阅读说明：本技术 基于模型的离子束刻蚀速率控制方法及装置 (Ion beam etching rate control method and device based on model ) 是由 景晓军 黄海 杨威 张芳沛 吴胜 陈千千 于 2019-11-18 设计创作，主要内容包括：本发明实施例提供了一种离子束刻蚀的刻蚀速率控制方法、离子束刻蚀方法及装置,其中,速率控制方法包括：获取目标刻蚀速率；将目标刻蚀速率代入速率确定模型,得到工艺参数需满足的条件；其中,速率确定模型为：以工艺参数为自变量、以刻蚀速率为因变量的模型,速率确定模型是通过样本特征参数、样本刻蚀速率对待训练模型进行训练得到的模型；根据工艺参数需满足的条件,调节工艺参数的值,以使得按工艺参数的值进行刻蚀所得到的实际刻蚀速率与目标刻蚀速率相等。采用本发明实施例的技术方案,可以控制离子束刻蚀过程中的刻蚀速率,提高了刻蚀速率的可控性,从而提高了离子束刻蚀过程的可控性和灵活性。(The embodiment of the invention provides an ion beam etching rate control method, an ion beam etching method and a device, wherein the rate control method comprises the following steps: obtaining a target etching rate; substituting the target etching rate into the rate determination model to obtain the conditions required to be met by the process parameters; wherein the rate determination model is: the model takes the process parameters as independent variables and the etching rate as dependent variables, and the rate determination model is obtained by training the model to be trained through the characteristic parameters of the sample and the etching rate of the sample; and adjusting the value of the process parameter according to the condition required to be met by the process parameter, so that the actual etching rate obtained by etching according to the value of the process parameter is equal to the target etching rate. By adopting the technical scheme of the embodiment of the invention, the etching rate in the ion beam etching process can be controlled, and the controllability of the etching rate is improved, so that the controllability and the flexibility of the ion beam etching process are improved.)

基于模型的离子束刻蚀速率控制方法及装置

技术领域

本发明涉及离子束刻蚀技术领域，特别是涉及一种离子束刻蚀的刻蚀速率控制方法、离子束刻蚀方法及装置。

背景技术

离子束刻蚀是利用一定能量的离子对被刻蚀元件的表面进行轰击，使被刻蚀材料表面的原子发生溅射，达到刻蚀目的的一种刻蚀技术。离子束刻蚀因具有图像转移精度高、刻蚀效率高以及不受刻蚀材料限制等优点，被广泛的应用于微细加工领域。在进行离子束刻蚀的过程中，刻蚀深度是由刻蚀速率和刻蚀时间决定的。

由于影响刻蚀速率的因素较多，导致刻蚀速率的可控性较差，因此，现有技术中，通常是分析工艺参数对刻蚀速率的定性影响。

然而，通过分析工艺参数对刻蚀速率的定性影响，很难控制刻蚀速率，从而会使得离子束刻蚀的可控性和灵活性较差。

发明内容

本发明实施例的目的在于提供一种离子束刻蚀的刻蚀速率控制方法、离子束刻蚀方法及装置，以提高刻蚀速率的可控性，从而提高离子束刻蚀的可控性和灵活性。具体技术方案如下：

第一方面，本发明实施例提供了一种离子束刻蚀的刻蚀速率控制方法，包括：

获取目标刻蚀速率；

将所述目标刻蚀速率代入速率确定模型，得到工艺参数需满足的条件；其中，所述速率确定模型为：以工艺参数为自变量、以刻蚀速率为因变量的模型，所述速率确定模型是通过样本特征参数、样本刻蚀速率对待训练模型进行训练得到的模型；

