阅读说明：本技术 易切易粘双材质中空太阳能硅晶片切割衬板及其制备方法 (Easily-cut and easily-adhered double-material hollow solar silicon wafer cutting lining plate and preparation method thereof ) 是由 宋功品 刘雪高 夏泉清 于 2020-05-21 设计创作，主要内容包括：本发明实施例公开了一种易切易粘双材质中空太阳能硅晶片切割衬板及其制备方法,所述易切易粘双材质中空太阳能硅晶片切割衬板,包括B面层和设置在B面层顶部的A面层,所述B面层沿长度方向上均匀分布有多个凹槽B,所述A面层上均匀分布有多个与凹槽B相对应的凹槽A,凹槽B与凹槽A结合形成密封通孔。本发明提供一种易切易粘双材质中空太阳能硅晶片切割衬板,A面层选用带自润滑的耐切割树脂粉作为切割调节剂,线震小,不易斜切掉片情况。B面层选用矿粉或金属粉做粘合调节剂,能有效保证切割衬板与晶托的粘结,不出现掉棒。本申请的切割衬板创新性采用双材质结构,配方易设计易调节,A面层能更好的实现易切割性,保证切割质量和稳定性。(The embodiment of the invention discloses an easy-cutting and easy-sticking double-material hollow solar silicon wafer cutting lining plate and a preparation method thereof. The invention provides an easy-cutting and easy-sticking double-material hollow solar silicon wafer cutting lining plate, wherein a surface layer A adopts self-lubricating cutting-resistant resin powder as a cutting regulator, the linear vibration is small, and the situation that the solar silicon wafer is not easy to cut off obliquely is avoided. The surface layer B adopts mineral powder or metal powder as an adhesion regulator, so that the adhesion between the cutting lining plate and the crystal support can be effectively ensured, and the rod falling is avoided. The cutting lining plate is innovative and adopts a double-material structure, the formula is easy to design and adjust, the surface layer A can better realize easy cutting performance, and the cutting quality and stability are guaranteed.)

易切易粘双材质中空太阳能硅晶片切割衬板及其制备方法

技术领域

本发明涉及太阳能光伏硅片切割技术领域，具体涉及一种易切易粘双材质中空太阳能硅晶片切割衬板及其制备方法。

背景技术

光伏硅片切割是太阳能领域重要的环节，硅片的切割效率和硅片的A片率是光伏切割好坏的重要评价标准。光伏硅片目前主要采用金刚线，复线切割，一次多片，切割过程中，将硅棒粘附在晶托上，在硅片和晶托之间会有一张衬板，衬板的作用是方便硅棒切透后，不会伤到晶托。

硅片切割衬板采用过玻璃板、不饱和树脂板、酚醛树脂板、发泡聚氨酯板等，直到目前主流的热塑性塑料板。硅晶切割过程中稳定性和A片率对衬板有严格的依赖，要求易切割和易粘接。目前市场主流的衬板，都有缺陷，不能很好的同时保证易切割和易粘接，影响硅晶切割过程。

发明内容

为此，本发明实施例提供一种易切易粘双材质中空太阳能硅晶片切割衬板及其制备方法，以解决目前市场上的衬板，都有缺陷，不能很好的同时保证易切割和易粘接，影响硅晶切割过程的问题。

为了实现上述目的，本发明实施例提供如下技术方案：

根据本发明实施例的第一方面，提供一种易切易粘双材质中空太阳能硅晶片切割衬板，包括B面层和设置在B面层顶部的A面层，所述B面层沿长度方向上均匀分布有多个凹槽B，所述A面层上均匀分布有多个与凹槽B相对应的凹槽A，凹槽B与凹槽A结合形成密封通孔。

进一步的，所述A面层包括按质量质量百分比计算的以下组分：ABS树脂90-96wt％、切割调节组分3-9wt％、抗氧剂0.3-0.6wt％、润滑剂0.2-0.4wt％。

进一步的，所述ABS树脂含胶量为8-13wt％，优选的所述丙烯氰为中分子量的ABS。

进一步的，所述切割调节组分包括聚四氟乙烯粉、超高分子量聚乙烯粉、聚偏氟乙烯中的任意一种或两种以上的组合。

进一步的，所述B面层包括按质量质量百分比计算的以下组分：ABS树脂80-90wt％、粘合调节组分9-19wt％、抗氧剂0.3-0.6wt％、润滑剂0.2-0.4wt％。

