阅读说明：本技术 一种用于smd3225低频段谐振器的制造工艺 (Manufacturing process for SMD3225 low-frequency-band resonator ) 是由 王秋贞 于 2020-06-19 设计创作，主要内容包括：本发明公开了一种用于SMD3225低频段谐振器的制造工艺,包括以下步骤：前洗→排片→后洗→镀膜→点胶→固化→微调→封焊→老化→回流焊→检漏→测试印字编带→包装→入库,晶片的边缘采用倒边工艺。本发明因晶片的边缘采用倒边工艺,增大了镀膜电极的尺寸,减小了镀膜电极的厚度,以抑制由于晶片中间厚边缘薄带来的电极扩散、电气特性差的问题；定位片外形由原直角改为嵌入型圆角,以增加低频段倒边晶片长度与宽度方向的接触面,增加了低频段倒边晶片凸面与上下电极片的接触面,避免电极扩散；增加了微调离子溅射时的刻蚀面积,三点一线的对称性更集中；降低了平均阻抗,提高了起振率,降低了能耗。(The invention discloses a manufacturing process for an SMD3225 low-frequency band resonator, which comprises the following steps: front washing → arranging the chip → back washing → coating film → dispensing → curing → fine tuning → sealing and welding → aging → reflow welding → leakage detecting → testing and printing the tape → packaging → warehousing, the edge of the chip adopts the edge chamfering process. According to the invention, the edge of the wafer adopts the chamfering process, so that the size of the coated electrode is increased, the thickness of the coated electrode is reduced, and the problems of electrode diffusion and poor electrical characteristics caused by thick edge in the middle of the wafer are inhibited; the shape of the positioning sheet is changed from an original straight angle to an embedded round angle so as to increase the contact surface of the low-frequency chamfered wafer in the length and width directions and increase the contact surfaces of the convex surface of the low-frequency chamfered wafer and the upper and lower electrode plates, thereby avoiding the diffusion of electrodes; the etching area during fine tuning ion sputtering is increased, and the symmetry of three points and a line is more concentrated; the average impedance is reduced, the oscillation starting rate is improved, and the energy consumption is reduced.)

一种用于SMD3225低频段谐振器的制造工艺

技术领域

本发明涉及电力电子技术领域，具体涉及一种用于SMD3225低频段谐振器的制造工艺。

背景技术

目前行业水平对于SMD3225谐振器的主电极设计以长方形或正方形为主，配套以基频振动方式切割的厚度小于0.10mm长方形的晶片，均有成熟的制造工艺。但对于厚度大于0.10mm的晶片，由于晶片越厚谐振器产品的阻抗越大，晶片的制造工艺增加了滚筒倒边，晶片外形厚度呈凸面状，以传统的电极设计用于厚度在0.10～0.15mm的晶片还勉强可以实现，但对于厚度大于0.15mm晶片用传统的电极片，在制造过程电极面扩散严重，阻抗特性差，静态电容、动态电容的特性不良率高，严重者产品直接短路不起振或绝缘不良。因此，目前按传统电极片设计的SMD3225/11.2896M以下低频段谐振器产品，成本高、电气特性差、生产效率低，产品应用领域窄，市场占有量低。本发明SMD3225低频段谐振器的电极片设计正是为了解决这一技术难点。

发明内容

本发明为了克服上述的不足，提供一种用于SMD3225低频段谐振器的制造工艺。

本发明通过以下技术方案来实现上述目的：

一种用于SMD3225低频段谐振器的制造工艺，包括以下步骤：

前洗→排片→后洗→镀膜→点胶→固化→微调→封焊→老化→回流焊→检漏→测试印字编带→包装→入库；

晶片的边缘采用倒边工艺，减小了晶片外周边缘厚度，能够有效降低阻抗，保证谐振器的起振率；

在镀膜步骤中：镀膜电极片采用倒圆角工艺，且圆角的半径为0.3mm，镀膜电极片的长度为1.30～1.45mm，镀膜电极片的宽度为1.30～1.38mm，镀膜电极片的厚度为0.10mm，镀膜电极片与晶片的偏心距离为0.15mm，因低频段谐振器的晶片倒边尺寸大，因此设计改变了镀镆电极外形，由原矩形设计改为圆角矩形设计，并增大圆角尺寸，设计匹配的镀膜电极面积，以抑制由于晶片中间厚边缘薄带来的电极扩散、电气特性差的问题；

定位片中的槽位采用嵌入式圆角，槽位的长度为2.10～2.30mm，槽位的宽度为1.50～1.70mm，槽位的深度为0.15mm，定位片外形由原直角改为嵌入型圆角，以增加低频段倒边晶片长度与宽度方向的接触面，增加了低频段倒边晶片凸面与上下电极片的接触面，避免电极扩散；