根据所述工艺参数需满足的条件，调节所述工艺参数的值，以使得按所述工艺参数的值进行刻蚀所得到的实际刻蚀速率与所述目标刻蚀速率相等。

可选的，所述速率确定模型的训练过程为：

确定待训练模型；

获取样本数据，所述样本数据包括：样本特征参数、与所述样本特征参数对应的样本刻蚀速率；

将所述样本数据代入所述待训练模型中，得到所述待训练模型的模型参数的值；

将确定了模型参数的值的所述待训练模型作为速率确定模型。

可选的，所述工艺参数包括：离子束能量、离子束流、离子束入射角度。

可选的，所述确定待训练模型，包括：

确定刻蚀速率与各工艺参数的关系；

根据刻蚀速率与各工艺参数的关系，确定待训练模型。

可选的，所述确定刻蚀速率与各工艺参数的关系，包括：

使所述离子束流和所述离子束入射角度固定不变，改变所述离子束能量，记录用不同离子束能量进行刻蚀所得到的刻蚀速率，得到离子束能量与刻蚀速率关系；

使所述离子束能量和所述离子束入射角度固定不变，改变所述离子束流，记录用不同离子束流进行刻蚀所得到的刻蚀速率，得到离子束流与刻蚀速率关系；

使所述离子束能量和所述离子束流固定不变，改变所述离子束入射角度，记录用不同离子束入射角度进行刻蚀所得到的刻蚀速率，得到离子束入射角度与刻蚀速率关系；

相应的，所述根据刻蚀速率与各工艺参数的关系，确定待训练模型，包括：

根据所述离子束能量与刻蚀速率关系、所述离子束流与刻蚀速率关系、所述离子束入射角度与刻蚀速率关系，确定待训练模型。

可选的，所述待训练模型为多元线性回归模型。

可选的，所述多元线性回归模型为：

y＝θ₀+θ₁x₁+θ₂x₂+θ₃x₃+ε；

上式中，y表示刻蚀速率，θ₀、θ₁、θ₂、θ₃分别表示模型的4个参数，ε表示实验中的随机因素对y的影响，x₁、x₂、x₃分别表示离子束能量、离子束流、离子束入射角度。

第二方面，本发明实施例还提供了一种离子束刻蚀方法，包括：

确定目标刻蚀深度与目标刻蚀速率；

根据所述目标刻蚀深度与所述目标刻蚀速率，确定刻蚀时间；

使用第一方面任一项所述的刻蚀速率控制方法，控制刻蚀过程中的实际刻蚀速率与所述目标刻蚀速率相等；

对待刻蚀元件按照所述刻蚀时间、以所述实际刻蚀速率进行刻蚀。

第三方面，本发明实施例还提供了一种离子束刻蚀的刻蚀速率控制装置，所述装置包括：

速率获取单元，用于获取目标刻蚀速率；

条件确定单元，用于将所述目标刻蚀速率代入速率确定模型，得到工艺参数需满足的条件；其中，所述速率确定模型为：以工艺参数为自变量、以刻蚀速率为因变量的模型，所述速率确定模型是通过样本特征参数、样本刻蚀速率对待训练模型进行训练得到的模型；

参数值确定单元，用于根据所述工艺参数需满足的条件，调节所述工艺参数的值，以使得按所述工艺参数的值进行刻蚀所得到的实际刻蚀速率与所述目标刻蚀速率相等。

第四方面，本发明实施例还提供了一种离子束刻蚀装置，所述装置包括：

目标确定单元，确定目标刻蚀深度与目标刻蚀速率；

时间确定单元，用于根据所述目标刻蚀深度与所述目标刻蚀速率，确定刻蚀时间；

速率控制单元，用于使用第一方面任一项所述的刻蚀速率控制方法，控制刻蚀过程中的实际刻蚀速率与所述目标刻蚀速率相等；

刻蚀控制单元，用于控制刻蚀设备对待刻蚀元件按照所述刻蚀时间、以所述实际刻蚀速率进行刻蚀。

本发明实施例提供离子束刻蚀的刻蚀速率控制方法，可以通过速率确定模型得出工艺参数需满足的条件，按照工艺参数需满足的条件来调整各工艺参数，可以使得实际刻蚀速率与目标刻蚀速率相等，这样，就可以控制离子束刻蚀过程中的实际刻蚀速率与目标刻蚀速率相等，提高了刻蚀速率的可控性，当想要得到预期的刻蚀深度时，不仅可以控制刻蚀时间，还可以控制刻蚀速率，提高了离子束刻蚀过程的可控性和灵活性。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供的离子束刻蚀的刻蚀速率控制方法的一种流程示意图；

