阅读说明：本技术 液晶面板以及液晶显示装置 (Liquid crystal panel and liquid crystal display device ) 是由 森永润一 于 2018-07-09 设计创作，主要内容包括：实现一种可抑制由线缺陷引起的生产率下降且可获得高像素开口率的液晶面板。在栅极线(22)与下层源极线(26)交叉的交叉部形成有栅极线开口部(42)，下层源极线(26)与上层源极线(29)通过形成于栅极线开口部(42)的接触孔(45)进行连接。(A liquid crystal panel is realized which can suppress a decrease in productivity caused by a line defect and can obtain a high pixel aperture ratio. A gate line opening (42) is formed at the intersection where the gate line (22) and the lower source line (26) intersect, and the lower source line (26) and the upper source line (29) are connected by a contact hole (45) formed in the gate line opening (42).)

液晶面板以及液晶显示装置

技术领域

本发明涉及一种液晶面板以及液晶显示装置。

背景技术

当在液晶面板的生产时产生断线或布线间泄漏等线缺陷时，液晶面板的生产率会下降。只要这些线缺陷存在于液晶面板的一个部位，液晶面板也会被判定为不合格品。在高清晰面板以及大型面板中布线数较多，因此提高其生产率特别困难。

产生线缺陷的原因主要是设计上的关系。源极线(数据线)为了确保像素的开口率或应对串扰的产生，而大多被设计为细线。由此，在液晶面板的制造时产生源极线的断线的可能性较高。而且，配置于源极线与栅极线之间的层间绝缘膜为了实现恒定的TFT特性，而大多被设计成薄膜。由此，易于产生以源极线-栅极线短路等为代表的层间的绝缘短路。会因这些断线以及短路而妨碍液晶面板的合格化。

在专利文献1中公开了一种如下构成的液晶显示装置，具备数据线和在其上层隔着绝缘膜而形成的冗长数据线，数据线与冗长数据线经由接触孔进行连接。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本公开专利公报“日本特开平11-24223号(1999年9月7日公开)”

发明内容

本发明所要解决的技术问题

在专利文献1的液晶显示装置中，由于接触孔形成在像素开口部的附近，因此存在有产生显示不良的可能性。而且，由于接触孔有损于像素的平坦性，因此会产生液晶的取向不良，由此也担心引起漏光等问题。

本发明是为了解决所述的问题而完成的，其目的在于，实现一种可抑制由线缺陷引起的生产率下降且可获得高像素开口率的液晶面板。

解决问题的方案

本发明的一个方式所涉及的液晶面板具备：第一基板；以及第二基板，在所述第一基板与所述第二基板之间夹持有液晶，所述第一基板具备：多条第一布线；第二布线，其与所述多条第一布线交叉；以及第三布线，其配置于与所述第二布线不同的层，并以与所述第二布线平行的方式配置，在所述多条第一布线与所述第二布线交叉的所有交叉部中的至少任意一个形成有开口部，所述第二布线与所述第三布线通过形成于所述开口部的接触孔进行连接。

