阅读说明：本技术 一种超厚人工石墨膜的制造方法 (Method for manufacturing super-thick artificial graphite film ) 是由 朱先磊 葛志远 王星 于 2020-04-26 设计创作，主要内容包括：本发明公开了一种超厚人工石墨膜的制造方法,包括以下步骤：步骤一：PI膜卷材的制备；步骤二：装卷；步骤三：真空碳化；首先将舟皿送入碳化炉内抽真空；接着,分段升温；最后,自然冷却至室温；步骤四：高温石墨化；首先,将舟皿送入石墨炉的内部抽真空；接着,向石墨炉的内部填充惰性保护气体；接着,将石墨炉的内部由常温升至1800～2000℃并保温1～1.5h；接着,将石墨炉的内部由1800～2000℃升至2750～2850℃并保温30～50min；最后,自然冷却至室温；步骤五：压延。本发明针对现有人工石墨膜的单层厚度达不到要求,耐弯折和导热性能差,质量差等问题进行改进,本发明具有提高人工石墨膜单层厚度、耐弯折性能和导热性能,提升人工石墨膜的质量等优点。(The invention discloses a method for manufacturing an ultra-thick artificial graphite film, which comprises the following steps: the method comprises the following steps: preparing a PI film coiled material; step two: loading the roll; step three: vacuum carbonization; firstly, feeding the boat into a carbonization furnace and vacuumizing; then, heating in sections; finally, naturally cooling to room temperature; step four: graphitizing at high temperature; firstly, a boat is conveyed into a graphite furnace, and the interior of the graphite furnace is vacuumized; then, filling inert protective gas into the graphite furnace; then, the interior of the graphite furnace is heated to 1800-2000 ℃ from normal temperature and is kept warm for 1-1.5 h; then, raising the temperature inside the graphite furnace from 1800-2000 ℃ to 2750-2850 ℃ and preserving the heat for 30-50 min; finally, naturally cooling to room temperature; step five: and (4) rolling. The artificial graphite film has the advantages of improving the single-layer thickness, the bending resistance and the heat conduction performance of the artificial graphite film, improving the quality of the artificial graphite film and the like.)

一种超厚人工石墨膜的制造方法

技术领域

本发明涉及人工石墨膜加工技术领域，尤其涉及一种超厚人工石墨膜的制造方法。

背景技术

人工石墨膜是一种很薄导热材料，又称为导热石墨膜，导热石墨片，石墨散热片等，为电子产品的薄型化发展提供了可能。人工石墨膜具有良好的再加工性，可根据用途与PET等其他薄膜类材料复合或涂胶，这种材料有弹性，可裁切冲压成任意形状，可多次弯折；适用于将点热源转换为面热源的快速热传导，具有很高的导热性能，是由一种高度定向的石墨聚合物薄膜制成。目前，人工石墨膜广泛的应用于PDP、LCD TV、Notebook PC、UMPC、Flat Panel Display、MPU、Projector、Power Supply、LED，MID,移动电话；DVD；数码相机；电脑及周边设备；传感器；半导体生产设备；光纤通信设备等电子产品中。人工石墨膜的制备包括PI膜绕卷、碳化、石墨化、压延等多个步骤。

现有的人工石墨膜制造方法在多个步骤中都存在缺陷和不足，从而导致制备的人工石墨膜的厚度达不到要求，且人工石墨膜的质量也存在缺陷，首先，PI膜绕卷时，没有严格控制PI膜卷材层与层之间的间隙，当PI膜卷材层与层之间的间隙过小时，层与层会贴附在一起，从而使PI膜卷材在烧制时受热不均，当PI膜卷材层与层之间的间隙过大时，人工石墨膜的产能会严重下降，另外，现有人工石墨膜制造方法中的碳化和石墨化过程中分段升温总体升温时间较短，分段升温的最高度温度较低，其中，现有人工石墨膜制造方法的碳化步骤中升温的最高温基本控制在1200℃以下，整体升温时间基本控制在5个小时以内，从而导致，碳化过程中，PI膜无法充分排焦，从而会导致最终制成的人工石墨散膜表面有凸点、亮点和拱边，不利于后端的压延加工；现有人工石墨膜制造方法的石墨化步骤中，分段升温的最高温基本都控制在2600℃～2700℃之间，整体的升温时间基本都在10～12个小时，从而会使制备的人工石墨膜的耐弯折性能和导热性能存在不足，从而降低了人工石墨膜的散热效果，不便于后续的模切加工，基于以上缺陷，通过现有的人工石墨膜制造方法制备出的人工石墨膜的厚度一般不超过60μm。