图2为本发明实施例提供中速率确定模型的训练方法的一种流程示意图；

图3为本发明实施例提供的离子束刻蚀的刻蚀速率控制装置的一种结构示意图；

图4为本发明实施例提供的电子设备的一种结构示意图；

图5为本发明实施例提供的电子设备的另一种结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

为了提高刻蚀速率的可控性，从而提高离子束刻蚀的可控性和灵活性，本发明实施例提供了一种离子束刻蚀的刻蚀速率控制方法、离子束刻蚀方法及装置。

下面首先对本发明实施例所提供的离子束刻蚀的刻蚀速率控制方法进行介绍。

需要说明的是，本发明实施例所提供的离子束刻蚀的刻蚀速率控制方法可以应用于离子束刻蚀行业。

本发明实施例提供的离子束刻蚀的刻蚀速率控制方法的执行主体可以是电子设备，该电子设备例如可以是控制器、台式电脑、笔记本电脑、移动终端等设备，也可以是其他电子设备。

图1为本发明实施例提供的离子束刻蚀的刻蚀速率控制方法的一种流程示意图，也就是本发明实施例提供的基于模型的离子束刻蚀速率控制方法的一种流程示意图。如图1所示，本发明实施例提供的离子束刻蚀的刻蚀速率控制方法包括以下步骤：

S110：获取目标刻蚀速率。

在本发明实施例中，操作人员可以将目标刻蚀速率输入电子设备，这样，电子设备就可以获取操作人员输入的目标刻蚀速率。电子设备也可以从预设的速率对照表中选择与待刻蚀元件的材料相对应的刻蚀速率，作为目标刻蚀速率，其中，预设的速率对照表中包括待刻蚀元件的材料与刻蚀速率的对应关系。

S120：将目标刻蚀速率代入速率确定模型，得到工艺参数需满足的条件。

其中，速率确定模型为：以工艺参数为自变量、以刻蚀速率为因变量的模型，速率确定模型是通过样本特征参数、样本刻蚀速率对待训练模型进行训练得到的模型。

在本发明实施例中，上述工艺参数可以包括一个参数，也可以包括多个参数。

在一种实施方式中，为了使刻蚀速率的可控性更好、可达到范围更广，上述工艺参数可以包括离子束能量、离子束流、离子束入射角度。当工艺参数只包括一个参数时，仅调整一个参数有时是无法得到目标刻蚀速率的，这样，就会使刻蚀速率的可控性较差、可达到范围较小，从而使得刻蚀效率和刻蚀的可控性较差。本实施方式中，当工艺参数包括多个参数时，可以通过对多个参数进行调整来达到目标刻蚀速率，这样就使得得到目标刻蚀速率的概率更高，从而使刻蚀速率的可控性更好、可达到范围更大。

S130：根据上述工艺参数需满足的条件，调节上述工艺参数的值，以使得按上述工艺参数的值进行刻蚀所得到的实际刻蚀速率与目标刻蚀速率相等。

本发明实施例提供的离子束刻蚀的刻蚀速率控制方法，可以通过速率确定模型得出工艺参数需满足的条件，按照工艺参数需满足的条件来调整各工艺参数，可以使得实际刻蚀速率与目标刻蚀速率相等，这样，就可以控制离子束刻蚀过程中的实际刻蚀速率与目标刻蚀速率相等，提高了刻蚀速率的可控性，当想要得到预期的刻蚀深度时，不仅可以控制刻蚀时间，还可以控制刻蚀速率，提高了离子束刻蚀过程的可控性和灵活性。

在一种实施方式中，如图2所示，上述速率确定模型的训练过程可以包括以下步骤S210～S240：

S210：确定待训练模型。

在一种具体实施方式中，电子设备可以按以下步骤S211～S212来确定待训练模型：

S211：确定刻蚀速率与各工艺参数的关系。

S212：根据刻蚀速率与各工艺参数的关系，确定待训练模型。

根据刻蚀速率与各工艺参数的关系来确定待训练模型，可以更有针对性、更快速地确定出待训练模型。

在其他实施方式中，本领域技术人员也可以根据先验知识来确定待训练模型，或者根据其他方式来确定待训练模型，本发明实施例不具体限定。

在一种具体实施方式中，当上述工艺参数包括：离子束能量、离子束流、离子束入射角度时，上述步骤S211，可以按以下步骤S2111～S2113实现：

S2111：使离子束流和离子束入射角度固定不变，改变离子束能量，记录用不同离子束能量进行刻蚀所得到的刻蚀速率，得到离子束能量与刻蚀速率关系。

步骤S2111在改变离子束能量时，可以在预设的能量范围内改变离子束能量，该预设的能量范围例如可以是[100eV，1200eV]，其中，eV是能量的单位，表示电子伏特，具体的，在改变离子束能量时，可以以100eV为间隔，从[100eV，1200eV]范围内来获取多个离散的离子束能量值。本领域技术人员也可以选取其他范围作为预设的能量范围，以其他方式来改变离子束能量。