发明效果

根据本发明的一方式，可起到抑制由线缺陷引起的生产率下降且可获得高像素开口率的效果。

附图说明

图1为表示本发明的第一实施方式所涉及的液晶面板的主要部分构成的框图。

图2为俯视示出像素的详细的构成的俯视图。

图3为俯视示出像素电极的构成的俯视图。

图4为表示液晶面板中的图2所示的A-A’部位的剖面的剖视图。

图5为表示液晶面板中的图2所示的B-B’部位的剖面的剖面。

图6为对用于在阵列基板上形成栅极线等的处理的流程进行说明的流程图。

图7为表示在下层源极线中产生了断线的情况的电流路径的图。

图8为表示在下层源极线中形成有针孔但在上层源极线与栅极线之间未产生短路的示例的图。

图9为表示由于在下层源极线中形成有针孔因此在上层源极线与栅极线之间产生了短路的示例的图。

图10为对产生了短路的情况的液晶面板的修复方法的第一例进行说明的图。

图11为对产生了短路的情况的液晶面板的修复方法的第二例进行说明的图。

图12为表示处于接触孔的周围的取向不稳定区域的图。

图13为俯视示出本发明的第二实施方式所涉及的液晶面板的俯视图。

图14为俯视示出像素电极的俯视图。

图15为对向像素电极施加有电压的情况的液晶的取向进行说明的图。

图16为俯视示出本发明的第三实施方式所涉及的液晶面板的构成的俯视图。

图17为俯视示出构成液晶面板的像素电极的构成的俯视图。

图18为表示液晶面板中的图17所示的A-A’部位的剖面的第一例的剖视图。

图19为表示液晶面板中的图17所示的A-A’部位的剖面的第二例的剖视图。

图20为对向像素电极施加有电压的情况的液晶的取向进行说明的图。

图21为俯视示出本发明的第四实施方式所涉及的液晶面板的构成的俯视图。

图22为俯视示出像素电极的构成的俯视图。

图23为表示液晶面板中的图22所示的A-A’部位的剖面的第一例的剖视图。

图24为表示液晶面板中的图22所示的A-A’部位的剖面的第二例的剖视图。

图25为对向像素电极施加有电压的情况的液晶的取向进行说明的图。

图26为俯视示出本发明的第五实施方式所涉及的液晶面板的构成的俯视图。

图27为俯视示出像素电极的构成的俯视图。

图28为俯视示出共用电极的构成的俯视图。

图29为表示液晶面板中的图26所示的A-A’部位的剖面的剖视图。

图30为用于对在阵列基板上形成栅极线等的处理的流程进行说明的流程图。

图31为对向像素电极施加有电压的情况的液晶的取向进行说明的图。

具体实施方式

〔第一实施方式〕

以下参照图1～图4对本发明所涉及的第一实施方式进行说明。

(液晶面板1的结构)

图1为表示本发明的第一实施方式所涉及的液晶面板1的主要部分构成的框图。如该图所示，液晶面板1具备：栅极驱动器11、源极驱动器12、多条栅极线22(第一布线)、多条下层源极线26(第二布线、第一源极线)以及多条上层源极线29(第三布线、第二源极线)。栅极线22在显示区域13沿水平方向配置，下层源极线26以及上层源极线29分别在显示区域13沿与栅极线22正交的垂直方向配置。上层源极线29与下层源极线26平行地配置。对应栅极线22与下层源极线26(上层源极线29)交叉的每个交叉区域14形成像素15。像素15由三个子像素构成，三个子像素由红色子像素(R)、蓝色子像素(B)、以及绿色子像素(G)构成。由此，液晶面板1能够进行彩色显示。栅极驱动器11连接于栅极线22，对栅极线22输出栅极信号。源极驱动器12连接于下层源极线26，对下层源极线26输出源极信号(数据信号)。

图2为俯视示出像素15的详细的构成的俯视图。如该图所示，在像素15形成有像素开口部41、栅极线开口部42、以及辅助电容线开口部43。像素开口部41配置于与像素电极30对置的位置。像素电极30例如为ITO或IZO等透明导电膜。栅极线开口部42形成在多条栅极线22与下层源极线26的各个交叉部。辅助电容线开口部43配置在多条辅助电容线23与下层源极线26的各个交叉部。

图3为俯视示出像素电极30的构成的俯视图。如该图所示，像素电极30构成为所谓的整体电极。

图4为表示液晶面板1中的图2所示的A-A’部位的剖面的剖视图。图5为表示液晶面板1中的图2所示的B-B’部位的剖面的剖视图。如这些图所示，液晶面板1具备：阵列基板21(第一基板)、栅极线22、辅助电容线23、第一层间绝缘膜24、半导体层25、下层源极线26、漏电极27、第二层间绝缘膜28、上层源极线29、像素电极30、液晶31、共用电极32、彩色滤光片33、黑矩阵34(遮光膜)、以及对置基板35(第二基板)。共用电极32例如为ITO或IZO等透明导电膜。

