阅读说明：本技术 用于制造显示设备的设备和方法 (Apparatus and method for manufacturing display device ) 是由 韩尚辰 朴俊河 许明洙 卢喆来 郑成镐 于 2019-06-20 设计创作，主要内容包括：提供了用于制造显示设备的设备和方法。所述设备包括：腔室,被构造成在其中容纳第一显示基底和第二显示基底；沉积源,位于腔室中并包括多个坩埚,所述多个坩埚被构造成移动并向第一显示基底或第二显示基底供应至少两种沉积材料；掩模组件,布置在第一显示基底或第二显示基底与沉积源之间；以及挡板部分,布置在掩模组件与沉积源之间并被构造成控制从所述多个坩埚供应的所述至少两种沉积材料的量。(An apparatus and method for manufacturing a display apparatus are provided, the apparatus including a chamber configured to receive an th display substrate and a second display substrate therein, a deposition source located in the chamber and including a plurality of crucibles configured to move and supply at least two deposition materials to a th display substrate or the second display substrate, a mask assembly disposed between the th display substrate or the second display substrate and the deposition source, and a shutter portion disposed between the mask assembly and the deposition source and configured to control amounts of the at least two deposition materials supplied from the plurality of crucibles.)

用于制造显示设备的设备和方法

本申请要求于2018年7月20日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0084768号韩国专利申请的权益，所述韩国专利申请的公开通过引用全部包含于此。

技术领域

一个或更多个实施例涉及设备和方法，更具体地，涉及用于制造显示设备的设备和制造显示设备的方法。

背景技术

已经广泛地使用了基于移动性的电子装置。除了诸如移动电话的紧凑电子装置之外，平板个人计算机(PC)已经被广泛地用作移动电子装置。

为了支持各种功能，移动电子装置包括使能以诸如图像或视频的视觉信息方式使用的显示装置。随着用于驱动显示设备的其它部件已经小型化，电子装置中的显示设备的尺寸已经逐渐增大，已经开发了能够将平坦状态下的显示设备弯曲到一定角度的结构。

各种装备可用于制造显示设备。中间层可以通过使用多种沉积材料来制造。在这种情况下，沉积材料的沉积顺序、沉积材料在堆叠期间的浓度以及各种沉积材料之间的混合比可以极大地影响显示设备的性能。

发明内容

一个或更多个实施例包括用于制造显示设备的设备和制造显示设备的方法。

另外的方面将在下面的描述中部分地阐述，部分地通过描述将是明显的，或者可以通过提出的实施例的实践而获知。

根据一个或更多个实施例，一种用于制造显示设备的设备包括腔室、沉积源、掩模组件和挡板部分。腔室可以被构造成在其中容纳第一显示基底和第二显示基底。沉积源可以位于腔室中并且包括多个坩埚，所述多个坩埚被构造成移动并向第一显示基底或第二显示基底供应至少两种沉积材料。掩模组件可布置在第一显示基底或第二显示基底与沉积源之间。挡板部分可以布置在掩模组件与沉积源之间，并且可以被构造成控制从所述多个坩埚供应的所述至少两种沉积材料的量。

第一显示基底和第二显示基底可以垂直于腔室的下表面布置。

第一显示基底和第二显示基底可以布置成在腔室中彼此面对。

挡板部分可以被构造成执行线性运动。

挡板部分可以与所述多个坩埚中的每个相邻地设置并且可以被构造成执行枢转运动。

所述设备还可以包括角度限制板，角度限制板布置在沉积源中并且被构造成限制从所述多个坩埚中的至少一个喷射的沉积材料的喷射角度。

沉积源可以被构造成在腔室中执行线性运动。

根据一个或更多个实施例，一种用于制造显示设备的设备包括腔室、沉积源、掩模组件、多个沉积材料供应部分和切断部分。腔室可以被构造成在其中容纳第一显示基底和第二显示基底。沉积源可以位于腔室中并且包括多个坩埚，所述多个坩埚被构造成移动并向第一显示基底或第二显示基底供应至少两种沉积材料。掩模组件可以布置在第一显示基底或第二显示基底与沉积源之间。所述多个沉积材料供应部分可以分别连接到所述多个坩埚，并且被构造成单独向所述多个坩埚中的每个供应沉积材料。切断部分可以布置在所述多个坩埚中的每个与所述多个沉积材料供应部分中的每个之间，并且被构造成控制从所述多个沉积材料供应部分中的每个向所述多个坩埚中的每个供应的沉积材料的量。