在一种实施方式中，在得到离子束能量与刻蚀速率关系后，还可以作出离子束能量与刻蚀速率的关系图，从而可以更直观地观察离子束能量与刻蚀速率的关系。

S2112：使离子束能量和离子束入射角度固定不变，改变离子束流，记录用不同离子束流进行刻蚀所得到的刻蚀速率，得到离子束流与刻蚀速率关系。

步骤S2112在改变离子束流时，可以在预设的电流范围内改变离子束流，该预设的电流范围例如可以是[15mA，35mA]，其中，mA是电流的单位，表示毫安，具体的，在改变离子束流时，可以以5mA为间隔，从[15mA，35mA]范围内来获取多个离散的离子束流值。本领域技术人员也可以选取其他范围作为预设的电流范围，以其他方式来改变离子束流。

在一种实施方式中，在得到离子束流与刻蚀速率关系后，还可以作出离子束流与刻蚀速率的关系图，从而可以更直观地观察离子束流与刻蚀速率的关系。

S2113：使离子束能量和离子束流固定不变，改变离子束入射角度，记录用不同离子束入射角度进行刻蚀所得到的刻蚀速率，得到离子束入射角度与刻蚀速率关系。

步骤S2113在改变离子束入射角度时，可以在预设的角度范围内改变离子束入射角度，该预设的角度范围例如可以是[0°，80°]，具体的，在改变离子束入射角度时，可以以5°为间隔，从[0°，80°]范围内来获取多个离散的离子束入射角度。本领域技术人员也可以选取其他范围作为预设的角度范围，以其他方式来改变离子束入射角度。

在一种实施方式中，在得到离子束入射角度与刻蚀速率关系后，还可以作出离子束入射角度与刻蚀速率的关系图，从而可以更直观地观察离子束入射角度与刻蚀速率的关系。

相应的，上述步骤S212，可以按以下步骤S2121实现：

S2121：根据离子束能量与刻蚀速率关系、离子束流与刻蚀速率关系、离子束入射角度与刻蚀速率关系，确定待训练模型。

本实施方式通过控制变量法来确定各个工艺参数与刻蚀速率的关系，更便于得出各个工艺参数与刻蚀速率的关系。

在本发明实施例中，步骤S2111～S2113所确定的离子束能量与刻蚀速率关系、离子束流与刻蚀速率关系、离子束入射角度与刻蚀速率关系均为线性关系，因此，在一种实施方式中，当上述工艺参数包括：离子束能量、离子束流、离子束入射角度时，上述待训练模型可以为多元线性回归模型。

上述多元线性回归模型具体可以为：

y＝θ₀+θ₁x₁+θ₂x₂+θ₃x₃+ε

上式中，y表示刻蚀速率，θ₀、θ₁、θ₂、θ₃分别表示模型的4个参数，ε表示实验中的随机因素对y的影响，x₁、x₂、x₃分别表示离子束能量、离子束流、离子束入射角度。

在本发明实施例中，当工艺参数为其他参数时，本领域技术人员也可以根据工艺参数与刻蚀速率的具体关系，确定其他模型为待训练模型，本发明实施例不限定待训练模型的具体形式。

S220：获取样本数据，该样本数据包括：样本特征参数、与该样本特征参数对应的样本刻蚀速率。

在本发明实施例中，一组样本数据包括一组样本特征参数以及与该组样本特征参数对应的样本刻蚀速率。

在本发明实施例中，可以通过实验来获取样本数据。为了使所确定的速率确定模型更准确，可以获取多组样本数据。样本数据越多，训练出的速率确定模型更准确。在通过实验获取样本数据时，可以使各样本特征参数在一定范围内进行取值，从而得到样本刻蚀速率。其中，得到样本刻蚀速率的方法可以为：用泰勒白光干涉表面轮廓仪Taylor SurfCCI2000，采用非接触式表面测量的方法测量样本刻蚀深度，并在刻蚀过程中记录样本刻蚀时间，将样本刻蚀深度与样本刻蚀时间的商，作为样本刻蚀速率。

