阅读说明：本技术 一种使用双联工艺将ta10残料制备成铸锭的方法 (Method for preparing TA10 residual material into cast ingot by using duplex process ) 是由 贠鹏飞 廖强 母果路 弋可 张哲� 李维 张智 刘华 李辉 于 2020-08-04 设计创作，主要内容包括：本发明公开了一种使用双联工艺将TA10残料制备成铸锭的方法,该方法包括以下步骤：一、将TA10残料在电子束冷床炉内进行布料,然后进行电子束冷床熔炼,得到电子束冷床熔炼铸锭；二、将电子束冷床熔炼铸锭进行两次真空自耗电极电弧熔炼,得到TA10铸锭。本发明将TA10残料通过电子束冷床熔炼和真空自耗电极电弧熔炼的双联工艺制备出TA10铸锭,通过布料和控制双联工艺的工艺参数,保证了TA10铸锭中各元素分布均匀,提高了TA10残料的利用率,降低了TA10铸锭的生产成本,提高了生产效率,本发明的TA10铸锭符合国标要求,在后续加工过程不存在开裂,表面起皮等现象。(The invention discloses a method for preparing TA10 residual material into cast ingots by using a duplex process, which comprises the following steps: distributing the TA10 residual material in an electron beam cold bed furnace, and then carrying out electron beam cold bed smelting to obtain an electron beam cold bed smelting ingot; and secondly, carrying out vacuum consumable electrode arc melting twice on the electron beam cold bed melted ingot to obtain a TA10 ingot. According to the invention, TA10 cast ingots are prepared by a duplex process of electron beam cold bed smelting and vacuum consumable electrode arc smelting, and by material distribution and control of process parameters of the duplex process, uniform distribution of elements in TA10 cast ingots is ensured, the utilization rate of TA10 residual materials is improved, the production cost of TA10 cast ingots is reduced, and the production efficiency is improved.)

一种使用双联工艺将TA10残料制备成铸锭的方法

技术领域

本发明属于钛合金技术领域，具体涉及一种使用双联工艺将TA10残料制备成铸锭的方法。

背景技术

TA10(Ti-0.3Mo-0.8Ni)合金是为了改善纯钛的缝隙腐蚀性能而研制的一种低合金化Ti-Mo-Ni系近α合金，美国的相近牌号为Gr.12。该合金中含有质量分数为0.3％的Mo和质量分数为0.8％的Ni，不仅强化了合金，而且对高温、低PH值氯化物或弱还原性酸具有良好的抗缝隙腐蚀性能，其耐蚀性显著优于纯钛而接近TA9合金。TA10合金具有良好的工艺塑性和焊接性能，在化工行业已经得到了广泛的应用。该合金可在退火状态下使用，其主要产品有板材、棒材、管材、锻件和丝材。

由于钛的加工特点，生产工艺复杂、加工流程长、成品率低致使加工过程产生了大量钛及钛合金块状和屑状残废料。这一直是困扰着钛工业发展的一个重大问题。世界各国投入了大量的人力、物力研究钛及钛合金残废料的回收处理技术，并取得了一系列的成果，部分钛废料经过回收处理后再利用，达到了节约资源，降低成本的目的。

常规的TA10残料熔炼方法有两种：第一种方法是将TA10残料焊接成电极，进行真空自耗电极电弧熔炼，主要存在以下问题：①该方法需要讲钛残料经过焊接制成特定形状的自耗电极，回收方式工序繁杂，生产效率低；②焊接大多采用钨极氩弧焊或钨极等离子焊进行，焊接过程中存在高密度杂质进入的风险，焊点有钨夹杂的风险；③要经过焊接电极方能进行熔炼，再加上真空自耗电极电弧熔炼本身的特点，产品中无法完全排除高密度夹杂和低密度夹杂的存在，后续产品质量无法保证；④电极焊接而成，熔炼时有开裂的风险，增加电极与坩埚起弧的风险，存在重大的安全隐患；⑤回收后铸锭需要经过后期锻造制成相应的管、板、棒坯，使整个回收流程增加，达不到提高效率与降低成本的目的；第二种方法是采用电子束冷床熔炼，电子束冷床熔炼不需要焊接电极，回收除杂能力强，在减少高密度夹杂和低密度夹杂能力上远远超过真空自耗熔炼技术，但主要存在以下问题：①电子束冷床熔炼起枪制底需要一段时间，造成头尾部分成分与正常熔炼阶段有差异；②电子束冷床熔炼温度高，不利于含低熔点元素的钛合金残料回收；③电子束冷床熔炼过程中搅拌程度较弱，无稳弧搅拌，生产出的钛合金铸锭成分均匀性得不到保障，容易造成偏析；④电子束冷床熔炼直接将TA10残料熔炼的铸锭轧制到成品时起皮和裂纹严重；⑤国内主要使用电子束冷床熔炼回收纯钛残料，回收钛合金残料尚处于试验阶段。因此常规的方法已不适用于屑料回收制备钛合金铸锭。