第一显示基底和第二显示基底可以垂直于腔室的下表面布置。

根据一个或更多个实施例，一种制造显示设备的方法包括在腔室中布置第一显示基底和第二显示基底。布置掩模组件以对应于第一显示基底和第二显示基底中的每个。使对应于第一显示基底和第二显示基底中的一个的掩模组件与第一显示基底和第二显示基底中的所述一个对准。通过包括多个坩埚的沉积源将至少两种沉积材料供应到掩模组件。使已经通过掩模组件的所述至少两种沉积材料能够沉积在第一显示基底和第二显示基底中的所述一个上。通过由挡板部分控制从所述多个坩埚中的每个喷射的沉积材料的量或通过由切断部分控制供应到多个坩埚中的每个的沉积材料的量来调节所述至少两种沉积材料的量。

沉积材料可以沉积在垂直于腔室的下表面布置的第一显示基底和第二显示基底中的至少一个上。

第一显示基底和第二显示基底可以布置成彼此面对。

挡板部分可以布置在掩模组件与沉积源之间，并且可以执行线性运动。

多个沉积材料供应部分可以连接到沉积源，所述多个沉积材料供应部分用于向所述多个坩埚中的每个单独供应沉积材料。切断部分可以控制从所述多个沉积材料供应部分中的每个向所述多个坩埚中的每个供应的沉积材料的量。

沉积源可以执行线性运动。

在所述至少两种沉积材料沉积在第一显示基底和第二显示基底中的所述一个上的同时，可以使第一显示基底和第二显示基底中的另一个与掩模组件定位对准。

挡板部分可以与沉积源相邻地设置，并且可以执行旋转运动。

所述多个坩埚中的至少一个可以具有从其喷射的沉积材料的限制喷射角度。

通过改变沉积源的方向，可以将所述至少两种沉积材料沉积在第一显示基底和第二显示基底中的另一个上。

所述至少两种沉积材料可以是彼此不同的材料。

附图说明

通过下面结合附图进行的对实施例的描述，这些和/或其它方面将变得清楚和更易于理解，在附图中：

图1是根据实施例的用于制造显示设备的设备的平面图；

图2是布置在图1的沉积腔室中的第一显示基底、第二显示基底、沉积源、掩模组件和挡板部分的剖视图；

图3A、图3B和图3C是示出图2的沉积源和挡板部分的操作的平面图；

图4是示出根据另一实施例的用于制造显示设备的设备的一部分的平面图；

图5是示出图4的用于制造显示设备的设备的一部分的剖视图；

图6是示出根据另一实施例的用于制造显示设备的设备的一部分的剖视图；

图7是示出根据另一实施例的用于制造显示设备的设备的一部分的剖视图；

图8是由图1、图4、图6和图7中的一幅中示出的用于制造显示设备的设备制造的显示设备的平面图；以及

图9是沿图8的线IX-IX截取的剖视图。

具体实施方式

由于公开允许各种改变和多种实施例，因此将在附图中示出实施例并在书面描述中详细描述实施例。然而，这不意图将本公开局限于具体的实践模式，并且将理解的是，不脱离本公开的精神和技术范围的所有改变、等同物和替代物被包含在本公开中。在本公开的描述中，当认为对现有技术的某些详细解释可能不必要地使本公开的本质模糊时，省略了对现有技术的某些详细解释。

在下文中，将通过参照附图解释公开的实施例来详细描述本公开。附图中的同样的附图标记表示同样的元件，并且省略了冗余描述。

虽然如同“第一”、“第二”等的这样的术语可用于描述各种组件，但这样的组件不一定限于上面的术语。

除非上下文另外清楚地指示，否则如在这里使用的单数形式“一个(种/者)”和“该(所述)”也意图包括复数形式。

将进一步理解的是，在这里使用的术语“包括”及其变型说明存在陈述的特征或组件，但不排除存在或添加一个或更多个其它特征或组件。

将理解的是，当层、区域或组件被称为“形成在”另一层、区域或组件“上”时，它可以直接或间接形成在所述另一层、区域或组件上。即，例如，可以存在中间层、区域或组件。

为了便于解释，可以夸大附图中的组件的尺寸。换句话说，由于为了便于说明而任意示出了附图中的组件的尺寸和厚度，因此下面的实施例不限于此。

当可以不同地实施特定实施例时，可以不同于描述的顺序来执行具体工艺顺序。例如，可以基本上同时执行两个连续描述的工艺，或者以与描述的顺序相反的顺序执行两个连续描述的工艺。

