本发明涉及组合物,其包含：组分a)、b)和d)；其中,组分a)是具有结构(I)的金属化合物,组分b)是旋涂高碳聚合物,其具有包含单环芳烃、稠环环烃部分或它们的混合的聚合物主链,具有约81wt％至约94wt％的碳的wt％,在旋涂溶剂中可溶解至至少约5wt％,并且其中存在于所述旋涂高碳聚合物中的所述单环芳烃部分或所述稠环环烃部分中的至少一个被至少一个结构(VIII)的炔氧基部分所官能化,并且组分d)是旋涂溶剂。本发明进一步涉及在制造电子器件的方法中使用这样的组合物,所述方法通过在半导体基底上形成包含金属氧化物的高K材料的图案化膜,或通过形成覆盖在半导体基底上的包含金属氧化物的图案化层,所述组合物可以用于用氟等离子体选择性地蚀刻半导体基底。