西北有色金属研究院公开了一种钛及钛合金屑状废料的电子束冷床熔炼回收方法，在500KW功率电子束冷床炉上将15kg纯钛屑料熔出一个Φ215mm的小圆柱锭试样，纯屑料经压制电极、焊接成电极后经两枪电子束炉直接熔化流入结晶器冷凝。但在实际生产中采用一次电子束冷床熔炼制备TA10铸锭，板材轧制到成品时，会出现大面积起皮问题。因此需要一种将TA10残料制备成加工性能稳定的铸锭的方法。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于针对上述现有技术的不足，提供一种使用双联工艺将TA10残料制备成铸锭的方法。该方法通过电子束冷床熔炼和真空自耗电极电弧熔炼的双联工艺将TA10残料制备成TA10铸锭，通过控制双联工艺的工艺参数和控制在电子束冷床炉内布料的方式，保证了TA10铸锭中各元素分布均匀，提高了TA10残料的利用率，降低了TA10铸锭的生产成本。

为解决上述技术问题，本发明提供的技术方案为：一种使用双联工艺将TA10残料制备成铸锭的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

步骤一、将TA10残料在电子束冷床炉内进行布料，然后进行电子束冷床熔炼，得到电子束冷床熔炼铸锭；所述电子束冷床熔炼的条件为：电子束冷床炉内的真空度小于9×10^-3Torr，熔速为400kg/h～600kg/h，熔炼时间为8.5h～11.5h，补缩时间为1h～2h，熔炼结束后冷却4h～6h；

步骤二、将步骤一中得到的电子束冷床熔炼铸锭进行两次真空自耗电极电弧熔炼，得到TA10铸锭，所述TA10铸锭为横截面直径720mm～920mm的圆柱铸锭；两次所述真空自耗电极电弧熔炼的过程为：将电子束冷床熔炼铸锭在真空自耗电弧炉内焊接成自耗电极，然后将自耗电极进行第一次真空自耗电极电弧熔炼，得到第一次熔炼铸锭，将第一次熔炼铸锭进行第二次真空自耗电极电弧熔炼，熔炼结束后冷却6h～8h，得到TA10铸锭，所述第一次真空自耗电极电弧熔炼中熔炼电流为19kA～27kA，所述第一次熔炼铸锭为横截面直径640mm～820mm的圆柱形，所述第二次真空自耗电极电弧熔炼中熔速为18kg/min～25kg/min，补缩时间为2h～3h。

本发明通过电子束冷床熔炼和真空自耗电极电弧熔炼的双联工艺将TA10残料制备成TA10铸锭，通过电子束冷床熔炼，先用沉降的方法去除钛残料中的高密度夹杂和低密度夹杂，具有回收除杂能力强的优点，无需将TA10残料焊接成电极，提高了生产效率，通过真空自耗电极电弧熔炼，弥补了电子束冷床熔炼搅拌过程的不足，保证了TA10铸锭的成分均匀，使TA10铸锭符合国标要求，将TA10铸锭进行后续加工时不存在开裂，表面起皮等现象；本发明采用TA10残料进行生产，无需添加其他物质，大幅提高了TA10残料的利用率，降低了TA10铸锭的生产成本；本发明制备的TA10铸锭具有较大的横截面直径，增强了TA10铸锭的应用范围；本发明通过布料，保证了TA10残料在电子束冷床熔炼过程中能够均匀混合，从而保证了TA10铸锭的均匀性；通过将电子束冷床熔炼铸锭在真空自耗电弧炉内焊接成自耗电极，无需使用焊枪，避免了熔炼时开裂和自耗电极与坩埚起弧的风险。