将理解的是，当层、区域或组件被称为“连接到”另一层、区域或组件时，它可以直接连接到所述另一层、区域或组件，或者可以经由中间层、区域或组件间接连接到所述另一层、区域或组件。例如，在本说明书中，当层、区域或组件被称为电连接到另一层、区域或组件时，它可以直接电连接到所述另一层、区域或组件，或者可以经由中间层、区域或组件间接电连接到所述另一层、区域或组件。

图1是根据实施例的用于制造显示设备的设备100的平面图。图2是布置在图1的沉积腔室中的第一显示基底D1、第二显示基底D2、沉积源132、掩模组件134和挡板部分137的剖视图。图3A至图3C是示出图2的沉积源132和挡板部分137的操作的平面图。

参照图1至图3C，用于制造显示设备的设备100可以包括装载部分110、传送部分120、沉积部分130、连接部分140、卸载部分160和传感器部分170。

装载部分110可以容纳从外部供应的多个显示基底(未示出)中的至少一个。在这种状态下，显示基底可以在装载部分110的压力保持与大气压力相同之后被容纳在装载部分110中。当显示基底被移动到传送部分120时，装载部分110的内部压力可以保持与传送部分120的内部压力相同。

传送部分120可以将显示基底从装载部分110移动到沉积部分130。在这种状态下，传送部分120可以以各种方式移动显示基底。例如，用于制造显示设备的设备100可以设置有能够在用于制造显示设备的设备100内部移动的梭，并且显示基底可以通过被容纳在梭上而被移动。

在另一实施例中，传送部分120可以包括机械臂121并且移动显示基底，显示基底被保持在机械臂121上。在另一实施例中，用于制造显示设备的设备100可以通过使用在用于制造显示设备的设备100的部件与设置在传送部分120中的机械臂121之间移动的梭来移动显示基底。

在这种状态下，用于制造显示设备的设备100不限于上面的结构，并且可以通过各种设备和结构来移动显示基底。在下面的描述中，为了便于说明，主要详细描述用于制造显示设备的设备100包括机械臂121和梭的情况。

沉积部分130可以连接到传送部分120，在沉积部分130中，容纳显示基底并且可以对显示基底执行沉积。在这种状态下，沉积部分130可以包括连接到传送部分120的多个沉积部分。在每个沉积部分130中，可以将相同的沉积材料沉积在显示基底上，或者可以将不同的沉积材料沉积在显示基底上。

沉积部分130可包括腔室131、沉积源132、沉积源驱动部分133、掩模组件134、基底保持器135、掩模保持器136、挡板部分137、视觉部分138和压力调节部分139。

腔室131可以在其中具有空间。腔室131可以直接连接到传送部分120或者经由另一单独的腔室连接到传送部分120。在下面的描述中，为了便于说明，主要详细描述腔室131直接连接到传送部分120的情况。腔室131的连接到传送部分120的部分可以被敞开。

在这种状态下，闸门阀(未示出)设置在腔室131的敞开部分处，以选择性地打开或关闭腔室131的敞开部分。第一显示基底D1和第二显示基底D2可以布置在腔室131中。在这种情况下，第一显示基底D1和第二显示基底D2可以布置成彼此面对，并且第一显示基底D1和第二显示基底D2可以布置成垂直于腔室131的下表面131A。具体地，第一显示基底D1和第二显示基底D2可以沿腔室131的高度方向竖立地布置在腔室131中。

沉积源132可以设置在腔室131中。在这种状态下，沉积源132可以相对于第一显示基底D1和第二显示基底D2中的一个移动。例如，当沉积源132线性移动时，第一显示基底D1和/或第二显示基底D2可以保持不移动。在另一实施例中，当沉积源132停止时，第一显示基底D1和/或第二显示基底D2可线性移动。在另一实施例中，在沉积源132线性移动的同时，第一显示基底D1和/或第二显示基底D2可线性移动。在下面的描述中，为了便于说明，主要详细描述仅沉积源132线性移动的情况。

上述沉积源132可以包括单个沉积源或多个沉积源。在这种状态下，当沉积源132包括多个沉积源时，每个沉积源132可以包括用于容纳和供应一种沉积材料的一个坩埚132-1或多个坩埚132-1。在另一实施例中，当沉积源132包括单个沉积源时，沉积源132可包括用于容纳和供应一种沉积材料的多个坩埚132-1。