S230：将样本特征参数、样本刻蚀速率代入待训练模型中，得到待训练模型的模型参数的值。

S240：将确定了模型参数的值的待训练模型作为速率确定模型。

在一个具体实施例中，可以进行n次实验，得到n组样本数据，当上述工艺参数包括：离子束能量、离子束流、离子束入射角度三个参数时，得到的样本

数据可以表示为：(y_i，x_i1，x_i2，x_i3)，i＝1，2，......，n

上式中，y_i表示第i组样本数据中的样本刻蚀速率，x_i1、x_i2、x_i3分别表示第i组样本数据中的离子束能量、离子束流、离子束入射角度的值。

将y_i、x_i1、x_i2、x_i3代入上述多元线性回归模型，可得参数求解公式：

y_i＝θ₀+θ₁x_i1+θ₂x_i2+θ₃x_i3+ε_i

上式中，θ₀、θ₁、θ₂、θ₃是4个待估参数，ε_i是第i次实验中的随机因素对y_i的影响，ε_i独立同分布，即

为便于理解和运算，可以将上述参数求解公式用矩阵表达式：y＝Xθ+ε来表示。上述矩阵表达式中，

在上述的矩阵表达式中，y是n维列向量，y_i存放第i次实验的刻蚀速率；X是n×(3+1)的矩阵，每行除了第一列，其余三列依次存放的是第i次实验的离子束能量、离子束流、离子束入射角度；θ是4维列向量，存放模型参数；ε是n维列向量，ε_i存放的是第i次实验的随机误差。

在本发明实施例中，如何得到待训练模型的模型参数的值，即如何求解参数矩阵θ。

在一种具体实施方式中，可以通过使刻蚀速率的预测值与实际值差的平方和达到最小的方式，来求解参数矩阵θ。这样，就可以使用最小二乘法来求解参数矩阵θ，即使用最小二乘法来得到待训练模型的模型参数的值。

在使用最小二乘法来求解参数矩阵θ时，可以先构造误差平方和函数：

其中，Q为刻蚀速率的预测值与实际值差的平方和。由于第i次实验的样本数据y_i、x_i1、x_i2、x_i3均为已知，因此，可以求解θ₀、θ₁、θ₂、θ₃。

可以通过求Q的最小值，令Q的各个偏导为0的方式来求解θ₀、θ₁、θ₂、θ₃。

求解θ₀、θ₁、θ₂、θ₃的过程具体可以为：

Q对θ₀进行求偏导，并令该偏导为0，得到第一等式：

Q对θ₁进行求偏导，并令该偏导为0，得到第二等式：

Q对θ₂进行求偏导，并令该偏导为0，得到第三等式：

Q对θ₃进行求偏导，并令该偏导为0，得到第四等式：

对第一等式、第二等式、第三等式、第四等式进行正规变换，得到方程组：

由于将数值运算转换为矩阵运算后，求解更容易，因此，可以将上述方程组用矩阵的形式表示为：

X^TXθ＝X^Ty

由于XTX是可逆的，则θ的估计值为：

从而可以得到θ₀、θ₁、θ₂、θ₃，并求出线性回归模型。

本发明实施例还提供了一种离子束刻蚀方法，该方法包括以下步骤S301～S304：

S301：确定目标刻蚀深度与目标刻蚀速率。

S302：根据目标刻蚀深度与目标刻蚀速率，确定刻蚀时间。

在本发明实施例中，可以将目标刻蚀深度与目标刻蚀速率的商，作为刻蚀时间。

S303：使用上述任一项的刻蚀速率控制方法，控制刻蚀过程中的实际刻蚀速率与目标刻蚀速率相等。

S304：对待刻蚀元件按照刻蚀时间、以实际刻蚀速率进行刻蚀。

在本发明实施例中，电子设备可以控制刻蚀设备对待刻蚀元件按照刻蚀时间、以实际刻蚀速率进行刻蚀。

本发明实施例提供的离子束刻蚀方法，可以通过速率确定模型得出工艺参数需满足的条件，按照工艺参数需满足的条件来调整各工艺参数，可以使得实际刻蚀速率与目标刻蚀速率相等，这样，就可以控制离子束刻蚀过程中的实际刻蚀速率与目标刻蚀速率相等，提高了刻蚀速率的可控性，当想要得到预期的刻蚀深度时，不仅可以控制刻蚀时间，还可以控制刻蚀速率，提高了离子束刻蚀过程的可控性和灵活性。