针对以上技术问题，本发明公开了一种超厚人工石墨膜的制造方法，本发明具有提高人工石墨膜的耐弯折性能和导热性能、减少人工石墨膜表面的凸点、亮点和拱边的缺陷、便于后端进行压延和模切加工、增加单层人工石墨膜的厚度等优点。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的不足，提供了一种超厚人工石墨膜的制造方法，以解决现有技术中人工石墨膜的制造方法制成的人工石墨膜的耐弯折性能和导热性能差，表面凸点、亮点和拱边缺陷严重，不便于后续的压延和模切加工，单层厚度达不到要求等技术问题，本发明具有提高人工石墨膜的耐弯折性能和导热性能、减少人工石墨膜表面的凸点、亮点和拱边的缺陷、便于后端进行压延和模切加工、增加单层人工石墨膜的厚度等优点。

本发明通过以下技术方案实现：本发明公开了一种超厚人工石墨膜的制造方法，包括以下步骤：

步骤一：PI膜卷材的制备，通过复卷机将PI膜绕卷在石墨杆上，获得PI膜卷材；

步骤二：装卷，将PI膜卷材放置于舟皿中；

步骤三：真空碳化；

首先，将舟皿送入碳化炉内并关闭炉门；

然后，通过真空泵机组将碳化炉的内部抽至真空状态；

接着，以5～7℃/min的速度将碳化炉的内部由常温升至520～550℃；

接着，以1.5～2℃/min的速度将碳化炉的内部由520～550℃升至910～960℃；

接着，以2.5～3.5℃/min的速度将碳化炉的内部由910～960℃升至1250～1350℃；

最后，让碳化炉自然冷却至室温，得到碳化膜；

步骤四：高温石墨化；

首先，将舟皿从碳化炉内取出并送入石墨炉的内部，关闭石墨炉的炉门；

然后，将石墨炉的内部抽至真空状态；

接着，向石墨炉的内部填充惰性保护气体；

接着，以10～12℃/min的速度将石墨炉的内部由常温升至1800～2000℃；

接着，让石墨炉在1800～2000℃的温度下保温1～1.5h；

接着，以5～6℃/min的速度将石墨炉的内部由1800～2000℃升至2750～2850℃；

接着，让石墨炉在2750～2850℃的温度下保温30～50min；

最后，让石墨炉自然冷却至室温，获得石墨化膜；

步骤五：压延，将石墨化膜通过压延工艺压附在离型膜上，得到超厚人工石墨膜。

进一步的，为了使PI膜卷材在烧制的过程中能够受热均匀，且尽可能提高人工石墨膜的产能，步骤一中，PI膜卷材每层之间的间隙为160～180μm。

进一步的，为了提高单层人工石墨膜的厚度，PI膜的厚度为80～160μm。

进一步的，为了提高PI膜卷材的盛放量，从而提高人工石墨膜的加工效率和产能，步骤二中，舟皿分为三层，每一层放置12卷PI膜卷材。

进一步的，为了防止碳化炉内的气压对碳化过程造成影响，步骤三中，通过真空泵机组将碳化炉的内部抽至真空状态，使碳化炉内的真空度控制在500pa以下，并保压30min以上。

进一步的，为了在最大程度上减少碳化膜在石墨化过程中的副反应，步骤四中，惰性保护气体为氦气、氩气或者氙气。

本发明具有以下优点：本发明中严格控制PI膜卷材层与层之间的间隙，延长碳化和石墨化过程中的整体升温时间，并且提高碳化和石墨化过程中的最高升温温度，从而使PI膜充分碳化和石墨化，从而显著提高人工石墨膜的耐弯折性能和导热性能、减少人工石墨膜表面的凸点、亮点和拱边的缺陷、便于后端进行压延和模切加工以及增加单层人工石墨膜的厚度。

