一种基于TGV技术的单刀多掷RF MEMS开关及晶元级封装方法

本发明涉及一种基于TGV技术的单刀多掷RF MEMS开关,以衬底(1)为基础,应用信号输入端(3)与总信号线(2)之间的电连接,实现信号的输入,再由分别对接于总信号线(2)的各个RF MEMS开关,基于锚点(6),配合驱动电极(9)上电荷积累带动相应悬臂梁(7)的移动,实现各RF MEMS开关所对应分支支路控制信号的输出,实现了单刀多掷控制；整个设计结构具有极低的插入损耗,以及极高的隔离度,并且基于TGV技术,免于打线,封装更简单,尺寸更小,良率更高；相应对此开关还设计了晶元级封装方法,与衬底TGV通孔技术配合使用,获得更高可靠性,并且工艺简单,成本低廉,适用于各种衬底。

2021-11-02

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晶圆级封装方法及晶圆级封装结构

本发明提供了一种晶圆级封装方法及晶圆级封装结构,通过将下层晶圆的第一金属密封圈的内边缘比上层晶圆的第二金属密封圈的内边缘向内延伸1mm以上,来使得上下两层晶圆有足够的工艺窗口来保证第一金属密封圈和第二金属密封圈之间的金属键合,然后对上层晶圆切边时保留要求距离的第二金属密封圈,由此,既能保证键合和切边后的晶圆级封装结构的密封效果,防止水汽、划片液等进入,又解决了后续划片时晶圆级封装结构边缘划不开的问题,且无需增加工艺制程,能够增加有效芯片的可用数量。

2021-11-02

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一种硅麦叠装WB封装工艺

本发明公开了一种硅麦叠装WB封装工艺,工艺步骤包括：(1)在PCB基板上固定ASIC集成芯片；(2)在ASIC集成芯片正面点涂MEMS感应器贴片固定胶,以及在焊接点点位点涂锡膏或导电银胶；(3)在MEMS感应器背面设计相对应的焊接点,把MEMS感应器定位摆放在ASIC集成芯片正面对应位置,然后经过回流焊或烘烤实现ASIC集成芯片与MEMS感应器上的焊接点导通；(4)在PCB基板上涂锡后组装外壳,外壳与PCB基板形成包裹MEMS感应器及ASIC集成芯片的腔体。本发明采用叠片焊接点点对点式设计封装布局,减少产品设计摆件空间,便于产品小型化；封装减少了金线使用,可降低产品作业成本、简化封装工艺流程。

2021-11-02

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压力传感器封装结构

本发明提供一种压力传感器封装结构,其包括：封装体,具有第一表面及第二表面；至少一压力传感器芯片,设置在所述封装体内,所述压力传感器芯片的一表面具有压力敏感区及芯片电极,所述压力敏感区及所述芯片电极暴露于所述封装体的第一表面；外接电极,设置在所述封装体的第二表面；电连接结构,包括重布线层及导电连接件,所述重布线层设置在所述封装体的第一表面,并与所述芯片电极电连接,以将所述芯片电极进行电学重新分布,所述导电连接件贯穿所述封装体,并将所述外部电极与所述重布线层电连接。本发明优点是,所述芯片电极经重布线层进行电学重新分布后通过导电连接件与外部电极连接,提高压力传感器封装结构的可靠性。

2021-11-02

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压力传感器封装结构及电子设备

本发明提供一种压力传感器封装结构及电子设备,所述压力传感器封装结构包括基板；柔性外壳,与所述基板围成密封腔体；压力传感器,设置在所述腔体内,所述压力传感器具有第一端及第二端,所述第一端朝向所述基板设置,且设置有外接电极,所述外接电极与所述基板电连接,所述第二端朝向所述柔性外壳的内侧上表面,所述第二端设置有压力敏感部及电连接部,在受到外界压力时,所述柔性外壳将力传递至所述压力敏感部,所述电连接部通过导电结构与所述外接电极电连接。本发明的优点在于,大大提高了压力传感器封装结构的可靠性,且扩大了压力传感器封装结构的使用范围。