相应于上面的离子束刻蚀的刻蚀速率控制方法，本发明实施例还提供了一种离子束刻蚀的刻蚀速率控制装置。图3为本发明实施例提供的离子束刻蚀的刻蚀速率控制装置的一种结构示意图，也就是本发明实施例提供的基于模型的离子束刻蚀速率控制装置的一种流程示意图。如图3所示，本发明实施例提供的离子束刻蚀的刻蚀速率控制装置包括：

速率获取单元310，用于获取目标刻蚀速率；

条件确定单元320，用于将所述目标刻蚀速率代入速率确定模型，得到工艺参数需满足的条件；其中，所述速率确定模型为：以工艺参数为自变量、以刻蚀速率为因变量的模型，所述速率确定模型是通过样本特征参数、样本刻蚀速率对待训练模型进行训练得到的模型；

参数值确定单元330，用于根据所述工艺参数需满足的条件，调节所述工艺参数的值，以使得按所述工艺参数的值进行刻蚀所得到的实际刻蚀速率与所述目标刻蚀速率相等。

本发明实施例提供的离子束刻蚀的刻蚀速率控制装置，可以通过速率确定模型得出工艺参数需满足的条件，按照工艺参数需满足的条件来调整各工艺参数，可以使得实际刻蚀速率与目标刻蚀速率相等，这样，就可以控制离子束刻蚀过程中的实际刻蚀速率与目标刻蚀速率相等，提高了刻蚀速率的可控性，当想要得到预期的刻蚀深度时，不仅可以控制刻蚀时间，还可以控制刻蚀速率，提高了离子束刻蚀过程的可控性和灵活性。

在一种实施方式中，所述装置还可以包括：

第一模型确定单元，用于确定待训练模型；

样本获取单元，用于获取样本数据，所述样本数据包括：样本特征参数、与所述样本特征参数对应的样本刻蚀速率；

参数值确定单元，用于将所述样本数据代入所述待训练模型中，得到所述待训练模型的模型参数的值；

第二模型确定单元，用于将确定了模型参数的值的所述待训练模型作为速率确定模型。

在一种实施方式中，所述工艺参数可以包括：离子束能量、离子束流、离子束入射角度。

在一种实施方式中，所述第一模型确定单元，包括：

关系确定子单元，用于确定刻蚀速率与各工艺参数的关系；模型确定子单元，用于根据刻蚀速率与各工艺参数的关系，确定待训练模型。

在一种实施方式中，所述关系确定子单元，包括：

第一关系确定模块，用于使所述离子束流和所述离子束入射角度固定不变，改变所述离子束能量，记录用不同离子束能量进行刻蚀所得到的刻蚀速率，得到离子束能量与刻蚀速率关系；

第二关系确定模块，用于使所述离子束能量和所述离子束入射角度固定不变，改变所述离子束流，记录用不同离子束流进行刻蚀所得到的刻蚀速率，得到离子束流与刻蚀速率关系；

第三关系确定模块，用于使所述离子束能量和所述离子束流固定不变，改变所述离子束入射角度，记录用不同离子束入射角度进行刻蚀所得到的刻蚀速率，得到离子束入射角度与刻蚀速率关系；

相应的，所述模型确定子单元，具体用于：根据所述离子束能量与刻蚀速率关系、所述离子束流与刻蚀速率关系、所述离子束入射角度与刻蚀速率关系，确定待训练模型。

在一种实施方式中，所述待训练模型为多元线性回归模型。

在一种实施方式中，所述多元线性回归模型为：

y＝θ₀+θ₁x₁+θ₂x₂+θ₃x₃+ε；

上式中，y表示刻蚀速率，θ₀、θ₁、θ₂、θ₃分别表示模型的4个参数，ε表示实验中的随机因素对y的影响，x₁、x₂、x₃分别表示离子束能量、离子束流、离子束入射角度。