具体实施方式

下面对本发明的实施例作详细说明，本实施例在以本发明技术方案为前提下进行实施，给出了详细的实施方式和具体的操作过程，但本发明的保护范围不限于下述的实施例。

实施例1

实施例1公开了一种超厚人工石墨膜的制造方法，包括以下步骤：

步骤一：PI膜卷材的制备，通过复卷机将PI膜绕卷在石墨杆上，获得PI膜卷材，PI膜卷材每层之间的间隙为160～180μm，PI膜的厚度为80μm；

步骤二：装卷，将PI膜卷材放置于舟皿中，舟皿分为三层，每一层放置12卷PI膜卷材；

步骤三：真空碳化；

首先，将舟皿送入碳化炉内并关闭炉门；

然后，通过真空泵机组将碳化炉的内部抽至真空状态，使碳化炉内的真空度控制在500pa以下，并保压30min以上；

接着，以7℃/min的速度将碳化炉的内部由常温升至520℃；

接着，以2℃/min的速度将碳化炉的内部由520℃升至910℃；

接着，以3.5℃/min的速度将碳化炉的内部由910℃升至1250℃；

最后，让碳化炉自然冷却至室温，得到碳化膜；

步骤四：高温石墨化；

首先，将舟皿从碳化炉内取出并送入石墨炉的内部，关闭石墨炉的炉门；

然后，将石墨炉的内部抽至真空状态；

接着，向石墨炉的内部填充惰性保护气体，惰性保护气体为氦气、氩气或者氙气；

接着，以12℃/min的速度将石墨炉的内部由常温升至1800℃；

接着，让石墨炉在1800℃的温度下保温1～1.5h；

接着，以6℃/min的速度将石墨炉的内部由1800℃升至2750℃；

接着，让石墨炉在2750℃的温度下保温30～50min；

最后，让石墨炉自然冷却至室温，获得石墨化膜；

步骤五：压延，将石墨化膜通过压延工艺压附在离型膜上，得到超厚人工石墨膜，压延工艺就是通过辊筒间生产的剪切力，使得物料多次受到挤压、剪切，从而增大可塑性，在进一步塑化的基础上延展成为薄型制品。

实施例2

实施例2公开了一种超厚人工石墨膜的制造方法，包括以下步骤：

步骤一：PI膜卷材的制备，通过复卷机将PI膜绕卷在石墨杆上，获得PI膜卷材，PI膜卷材每层之间的间隙为160μm，PI膜的厚度为80μm；

步骤二：装卷，将PI膜卷材放置于舟皿中，舟皿分为三层，每一层放置12卷PI膜卷材；

步骤三：真空碳化；

首先，将舟皿送入碳化炉内并关闭炉门；

然后，通过真空泵机组将碳化炉的内部抽至真空状态，使碳化炉内的真空度控制在500pa以下，并保压30min以上；

接着，以6℃/min的速度将碳化炉的内部由常温升至520℃；

接着，以1.7℃/min的速度将碳化炉的内部由520℃升至910℃；

接着，以3.0℃/min的速度将碳化炉的内部由910℃升至1250℃；

最后，让碳化炉自然冷却至室温，得到碳化膜；

步骤四：高温石墨化；

首先，将舟皿从碳化炉内取出并送入石墨炉的内部，关闭石墨炉的炉门；

然后，将石墨炉的内部抽至真空状态；

接着，向石墨炉的内部填充惰性保护气体，惰性保护气体为氦气、氩气或者氙气；

接着，以11℃/min的速度将石墨炉的内部由常温升至1800℃；

接着，让石墨炉在1800℃的温度下保温1～1.5h；

接着，以5.5℃/min的速度将石墨炉的内部由1800℃升至2750℃；

接着，让石墨炉在2750℃的温度下保温30～50min；

最后，让石墨炉自然冷却至室温，获得石墨化膜；

步骤五：压延，将石墨化膜通过压延工艺压附在离型膜上，得到超厚人工石墨膜，压延工艺就是通过辊筒间生产的剪切力，使得物料多次受到挤压、剪切，从而增大可塑性，在进一步塑化的基础上延展成为薄型制品。