2021-11-02

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一种MEMS器件的盲孔结构

本发明公开了一种MEMS器件的盲孔结构,属于微机电系统技术领域,包括器件本体,其由衬底、器件层和盖板自下而上堆叠形成,所述器件本体内开设有多个盲孔,多个所述盲孔分布在所述器件层与所述衬底的交汇处,多个所述盲孔分布在所述器件层与所述盖板的交汇处；XY轴止挡,其穿过所述器件层上的XY止挡通孔,所述XY轴止挡的两端分别抵住所述盖板和所述衬底；本发明通过在器件层的上表面和下表面上制作盲孔,改善了接触界面的阻尼情况,以得到更大的频率响应和输出信号,输出灵敏度高,并保持器件层的整体刚度,提升了器件整体动态性能,延长了器件工作寿命；通过在衬底和盖板上制作盲孔,改善了挤压界面的阻尼,使器件具有10倍量程抗过载能力。

2021-10-29

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微机电系统封装结构

本发明提供了一种微机电系统封装结构,属于芯片封装技术领域,包括封装部、驱动部、密封盖板、密封部以及支撑部,所述封装部用于将芯片以及微机电元件封装于内,所述密封盖板朝向所述封装部内部的一侧设置有第一延伸通道,所述支撑部设置在所述封装部内部,并沿所述芯片环形分布,所述支撑部内部设置有储气腔以及第二延伸通道,所述储气腔内部设置有压送组件,所述密封部一端延伸至所述第二延伸通道内部并与所述压送组件相连,密封部内部设置有第一气道,所述第一气道一端设置有第一柔性密封件。本发明实施例相较于现有技术,可极大程度的提高封装操作的便捷性,在每次封装操作过程中,无需进行点胶处理,并且具有密封效果好的优点。

2021-10-29

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封装结构及电子设备

本发明涉及一种封装结构及电子设备,该封装结构包括：基板,基板具有相背离的第一表面和第二表面,第一表面和第二表面上均至少设置有一个功能器件；封装层,封装层包括设置在第一表面的第一封装层以及设置在第二表面的第二封装层,位于第一表面上的功能器件封装在第一封装层内,位于第二表面上的功能器件封装于第二封装层内。本发明的一个技术效果在于,通过将需要集成的功能器件设置在基板的两个相背离表面上,并通过封装层封装,这样能够增加基板上功能器件的封装数量,以在基板有限的面积上集成更多功能器件,提高了集成度,同样数量的功能器件需要的基板更小,使封装结构占用的空间更小。

2021-10-26

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封装方法及相关的封装结构

本发明的实施例提供封装方法及相关的封装结构。所述方法包括提供第一半导体衬底；在所述第一半导体衬底上形成接合区,其中所述第一半导体衬底的所述接合区包括第一接合金属层与第二接合金属层；提供具有接合区的第二半导体衬底,其中所述第二半导体衬底的所述接合区包括第三接合金属层；以及通过使所述第一半导体衬底的所述接合区接触所述第二半导体衬底的所述接合区,将所述第一半导体衬底接合到所述第二半导体衬底；其中所述第一与第三接合金属层包括铜(Cu),且所述第二接合金属层包括锡(Sn)。

2021-10-26

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一种MEMS压力传感器的封装结构

本发明涉及一种MEMS压力传感器的封装结构,包括基座、MEMS压力传感器芯片、PCB板、ASIC芯片和盖板,并在MEMS压力传感器芯片上增加一块转接板,将MEMS压力传感器芯片上的双排或多排引线转换成单排引线,这样在与ASIC芯片连接时可以降低工艺难度,提升加工质量和效率,而且通过在MEMS压力传感器芯片上增加一个转接板,将一次打线分为两次打线,减少了金属引线的垂直高度,既降低了产品的工艺难度,又提高了产品的可靠性,而且,转接板上可以制作温度传感器,为校准压力传感器器件性能提供温度基准。

2021-10-22

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