在阵列基板21之上配置有栅极线22以及辅助电容线23。栅极线22以沿水平方向延伸的方式配置。辅助电容线23与栅极线22平行地配置。第一层间绝缘膜24以覆盖栅极线22以及辅助电容线23的方式配置。半导体层25、下层源极线26、以及漏电极27配置于第一层间绝缘膜24之上。半导体层25形成有TFT。TFT为用于控制像素15的信号的构件，并配置在栅极线22与下层源极线26的交点附近。

第二层间绝缘膜28以覆盖下层源极线26的一部分、半导体层25的开口部、以及漏电极27的一部分的方式配置。上层源极线29配置在第二层间绝缘膜28之上。在栅极线开口部42处形成有接触孔45(第一接触孔)，而且，在辅助电容线开口部43处也形成有接触孔45(第二接触孔)。上层源极线29通过接触孔45与下层源极线26连接。下层源极线26和上层源极线29配置于相互对置的位置。另外，虽在图4以及图5等中省略，但在液晶面板1中的朝向液晶31的各个内部表面形成有取向膜。

在各个像素开口部41内的任意的位置形成有像素部接触孔44，像素电极30与漏电极27通过像素部接触孔44连接。

在对置基板35之上配置有彩色滤光片33以及黑矩阵34。在彩色滤光片33之上配置有共用电极32。液晶31配置在液晶面板1的内部，且夹持在阵列基板21与对置基板35之间。

像素信号通过半导体层25输入至漏电极27。其结果为，确定通过像素部接触孔44而与漏电极27导通的像素电极30的信号电位。夹持在共用电极32与像素电极30之间的液晶31基于像素信号的电位进行取向。通过阵列基板21侧以及对置基板35侧的各偏振板、和液晶31的取向来控制从配置于液晶面板1的背面侧的背光源(未图示)照射的光的像素透射量。

(工艺流程)

图6为对用于在阵列基板21上形成栅极线等的处理的流程进行说明的流程图。当开始该图所示的流程时，首先，在阵列基板21的表面形成栅极线22(步骤S1)。接着，以覆盖栅极线22的方式形成第一层间绝缘膜24(步骤S2)。接着，在第一层间绝缘膜24之上形成半导体层25(步骤S3)。接着，在与半导体层25同一层形成下层源极线26以及漏电极27(步骤S4)。接着，以覆盖下层源极线26等的方式形成第二层间绝缘膜28(步骤S5)。接着，在第二层间绝缘膜28之上形成上层源极线29(步骤S6)。接着，在与上层源极线29同一层形成像素电极30(步骤S7)。

上层源极线29的布线材料只要是可降低上层源极线29的电阻的Al系或Cu系的材料即可。而且，为了不增加液晶面板1制造时的掩膜张数以及制造工序，也可以利用相同材料同时形成上层源极线29以及像素电极30。

在液晶面板1的制造时，在同一光刻工序中，能够形成接触孔45以及像素部接触孔44。因而，在液晶面板1的制造方法中，未必需要追加用于形成接触孔45的新的工序。

(电流路径52)

图7为表示在下层源极线26中产生了断线51的情况的电流路径52的图。如该图所示，在液晶面板1中，下层源极线26与上层源极线29分别通过两个接触孔45进行连接。由此，在液晶面板1形成有从下层源极线26与上层源极线29相连，并且再与下层源极线26相连的电流路径52。如图7所示，即使在下层源极线26中产生了断线51，向下层源极线26施加的电流也会通过电流路径52正常流通并到达至半导体层25。因而，只要在下层源极线26以及上层源极线29中不同时产生断线，就能够使液晶面板1合格化。