进一步的，所述抗氧剂为抗氧剂1076和抗氧剂168的复配物，抗氧剂1076与抗氧剂168复配质量比为1:1。

进一步的，所述润滑剂为硬质酸钙。

根据本发明实施例的第二方面，提供一种易切易粘双材质中空太阳能硅晶片切割衬板的制备方法，包括以下步骤：

步骤一、原料混合造粒：按照配方将ABS树脂、切割调节组分、粘合调节组分、抗氧剂和润滑剂混合，在双螺杆中造粒，造粒加工温度为240-260℃；

步骤二、挤出模塑板材：将加工好的粒子，在型材挤出机上通过双色共挤中空模具挤出，冷却定型，定长切割；

步骤三、板材后处理：将中空坯板，双面磨平，清洗包装，得到双材质中空塑料板成品。

进一步的，所述步骤二中挤出温度卫200-240℃，牵引速度为0.7-0.8m/min。

进一步的，所述步骤三中双面磨平后的平整度为0.2mm。

本发明实施例具有如下优点：本发明实施例提供一种易切易粘双材质中空太阳能硅晶片切割衬板及其制备方法，本申请提供一种易切易粘双材质中空太阳能硅晶片切割衬板，A面层创新性的选用带自润滑的耐切割树脂粉作为切割调节剂，线震小，不易斜切掉片情况。B面层选用矿粉或金属粉做粘合调节剂，能有效保证切割衬板与晶托的粘结，不出现掉棒。此外，本申请的切割衬板创新性采用双材质结构，配方易设计易调节，A面层能更好的实现易切割性，保证切割质量和稳定性。B面层能更好的实现易粘接性，杜绝硅片切割中掉棒现象。双材质双色中空结构，衬板更轻便，节约成本，更易辨识，A面层粘棒面，B面层粘晶托面。B面层不需要考虑切割性，可选择用过板材的回收使用，成本更低廉，性价比更高。

附图说明

为了更清楚地说明本发明的实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是示例性的，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图引伸获得其它的实施附图。

本说明书所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本发明可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本发明所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本发明所揭示的技术内容能涵盖的范围内。

图1为本发明实施例1提供的一种易切易粘双材质中空太阳能硅晶片切割衬板的结构示意图；

图中：1—B面层；2—A面层；3—密封通孔。

具体实施方式

以下由特定的具体实施例说明本发明的实施方式，熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点及功效，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

需要注意的是，除非另有说明，本申请使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域技术人员所理解的通常意义，下述实施例中的实验材料，若无特别说明，均是来源于商业途径，所述的实验方法，若无特别说明，均为通用实验方法。

针对现有技术中的不足，本案发明人经长期研究和大量实践，得以提出本发明的技术方案，如下将对该技术方案、其实施过程及原理等作进一步的解释说明。

实施例1

本实施例提供一种易切易粘双材质中空太阳能硅晶片切割衬板，包括B面层1和设置在B面层1顶部的A面层2，所述B面层1沿长度方向上均匀分布有多个凹槽B，所述A面层2上均匀分布有多个与凹槽B相对应的凹槽A，凹槽B与凹槽A结合形成密封通孔3。

实施例2

在采取实施例1技术方案的基础上，所述A面层包括按质量质量百分比计算的以下组分：ABS树脂90wt％、切割调节组分9wt％、抗氧剂0.6wt％、润滑剂0.4wt％。所述ABS树脂含胶量为8wt％，优选的丙烯氰为中分子量的ABS。所述切割调节组分包括聚四氟乙烯粉、超高分子量聚乙烯粉、聚偏氟乙烯中的任意一种或两种以上的组合。

所述B面层包括按质量质量百分比计算的以下组分：ABS树脂80wt％、粘合调节组分19wt％、抗氧剂0.6wt％、润滑剂0.4wt％。所述粘合调节组分为矿粉或金属粉，具体的选自碳酸钙、滑石粉、铝粉、铁粉等中的任意一种或两种以上的组合。所述抗氧剂为抗氧剂1076和抗氧剂168的复配物，抗氧剂1076与抗氧剂168复配质量比为1:1。所述润滑剂为硬质酸钙。

实施例3

在采取实施例1技术方案的基础上，所述A面层包括按质量质量百分比计算的以下组分：ABS树脂96wt％、切割调节组分3wt％、抗氧剂0.6wt％、润滑剂0.4wt％。所述ABS树脂含胶量为13wt％，优选的丙烯氰为中分子量的ABS。所述切割调节组分包括聚四氟乙烯粉、超高分子量聚乙烯粉、聚偏氟乙烯中的任意一种或两种以上的组合。