在这种状态下，每个坩埚132-1可以包括用于容纳和供应第一沉积材料的第一坩埚132-1A以及用于容纳和供应第二沉积材料的第二坩埚132-1B。在下面的描述中，为了便于说明，主要详细描述沉积源132仅包括一个沉积源并且沉积源132包括多个坩埚132-1的情况。在这种状态下，每个坩埚132-1可以包括用于将沉积材料引导并喷射到外部的喷嘴。

沉积源132可包括用于容纳至少两种沉积材料的坩埚132-1、包围每个坩埚132-1的外侧的冷却套管132-2以及布置在每个坩埚132-1与冷却套管132-2之间的加热部分132-3。此外，沉积源132可以包括用于限制从每个坩埚132-1喷射的沉积材料的喷射角度的角度限制板132-4。

在这种状态下，沉积材料的喷射角度可以表示沉积材料从每个坩埚132-1的喷嘴扩散的角度。角度限制板132-4可以相对于每个坩埚132-1布置在相对侧处以彼此面对。此外，角度限制板132-4可包括对应于坩埚132-1的多个角度限制板。每个角度限制板132-4的至少一部分可以弯曲。

冷却套管132-2可以因为例如冷却水的冷却剂在坩埚132-1外部循环而防止坩埚132-1的温度的过度升高。此外，加热部分132-3可包括加热器以升高坩埚132-1的温度，从而改变坩埚132-1中的沉积材料的相。

沉积源驱动部分133可以驱动沉积源132执行线性运动和旋转运动中的至少一种。在这种状态下，沉积源驱动部分133可以是各种形式。例如，沉积源驱动部分133可以包括机械臂，以使沉积源132执行线性运动和旋转运动。

在另一实施例中，沉积源驱动部分133可包括用于使沉积源132线性移动的第一沉积源驱动部分133-1和用于使沉积源132旋转的第二沉积源驱动部分133-2。在这种状态下，第一沉积源驱动部分133-1可以设置在第二沉积源驱动部分133-2上以彼此连接，或者第二沉积源驱动部分133-2可以设置在第一沉积源驱动部分133-1上以彼此连接。在这种情况下，沉积源132可以设置在第一沉积源驱动部分133-1或第二沉积源驱动部分133-2上。在下面的描述中，为了便于说明，主要详细描述第二沉积源驱动部分133-2设置在第一沉积源驱动部分133-1上并且连接到第一沉积源驱动部分133-1以及沉积源132连接到第二沉积源驱动部分133-2的情况。

掩模组件134可以设置在沉积部分130中。在这种状态下，可以将设置在单独设置的掩模储存部分150中的掩模组件134供应到腔室131中。在这种情况下，掩模储存部分150可以连接到传送部分120或沉积部分130。当掩模储存部分150连接到传送部分120时，传送部分120中的机械臂121可以将掩模组件134供应到沉积部分130。在另一实施例中，当掩模储存部分150连接到沉积部分130时，掩模组件134可以通过设置在掩模储存部分150或沉积部分130中的机械臂或梭从掩模储存部分150传送到沉积部分130。

上述掩模组件134可包括沉积材料穿过其的至少一个开口部分。在这种状态下，可以设置多个开口部分，并且开口部分可以彼此间隔开地布置，从而形成特定图案。掩模组件134可包括对应于第一显示基底D1设置的第一掩模组件134A和对应于第二显示基底D2设置的第二掩模组件134B。在这种状态下，第一掩模组件134A和第二掩模组件134B可以布置在同一腔室131中，并且具有相同的开口部分图案。

基底保持器135可以设置在腔室131中。在这种状态下，基底保持器135可以使第一显示基底D1或第二显示基底D2固定或者使第一显示基底D1或第二显示基底D2线性移动。在这种情况下，尽管未示出，但基底保持器135可以连接到线性马达。

掩模保持器136可以支撑第一掩模组件134A或第二掩模组件134B。在这种状态下，掩模保持器136可以在腔室131中设置成对应于第一掩模组件134A或第二掩模组件134B。

挡板部分137可以设置在沉积源132与第一掩模组件134A和第二掩模组件134B中的一个之间。在实施例中，挡板部分137可以设置在沉积源132与第一掩模组件134A之间以及第二掩模组件134B与沉积源132之间。在这种状态下，挡板部分137可以连接到沉积源驱动部分133，并且可以在沉积源132的线性运动期间与沉积源132一起线性移动。