实施例3

实施例3公开了一种超厚人工石墨膜的制造方法，包括以下步骤：

步骤一：PI膜卷材的制备，通过复卷机将PI膜绕卷在石墨杆上，获得PI膜卷材，PI膜卷材每层之间的间隙为160μm，PI膜的厚度为80；

步骤二：装卷，将PI膜卷材放置于舟皿中，舟皿分为三层，每一层放置12卷PI膜卷材；

步骤三：真空碳化；

首先，将舟皿送入碳化炉内并关闭炉门；

然后，通过真空泵机组将碳化炉的内部抽至真空状态，使碳化炉内的真空度控制在500pa以下，并保压30min以上；

接着，以5℃/min的速度将碳化炉的内部由常温升至520℃；

接着，以1.5℃/min的速度将碳化炉的内部由520℃升至910℃；

接着，以2.5℃/min的速度将碳化炉的内部由910℃升至1250℃；

最后，让碳化炉自然冷却至室温，得到碳化膜；

步骤四：高温石墨化；

首先，将舟皿从碳化炉内取出并送入石墨炉的内部，关闭石墨炉的炉门；

然后，将石墨炉的内部抽至真空状态；

接着，向石墨炉的内部填充惰性保护气体，惰性保护气体为氦气、氩气或者氙气；

接着，以10℃/min的速度将石墨炉的内部由常温升至1800℃；

接着，让石墨炉在1800℃的温度下保温1～1.5h；

接着，以5℃/min的速度将石墨炉的内部由1800℃升至2750℃；

接着，让石墨炉在2750℃的温度下保温30～50min；

最后，让石墨炉自然冷却至室温，获得石墨化膜；

步骤五：压延，将石墨化膜通过压延工艺压附在离型膜上，得到超厚人工石墨膜，压延工艺就是通过辊筒间生产的剪切力，使得物料多次受到挤压、剪切，从而增大可塑性，在进一步塑化的基础上延展成为薄型制品。

实施例4

实施例4公开了一种超厚人工石墨膜的制造方法，包括以下步骤：

步骤一：PI膜卷材的制备，通过复卷机将PI膜绕卷在石墨杆上，获得PI膜卷材，PI膜卷材每层之间的间隙为160μm，PI膜的厚度为80μm；

步骤二：装卷，将PI膜卷材放置于舟皿中，舟皿分为三层，每一层放置12卷PI膜卷材；

步骤三：真空碳化；

首先，将舟皿送入碳化炉内并关闭炉门；

然后，通过真空泵机组将碳化炉的内部抽至真空状态，使碳化炉内的真空度控制在500pa以下，并保压30min以上；

接着，以5℃/min的速度将碳化炉的内部由常温升至535℃；

接着，以1.5℃/min的速度将碳化炉的内部由535℃升至935℃；

接着，以2.5℃/min的速度将碳化炉的内部由935℃升至1300℃；

最后，让碳化炉自然冷却至室温，得到碳化膜；

步骤四：高温石墨化；

首先，将舟皿从碳化炉内取出并送入石墨炉的内部，关闭石墨炉的炉门；

然后，将石墨炉的内部抽至真空状态；

接着，向石墨炉的内部填充惰性保护气体，惰性保护气体为氦气、氩气或者氙气；

接着，以10℃/min的速度将石墨炉的内部由常温升至1900℃；

接着，让石墨炉在1900℃的温度下保温1～1.5h；

接着，以5℃/min的速度将石墨炉的内部由1900℃升至2800℃；

接着，让石墨炉在2800℃的温度下保温30～50min；

最后，让石墨炉自然冷却至室温，获得石墨化膜；

步骤五：压延，将石墨化膜通过压延工艺压附在离型膜上，得到超厚人工石墨膜，压延工艺就是通过辊筒间生产的剪切力，使得物料多次受到挤压、剪切，从而增大可塑性，在进一步塑化的基础上延展成为薄型制品。