如图6所示，栅极线22大多是最初形成于阵列基板21的层的情况。因而，在栅极线22产生了线缺陷的情况下，在栅极线22的图案形成后，对被实施了不良判定的栅极线22进行激光修复、或再一次执行光刻工序，从而对产生了线缺陷的栅极线22进行修复，由此能够使液晶面板1合格化。

在下层源极线26存在有针孔等的情况下，在用于形成接触孔45的第二层间绝缘膜28的蚀刻工序中，在对第二层间绝缘膜28进行蚀刻时还存在有蚀刻至第一层间绝缘膜24的可能性。在实际产生了该不需要的蚀刻的情况下，存在有在上层源极线29的图案形成时上层源极线29与栅极线22或辅助电容线23短路的可能性。

图8为表示虽在下层源极线26形成有针孔53但在上层源极线29与栅极线22之间未产生短路的示例的图。在该图中，接触孔45的形成位置与栅极线22对置。在该情况下，即使在下层源极线26形成有针孔53，上层源极线29也仅与阵列基板21接触。

图9为表示由于在下层源极线26中形成有针孔53因此在上层源极线29与栅极线22之间产生了短路54的示例的图。在该图中，接触孔45的形成位置与栅极线22对置。在该情况下，当在下层源极线26中形成有针孔53时，在上层源极线29与栅极线22之间产生短路54。

(液晶面板1的修复)

图10为对产生了短路54的情况的液晶面板1的修复方法的第一例进行说明的图。在该图中，在下层源极线26与栅极线22之间产生短路54。在该情况下，有效利用在下层源极线26与栅极线22的交叉部位形成有栅极线开口部42的情况，如果通过激光切割等方法切掉处于栅极线22中的短路54的产生部位的附近的去除对象62，则能够消除液晶面板1的线缺陷，由此能够使液晶面板1合格化。

图11为对产生了短路54的情况的液晶面板1的修复方法的第二例进行说明的图。在该图中，在半导体层25的附近，在下层源极线26与栅极线22之间产生短路54。在该情况下，如果通过激光切割等方法切掉半导体层25的连接部63，则能够将液晶面板1的线缺陷修正为点缺陷，由此能够使液晶面板1合格化。

如图2等所示，在液晶面板1中，在辅助电容线23与栅极线22的交叉部位也形成有接触孔45。由此，即使在下层源极线26与辅助电容线23之间产生了短路的情况，也能够与下层源极线26和栅极线22的短路54的修复同样地进行修复。而且，通过增加接触孔45的数量，从而能够更有效地提高下层源极线26与上层源极线29的冗长度。

图12为表示处于接触孔45的周围的取向不稳定区域64的图。液晶31的取向受到液晶面板1的剖面构造以及取向膜的均匀性的影响。因而，如图12所示，对于处于向阵列基板21侧凹入的接触孔45的周围的取向不稳定区域64中的液晶31的取向而言，难以控制的情况较多。如图13所示，在液晶面板1中接触孔45形成于远离像素开口部41的交叉部(遮光部)，因此取向不稳定区域64远离像素开口部41。由此，能够稳定地控制像素开口部41中的液晶31的取向，因此能够提高液晶面板1的显示品质。

如以上所述，根据第一实施方式，能够实现可抑制由线缺陷引起的生产率下降且获得高像素开口率的液晶面板1。而且，与液晶面板1同样地，在具备液晶面板1的液晶显示装置(未图示)中，也具有可抑制由线缺陷引起的生产率下降且获得高像素开口率的优点。

(变形例)

优选接触孔45配置于栅极线开口部42(或辅助电容线开口部43)的中央附近。由此，能够更有效地防止像素开口率的下降以及显示品质的下降。

在液晶面板1中，未必需要在多条栅极线22与下层源极线26交叉的所有交叉部设置有栅极线开口部42。换言之，栅极线开口部42设置于所有交叉部中的至少任意一条即可，因而接触孔45设置于所有交叉部中的至少任意一条即可。例如接触孔45也可以不设置于用于维持液晶面板1的单元厚度的柱状间隔件的设置部位。在该情况下，减少柱状间隔件的设置面积即可，因此能够设置充分的强度的柱状间隔件，由此能够正常地维持液晶面板1的单元厚度。