在另一实施例中，挡板部分137可以连接到沉积源132和沉积源驱动部分133中的至少一个。在这种情况下，当沉积源132执行运动时，挡板部分137与沉积源132一起旋转并线性移动，以位于沉积源132与第一掩模组件134A和第二掩模组件134B中的一个之间。在下面的描述中，为了便于说明，主要详细描述挡板部分137与沉积源132一起旋转并线性移动的情况。

上述挡板部分137可以包括挡板137-1和挡板驱动部分137-2。在这种状态下，挡板137-1可以包括位于沉积源132的相对侧处的一对挡板，并且挡板驱动部分137-2可以包括连接到挡板137-1的多个挡板驱动部分。挡板137-1可以控制从沉积源132供应的至少一种沉积材料的量。在这种状态下，挡板137-1的面对沉积源132的一个表面可以用单独的材料涂覆或者按图案形成以防止从沉积源132供应的沉积材料沉积在其上。连接到挡板137-1的挡板驱动部分137-2可以线性地移动挡板137-1。在这种状态下，挡板驱动部分137-2可以以各种形式形成。例如，挡板驱动部分137-2可以包括线性马达。在另一实施例中，挡板驱动部分137-2可包括气压缸或液压缸。

在另一实施例中，挡板驱动部分137-2可包括滚珠丝杠和连接到滚珠丝杠的马达。在另一实施例中，挡板驱动部分137-2可包括连接到挡板137-1的齿条齿轮、连接到齿条齿轮的正齿轮和连接到正齿轮的马达。在这种状态下，挡板驱动部分137-2不限于上面的描述，并且挡板驱动部分137-2可以包括连接到挡板137-1并且使挡板137-1线性移动的所有结构和设备。

视觉部分138可以设置在腔室131中，并且可以拍摄第一显示基底D1和第二显示基底D2中的一个以及掩模组件134的位置的图像。在这种状态下，视觉部分138可以拍摄设置在第一显示基底D1和第二显示基底D2中的一个以及掩模组件134上的对准标记的图像。

压力调节部分139可以连接到腔室131并且可以调节腔室131的内部压力。在这种状态下，压力调节部分139可以包括连接到腔室131的连接管139-1和设置在连接管139-1上的泵139-2。

连接部分140可以连接到传送部分120并与传送部分120相邻。在这种状态下，连接部分140可以设置有用于传送第一显示基底D1和第二显示基底D2的单独的传送部分，例如，机械臂或梭。此外，当从传送部分120传送第一显示基底D1或第二显示基底D2时，连接部分140的压力可以保持与传送部分120的内部压力相同或相似。

卸载部分160可以临时容纳完成沉积的第一显示基底D1或第二显示基底D2。此外，卸载部分160可以将完成沉积的第一显示基底D1或第二显示基底D2运出到外部。在另一实施例中，卸载部分160连接到单独的腔室并且可以将第一显示基底D1或第二显示基底D2传送到单独的腔室，在单独的腔室中，在完成沉积的第一显示基底D1或第二显示基底D2上形成不同的材料膜或层。在这种状态下，卸载部分160可设置有机械臂或梭，以传送第一显示基底D1或第二显示基底D2。然而，在下面的描述中，为了便于说明，主要详细描述卸载部分160临时存储第一显示基底D1或第二显示基底D2并将第一显示基底D1或第二显示基底D2运出到外部的情况。

传感器部分170可以设置在沉积源132上，并且测量沉积源132的每个坩埚132-1的内部压力和温度中的至少一者。例如，传感器部分170可以包括用于测量每个坩埚132-1的内部压力的第一传感器部分171和用于测量每个坩埚132-1的内部温度的第二传感器部分172。

基于每个坩埚132-1的由第一传感器部分171测量的内部压力和每个坩埚132-1的由第二传感器部分172测量的内部温度，可以预期在每个坩埚132-1中蒸发的沉积材料的每单位小时的蒸发量，并且可以基于其来控制挡板部分137。例如，基于下面的等式1，可以预期在每个坩埚132-1中蒸发的沉积材料的每单位小时的蒸发量。

[等式1]

