阅读说明：本技术 一种脉冲放电等离子体促进赤灵芝生长的方法 (Method for promoting growth of ganoderma lucidum by pulse discharge plasma ) 是由 熊紫兰 黄晓义 李孟琦 于 2020-06-15 设计创作，主要内容包括：本发明属于等离子体产生及食用真菌生长技术领域,公开了一种脉冲放电等离子体促进赤灵芝生长的方法,通过高压脉冲电源放电产生一定参数的低温等离子体；利用等离子体处理赤灵芝培养基和菌体,并控制处理时长与处理间隔时间。等离子体驱动电源为高压脉冲电源,高压脉冲电源的电压幅值、脉宽、频率均应根据实际应用效果可选的,等离子体源为类火花放电,装置可以为针板放电、针尖放电、射流等多种形式。本发明利用等离子体来促进赤灵芝的生长,以缩短生长周期,提升收获品质的方法。本发明提供的一种脉冲放电电弧等离子体促进赤灵芝生长的方法,通过高压脉冲电源放电产生等离子体,处理赤灵芝培养基及菌体,提升了赤灵芝生长品质。(The invention belongs to the technical field of plasma generation and edible fungus growth, and discloses a method for promoting the growth of ganoderma lucidum by using pulse discharge plasma, which generates low-temperature plasma with certain parameters by discharging of a high-voltage pulse power supply; and treating the ganoderma lucidum culture medium and the thalli by using the plasma, and controlling the treatment time length and the treatment interval time. The plasma driving power supply is a high-voltage pulse power supply, the voltage amplitude, the pulse width and the frequency of the high-voltage pulse power supply can be selected according to the actual application effect, the plasma source is spark-like discharge, and the device can be in various forms such as needle plate discharge, needle point discharge, jet flow and the like. The invention relates to a method for promoting the growth of ganoderma lucidum by using plasma to shorten the growth period and improve the harvest quality. According to the method for promoting the growth of the ganoderma lucidum by the pulse discharge arc plasma, the plasma is generated by discharging of the high-voltage pulse power supply, the ganoderma lucidum culture medium and the thalli are treated, and the growth quality of the ganoderma lucidum is improved.)

一种脉冲放电等离子体促进赤灵芝生长的方法

技术领域

本发明属于等离子体产生及食用真菌生长技术领域，尤其涉及一种脉冲放电等离子体促进赤灵芝生长的方法。

背景技术

目前，赤灵芝化学成分复杂，目前从该属真菌中已经分离得到灵芝多糖、三萜类化合物等多种成分。这些成分具有广泛的免疫调节活性，能提高机体免疫活性，改善胶原蛋白和肝细胞的组织形态等效用。

目前野生灵芝资源有限，人工栽培的灵芝由于产地、栽培技术、采收条件等的差异，导致市场上的灵芝产品良莠不齐，灵芝品质提高方法亟待研究。

赤灵芝喜欢在偏酸环境中生长，要求PH范围为3-7.5，PH 4–6最适宜。

赤灵芝生长品质的衡量指标主要为菌柄长度与菌盖面积，菌柄长度越长，菌盖面积越大代表赤灵芝品质越高。

而另一方面，气体放电等离子体在目前很多领域已有应用，如材料表面改性、灭菌、污水处理、空气污染治理等，并在医疗与农业应用领域中展现出了很好的应用前景。

现存的促进赤灵芝生长方法主要有改变培养基原料成分或添加活性剂等方法，其中改变培养基原料成分与本发明中的方法并不冲突，可以协同作用，进一步提升赤灵芝的生长速度；传统增加活性剂的方法，主要用多菌灵、硫磺、甲醛等强烈毒性的化学物质，缺点是残留大量有毒有害物质，其次是活性剂成分复杂，需要配比，操作麻烦，而通过本发明中的方法促进灵芝生长则可以规避这些缺点。

通过上述分析，现有技术存在的问题及缺陷为：(1)现有技术中，赤灵芝培养生长周期长，收获品质差。

(2)现有技术没有通过高压脉冲电源放电产生等离子体，处理赤灵芝培养基及菌体，提升赤灵芝生长品质。

发明内容

针对现有技术存在的问题，本发明提供了一种脉冲放电等离子体促进赤灵芝生长的方法。特别涉及通过等离子体促进真菌生长速度及生长品质的方法。

本发明是这样实现的，一种脉冲放电等离子体促进赤灵芝生长的方法，包括：

步骤一，通过高压脉冲电源放电产生一定参数的低温等离子体；

步骤二，利用等离子体处理赤灵芝培养基和菌体，并控制处理时长与处理间隔时间。

进一步，所述步骤一中，输入高压脉冲信号参数范围可根据实际促生效果选择不同的频率、占空比幅值等。进一步，所述步骤一中，等离子体源为类火花放电等离子体源，等离子体源可以为针板放电、针尖放电、射流等多种形式。等离子体温度范围为≤250℃。