〔第二实施方式〕

以下参照图13～15对本发明所涉及的第二实施方式进行说明。在本实施方式中对与第一实施方式共用的构件标注同一构件编号，只要不是特别需要就不重复其详细的说明。

(液晶面板1B的结构)

图13为俯视示出本发明的第二实施方式所涉及的液晶面板1B的俯视图。液晶面板1B具备与构成第一实施方式所涉及的液晶面板1的各构件相同的各构件。但是，在液晶面板1B与液晶面板1中，像素电极30的形状不同。

图14为俯视示出像素电极30的俯视图。如该图所示，像素电极30具有所谓的鱼骨形状。液晶面板1B以VA(Vertical Alignment：垂直取向)模式进行动作。当对通过垂直取向膜来控制的液晶31施加电压时，液晶31以从构成像素电极30的各支部的一端朝向像素电极30的内侧歪倒的方式进行取向。

(液晶31的取向方向)

图15为对向像素电极30施加有电压的情况的液晶31的取向进行说明的图。如该图所示，像素电极30被分割为四个区域71～74。当对液晶31施加电压时，与区域71～74对应的液晶31以分别向朝向像素电极30的内侧的不同的取向方向81～84倒下的方式进行取向。在液晶面板1B中液晶31的取向被控制为不同的四个方向，从而能够减小液晶31的视角依赖性，由此能够在较广的视角的范围内实现均匀的显示。

在作为像素电极30的主干的十字区域85，由于液晶31的不同的取向相互碰撞，从而在液晶面板1B中成为暗线的情况较多。暗线是指，由于难以实施液晶31的控制而无法获得充分的光透射性的部位。在第二实施方式中，在作为十字区域85与上层源极线29的交点的像素无效区域86设置有接触孔45。由此，能够抑制像素15的开口率的下降。

在液晶面板1B中，还能够通过PSA处理等使液晶31的取向稳定化。应用于液晶面板1B的PSA处理是指，通过将包含单体的液晶材料封入液晶面板1B内，并在对像素15施加了电压的状态下照射紫外线等，来在取向膜的界面促进液晶31的聚合物化。由此，在使用垂直取向膜使液晶31取向的液晶模式中，能够将具有恒定的倾斜角的初始取向赋予液晶31。其结果为，液晶31的取向不会迷失且稳定，显示品质得以提高。而且，显示的响应速度以及透光率也提高。

〔第三实施方式〕

以下参照图16～20对本发明所涉及的第三实施方式进行说明。在本实施方式中对与其他实施方式共用的构件标注同一构件编号，只要不是特别需要就不重复其详细的说明。

(液晶面板1C的结构)

图16为俯视示出本发明的第三实施方式所涉及的液晶面板1C的构成的俯视图。图17为俯视示出构成液晶面板1C的像素电极30的构成的俯视图。液晶面板1C至少具备与构成第一实施方式所涉及的液晶面板1的各构件相同的各构件。但是，在液晶面板1C与液晶面板1中，像素电极30的形状不同。液晶面板1C与MVA(Multiple Vertical Alignment：多畴垂直取向)模式对应，在像素电极30形成有狭缝91。液晶面板1C还具备形成于与共用电极32同一层的取向控制体92。

图18为表示液晶面板1C中的图17所示的A-A’部位的剖面的第一例的剖视图。图19为表示液晶面板1C中的图17所示的A-A’部位的剖面的第二例的剖视图。取向控制体92如图18所示为树脂制的突起物即可，或如图19所示也可以是形成于共用电极32的狭缝。无论在哪种结构中，取向控制体92均具有对施加有电压的液晶31的取向进行控制的作用。

(液晶31的取向方向)