所述B面层包括按质量质量百分比计算的以下组分：ABS树脂90wt％、粘合调节组分9wt％、抗氧剂0.6wt％、润滑剂0.4wt％。所述粘合调节组分为矿粉或金属粉，具体的选自碳酸钙、滑石粉、铝粉、铁粉等中的任意一种或两种以上的组合。所述抗氧剂为抗氧剂1076和抗氧剂168的复配物，抗氧剂1076与抗氧剂168复配质量比为1:1。所述润滑剂为硬质酸钙。

实施例4

在采取实施例1技术方案的基础上，所述A面层包括按质量质量百分比计算的以下组分：ABS树脂93wt％、切割调节组分6wt％、抗氧剂0.6wt％、润滑剂0.4wt％。所述ABS树脂含胶量为10.5wt％，优选的丙烯氰为中分子量的ABS。所述切割调节组分包括聚四氟乙烯粉、超高分子量聚乙烯粉、聚偏氟乙烯中的任意一种或两种以上的组合。

所述B面层包括按质量质量百分比计算的以下组分：ABS树脂85wt％、粘合调节组分14wt％、抗氧剂0.6wt％、润滑剂0.4wt％。所述粘合调节组分为矿粉或金属粉，具体的选自碳酸钙、滑石粉、铝粉、铁粉等中的任意一种或两种以上的组合。所述抗氧剂为抗氧剂1076和抗氧剂168的复配物，抗氧剂1076与抗氧剂168复配质量比为1:1。所述润滑剂为硬质酸钙。

实施例5

在采取实施例1技术方案的基础上，提供一种易切易粘双材质中空太阳能硅晶片切割衬板的制备方法，包括以下步骤：

步骤一、原料混合造粒：按照配方将ABS树脂、切割调节组分、粘合调节组分、抗氧剂和润滑剂混合，在双螺杆中造粒，造粒加工温度为240-260℃；

步骤二、挤出模塑板材：将加工好的粒子，在型材挤出机上通过双色共挤中空模具挤出，冷却定型，定长切割；

步骤三、板材后处理：将中空坯板，双面磨平，清洗包装，得到双材质中空塑料板成品。

所述步骤二中挤出温度卫200-240℃，牵引速度为0.7-0.8m/min。

所述步骤三中双面磨平后的平整度为0.2mm。

以下结合具体案例对本发明进行详细说明。

实验例1

将苯乙烯-丙烯腈-丁二烯共聚树脂(ABS)树脂：95wt％；切割调节组分：4wt％；抗氧剂：0.6wt％；润滑剂：0.4wt％，在双螺杆挤出机造成A组份；将苯乙烯-丙烯腈-丁二烯共聚树脂(ABS)树脂：90wt％；粘合调节组分：9.5wt％；抗氧剂：0.3wt％；润滑剂：0.2wt％，在双螺杆挤出机造成B组份。双螺杆造粒温度设定在250℃。再将A组份、B组份在型材挤出机中，按210℃，牵引速度0.7m/min条件挤出，定长切割，最后双面磨平，达到平整度0.2mm精度要求，清洗包装，得到双材质中空塑料板成品。使用时，金刚线线震小，切割平稳，易切割，易粘晶托，不掉棒。

实验例2

将苯乙烯-丙烯腈-丁二烯共聚树脂(ABS)树脂：90wt％；切割调节组分：9wt％；抗氧剂：0.6wt％；润滑剂：0.4wt％，在双螺杆挤出机造成A组份；将苯乙烯-丙烯腈-丁二烯共聚树脂(ABS)树脂：80wt％；粘合调节组分：19wt％；抗氧剂：0.6wt％；润滑剂：0.4wt％，在双螺杆挤出机造成B组份。双螺杆造粒温度设定在250℃。再将A组份、B组份在型材挤出机中，按210℃，牵引速度0.7m/min条件挤出，定长切割，最后双面磨平，达到平整度0.2mm精度要求，清洗包装，得到双材质中空塑料板成品。使用时，金刚线线震小，切割平稳，易切割，易粘晶托，不掉棒。

试验一

将不带密封通孔、采用同一种材料制成的衬板作为对照组，将实验例1、实验例2制备的易切易粘双材质中空太阳能硅晶片切割衬板分别记为实验组1和实验组2，测试结果如下表所示：

上表显示，通过采用本发明实施例方法处理的易切易粘双材质中空太阳能硅晶片切割衬板能够极大的降低切割难度，提高了工作量，此外，金刚线线震强度弱、粘接性强。有效解决目前市场上的衬板，都有缺陷，不能很好的同时保证易切割和易粘接，影响硅晶切割过程的问题。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围，其均应涵盖在本发明的权利要求和说明书的范围当中。