本发明通过控制电子束冷床熔炼的真空度，保证了在低真空条件下金属中杂质的分解与挥发，通过控制熔速，达到冷床、结晶器中熔融溶液的连续流动的匹配，避免了熔速过大或者过小导致的生产不连续和铸锭质量下降的不足，通过控制熔炼时间，有效的去除了高密度夹杂和低密度夹杂，通过控制补缩时间，减少了铸锭冒口处的凝固缺陷，提高了成材率，避免了补缩时间过长导致的生产效率降低和影响铸锭成分的不足，避免了补缩时间过短导致的铸锭冒口过深和成材率降低的不足。

本发明通过将电子束冷床熔炼铸锭在真空自耗电弧炉内焊接成自耗电极，无需使用焊枪，避免了高密度夹杂和低密度夹杂现象的发生，通过控制第一次真空自耗电极电弧熔炼的熔炼电流，使除渣除气具有最优效果，保证了TA10铸锭的纯度，提高了生产效率，通过控制第一次熔炼铸锭的尺寸，便于后续加工的顺利进行，提高了生产效率，保证了铸锭不会发生偏析，通过控制第二次真空自耗电极电弧熔炼的熔速，保证整个熔炼过程中熔速基本恒定，有利于TA10铸锭的成分均匀和组织一致性，避免了熔速过高导致的成分和组织一致性差的不足，避免了熔速过小导致的生产效率低和表面质量差的不足；通过控制补缩时间，减少了铸锭冒口处的凝固缺陷，提高了成材率，避免了补缩时间过长导致的生产效率降低和影响铸锭成分的不足，避免了补缩时间过短导致的铸锭冒口过深和成材率降低的不足。

上述的一种使用双联工艺将TA10残料制备成铸锭的方法，其特征在于，将步骤一中所述TA10残料按形态分为冒口残料、棒头残料、管头残料和板条残料，然后将冒口残料、棒头残料、管头残料和板条残料中的每种残料均按氧的质量含量分为高氧残料和低氧残料，所述高氧残料为氧的质量分数为0.08％～0.2％的TA10加工得到的残料，所述低氧残料为氧的质量分数小于0.08％的TA10加工得到的残料。本发明通过将TA10残料进行分类，将不同形态和不同氧含量的TA10残料进行区分，有利于后续布料的进行，保证了各种TA10残料均匀搭配，从而保证了各种TA10残料在电子束冷床熔炼过程中能够均匀混合。

上述的一种使用双联工艺将TA10残料制备成铸锭的方法，其特征在于，步骤一中所述布料的方式为：在电子束冷床炉的下部布设板条残料形成下部料，在电子束冷床炉的上部布设管头残料、棒头残料和冒口残料中的两种残料形成上部料，所述上部料按照高氧和低氧的顺序按层依次交替分布；所述电子束冷床炉内布设的高氧残料与低氧残料的质量比为2:1。本发明通过将TA10残料进行布料，将体积较大的板条残料放在下部，将体积较小的冒口残料、棒头残料和管头残料放在板条残料上，有利于熔炼的顺利进行，使各种TA10残料均匀搭配，保证了各种形态的TA10残料在电子束冷床熔炼过程中能够均匀混合，从而保证了TA10铸锭的均匀性，通过将高氧残料和低氧残料按层交替分布，使不同氧含量的残料均匀混合，保证了TA10铸锭中氧元素分布均匀，通过控制高氧残料与低氧残料的质量比，控制TA10铸锭中的氧含量，保证了TA10铸锭中的氧含量能够复合国家标准。

上述的一种使用双联工艺将TA10残料制备成铸锭的方法，其特征在于，步骤一中所述电子束冷床熔炼铸锭为1350mm长×250mm宽的扁锭、1050mm长×250mm宽的扁锭或横截面直径为620mm的圆柱锭。本发明通过控制电子束冷床熔炼铸锭的尺寸，有利于真空自耗电极电弧熔炼的进行。

上述的一种使用双联工艺将TA10残料制备成铸锭的方法，其特征在于，所述电子束冷床熔炼铸锭为1350mm长×250mm宽的扁锭或1050mm长×250mm宽的扁锭，将扁锭沿着其长度方向切成两等分后在真空自耗电弧炉内焊接成自耗电极。因为后续要进行真空自耗电极电弧熔炼，真空自耗电弧炉的坩埚是圆的，为保证自耗电极能放入坩埚中，需要将扁锭切成两等分后焊接成自耗电极。