图20为对向像素电极30施加有电压的情况的液晶31的取向进行说明的图。液晶31在施加有电压时，根据配置有液晶31的位置，被沿从狭缝91朝向取向控制体92的不同的取向方向95～98中的任意一个取向。通过在像素电极30的狭缝91的缘部产生的电场与基于取向控制体92的液晶31的控制方向啮合，从而液晶31的取向稳定。通过在液晶面板1C中液晶31的取向被稳定地控制为不同的四个方向，从而能够减小液晶31的视角依赖性。由此能够在较广的视角的范围内实现能够实施均匀的显示的液晶面板1C。

在以MVA模式进行动作的液晶面板1C中，如图20所示，在像素电极30的上半部分区域与下半部分区域，液晶31的取向方向相互改变90°。由此，对于像素电极30中的上半部分区域与下半部分区域的边界部分而言，成为液晶31的取向相互碰撞的暗线94的情况较多。暗线94是指，由于难以实施液晶31的控制而无法获得充分的光透射性的部位。在第三实施方式中，在作为暗线94与上层源极线29的交点的像素无效区域设置有接触孔45。由此，能够抑制像素15的开口率的下降。

在液晶面板1C中，与第二实施方式同样地，也能够通过PSA处理等使液晶31的取向稳定化。

〔第四实施方式〕

以下参照图21～25对本发明所涉及的第四实施方式进行说明。在本实施方式中对与其他实施方式共用的构件标注同一构件编号，只要不是特别需要就不重复其详细的说明。

(液晶面板1D的结构)

图21为俯视示出本发明的第四实施方式所涉及的液晶面板1D的构成的俯视图。图22为俯视示出像素电极30的构成的俯视图。液晶面板1D至少具备与构成第一实施方式所涉及的液晶面板1的各构件相同的各构件。但是，在液晶面板1D与液晶面板1中，像素电极30的形状不同。液晶面板1D与CPA(Continuous Pinwheel Alignment：连续焰火状排列)模式对应，在像素电极30形成有与栅极线22平行的狭缝101。像素电极30被分割为5个八边形的部分电极。液晶面板1D还具备形成于与共用电极32同一层的取向控制体102。

图23为表示液晶面板1D中的图22所示的A-A’部位的剖面的第一例的剖视图。图24为表示液晶面板1D中的图22所示的A-A’部位的剖面的第二例的剖视图。取向控制体102如图23所示，只要是形成在共用电极32之上的树脂制的突起物即可，或如图24所示也可以是形成于共用电极32的狭缝。无论是哪种结构，取向控制体102均具有对施加有电压的液晶31的取向进行控制的作用。

(液晶31的取向方向)

图25为对向像素电极30施加有电压的情况的液晶31的取向进行说明的图。液晶31在施加有电压时，根据配置有液晶31的位置，被沿从像素电极30的缘部朝向取向控制体92的多个不同的取向方向103中的任意一个取向。通过在像素电极30的缘部产生的电场与基于取向控制体102的液晶31的控制方向啮合，从而液晶31的取向稳定。通过在液晶面板1D中液晶31的取向被稳定地控制为不同的许多取向方向103，从而能够减小液晶面板1D中的显示物的视角依赖性。由此能够在较广的视角的范围内实现能够实施均匀的显示的液晶面板1D。

在以CPA模式进行动作的液晶面板1D中，与第一实施方式等同样地，在栅极线22与下层源极线26的交叉部以及栅极线22与辅助电容线23的交叉部分别形成有接触孔45。由此，能够使损失部分共用化，因此能够提高像素电极30的透光率。

在液晶面板1D中，能够与第二实施方式等同样地，通过PSA处理等使液晶31的取向稳定化。

〔第五实施方式〕

以下参照图26～31对本发明所涉及的第五实施方式进行说明。在本实施方式中对与其他实施方式共用的构件标注同一构件编号，只要不是特别需要就不重复其详细的说明。

(液晶面板1E的结构)

