本发明涉及一种片内阵列微流柱散热结构氮化镓功率器件及其制造方法,氮化镓功率器件自上而下依次包括器件功能层、势垒层、缓冲层和衬底层,所述衬底层中设置有阵列微流柱,所述阵列微流柱设置在有源区下面的近结区。本发明将流体散热技术引入芯片内部,实现了近结区的高效散热能力,解决了大功率氮化镓器件有源区热积累；相比传统的氮化镓器件,其功率密度可提升数倍以上,极大提高了器件最大输出功率,并维持较高的可靠性。

本发明公开了一种基于金属辅助化学蚀刻方法的大高宽比探针,该探针由一体化制造的基底、悬臂梁和大高宽比针尖组成。本发明采用光刻、刻蚀等常规微纳加工工艺结合金属辅助的化学湿法刻蚀制作得到。本发明利用金属辅助化学蚀刻技术,对硅进行各向异性的湿法蚀刻,得到大高宽比的针尖,且制备的针尖拥有侧面光滑、横截面形状变化小的优势。本发明基于传统微加工工艺,引进了金属辅助化学蚀刻技术,相对RIE、ICP等深硅刻蚀技术,具备低成本、可控性强等优点。

提供了集成式微流体喷射器芯片和使用方法。集成式微流体喷射器芯片的示例包括以参考溶液进料的第一组微流体喷射器和以样品溶液进料的第二组微流体喷射器。第一组微流体喷射器和第二组微流体喷射器设置在集成式微流体喷射器芯片上,以在传感器上打印位置接近的点的图案。

本发明涉及一种限域介电击穿固态纳米孔器件的制备方法及其产品和应用,属于纳米孔器件制备技术领域。本发明公开了一种限域介电击穿固态纳米孔器件的制备方法,该方法是基于聚焦离子束双面刻蚀沟道减薄薄膜的方法和限域介电击穿固态纳米孔器件制造方法,可以有效的限制电介质击穿法制备纳米孔的位置和数量；同时相比普通薄膜打薄技术对材料的损伤较小以及较高的材料稳定性,可以用于研究各种体材料形成的极薄的纳米孔传感性能；另外也可以了解不同化合物材料叠加在一起制备的超薄稳定纳米孔的传感性能,具有很大的应用发展潜力。

本发明公开了一种胖瘦条纹结构及其制备方法,该制备方法,包括：在金膜样品的金膜上表面覆盖一玻片,将金膜样品放置在移动平台,飞秒激光微加工系统输出的飞秒脉冲激光聚焦到金膜样品,控制移动平台在X-Y-Z轴三个方向移动,进行二维移动线扫描,在金膜上制备微纳周期结构,即“胖瘦条纹”结构。本发明通过控制玻片与金膜的接触夹角可以诱导出不同角度的倾斜分布的胖瘦周期条纹,本发明的加工方法具有方便、快速、人为可控等特点。

本发明涉及一种基于薄膜自卷曲技术的圆波导,属于纳米器件技术领域。以硅片作为衬底,在衬底上沉积钛金属层、铜金属层和金金属层,通过刻蚀锗牺牲层,利用不同金属层间的内在应力作用,触发钛、铜、金金属层自卷曲,从而实现二维到三维的过渡,形成自卷曲的微纳米管。微纳米管的内径为微米级,圆波导工作频率为太赫兹波段。本发明所制成的片上圆波导结构小型化,纳米薄膜的微纳米管结构提供了优越的结构性能,具有较高的导电性能和电荷的传输效率；本发明的制作方法易于操作,成本更低,可批量生产。

本发明公开了一种具有多孔热隔离结构的硅气化芯片,包括：硅衬底和电极板,电极板设置在硅衬底表面,电极板呈环形结构,电极板内侧的硅衬底上设置有环状气化通道结构,环状气化通道结构包括若干个第一条形气化通道单元,电极板一相对侧的硅衬底上设置有弧形气化通道结构,弧形气化通道结构设置在电极板外侧,弧形气化通道结构包括若干个第二条形气化通道单元,硅衬底边缘与弧形气化通道结构之间的硅衬底上设置有阵列排布的若干个热隔断孔。本发明相较于现有技术,采用硅衬底的芯片能均匀、快速、节能地对液体进行电加热气化,多孔隔热结构减少传递到非有效工作区域的热量,提升硅气化芯片的热场均匀性,并且降低功耗。

在本发明的一种开放空间型液体操作装置中,能够有效地分离液体尤其是液滴。本发明的开放空间型液体操作装置具备基板(1、11、21)、配置于所述基板的表面(1b、11b、21b)上的至少三个电极(2、12、13、22、23)、以覆盖所述至少三个电极的方式配置于所述基板的表面上的绝缘膜(3、14、24),其形成有从所述绝缘膜的表面(3b、14b、24b)朝向所述绝缘膜的背面(3a、14a、24a)的方向凹陷的槽(4、15、25),所述槽以跨越所述至少三个电极的方式延伸；利用通过使得针对电极(2、12、13、22、23)施加的电压变化而产生的静电力的变化,在绝缘膜(3、14、24)的表面(3b、14b、24b)上控制液体(L)。

本发明公开了一种双衬底气化芯片,包括：基础衬底和硅衬底,基础衬底上设置有自顶面向内凹陷形成的空腔,待气化液体设置在空腔内,空腔的底面上设置有液态源通道,基础衬底的顶面上设置有接触电极板,硅衬底底部设置有加热电极板,加热电极板通过键合金属层与接触电极板电连接,硅衬底上设置有第一气化通道结构,第一气化通道结构包括阵列排布的若干个第一气化通道单元,第一气化通道单元连通至空腔。本发明还公开了一种双衬底气化芯片的制造方法。本发明相较于现有技术,将陶瓷衬底或玻璃衬底与硅衬底组合形成双衬底结构,气化芯片上气化孔的孔径均匀,将气化芯片的加热区域和外围固定结构进行热隔离,降低热导,提升电加热气化效率。

本文的示例涉及使用微流体反应腔室来扩增和检测核酸。示例性设备包括反应腔室回路,以处理试剂和生物样品,以用于扩增核酸。该设备还包括多个毛细管,以使该试剂和生物样品通过微流体反应腔室。阀控制系统可选择性地控制多个阀中的每一个,以使该试剂和生物样品根据特定时间序列选择性地移动通过微流体反应腔室,以便扩增核酸。在各种示例中,设置在微流体反应腔室中的捕获区域将核酸固定在微流体反应腔室中,以便使用反应腔室回路来扩增。