阅读说明：本技术 一种测量集成电路内部温度的方法 (Method for measuring internal temperature of integrated circuit ) 是由 苏洋 于 2021-07-13 设计创作，主要内容包括：本发明涉及集成电路技术领域,具体涉及一种测量集成电路内部温度的方法,先测出待测电路极限工作温度及ESD接触二极管电压值,得到电压温度变化斜率,随后调节电路的工作温度,记录下失效状态时的电压值,最后算出对应的失效温度,通过采用上述这种测量集成电路内部温度的方法,不用再增加温度测量设备就可以准确得出电路所在的温度,且定位迅速,通过分析测试数据可以直接得出对应的温度,不用每次更换温度进行恒温等待,且通过不同的管脚可以测试出管芯不同位置的温度,从而对大面积的芯片进行定位时更加快速高效。(The invention relates to the technical field of integrated circuits, in particular to a method for measuring the internal temperature of an integrated circuit, which comprises the steps of firstly measuring the ultimate working temperature of a circuit to be measured and the voltage value of an ESD contact diode to obtain the voltage temperature change slope, then adjusting the working temperature of the circuit, recording the voltage value in a failure state, and finally calculating the corresponding failure temperature.)

一种测量集成电路内部温度的方法

技术领域

本发明涉及集成电路技术领域，具体涉及一种测量集成电路内部温度的方法。

背景技术

在集成电路的实际应用过程中发现，集成电路会存在温度应力失效的情况，在对其进行失效定位时，需要确定失效温度点。通常情况下会采用较大的步进进行确定，但是该方法的失效温度定位比较粗略，且每个温度都需要等待温度稳定时间，因此定位时间会比较长。

另一方面，绝大多数的集成电路内部均含有ESD保护二极管，该二极管具有随温度变化的特性，当正向导通时通过施加固定电流，可以测试出导通压降，该压降随着温度发生变化，因而可以得出压降变化随温度时线性关系，且当电流固定时，温度升高，正向压降也随之线性下降。

发明内容

针对现有技术中存在的不足，本发明提供了一种测量集成电路内部温度的方法，所要解决的技术问题是如何快速且准确地测量出集成电路内失效定位点的失效温度。

为解决上述技术问题，本发明提供的技术方案是：一种测量集成电路内部温度的方法，方法步骤如下：

S1：测出待测电路极限工作温度及ESD接触二极管电压值，分别为T1、T2和V1、V2，并扣除绝对误差，得到电压温度变化斜率S；

S2：调节电路的工作温度，直至出现失效截至，记录下失效状态时的电压值为Vf；

S3：根据失效电压值换算出对应的失效温度Tf。

进一步地，在步骤S1中，通过不同的管脚对管芯不同位置的温度进行测试。

进一步地，在步骤S1中，电压温度变化斜率Slope=（V2-V1）/（T2-T1）。

进一步地，在步骤S3中，Tf=T1+（Vf-V1）/slope。

本技术方案所带来的有益效果是：通过采用上述这种测量集成电路内部温度的方法，不用再增加温度测量设备就可以准确得出电路所在的温度，且定位迅速，通过分析测试数据可以直接得出对应的温度，不用每次更换温度进行恒温等待，且通过不同的管脚可以测试出管芯不同位置的温度，从而对大面积的芯片进行定位时更加快速高效。

附图说明

附图用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本发明的实施例一起用于解释本发明，并不构成对本发明的限制。在附图中：

图1为本发明一种测量集成电路内部温度的方法在实施方式中的步骤流程图；

图2为本发明一种测量集成电路内部温度的方法在实施方式中二极管压降和温度的变化曲线。

具体实施方式

以下结合附图对本发明的优选实例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实例仅用于说明和解释本发明，并不用于限定本发明。如图1所示，这种测量集成电路内部温度的方法，步骤如下：

S1：测出待测电路极限工作温度及ESD接触二极管电压值，分别为T1、T2和V1、V2，并扣除绝对误差，得到电压温度变化斜率S；

S2：调节电路的工作温度，直至出现失效截至，记录下失效状态时的电压值为Vf；

S3：根据失效电压值换算出对应的失效温度Tf。

由此能到得到二极管压降和温度的变化关系曲线，从而实现对内部温度的迅速定位，并通过分析测试数据直接得出对应的温度，相比于现有技术，不用再每次更换温度进行恒温等待，大大提高了工作效率。

在本实施例中，在步骤S1中，通过不同的管脚对管芯不同位置的温度进行测试，这样可以使得在对大面积的芯片进行温度定位时，该方法更加快速有效，大大提升工作效率。

在本实施例中，在步骤S1中，电压温度变化斜率Slope=（V2-V1）/（T2-T1），通过该公式可以得到电压温度变化斜率。

在本实施例中，在步骤S3中，Tf=T1+（Vf-V1）/slope，由此通过该公式可以得到对应的失效温度。

综上所述，通过采用上述这种测量集成电路内部温度的方法，不用再增加温度测量设备就可以准确得出电路所在的温度，且定位迅速，通过分析测试数据可以直接得出对应的温度，不用每次更换温度进行恒温等待，且通过不同的管脚可以测试出管芯不同位置的温度，从而对大面积的芯片进行定位时更加快速高效。

最后应说明的是：以上所述仅为本发明的优选实例而已，并不用于限制本发明，尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。