冷坩埚

本发明涉及一种冷坩埚。所述冷坩埚可用于单晶材料的高温生产领域。根据本发明的冷坩埚(1)包括：冷笼(10),所述冷笼包括扇形部(100),所述扇形部由具有良好导电性的材料制成,并且装料在所述扇形部中熔融；以及具有传热流体的冷却装置(11),所述冷却装置被配置成从内部冷却所述冷笼的每个扇形部(100)。所述冷坩埚设计成进一步包括至少一个用于产生静磁场的装置(12),每个发电装置被容纳在所述冷坩埚的所述扇形部(100)之一内。由此产生的每个静磁场都具有减慢熔融装料的电磁搅拌的效果,从而有可能生产出直径明显大于引发其生长的晶种直径的单晶锭。

2021-10-29

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一种晶体生长炉的观察窗装置

本说明书实施例提供一种晶体生长炉的观察窗装置,该观察窗装置包括观察窗和框体,其中,观察窗设置于框体上；框体设置于晶体生长炉的侧壁并与晶体生长炉连通,其中,框体的外侧设置至少一个进气口,框体的内侧设置至少两个出气口,至少两个出气口形成的至少两个气流方向间形成预设夹角,以使经由至少两个气流方向形成的至少两股气体在观察窗附近交汇形成气体屏障。

2021-10-29

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一种晶体籽晶断晶器装置

本发明公开了一种晶体籽晶断晶器装置,包括截断块、管道和下皮带轮,所述管道一端用于接驳压缩空气管,所述下皮带轮内部安装有内嵌式360°旋转接头并与其旋转外管固定连接,所述内嵌式360°旋转接头的旋转外管还与截断块一端固定连接,内嵌式360°旋转接头的固定内管与所述管道另一端固定连接；在截断块另一端开设有C型口,所述截断块内部为空腔结构并且在空腔内安装有弹簧,在弹簧内设有用于在空腔和C型口之间进出的撞击锤。本装置是小型轻量化的设备由于晶体生长炉的观察口过于狭小,手臂和其它较大的工具很难进入到晶体生长炉体内截断已经生长完成的晶体上的籽晶,此装置主要是在狭小的空间进行籽晶截断时使用。

2021-10-29

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气相成长装置及用于该气相成长装置的载具

本发明提供能够使晶圆周边缘部的CVD膜厚均匀的气相成长装置。载具(C)形成为具有载置于基座(112)的上表面的底面(C11)、与晶圆(WF)的背面的外边缘部接触来支承的上表面(C12)、外周侧壁面(C13)、内周侧壁面(C14)的无端的环状,并且前述上表面(C12)的圆周方向上的构造或形状为具有与前述晶圆(WF)的圆周方向上的晶体方位对应的关系的构造或形状,处理前的晶圆以处理前的晶圆的圆周方向上的晶体方位和圆周方向上的构造或形状呈前述对应的关系的方式搭载于载具。

2021-10-22

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衬底及衬底的拼接方法和单晶金刚石的制备方法

本发明涉及单晶金刚石技术领域,具体提供一种衬底及衬底的拼接方法和单晶金刚石的制备方法。所述衬底的拼接方法包括以下步骤：提供单晶金刚石籽晶,单晶金刚石籽晶具有底表面和与底表面相背的顶表面；单晶金刚石籽晶具有自底表面至顶表面的第一高度；沿第一高度的等分线切割单晶金刚石籽晶,使单晶金刚石籽晶被切割成具有相同第二高度的多块籽晶；将多块籽晶沿垂直于第二高度的方向进行拼接,且使相互拼接的籽晶之间的晶体取向相同,由此获得衬底。本发明可获得晶体取向相同的衬底,从而有助于节省单晶金刚石的加工工序,提高单晶金刚石的生长效率以及获得大尺寸、高质量的单晶金刚石。