图26为俯视示出本发明的第五实施方式所涉及的液晶面板1E的构成的俯视图。图27为俯视示出像素电极30的构成的俯视图。图28为俯视示出共用电极32的构成的俯视图。液晶面板1E至少具备与构成第一实施方式所涉及的液晶面板1的各构件相同的各构件。但是，在液晶面板1E与液晶面板1中，液晶31的取向模式不同。液晶面板1E与横电场即FFS(FringeField Switching)模式对应。像素电极30的形状与第一实施方式相同。在共用电极32形成有狭缝111，所述狭缝111具有相对于栅极线22恒定的倾斜角，并且与水平方向(栅极线22的配置方向)大致平行。

图29为表示液晶面板1E中的图26所示的A-A’部位的剖面的剖视图。液晶面板1E还具备第三层间绝缘膜112以及平坦化膜113。第三层间绝缘膜112以分别覆盖像素电极30以及上层源极线29的方式，形成于第二层间绝缘膜28之上。第三层间绝缘膜112未形成于对置基板35之上，而形成于第三层间绝缘膜112之上。在彩色滤光片33之上形成有平坦化膜113。

(工艺流程)

图30为对用于在阵列基板21上形成栅极线等的处理的流程进行说明的流程图。当开始该图所示的流程时，首先，在阵列基板21的表面形成栅极线22(步骤S11)。接着，以覆盖栅极线22的方式形成第一层间绝缘膜24(步骤S12)。接着，在第一层间绝缘膜24之上形成半导体层25(步骤S13)。接着，在与半导体层25同一层形成下层源极线26以及漏电极27(步骤S14)。接着，以覆盖下层源极线26等的方式形成第二层间绝缘膜28(步骤S15)。接着，在第二层间绝缘膜28之上形成上层源极线29(步骤S16)。接着，在与上层源极线29同一层形成像素电极30(步骤S17)。接着，以覆盖像素电极30等的方式形成第三层间绝缘膜112(步骤S18)。接着，在第三层间绝缘膜112之上形成共用电极32(步骤S19)。由此结束图30所示的流程。

(液晶31的取向方向)

图31为对向像素电极30施加有电压的情况的液晶31的取向进行说明的图。当对液晶31施加有电压时，在与狭缝111的延伸方向121交叉的电场方向122上，产生像素电极30与共用电极32之间的电场。沿着初始取向轴123取向的液晶31以基于产生的该电场的强度沿着旋转方向124进行旋转的方式移动。由此控制液晶31的取向，实现液晶面板1E中的灰度显示。

在以FFS模式进行动作的液晶面板1E中，与第一实施方式等同样地，在栅极线22与下层源极线26的交叉部形成有接触孔45。由此，能够使损失部分共用化，因此能够提高像素电极30的透光率。

在液晶面板1E中，能够在隔着第三层间绝缘膜112而对置的像素电极30与共用电极32之间形成辅助电容。因而液晶面板1E也可以不具备辅助电容线23。即使在不具备辅助电容线23的液晶面板1E中，在像素15的上半部分区域与下半部分区域，液晶31的取向状况也不同。由此，上半部分区域与下半部分区域的边界成为暗线区域的情况较多。因此，如果在下层源极线26中的与暗线区域对置的位置设置接触孔45，则能够使损失部分供给化，因此能够与第一实施方式同样地，抑制像素15的开口率(透光率)的下降。

〔总结〕

本发明的方式1所涉及的液晶面板(1)的特征在于，具备第一基板(21)和第二基板(35)，在所述第一基板与所述第二基板之间夹持有液晶(31)，所述第一基板具备：多条第一布线(22)、与所述多条第一布线交叉的第二布线(下层源极线26)、以及配置于与所述第二布线不同的层并与所述第二布线平行地配置的第三布线(上层源极线29)，在所述多条第一布线与所述第二布线交叉的所有交叉部中的至少任意一条形成有开口部(栅极线开口部42)，所述第二布线与所述第三布线通过形成于所述开口部的接触孔(45)进行连接。