进一步，所述步骤二中处理过程为，将等离子体源连接至高压脉冲电源产生低温等离子体，将等离子体作用到赤灵芝培养基和菌体上。

进一步，所述步骤二中，赤灵芝培养基为固体培养基。

进一步，所述步骤二中，处理时长及处理间隔时长应根据实际促生效果调节。

本发明的另一目的在于提供一种实施所述脉冲放电等离子体促进赤灵芝生长的方法的高压脉冲放电等离子体设备。

促生原理是脉冲放电破坏赤灵芝细胞壁以增强赤灵芝吸水能力，促进赤灵芝生长，同时空气放电产生的等离子体对赤灵芝生长环境的酸碱度有调节作用，可以为赤灵芝提供偏酸性的生长条件。

结合上述的所有技术方案，本发明所具备的优点及积极效果为：本发明针对目前赤灵芝培养生长周期长，收获品质差的问题，提出利用等离子体来促进赤灵芝的生长，以缩短生长周期，提升收获品质的方法。

本发明提供的一种脉冲放电电弧等离子体促进赤灵芝生长的方法，通过高压脉冲电源放电产生等离子体，处理赤灵芝培养基及菌体，提升了赤灵芝生长品质。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对本申请实施例中所需要使用的附图做简单的介绍，显而易见的，下面所描述的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明实施例提供的脉冲放电等离子体促进赤灵芝生长的方法流程图。

图2是本发明实施例提供的等离子体赤灵芝处理过程效果图。

图3是本发明实施例提供的培养50天前后，在相同比例尺下，处理组(左)和对照组(右)的俯视图。

图4是本发明实施例提供的培养50天前后，在相同比例尺下，处理组(左)和对照组(右)的侧视图。

图5是本发明实施例提供的培养50天后，统计全部灵芝菌盖面积，并将每个菌盖面积对比整体数据平均值图。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

现有技术中，赤灵芝培养生长周期长，收获品质差。

现有技术没有通过高压脉冲电源放电产生等离子体，处理赤灵芝培养基及菌体，提升赤灵芝生长品质。

针对现有技术存在的问题，本发明提供了一种脉冲放电等离子体促进赤灵芝生长的方法，下面结合附图对本发明作详细的描述。

如图1，本发明提供的脉冲放电电弧等离子体促进赤灵芝生长的方法，通过高压脉冲电源放电产生等离子体，处理赤灵芝培养基及菌体，提升赤灵芝生长品质。

具体包括以下步骤：

S101，通过高压脉冲电源放电产生一定参数的低温等离子体。

S102，利用等离子体处理赤灵芝培养基和菌体，并控制处理时长与处理间隔时间。

在本发明中，步骤S101输入高压脉冲信号参数范围为：频率≤1kHz，占空比≤1％、脉宽≤10μs、幅值≤15kV的脉冲电压。

针板放电、针尖放电、射流等多种形式。等离子体温度范围为≤250℃。

在本发明中，步骤S102其处理过程为，将等离子体源连接至高压脉冲电源产生低温等离子体，将等离子体作用到赤灵芝培养基和菌体上。

在本发明中，步骤S102赤灵芝培养基为固体培养基。

在本发明中，步骤S102处理时长≤1min，处理间隔时长应在5～10天范围内。

下面结合具体实施例及实验对本发明作进一步描述。

附图2展示了实施的一种等离子体赤灵芝处理过程图。

为方便对照处理效果，赤灵芝分为处理组和对照组，在相同环境条件下进行培养，对照组处理所用电源为频率500Hz、占空比0.04％、幅值13kV的脉冲电源，处理过程持续时间40s，处理间隔时间为1周，每天对灵芝的生长状况进行记录。

图3显示了培养55天前后，在相同比例尺下，处理组(左)和对照组(右)的俯视图，图4显示了培养55天前后，在相同比例尺下，处理组(左)和对照组(右)的侧视图。对比发现，处理组赤灵芝原基分化的菌盖形成更完全，体现了等离子体缩短赤灵芝生长周期的作用。

如图5所示，培养55天后，统计全部灵芝菌盖面积，并将每个菌盖面积对比整体数据平均值，可以发现实验组远大于对照组，体现了处理组菌盖面积更大的结果；统计全部菌柄长度测得实验组平均值为10.40cm，对照组平均值为7.32cm，体现了处理组菌柄长度更长的结果，综上数据表明，经处理后赤灵芝的生长品质得到了提升。

表1展示了灵芝自原基分化后，每72小时菌柄的生长长度，共记录288小时，灵芝生长环境温度为20℃±2℃，湿度为80％±5％，可见经本实施例方法的处理的灵芝，菌柄生长的速度有所加快。

表1灵芝菌柄每72小时生长长度

在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上；术语“上”、“下”、“左”、“右”、“内”、“外”、“前端”、“后端”、“头部”、“尾部”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，都应涵盖在本发明的保护范围之内。