阅读说明：本技术 晶硅边皮料的切割工艺 (Cutting process of crystal silicon edge leather ) 是由 孟祥熙 曹育红 符黎明 于 2019-11-01 设计创作，主要内容包括：本发明公开了一种晶硅边皮料的切割工艺,其能将单晶硅边皮料或多晶硅边皮料切割成长方体状硅块,还能将长方体状硅块进一步切割成硅片,进而增加硅片的产出,降低硅片生产的能耗和成本。本发明还可以减少顶部切割和侧部切割的切割时间,提高顶部切割和侧部切割的切割效率。(The invention discloses a cutting process of a crystal silicon edge skin material, which can cut a single crystal silicon edge skin material or a polycrystalline silicon edge skin material into a rectangular silicon block and can further cut the rectangular silicon block into a silicon wafer, thereby increasing the output of the silicon wafer and reducing the energy consumption and the cost for producing the silicon wafer. The invention can also reduce the cutting time of the top cutting and the side cutting and improve the cutting efficiency of the top cutting and the side cutting.)

晶硅边皮料的切割工艺

技术领域

本发明涉及光伏领域，具体涉及晶硅边皮料的切割工艺。

背景技术

晶体硅太阳能电池所用硅片由单晶硅棒或多晶硅锭切割而成，单晶硅棒、多晶硅锭切割过程中会产生边皮料，而边皮料一般都是回炉利用，这增加了硅片生产的能耗和成本，如果能将边皮料进一步切割成硅片，则可以增加硅片的产出，降低硅片生产的能耗和成本。

发明内容

本发明所要切割的边皮料，为单晶硅边皮料或多晶硅边皮料，包括如下四种外形的边皮料：

1）第一种边皮料，其外表面由底面、一对端面以及弧面状顶面围成；

2）第二种边皮料，其外表面由底面、一对端面、一个侧面以及弧面状顶面围成；

3）第三种边皮料，其外表面由底面、一对端面、一对侧面以及弧面状顶面围成；

4）第四种边皮料，其外表面由底面、一对端面、顶面以及一对弧面状侧面围成。

本发明能将上述边皮料切割成长方体状硅块，还能将长方体状硅块进一步切割成硅片，进而增加硅片的产出，降低硅片生产的能耗和成本。

当边皮料底面为长方形，与沿边皮料底面的长度方向进行顶部切割相比，沿边皮料底面的宽度方向进行顶部切割，可以减少顶部切割的切割时间，提高顶部切割的切割效率。

当边皮料的厚度小于边皮料底面第二对边线中任一个边线的长度，与沿边皮料底面第二对边线的延伸方向进行侧部切割相比，沿边皮料的厚度方向进行侧部切割，可以减少侧部切割的切割时间，提高侧部切割的切割效率。

具体实施方式

下面结合实施例，对本发明的具体实施方式作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本发明的技术方案，而不能以此来限制本发明的保护范围。

实施例1

实施例1所要切割的边皮料，包括：矩形底面，分设于底面两端的一对端面，以及位于该对端面之间的顶面；

所述边皮料的底面包括两对边线：作为底面一对对边的第一对边线，以及作为底面另一对对边的第二对边线；

所述边皮料的一对端面与底面垂直，该对端面与底面的第一对边线一一对应，且端面以对应的底面边线为其底边；

所述边皮料的顶面为弧面，且顶面由第二对边线中的一个延伸至第二对边线中的另一个；

所述边皮料的外表面由底面、一对端面以及弧面状顶面围成。

实施例1提供上述边皮料的切割方法，该切割方法包括：将边皮料切割成长方体状硅块，将长方体状硅块切割成硅片；

所述将边皮料切割成长方体状硅块，包括：顶部切割和侧部切割；

所述顶部切割，包括：沿边皮料底面的宽度方向，将边皮料的顶面切成与底面平行；

所述侧部切割，包括：沿边皮料的厚度方向，将边皮料的两侧切成既与底面垂直又与一对端面垂直；该边皮料的两侧为底面与弧面状顶面相交的两侧；厚度方向与边皮料的底面垂直；

且边皮料经过顶部切割和侧部切割后成为长方体状硅块。

实施例2

实施例2所要切割的边皮料，包括：矩形底面，分设于底面两端的一对端面，以及位于该对端面之间的顶面；

所述边皮料的底面包括两对边线：作为底面一对对边的第一对边线，以及作为底面另一对对边的第二对边线；

所述边皮料的一对端面与底面垂直，该对端面与底面的第一对边线一一对应，且端面以对应的底面边线为其底边；

所述边皮料还包括：位于一对端面之间、且与底面垂直的一个侧面；该侧面与第二对边线中的一个边线相对应，且侧面以对应的底面边线为其底边；该侧面还与一对端面垂直；该侧面的形状优选为矩形；

