提供一种组合物,是用于形成不溶于抗蚀剂溶剂、光学常数良好、蚀刻速率高的抗蚀剂下层膜的组合物,其对高低差基板的埋入性和平坦化性优异。包含(A)下述式(I)所示的交联性化合物、和(D)溶剂的抗蚀剂下层膜形成用组合物。[在式(I)中,m为1～30的整数,T为单键、饱和烃基、芳香族基、或不饱和环状烃基,G～(1)、G～(2)、G～(3)、G～(4)、G～(5)和G～(6)各自独立地为(i)或(ii),n各自独立地为1～8的整数,n个R各自独立地为氢原子、脂肪族烃基、或脂环式烃基,A各自独立地为可以被亚烷基中断的芳基,Z～(1)、Z～(2)、Z～(3)、Z～(4)、Z～(5)、Z～(6)各自独立地表示烷基、芳基、羟基、环氧基或氢原子。]