相应于上面的离子束刻蚀方法，本发明实施例还提供了一种离子束刻蚀装置。本发明实施例提供的离子束刻蚀装置包括：

目标确定单元，确定目标刻蚀深度与目标刻蚀速率；

时间确定单元，用于根据所述目标刻蚀深度与所述目标刻蚀速率，确定刻蚀时间；

速率控制单元，用于使用上述任一项所述的离子束刻蚀的刻蚀速率控制方法，控制刻蚀过程中的实际刻蚀速率与所述目标刻蚀速率相等；

刻蚀控制单元，用于控制刻蚀设备对待刻蚀元件按照所述刻蚀时间、以所述实际刻蚀速率进行刻蚀。

本发明实施例提供的离子束刻蚀装置，可以通过速率确定模型得出工艺参数需满足的条件，按照工艺参数需满足的条件来调整各工艺参数，可以使得实际刻蚀速率与目标刻蚀速率相等，这样，就可以控制离子束刻蚀过程中的实际刻蚀速率与目标刻蚀速率相等，提高了刻蚀速率的可控性，当想要得到预期的刻蚀深度时，不仅可以控制刻蚀时间，还可以控制刻蚀速率，提高了离子束刻蚀过程的可控性和灵活性。

本发明实施例还提供了一种电子设备，如图4所示，包括处理器401、通信接口402、存储器403和通信总线404，其中，处理器401、通信接口402、存储器403通过通信总线404完成相互间的通信，

存储器403，用于存放计算机程序；

处理器401，用于执行存储器403上所存放的程序时，实现上述任一项的离子束刻蚀的刻蚀速率控制方法。

本发明实施例还提供了一种电子设备，如图5所示，包括处理器501、通信接口502、存储器503和通信总线504，其中，处理器501、通信接口502、存储器503通过通信总线504完成相互间的通信，

存储器503，用于存放计算机程序；

处理器501，用于执行存储器503上所存放的程序时，实现上述任一项的离子束刻蚀方法。

上述电子设备中提到的通信总线可以是外设部件互连标准(PeripheralComponent Interconnect，PCI)总线或扩展工业标准结构(Extended Industry StandardArchitecture，EISA)总线等。该通信总线可以分为地址总线、数据总线、控制总线等。为便于表示，图中仅用一条粗线表示，但并不表示仅有一根总线或一种类型的总线。

通信接口用于上述电子设备与其他设备之间的通信。

存储器可以包括随机存取存储器(Random Access Memory，RAM)，也可以包括非易失性存储器(Non-Volatile Memory，NVM)，例如至少一个磁盘存储器。可选的，存储器还可以是至少一个位于远离前述处理器的存储装置。

上述的处理器可以是通用处理器，包括中央处理器(Central Processing Unit，CPU)、网络处理器(Network Processor，NP)等；还可以是数字信号处理器(Digital SignalProcessing，DSP)、专用集成电路(Application Specific Integrated Circuit，ASIC)、现场可编程门阵列(Field-Programmable Gate Array，FPGA)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件。

本发明实施例提供了一种计算机可读存储介质，所述存储介质内存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述任一项的离子束刻蚀的刻蚀速率控制方法。

本发明实施例提供了一种计算机可读存储介质，所述存储介质内存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述任一项的离子束刻蚀方法。

本发明实施例还提供了一种包含指令的计算机程序产品，当其在计算机上运行时，使得计算机执行上述任一项的离子束刻蚀的刻蚀速率控制方法。

本发明实施例还提供了一种包含指令的计算机程序产品，当其在计算机上运行时，使得计算机执行上述任一项的离子束刻蚀方法。

对于装置/电子设备/存储介质/程序产品实施例而言，由于其基本相似于方法实施例，所以描述的比较简单，相关之处参见方法实施例的部分说明即可。需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

本说明书中的各个实施例均采用相关的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。尤其，对于装置/电子设备/存储介质实施例而言，由于其基本相似于方法实施例，所以描述的比较简单，相关之处参见方法实施例的部分说明即可。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并非用于限定本发明的保护范围。凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均包含在本发明的保护范围内。