上述的一种使用双联工艺将TA10残料制备成铸锭的方法，其特征在于，步骤二中两次所述真空自耗电极电弧熔炼中真空自耗电弧炉内的真空度均小于5Pa，漏气率均小于0.6Pa/min。本发明通过控制真空度和漏气率，保证了设备在运行过程中空气不进入，从而保证了TA10铸锭不额外引入氧和氮，提高了TA10铸锭的质量。

本发明与现有技术相比具有以下优点：

1、本发明通过电子束冷床熔炼和真空自耗电极电弧熔炼的双联工艺将TA10残料制备成TA10铸锭，通过控制双联工艺的工艺参数和控制在电子束冷床炉内布料的方式，保证了TA10铸锭中各元素分布均匀，使其具有表面质量良好，内部高密度夹杂和低密度夹杂少的优点，提高了TA10残料的利用率，降低了TA10铸锭的生产成本，在进行后续加工时不存在开裂，表面起皮等现象，可广泛应用于海洋、化工及医疗领域。

2、本发明无需将TA10残料焊接成电极，直接进行电子束冷床熔炼，降低了产生高密度夹杂和低密度夹杂的风险，保证了TA10铸锭的成分均匀，提高了生产效率；本发明通过控制在电子束冷床炉内布料的方式，保证了TA10残料在电子束冷床熔炼过程中能够均匀混合，从而保证了TA10铸锭中各元素的均匀分布。

3、本发明采用TA10残料进行生产，无需添加其他物质，大幅提高了TA10残料的利用率，降低了TA10铸锭的生产成本，能够直接生产TA10铸锭，减少了后续锻造的加工流程，实现了短流程、低成本的回收。

4、本发明生产成本低、效率高，适合工业化、批量化生产，不但可以减缓原材料的需求压力，降低钛材的生产成本，满足国内外市场需求，而且可填补国内钛合金残料回收技术空白，生产出低成本高品质的钛合金，提高了产品的竞争力。

下面通过实施例对本发明的技术方案作进一步的详细描述。

具体实施方式

实施例1

本实施例包括以下步骤：

步骤一、将TA10残料在电子束冷床炉内进行布料，然后进行电子束冷床熔炼，得到电子束冷床熔炼铸锭；所述电子束冷床熔炼的条件为：电子束冷床炉内的真空度为8×10^{- 3}Torr，熔速为400kg/h，熔炼时间为11.5h，补缩阶段采用逐渐降低6#、7#电子枪功率的方法进行，补缩时间为2h，熔炼结束后冷却6h；所述TA10残料为4330kg高氧残料和2170kg低氧残料，所述高氧残料为3000kg板条残料和1330kg冒口残料，所述低氧残料为1085kg冒口残料和1085kg管头残料；所述布料的方式为：在电子束冷床炉的下部布设板条残料形成下部料，在电子束冷床炉的上部布设冒口残料和管头残料形成上部料，所述上部料按照高氧和低氧的顺序按层依次交替分布；所述电子束冷床炉为3150KWB BMO-01型电子束冷床炉；所述电子束冷床熔炼铸锭为1350mm×250mm×7130mm(长×宽×高)的扁锭；

步骤二、将步骤一中得到的电子束冷床熔炼铸锭进行两次真空自耗电极电弧熔炼，得到TA10铸锭，所述TA10铸锭为920mm×3200mm(横截面直径×高)的圆柱铸锭；两次所述真空自耗电极电弧熔炼的过程为：将电子束冷床熔炼铸锭沿着其长度方向切成两等分后在真空自耗电弧炉内焊接成自耗电极，将自耗电极进行第一次真空自耗电极电弧熔炼，得到第一次熔炼铸锭，将第一次熔炼铸锭进行第二次真空自耗电极电弧熔炼，得到TA10铸锭；所述第一次真空自耗电极电弧熔炼的熔炼电流为27kA，所述第一次熔炼铸锭为横截面直径820mm的圆柱形铸锭；所述第二次真空自耗电极电弧熔炼的熔速为22.5kg/min；所述真空自耗电弧炉为VAR L920P8Ti型真空自耗熔炼炉；两次所述真空自耗电极电弧熔炼的真空度均为4Pa，漏气率均为0.5Pa/min，所述第二次真空自耗电极电弧熔炼的补缩时间为3h，熔炼结束后冷却8h。