2021-10-22

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一种单晶炉籽晶酸洗装置

本发明属于籽晶处理设备技术领域,提供了一种单晶炉籽晶酸洗装置,底座,用于固定和安装；酸洗腔,固定安装在所述底座的顶部一侧,所述酸洗腔设置为柱状结构；籽晶放置机构,环形转动设置在酸洗腔的内部,用于放置待酸洗的籽晶；喷洒机构,自由摆动的设置在所述酸洗腔的中顶部,用于对置于籽晶放置机构内部的籽晶进行旋转喷洒,其将喷洒机构与籽晶放置机构设置为相反的旋转方向,进而便于对籽晶放置机构内部的籽晶进行充分的喷洒清洗。

2021-10-19

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一种铼-钨复合坩埚及其制备方法

本发明提供了一种铼-钨复合坩埚及其制备方法和应用,属于金属材料制备技术领域。本发明的铼-钨复合坩埚包括基体钨坩埚以及铼层,所述铼层位于所述基体钨坩埚的内表面。本发明将难熔金属钨和铼的优点结合起来,创新设计并制备铼-钨复合坩埚,可大幅降低坩埚的成本；本发明采用CVD法制备复合坩埚内部的铼层,且铼层与氧化物熔体直接接触,在提高坩埚材料的致密度和纯度的同时,还能保证所制备激光晶体的高品质,所发明的铼/钨复合坩埚主要用于难熔金属氧化物,如稀土氧化物、碱土金属氧化物等高熔点晶体的生长。

2021-10-19

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一种铼坩埚及其制备方法和应用

本发明提供了一种铼坩埚及其制备方法和应用,属于金属材料制备技术领域。本发明提供了一种铼坩埚的制备方法,包括以下步骤：在真空条件下,将铼与氯气发生氯化反应,得到ReCl-(5)气体；对基体进行加工,得到沉积铼坩埚用模芯；将所述沉积铼坩埚用模芯预热,得到预热沉积铼坩埚用模芯；将所述ReCl-(5)气体输送至所述预热沉积铼坩埚用模芯的表面进行化学气相沉积,得到铼坩埚。本发明采用现场氯化化学气相沉积(CVD)法制备铼坩埚,具有流程短、工艺成熟、沉积速率快及原材料利用率高的优点,可以得到高致密性、高纯度的铼坩埚。

2021-10-19

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一种锗晶体生长设备自动等径检测控制系统

本发明公开了一种锗晶体生长设备自动等径检测控制系统,包括底座,底座的上端设置有夹持机构,夹持机构的上端设置有等径机构,夹持机构包括固定块,固定块固定连接在底座的上表面中心处,固定块的表面上通过轴承转动连接有转杆,本发明的有益效果是：将检测环套接在圆杆的表面上,然后缓缓放开检测环使其自动下落,当检测环下落时插块与生长管的内壁接触,当生长管内壁的内径发生变化时,进而会导致生长管内壁对插块的压力发生变化,最终压力反馈到动态压力感应器,进而通过动态压力感应器的读数可得出生长管内径是否等径,通过对生长管的内径进行检测,防止生长管内径存在变化导致对锗晶体的生长造成影响。

2021-10-08

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一种Zn-P-As单晶的制备方法

本发明公开了一种Zn-P-As单晶的制备方法,单质As与单质P放置处定义为a端,与a端相对应的用于结晶的另一端定义为c端,a端和c端之间的ZnO放置处定义为b端；保护性气氛或真空的密闭环境下,将单质As、单质P和ZnO按位置放好后,控制a端温度为870℃～890℃,c端温度为810℃～830℃,经保温晶体生长得到Zn-P-As单晶。本发明得到一种新型半导体单晶材料,具有与化学计量比为3:5:2.6的Zn-3P-5As-(2.6)晶体材料一致的结构,正交晶系,空间群为Cmcm；与单晶Si(E-g:1.1～1.3eV)的带隙接近,在新型电子器件以及光伏领域具有潜在的应用前景。

2021-10-08

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