实施例5

实施例5公开了一种超厚人工石墨膜的制造方法，包括以下步骤：

步骤一：PI膜卷材的制备，通过复卷机将PI膜绕卷在石墨杆上，获得PI膜卷材，PI膜卷材每层之间的间隙为160μm，PI膜的厚度为80μm；

步骤二：装卷，将PI膜卷材放置于舟皿中，舟皿分为三层，每一层放置12卷PI膜卷材；

步骤三：真空碳化；

首先，将舟皿送入碳化炉内并关闭炉门；

然后，通过真空泵机组将碳化炉的内部抽至真空状态，使碳化炉内的真空度控制在500pa以下，并保压30min以上；

接着，以5℃/min的速度将碳化炉的内部由常温升至555℃；

接着，以1.5℃/min的速度将碳化炉的内部由555℃升至960℃；

接着，以2.5℃/min的速度将碳化炉的内部由960℃升至1350℃；

最后，让碳化炉自然冷却至室温，得到碳化膜；

步骤四：高温石墨化；

首先，将舟皿从碳化炉内取出并送入石墨炉的内部，关闭石墨炉的炉门；

然后，将石墨炉的内部抽至真空状态；

接着，向石墨炉的内部填充惰性保护气体，惰性保护气体为氦气、氩气或者氙气；

接着，以10℃/min的速度将石墨炉的内部由常温升至2000℃；

接着，让石墨炉在2000℃的温度下保温1～1.5h；

接着，以5℃/min的速度将石墨炉的内部由2000℃升至2850℃；

接着，让石墨炉在2850℃的温度下保温30～50min；

最后，让石墨炉自然冷却至室温，获得石墨化膜；

步骤五：压延，将石墨化膜通过压延工艺压附在离型膜上，得到超厚人工石墨膜，压延工艺就是通过辊筒间生产的剪切力，使得物料多次受到挤压、剪切，从而增大可塑性，在进一步塑化的基础上延展成为薄型制品。

实施例6

实施例6公开了一种超厚人工石墨膜的制造方法，包括以下步骤：

步骤一：PI膜卷材的制备，通过复卷机将PI膜绕卷在石墨杆上，获得PI膜卷材，PI膜卷材每层之间的间隙为170μm，PI膜的厚度为120；

步骤二：装卷，将PI膜卷材放置于舟皿中，舟皿分为三层，每一层放置12卷PI膜卷材；

步骤三：真空碳化；

首先，将舟皿送入碳化炉内并关闭炉门；

然后，通过真空泵机组将碳化炉的内部抽至真空状态，使碳化炉内的真空度控制在500pa以下，并保压30min以上；

接着，以5℃/min的速度将碳化炉的内部由常温升至550℃；

接着，以1.5℃/min的速度将碳化炉的内部由550℃升至960℃；

接着，以2.5℃/min的速度将碳化炉的内部由960℃升至1350℃；

最后，让碳化炉自然冷却至室温，得到碳化膜；

步骤四：高温石墨化；

首先，将舟皿从碳化炉内取出并送入石墨炉的内部，关闭石墨炉的炉门；

然后，将石墨炉的内部抽至真空状态；

接着，向石墨炉的内部填充惰性保护气体，惰性保护气体为氦气、氩气或者氙气；

接着，以10℃/min的速度将石墨炉的内部由常温升至2000℃；

接着，让石墨炉在2000℃的温度下保温1～1.5h；

接着，以5℃/min的速度将石墨炉的内部由2000℃升至2850℃；

接着，让石墨炉在2850℃的温度下保温30～50min；

最后，让石墨炉自然冷却至室温，获得石墨化膜；

步骤五：压延，将石墨化膜通过压延工艺压附在离型膜上，得到超厚人工石墨膜，压延工艺就是通过辊筒间生产的剪切力，使得物料多次受到挤压、剪切，从而增大可塑性，在进一步塑化的基础上延展成为薄型制品。

实施例7

实施例7公开了一种超厚人工石墨膜的制造方法，包括以下步骤：

步骤一：PI膜卷材的制备，通过复卷机将PI膜绕卷在石墨杆上，获得PI膜卷材，PI膜卷材每层之间的间隙为180μm，PI膜的厚度为160；

步骤二：装卷，将PI膜卷材放置于舟皿中，舟皿分为三层，每一层放置12卷PI膜卷材；

步骤三：真空碳化；

首先，将舟皿送入碳化炉内并关闭炉门；

然后，通过真空泵机组将碳化炉的内部抽至真空状态，使碳化炉内的真空度控制在500pa以下，并保压30min以上；

接着，以5℃/min的速度将碳化炉的内部由常温升至550℃；

接着，以1.5℃/min的速度将碳化炉的内部由550℃升至9960℃；

接着，以2.5℃/min的速度将碳化炉的内部由9960℃升至1350℃；

最后，让碳化炉自然冷却至室温，得到碳化膜；

步骤四：高温石墨化；

首先，将舟皿从碳化炉内取出并送入石墨炉的内部，关闭石墨炉的炉门；

然后，将石墨炉的内部抽至真空状态；

接着，向石墨炉的内部填充惰性保护气体，惰性保护气体为氦气、氩气或者氙气；

接着，以10℃/min的速度将石墨炉的内部由常温升至2000℃；

接着，让石墨炉在2000℃的温度下保温1～1.5h；

接着，以5℃/min的速度将石墨炉的内部由2000℃升至2850℃；

接着，让石墨炉在2750～2850℃的温度下保温30～50min；

最后，让石墨炉自然冷却至室温，获得石墨化膜；

步骤五：压延，将石墨化膜通过压延工艺压附在离型膜上，得到超厚人工石墨膜，压延工艺就是通过辊筒间生产的剪切力，使得物料多次受到挤压、剪切，从而增大可塑性，在进一步塑化的基础上延展成为薄型制品。