经检测，本实施例中制备的TA10铸锭，在进行后续加工时不存在开裂，表面起皮等现象。

实施例2

本实施例包括以下步骤：

步骤一、将TA10残料在电子束冷床炉内进行布料，然后进行电子束冷床熔炼，得到电子束冷床熔炼铸锭；所述电子束冷床熔炼的条件为：电子束冷床炉内的真空度为7×10^{- 3}Torr，熔速为600kg/h，熔炼时间为8.5h，补缩阶段采用逐渐降低6#、7#电子枪功率的方法进行，补缩时间为1h，熔炼结束后冷却4h；所述TA10残料为3000kg高氧残料和1500kg低氧残料，所述高氧残料为2000kg板条残料和1000kg棒头残料，所述低氧残料为750kg棒头残料和750kg管头残料；所述布料的方式为：在电子束冷床炉的下部布设板条残料形成下部料，在电子束冷床炉的上部布设棒头残料和管头残料形成上部料，所述上部料按照高氧和低氧的顺序按层依次交替分布；所述电子束冷床炉为3150KWB BMO-01型电子束冷床炉；所述电子束冷床熔炼铸锭为1050mm×250mm×3800mm(长×宽×高)的扁锭；

步骤二、将步骤一中得到的电子束冷床熔炼铸锭进行两次真空自耗电极电弧熔炼，得到TA10铸锭，所述TA10铸锭为720mm×2460mm(横截面直径×高)的圆柱铸锭；两次所述真空自耗电极电弧熔炼的过程为：将电子束冷床熔炼铸锭沿着其长度方向切成两等分后在真空自耗电弧炉内焊接成自耗电极，将自耗电极进行第一次真空自耗电极电弧熔炼，得到第一次熔炼铸锭，将第一次熔炼铸锭进行第二次真空自耗电极电弧熔炼，得到TA10铸锭；所述第一次真空自耗电极电弧熔炼的熔炼电流为19kA，所述第一次熔炼铸锭为横截面直径640mm的圆柱形铸锭；所述第二次真空自耗电极电弧熔炼的熔速为18kg/min；所述真空自耗电弧炉为VAR L920P8Ti型真空自耗熔炼炉；两次所述真空自耗电极电弧熔炼的真空度均为3Pa，漏气率均为0.4Pa/min，所述第二次真空自耗电极电弧熔炼的补缩时间为2h，熔炼结束后冷却6h。

经检测，本实施例中制备的TA10铸锭，在进行后续加工时不存在开裂，表面起皮等现象。

实施例3

本实施例包括以下步骤：

步骤一、将TA10残料在电子束冷床炉内进行布料，然后进行电子束冷床熔炼，得到电子束冷床熔炼铸锭；所述电子束冷床熔炼的条件为：电子束冷床炉内的真空度为6×10^{- 3}Torr，熔速为500kg/h，熔炼时间为10h，补缩阶段采用逐渐降低6#、7#电子枪功率的方法进行，补缩时间为1.5h，熔炼结束后冷却5h；所述TA10残料为3000kg高氧残料和1500kg低氧残料，所述高氧残料为2000kg板条残料和1000kg冒口残料，所述低氧残料为750kg冒口残料和750kg管头残料；所述布料的方式为：在电子束冷床炉的下部布设板条残料形成下部料，在电子束冷床炉的上部布设冒口残料和管头残料形成上部料，所述上部料按照高氧和低氧的顺序按层依次交替分布；所述电子束冷床炉为3150KWB BMO-01型电子束冷床炉；所述电子束冷床熔炼铸锭为620mm×3000mm(横截面直径×高)的圆柱锭；

步骤二、将步骤一中得到的电子束冷床熔炼铸锭进行两次真空自耗电极电弧熔炼，得到TA10铸锭，所述TA10铸锭为820mm×1900mm(横截面直径×高)的圆柱铸锭；两次所述真空自耗电极电弧熔炼的过程为：将电子束冷床熔炼铸锭在真空自耗电弧炉内焊接成自耗电极，将自耗电极进行第一次真空自耗电极电弧熔炼，得到第一次熔炼铸锭，将第一次熔炼铸锭进行第二次真空自耗电极电弧熔炼，得到TA10铸锭；所述第一次真空自耗电极电弧熔炼的熔炼电流为20kA，所述第一次熔炼铸锭为横截面直径720mm的圆柱形铸锭；所述第二次真空自耗电极电弧熔炼的熔速为25kg/min；所述真空自耗电弧炉为VAR L920 P8Ti型真空自耗熔炼炉；两次所述真空自耗电极电弧熔炼的真空度均为2Pa，漏气率均为0.3Pa/min，所述第二次真空自耗电极电弧熔炼的补缩时间为2.5h，熔炼结束后冷却7h。