在等式1中，“N”表示沉积材料的每单位小时的蒸发量(沉积材料的蒸发速率)。“A”表示沉积材料蒸发的表面积。“α”表示吸附系数。“P*”表示沉积材料在温度T下的饱和蒸气压。“P”表示每个坩埚132-1的由传感器部分170测量的内部压力。“m”表示每个坩埚132-1中的沉积材料的质量。“k_B”表示玻尔兹曼常数。“T”表示每个坩埚132-1的由传感器部分170测量的内部温度。在这种状态下，“α”、“P*”、“A”、“m”和“k_B”可以是根据沉积材料确定的常数的形式。

在上面的情况下，可以计算沉积材料的蒸发速率，然后将其与预设蒸发速率进行比较。在这种状态下，当沉积材料的计算蒸发速率大于预设蒸发速率时，可以将挡板部分137的开口度调节为小于现有开口度。

相反，当沉积材料的计算蒸发速率小于预设蒸发速率时，可以将挡板部分137的开口度调节为大于现有开口度。在这种情况下，可以调节挡板部分137的开口度，使得沉积材料的计算蒸发速率和预设蒸发速率变成彼此相同或相似。在这种状态下，挡板部分137的开口度可以通过布置成彼此面对的挡板137-1之间的距离来调节。

在通过如上所述的用于制造显示设备的设备100制造显示设备(未示出)的方法中，当第一显示基底D1或第二显示基底D2被供应到装载部分110时，可以将第一显示基底D1或第二显示基底D2从装载部分110移动到传送部分120。在这种状态下，可以将第一显示基底D1和第二显示基底D2从装载部分110顺序地传送到传送部分120。此后，可以经由传送部分120将第一显示基底D1和第二显示基底D2顺序地传送到沉积部分130。在这种状态下，在将第一显示基底D1顺序地传送到装载部分110、传送部分120和沉积部分130之后，可以将第二显示基底D2顺序地传送到装载部分110、传送部分120和沉积部分130。

当如上所述第一显示基底D1和第二显示基底D2进入腔室131时，第一显示基底D1和第二显示基底D2可以被布置成在腔室131中彼此面对。

当如上所述将第一显示基底D1和第二显示基底D2布置在腔室131中时，将掩模组件134从掩模储存部分150传送到沉积部分130，并且可以使掩模组件134位于腔室131中。尽管第一显示基底D1和掩模组件134在附图中示出为彼此间隔开，但是第一显示基底D1和掩模组件134可以彼此接触和/或尽可能地靠近。

可以通过视觉部分138对第一显示基底D1和第二显示基底D2中的一个以及掩模组件134的位置进行拍照。在下面的描述中，为了便于说明，主要详细描述首先通过视觉部分138对第一显示基底D1和掩模组件134的位置进行拍照的情况。

视觉部分138可以拍摄第一显示基底D1的对准标记和掩模组件134的对准标记的图像。在基于由视觉部分138拍摄的对准标记的位置来确定第一显示基底D1和掩模组件134的位置之后，第一显示基底D1和掩模组件134中的至少一个的位置可以被改变为布置在预设位置处。在这种状态下，基底保持器135和掩模保持器136中的至少一个可以微调第一显示基底D1和掩模组件134中的至少一个的位置。

在使第一显示基底D1和掩模组件134中的至少一个的位置对准之后，可以在沉积源132线性移动的同时在第一显示基底D1上沉积沉积材料。在这种状态下，在从第一显示基底D1的一侧向其另一侧线性移动的同时，沉积源132可以向第一显示基底D1供应沉积材料。例如，在从腔室131的下侧向其上侧线性移动的同时，沉积源132可以供应沉积材料。在这种情况下，沉积源132可以同时供应至少两种沉积材料。在这种状态下，不同类型的沉积材料可以被容纳在坩埚132-1中。具体地，因为坩埚132-1在沉积源132的线性运动方向上串联布置，所以可以在第一显示基底D1上沉积至少两种沉积材料。

此外，沉积源132可以多次执行上述线性运动。在这种状态下，沉积源132可以从第一显示基底D1的一侧线性移动到第一显示基底D1的另一侧，然后从第一显示基底D1的另一侧线性移动到第一显示基底D1的一侧。沉积源132可以在第一显示基底D1的一侧和第一显示基底D1的另一侧之间多次线性地移动。在这种状态下，沉积源132的线性运动的数量可以是奇数或偶数。

当将沉积材料如上所述沉积在第一显示基底D1上时，可以使第二显示基底D2和掩模组件134彼此对准。在这种状态下，由于使第二显示基底D2和掩模组件134彼此对准的方法与上述使第一显示基底D1和掩模组件134彼此对准的方法相同或相似，因此省略其详细描述。

