列相对的互连结构,集成电路管芯通过电介质至电介质接合和金属至金属接合而接合至互连结构。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
2021-10-22
访问量:47
注册成为会员可查看更多数据。
热门专题
左旋肉碱的制备方法 左旋肉碱生产工艺 左旋肉碱相关技术资料
免烧砖的制造方法及应用 免烧砖相关专利技术
水溶肥制备方法和应用 水溶肥相关技术资料
保温砂浆及其制备方法 保温砂浆相关技术资料
聚羧酸减水剂的配方 聚羧酸减水剂制备方法 聚羧酸减水剂相关技术资料
除湿机的结构设计 新型工业除湿机的制造 除湿机相关技术资料
脱硫剂的制备方法及系统 脱硫剂数字化评价装置及其评价方法
硅基材料的生产工艺 新型硅基负极材料 硅基材料相关生产制备工艺
柔性电池的制备方法 柔性电池的工艺原理 柔性电池相关生产制备技术资料
汽车充电桩的设计原理 新型汽车充电桩 汽车充电桩的生产制造设计工艺
技术分类
专门适用于制造或处理这种器件或其部件的方法或设备
材料选择
器件的零部件
专门适用于光发射的,如有机发光二极管或聚合物发光器件
专门适用于制造或处理这种器件或其部件的方法或设备
材料的选择
器件的零部件
专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
专门用于制造或处理这种器件或其部件的方法和设备
材料的选择
器件的零部件
专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
薄膜或厚膜器件
不包含在H01L27/00至H01L47/00和H01L51/00各组内的并且未包含在任何其他小类的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备
耿氏效应器件
体负阻效应器件,例如耿氏效应器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备
固态行波器件
无电位跃变势垒或表面势垒的,专门适用于整流、放大、振荡或切换的固态器件,例如介电三极管;奥氏效应器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备
用于霍尔效应器件的
专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备
材料的选择
磁场控制的电阻器
霍尔效应器件
霍尔效应器件的
零部件
应用电—磁或者类似磁效应的器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备
专门适用于组装、制造或处理磁致伸缩器件或其部件的方法或设备
有机材料
通过烧结
通过熔融
无机材料
复合材料
形成压电或电致伸缩材料
通过冲压
通过切割或划线
通过抛光或磨削
通过机械加工
通过模制或挤压
通过刻蚀,例如光刻
拨打电话
下载资料
栏目导航
会员登录