在微调步骤中：微调板上微调电极片的长度为1.2～1.3mm，微调电极片的宽度为1.0～1.2mm，微调电极片的厚度为0.2mm，微调电极片与晶片的偏心距离为0.2mm，增加了微调离子溅射时的刻蚀面积，三点一线的对称性更集中。

作为优选，所述晶片的阻抗为70～85Ω，改进前晶片的阻抗均值约140Ω，改进后晶片的阻抗平均值79Ω左右，平均阻抗下降61Ω，下降比例43.57％。静态电容、动态电容的特性不良率由原11％降为0。不起振与绝缘不良原4％降为0。

作为优选，所述定位片经过氧化铝砂进行喷砂处理。

作为优选，在前洗步骤中，采用超声波清洗剂对晶片进行清洗。

作为优选，在固化的步骤中，通过固化炉加热进行固化，固化炉中的温区设置：200℃-200℃-300℃-300℃-300℃，转速为25mm/min。

本发明的有益效果是：用于SMD3225低频段谐振器的制造工艺具有以下特点：

1、因晶片的边缘采用倒边工艺，增大了镀膜电极的尺寸，减小了镀膜电极的厚度，以抑制由于晶片中间厚边缘薄带来的电极扩散、电气特性差的问题；

2、定位片外形由原直角改为嵌入型圆角，以增加低频段倒边晶片长度与宽度方向的接触面，增加了低频段倒边晶片凸面与上下电极片的接触面，避免电极扩散；

3、增加了微调离子溅射时的刻蚀面积，三点一线的对称性更集中；

4、降低了平均阻抗，提高了起振率，降低了能耗。

具体实施方式

现在对本发明作进一步详细说明。

一种用于SMD3225低频段谐振器的制造工艺，以目前生产的低频段谐振器产品以3225/8.000M晶片为例，包括以下步骤：

前洗→排片→后洗→镀膜→点胶→固化→微调→封焊→老化→回流焊→检漏→测试印字编带→包装→入库；

晶片的边缘采用倒边工艺，晶片的阻抗为70～85Ω；

在镀膜步骤中：镀膜电极片采用倒圆角工艺，且圆角的半径为0.3mm，镀膜电极片的长度为1.30～1.45mm，镀膜电极片的宽度为1.30～1.38mm，镀膜电极片的厚度为0.10mm，镀膜电极片与晶片的偏心距离为0.15mm，定位片中的槽位采用嵌入式圆角，槽位的长度为2.10～2.30mm，槽位的宽度为1.50～1.70mm，槽位的深度为0.15mm，所述定位片经过氧化铝砂进行喷砂处理；

在微调步骤中：微调板上微调电极片的长度为1.2～1.3mm，微调电极片的宽度为1.0～1.2mm，微调电极片的厚度为0.2mm，微调电极片与晶片的偏心距离为0.2mm；

在前洗步骤中，采用超声波清洗剂对晶片进行清洗。

在固化的步骤中，通过固化炉加热进行固化，固化炉中的温区设置：200℃-200℃-300℃-300℃-300℃，转速为25mm/min。

实施例1：

设计制造3225/8.000MHz晶体谐振器，规格要求满足C0：0.8±0.1Pf；C1：1.4±0.2pF；RR<120Ω，结合公式C0＝0.0402×A×f标÷K+(0.4～0.8)，匹配设计镀镆夹具：

定位片：3225/504位/A3517/2.2*1.59*0.15mm；

上掩膜片：3225/504位//B3510 UP MASK/1.45*1.3*0.10(F：0.15；R：0.3)mm；

下掩膜片：3225/504位//B3510 DN MASK/1.45*1.3*0.10(F：0.15；R：0.3)mm。

按本发明设计批量生产可满足规格条件，数据如下：

实施例2：

设计制造3225/7.9872MHz晶体谐振器，规格要求满足C0：0.8±0.1Pf；C1：1.4±0.2pF；RR<150Ω，结合公式C0＝0.0402×A×f标÷K+(0.4～0.8)，匹配设计镀镆夹具：

定位片：3225/504位/A3517/2.2*1.59*0.15mm；

上掩膜片：3225/504位//B3510 UP MASK/1.45*1.3*0.10(F：0.15；R：0.3)mm；

下掩膜片：3225/504位//B3510 DN MASK/1.45*1.3*0.10(F：0.15；R：0.3)mm。

按本发明设计批量生产可满足规格条件，数据如下：

本发明通过各项设计的改进，把SMD3225/11.2896M以下低频段谐振器产品形成量产化，且各项电气特性优于目前行业水平。同步攻克了晶片厚度为0.15～0.22mm(11.2896M～7.6M)之间同类产品的技术难题。本发明产品在无线充、智能家居方面得到广泛应用。

上述依据本发明为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完全可以在不偏离本项发明技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项发明的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。