根据所述的结构，可抑制由线缺陷引起的生产率下降且可获得高像素开口率。

本发明的方式2所涉及的液晶面板的特征在于，在所述方式1的基础上，所述接触孔形成在所述开口部的中央附近。

根据所述的结构，能够更有效地防止像素开口率的下降以及显示品质的下降。

本发明的方式3所涉及的液晶面板的特征在于，在所述方式1的基础上，所述多条第一布线包含栅极线(22)，所述第二布线与所述第三布线分别为第一源极线(下层源极线26)和第二源极线(上层源极线29)。

本发明的方式4所涉及的液晶面板的特征在于，在所述方式1的基础上，所述多条第一布线包含辅助电容线(23)，所述第二布线与所述第三布线分别为第一源极线(下层源极线26)和第二源极线(上层源极线29)。

本发明的方式5所涉及的液晶面板的特征在于，在所述方式1的基础上，所述多条第一布线包含栅极线(22)、以及与所述栅极线平行地配置的辅助电容线(23)，所述第二布线与所述第三布线分别为第一源极线(下层源极线26)和第二源极线(上层源极线29)，所述开口部包含：形成于所述栅极线与所述第一源极线的交叉部的栅极线开口部(42)、以及形成于所述辅助电容线与所述第一源极线的交叉部的辅助电容线开口部(43)。

本发明的方式6所涉及的液晶面板的特征在于，在所述方式1～5的任意方式的基础上，还具备形成于与所述第三布线同一层的像素电极(30)。

本发明的方式7所涉及的液晶面板的特征在于，在所述方式6的基础上，所述第三布线包含与所述像素电极相同的材料。

根据所述的结构，能够使液晶面板的制造方法简化。

本发明的方式8所涉及的液晶面板的特征在于，在所述方式1～7的任意方式的基础上，在所述第二基板的与所述开口部对置的位置配置有遮光膜(黑矩阵34)。

本发明的方式9所涉及的液晶面板的特征在于，在所述方式1～8的任意方式的基础上，在所述第三布线的所述液晶侧隔着绝缘膜(第二层间绝缘膜28)配置有共用电极(32)。

本发明的方式10所涉及的液晶面板的特征在于，在所述方式9的基础上，所述共用电极配置在与所述开口部对置的位置。

本发明的方式11所涉及的液晶面板的特征在于，在所述方式9或10的基础上，所述共用电极具备与像素电极对置的狭缝(91)。

本发明的方式12所涉及的液晶显示装置的特征在于，具备所述方式1～11的任意方式的液晶面板。

根据所述的结构，能够实现抑制由线缺陷引起的生产率下降且可获得高像素开口率的液晶显示装置。

本发明并不限定于所述的各实施方式，在权利要求所示的范围内能够进行各种变更。通过对不同的实施方式分别公开的技术手段进行适当组合而获得的实施方式，也包含于本发明的技术范围。通过对各实施方式分别公开的技术手段进行组合，也能够形成新的技术特征。

附图标记说明

1、1B、1C、1D、1E液晶面板；

11栅极驱动器；

12源极驱动器；

13显示区域；

14交叉部；

15像素；

21阵列基板；

22栅极线；

23辅助电容线；

24第一层间绝缘膜；

25TFT；

26下层源极线；

27漏电极；

28第二层间绝缘膜；

29上层源极线；

30像素电极；

31液晶；

32共用电极；

33彩色滤光片；

34黑矩阵；

35对置基板；

41像素开口部；

42栅极线开口部；

43辅助电容线开口部；

44像素部接触孔；

45接触孔；

51断线；

52电流路径；

53针孔；

54短路；

62去除对象；

63连接部；

64取向不稳定区域；

71区域；

81、95、103方向；

85十字区域；

86像素无效区域；

91、101、111狭缝；

92、102取向控制体；

94暗线；

112第三层间绝缘膜；

113平坦化膜；

121延伸方向；

122电场方向；

123初始取向轴；

124旋转方向