所述边皮料的顶面为弧面，且顶面由第二对边线中的另一个边线延伸至侧面的顶边；

所述边皮料的外表面由底面、一对端面、一个侧面以及弧面状顶面围成。

实施例2提供上述边皮料的切割方法，该切割方法包括：将边皮料切割成长方体状硅块，将长方体状硅块切割成硅片；

所述将边皮料切割成长方体状硅块，包括：顶部切割和侧部切割；

所述顶部切割，包括：沿边皮料底面的宽度方向，将边皮料的顶面切成与底面平行；

所述侧部切割，包括：沿边皮料的厚度方向，将边皮料的一侧切成既与底面垂直又与一对端面垂直；该边皮料的一侧为底面与弧面状顶面相交的一侧；厚度方向与边皮料的底面垂直；

且边皮料经过顶部切割和侧部切割后成为长方体状硅块。

实施例3

实施例3所要切割的边皮料，包括：矩形底面，分设于底面两端的一对端面，以及位于该对端面之间的顶面；

所述边皮料的底面包括两对边线：作为底面一对对边的第一对边线，以及作为底面另一对对边的第二对边线；

所述边皮料的一对端面与底面垂直，该对端面与底面的第一对边线一一对应，且端面以对应的底面边线为其底边；

所述边皮料还包括：位于一对端面之间、且与底面垂直的一对侧面；该对侧面与第二对边线一一对应，且侧面以对应的底面边线为其底边；该对侧面还与一对端面垂直；该对侧面的形状优选为矩形；该对侧面优选为对称设置；

所述边皮料的顶面为弧面，且顶面由一个侧面的顶边延伸至另一个侧面的顶边；

所述边皮料的外表面由底面、一对端面、一对侧面以及弧面状顶面围成。

实施例3提供上述边皮料的切割方法，该切割方法包括：将边皮料切割成长方体状硅块，将长方体状硅块切割成硅片；

所述将边皮料切割成长方体状硅块，包括：顶部切割；

所述顶部切割，包括：沿边皮料底面的宽度方向，将边皮料的顶面切成与底面平行；

且边皮料经过顶部切割后成为长方体状硅块。

实施例4

实施例4所要切割的边皮料，包括：矩形底面，分设于底面两端的一对端面，以及位于该对端面之间的顶面；

所述边皮料的底面包括两对边线：作为底面一对对边的第一对边线，以及作为底面另一对对边的第二对边线；

所述边皮料的一对端面与底面垂直，该对端面与底面的第一对边线一一对应，且端面以对应的底面边线为其底边；

所述边皮料的顶面与底面平行；该顶面在底面上的投影，位于第二对边线之间；

所述边皮料还包括：位于一对端面之间、且分设于顶面两侧的一对侧面；该对侧面与第二对边线一一对应，且侧面以对应的底面边线为其底边；该对侧面为弧面，且侧面由对应的底面边线延伸至顶面；该对侧面优选为对称设置；

所述边皮料的外表面由底面、一对端面、顶面以及一对弧面状侧面围成。

实施例4提供上述边皮料的切割方法，该切割方法包括：将边皮料切割成长方体状硅块，将长方体状硅块切割成硅片；

所述将边皮料切割成长方体状硅块，包括：侧部切割；

所述侧部切割，包括：沿边皮料的厚度方向，将边皮料的两侧切成既与底面垂直又与一对端面垂直；该边皮料的两侧为底面与一对弧面状侧面相交的两侧；厚度方向与边皮料的底面垂直；

且边皮料经过侧部切割后成为长方体状硅块。

上述各实施例中的边皮料为单晶硅边皮料或多晶硅边皮料。

上述各实施例中边皮料的底面形状优选为长方形。

上述各实施例中边皮料的厚度优选为小于第二对边线中任一个边线的长度。

上述各实施例中的边皮料可以由边皮料长段截断而得。

上述各实施例可以将长方体状硅块直接切割成硅片；若硅块的底面为长方形，则优选沿硅块底面的宽度方向对硅块进行切片。

上述各实施例还可以先将硅块截断成长方体状硅块小段，再将硅块小段切割成硅片；若硅块小段的底面为长方形，则优选沿硅块小段底面的宽度方向对硅块小段进行切片。

以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。