本发明涉及一种含钽膜的微纳米结构元件的制备方法,包括以下步骤：S10、提供基底,并在所述基底上形成钽膜；S20、采用微纳米加工方法在所述钽膜上进行光刻胶涂胶、曝光、显影,形成图案化的掩膜；S30、采用干法刻蚀对含有掩膜的基底进行刻蚀,刻蚀条件为,使用气体流量为20sccm～40sccm的O-2作为刻蚀气体,工作气压为10mTorr～50mTorr,刻蚀功率为50W～100W,刻蚀时间为10sec～30sec；S40、采用干法刻蚀以含氟气体作为刻蚀气体对所述钽膜进行刻蚀；以及S50、采用干法刻蚀对步骤S40得到的基底进行刻蚀,刻蚀条件为,使用气体流量为10sccm～50sccm的O-2作为刻蚀气体,工作气压为10mTorr～50mTorr,刻蚀功率为50W～100W,刻蚀时间为10sec～30sec。本发明还涉及由所述制备方法制备得到的含钽膜的微纳米结构元件。

本发明公开了一种超柔性透明半导体薄膜及其制备方法,该方法包括：提供一外延衬底；在外延衬底上生长牺牲层；在牺牲层上层叠生长至少一层Al-(1-n)Ga-nN外延层,其中,0＜n≤1；在Al-(1-)-nGa-nN外延层上生长含有GaN材料的纳米柱阵列；刻蚀牺牲层,以将牺牲层上的外延结构整体剥离；将剥离后的外延结构转移至柔性透明衬底的表面。相对于传统的平面薄膜,本发明不仅可以通过释放应力提高晶体质量,也能通过纳米柱材料自身的特点提高柔性和透明度。另外,外延结构所需的缓冲层和牺牲层的总厚度可以很小,而且外延生长过程中无需额外的催化剂,有利于降低外延成本和工艺难度。本发明实用性强,可为隐形半导体器件和超柔性器件提供技术支持。

本申请提供了一种惯性传感器及其制备方法,解决了现有技术中批量生产的惯性传感器的性能均一性较差和电互联难度高的问题。其中,惯性传感器的制备方法包括：提供第一基板,第一基板包括第一导电层；提供第二基板,第二基板包括第一衬底,第一衬底的材料为单晶材料；将第一导电层和第一衬底结合在一起,形成结合界面；形成可动元件,可动元件包括至少部分第一衬底。