经检测，本实施例中制备的TA10铸锭，在进行后续加工时不存在开裂，表面起皮等现象。

实施例4

本实施例包括以下步骤：

步骤一、将TA10残料在电子束冷床炉内进行布料，然后进行电子束冷床熔炼，得到电子束冷床熔炼铸锭；所述电子束冷床熔炼的条件为：电子束冷床炉内的真空度为6×10^{- 3}Torr，熔速为550kg/h，熔炼时间为11h，补缩阶段采用逐渐降低6#、7#电子枪功率的方法进行，补缩时间为1.7h，熔炼结束后冷却5.5h；所述TA10残料为高氧残料4330kg和低氧残料2170kg，所述高氧残料为板条残料3000kg和冒口残料1330kg，所述低氧残料为冒口残料1085kg和棒头残料1085kg；所述布料的方式为：在电子束冷床炉的下部布设板条残料形成下部料，在电子束冷床炉的上部布设冒口残料和棒头残料形成上部料，所述上部料按照高氧和低氧的顺序按层依次交替分布；所述电子束冷床炉为3150KWB BMO-01型电子束冷床炉；所述电子束冷床熔炼铸锭为620mm×4780mm(横截面直径×高)的圆柱锭；

步骤二、将步骤一中得到的电子束冷床熔炼铸锭进行两次真空自耗电极电弧熔炼，得到TA10铸锭，所述TA10铸锭为820mm×2730mm(横截面直径×高)的圆柱铸锭；两次所述真空自耗电极电弧熔炼的过程为：将电子束冷床熔炼铸锭在真空自耗电弧炉内焊接成自耗电极，将自耗电极进行第一次真空自耗电极电弧熔炼，得到第一次熔炼铸锭，将第一次熔炼铸锭进行第二次真空自耗电极电弧熔炼，得到TA10铸锭；所述第一次真空自耗电极电弧熔炼的熔炼电流为20kA，所述第一次熔炼铸锭为横截面直径720mm的圆柱形铸锭；所述第二次真空自耗电极电弧熔炼的熔速为21.5kg/min；所述真空自耗电弧炉为VAR L920 P8Ti型真空自耗熔炼炉；两次所述真空自耗电极电弧熔炼的真空度均为4Pa，漏气率均为0.3Pa/min，所述第二次真空自耗电极电弧熔炼的补缩时间为2.5h，熔炼结束后冷却7h。

经检测，本实施例中制备的TA10铸锭，在进行后续加工时不存在开裂，表面起皮等现象。

将实施例1～实施例4制备的TA10铸锭依次进行扒皮、切底部和切冒口端，然后在其上部、中部和下部进行取样，再将取样后的样品进行化学成分检测，其中，Mo、Ni、Fe、C等元素采用ICP发射光谱仪进行测试，O、N、H等元素采用LECO氧氮测定仪测试，测试结果如表1。所述取样的位置为：上部为位于距TA10铸锭上端面200mm～300mm处的侧面，下部为位于距TA10铸锭下端面200mm～300mm处的侧面，中部为位于距TA10铸锭两端端面距离相等的侧面；所述取样的过程为：用车床在每个取样部位先去除表面5mm～7mm后，采用车削的方式制备试样，取样宽度不超过40mm，深度不超过12mm。

表1

从上表可以看出，本发明实施例1～实施例4制备的TA10铸锭中各元素分布均匀，且不产生元素成分偏析，各元素含量均符合GB/T 3620.1-2007《钛及钛合金牌号和化学成分》及ASTM B265-2013标准中对TA10的规定，并且能够达到要求更为严格的GB/T 3623-2007《钛及钛合金丝》标准中规定的TA10焊丝的化学成分要求。

以上所述，仅是本发明的较佳实施例，并非对本发明作任何限制。凡是根据发明技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、变更以及等效变化，均仍属于本发明技术方案的保护范围内。