选取厚度类型为90μm的PI膜60卷并等分为6组，每组10卷，再分别选取10卷厚度类型为120μm和160μm的PI膜，厚度类型为90μm的6组PI膜分别进行实施例1-5以及现有人工石墨膜的制造工艺获得人工石墨膜，厚度类型为120μm的10卷PI膜进行实施例6中的制造方法获得人工石墨膜，厚度类型为160μm的10卷PI膜进行实施例7中的制造方法获得人工石墨膜，首先观察人工石墨膜的拱边情况，再测量人工石墨膜的厚度，对6组厚度类型为90μm的PI膜的厚度以及厚度类型为120μm和160μm的10卷PI膜的厚度取平均值并分别记录于下表中，再统计每卷前3米人工石墨膜上的凸点和亮点的个数总和，对6组厚度类型为90μm的PI膜的凸点和亮点总和以及厚度类型为120μm和160μm的10卷PI膜的凸点和亮点总和取平均值并分别记录于下表中，接着，将6组厚度类型为90μm的PI膜每组等分为两份，每份5卷，将10卷厚度类型为120μm的PI膜等分为两份，每份5卷，将10卷厚度类型为160μm的PI膜等分为两份，再分别对每组厚度类型为90μm的每份PI膜进行耐弯折性能测试和导热性能测试，分别对厚度类型为120μm的PI膜进行耐弯折性能和导热性能测试，分别对厚度类型为160μm的PI膜进行耐弯折性能和导热性能测试，再将每份的结果取平均值记录于下表中。

表1 人工石墨膜性能测试数据表

其中，人工石墨膜的耐弯折性能测试步骤为：从人工石墨膜卷材中截取长度为5cm，宽度为2.54cm的片材作为实验样品，先将片材的一端固定，然后转动片材的另一端，使片材向两边进行90°来回转动，片材的转动半径为5cm，转动的频率为1秒钟转动一次，片材向一侧转动90°再反向转动180°，然后再反向转动90°回到起始位置记为一次，记录片材断裂时转过的次数，片材断裂时转过的次数越多，人工石墨膜的耐弯折性能越好；人工石墨膜的导热性能的测试通过激光导热仪进行测试，人工石墨膜在同样厚度的情况下，导热系数越高，人工石墨膜的导热性能越好，人工石墨膜在不同厚度的情况下，人工石墨膜的导热性能与人工石墨膜的厚度与导热系数两者的乘积呈正相关关系。

现有的人工石墨膜由于工艺因素的限制，只能加工厚度在90μm范围内的PI膜，从而制成的人工石墨膜的厚度在60μm以内，观察并计算上表中的数据，本申请实施例1-7中公开的人工石墨膜制造方法相对于现有的人工石墨膜制造方法，制备出的人工石墨膜具有更加优异的耐弯折性能和导热性能，同时人工石墨膜表面的凸点、亮点及拱边现象显著减少。

另外，实施例1-3中逐渐降低碳化过程中和石墨化过程中的温度，从而延长碳化和石墨化过程中的升温时间，使PI膜充分碳化和石墨化，再通过上表中实施例1-3对应的数据可知，人工石墨膜的耐弯折性能和导热性能均显著提升，人工石墨膜表面的凸点、亮点和拱边缺陷显著减少；实施例3-5中，逐渐提高碳化和石墨化过程中的最高升温温度，从而也使PI膜能够充分的碳化和石墨化，再通过上表中实施例3-5对应的数据可知，人工石墨膜的耐弯折性能和导热性能显著提升，人工石墨膜表面的凸点、亮点和拱边缺陷显著减少；实施例5-7中，增加了PI膜的厚度，从而使制备出的人工石墨膜的厚度增加，再通过上表中的数据可知，随着人工石墨膜厚度的增加，人工石墨膜的耐弯折性能和导热性能均显著提升。