当沉积材料在第一显示基底D1上的沉积完成时，第二沉积源驱动部分133-2操作以将坩埚132-1的喷嘴的方向改变为从第一显示基底D1指向第二显示基底D2。然后，沉积源132供应沉积材料并且可以线性地移动。因此，可以在第二显示基底D2上沉积沉积材料。

在上面的工艺期间，挡板部分137可以控制从坩埚132-1喷射的沉积材料的量。例如，挡板部分137可以完全阻挡从坩埚132-1中的一个发射的沉积材料。例如，挡板部分137可以通过完全关闭第一坩埚132-1A的喷嘴和第二坩埚132-1B的喷嘴中的一个来防止第一沉积材料或第二沉积材料到达第一显示基底D1或第二显示基底D2。

在另一实施例中，挡板部分137可以通过阻挡从坩埚132-1中的至少一个发射的沉积材料的一部分来控制沉积材料的量。例如，挡板部分137可以阻挡第一坩埚132-1A的喷嘴和第二坩埚132-1B的喷嘴中的一个的一部分。换句话说，当第一坩埚132-1A的喷嘴未被挡板部分137阻挡时，通过第一坩埚132-1A的喷嘴朝向第一显示基底D1或第二显示基底D2供应的沉积材料的量被假定为100，例如，100％。当挡板部分137阻挡第一坩埚132-1A的喷嘴的一部分时，通过第一坩埚132-1A的喷嘴朝向第一显示基底D1或第二显示基底D2供应的沉积材料的量可以是大约70，例如，70％。因此，挡板部分137可以控制从坩埚132-1中的至少一个供应的沉积材料的量。

在另一实施例中，如图3A至图3C中所示，挡板部分137可以根据沉积源132的移动而操作。例如，如图3A中所示，当沉积源132从第一显示基底D1的一侧移动到其另一侧时，从第一坩埚132-1A和第二坩埚132-1B喷射的沉积材料不会被阻挡。此外，如图3B中所示，当沉积源132从第一显示基底D1的另一侧移动到其一侧时，从第一坩埚132-1A和第二坩埚132-1B喷射的沉积材料不会被阻挡。相反，如图3C中所示，当沉积源132再次从第一显示基底D1的一侧移动到其另一侧时，从第一坩埚132-1A喷射的沉积材料不会被阻挡，而从第二坩埚132-1B喷射的沉积材料会被阻挡。上述挡板部分137不限于上面的描述，而是可以采用控制从坩埚132-1的至少一部分喷射的沉积材料的量的所有方法。

在上述挡板部分137中，当挡板137-1根据挡板驱动部分137-2的操作(即，根据对每个坩埚132-1的喷嘴的上侧的阻挡程度)而线性运动时，可以控制从每个坩埚132-1供应到第一显示基底D1或第二显示基底D2的沉积材料的量。在这种状态下，挡板137-1的操作程度可以根据预设设计值而变化。换句话说，供应到第一显示基底D1或第二显示基底D2的沉积材料的量可以处于预设状态。因此，挡板137-1的操作程度可以是可变的。在这种状态下，挡板137-1的操作程度可以根据用户的设定而改变。

除了上面的情况之外，如上所述，可以基于每个坩埚132-1的由第一传感器部分171测量的压力和每个坩埚132-1的由第二传感器部分172测量的温度中的至少一个来控制挡板部分137的操作。例如，可以将基于从坩埚132-1测量的温度和压力计算的每个坩埚132-1的沉积材料的蒸发速率与预设蒸发速率进行比较。在这种状态下，预设蒸发速率可以根据沉积在第一显示基底D1和第二显示基底D2上的沉积材料的厚度而变化。蒸发速率与沉积的沉积材料的厚度之间的关系可以以表格的形式存储。在这种情况下，当设定沉积在第一显示基底D1和第二显示基底D2上的沉积材料的厚度时，可以将从每个坩埚132-1喷射的沉积材料的蒸发速率确定为预设蒸发速率。

在上面的情况下，当用于制造显示设备的设备100操作时，挡板137-1的开口度可以处于确定状态。然后，当用于制造显示设备的设备100操作时，可以通过将沉积材料的上文计算蒸发速率与预设蒸发速率比较来确定挡板137-1的开口度。例如，当沉积材料的上文计算蒸发速率被确定为大于预设蒸发速率时，可以移动挡板137-1使得挡板137-1的开口度减小为小于现有程度或初始程度。相反，当沉积材料的计算蒸发速率被确定为小于预设蒸发速率时，可以移动挡板137-1使得挡板137-1的开口度增大为大于现有程度或初始程度。此外，当确定沉积材料的计算蒸发速率与预设蒸发速率相同时，可以保持挡板137-1的开口度与现有程度或初始程度相同。当用于制造显示设备的设备100操作时，可以连续地执行上面的工艺。具体地，当连续地反馈由第一传感器部分171和第二传感器部分172测量的数据时，可以计算由每个坩埚132-1发射的沉积材料的蒸发速率。具体地，当挡板部分137仅打开坩埚132-1中的一个时，可以执行上面的工艺。

当如上地完成沉积时，可以经由传送部分120将第一显示基底D1和第二显示基底D2从腔室131传送到卸载部分160。然后，可以通过上面的工艺将沉积材料沉积在新的显示基底上。

在上面的情况下，挡板部分137可以在第一显示基底D1或第二显示基底D2上形成各种形式的沉积材料层。例如，挡板部分137可以阻挡部分沉积材料或一些沉积材料。此外，挡板部分137可以在第一显示基底D1和第二显示基底D2上以相同的顺序形成相同的层。例如，当沉积源132从第一显示基底D1的一侧和另一侧中的一个移动到第一显示基底D1的一侧和另一侧中的另一个时，沉积材料在第一显示基底D1上的沉积的次数是偶数。在将沉积材料沉积在第一显示基底D1上之后，沉积源132在朝向第二显示基底D2的方向上转向，并且将该沉积材料沉积在第二显示基底D2上。于是，沉积在第一显示基底D1和第二显示基底D2中的每个上的沉积材料的顺序会彼此不同。

为了防止上面的情况，在沉积源132转向面对第二显示基底D2之后，挡板部分137在防止从沉积源132供应沉积材料的状态下将沉积源132移动到第二显示基底D2的一侧和另一侧中的另一个。然后，在释放来自沉积源132的沉积材料的供应的同时，沉积源132以线性运动移动，并且沉积材料可以沉积在第二显示基底D2上。在这种情况下，沉积材料层可以以相同的顺序沉积在第一显示基底D1和第二显示基底D2上。

因此，根据用于制造显示设备的设备100和制造显示设备的方法，如上所述，可以以各种顺序在第一显示基底D1或第二显示基底D2上沉积沉积材料。此外，根据用于制造显示设备的设备100和制造显示设备的方法，可以在第一显示基底D1或第二显示基底D2上沉积具有各种浓度的沉积材料。

根据用于制造显示设备的设备100和制造显示设备的方法，可以在第一显示基底D1或第二显示基底D2上沉积具有与设计值相同或相似的值的沉积材料层。根据用于制造显示设备的设备100和制造显示设备的方法，因为可以将沉积材料精确地沉积在第一显示基底D1或第二显示基底D2上，所以可以制造高分辨率显示设备。

图4是示出根据另一实施例的用于制造显示设备的设备200的一部分的平面图。图5是示出图4的用于制造显示设备的设备200的一部分的剖视图。

参照图4和图5，用于制造显示设备的设备200可以包括装载部分(未示出)、传送部分220、沉积部分230、连接部分(未示出)、掩模储存部分(未示出)、卸载部分(未示出)和传感器部分270。在这种状态下，由于装载部分、传送部分220、连接部分、掩模储存部分、卸载部分和传感器部分270与上述的那些相同或相似，因此省略其详细描述。

沉积部分230可包括腔室231、沉积源232、沉积源驱动部分233、掩模组件234、基底保持器235、掩模保持器236、挡板部分237、视觉部分238和压力调节部分239。在这种状态下，腔室231、掩模组件234、基底保持器235、掩模保持器236、视觉部分238和压力调节部分239可以与图1至图3C中描述的那些相同或相似。

沉积源232可包括多个坩埚232-1、冷却套管232-2、加热部分232-3和角度限制板232-4。在这种状态下，由于冷却套管232-2、加热部分232-3和角度限制板232-4与图1至图3C中描述的那些相同或相似，因此省略其详细描述。

坩埚232-1可包括第一坩埚232-1A、第二坩埚232-1B和第三坩埚232-1C。在这种状态下，可以在第一坩埚232-1A至第三坩埚232-1C中的每个中容纳相同或不同的沉积材料。在下面的描述中，为了便于说明，主要详细描述在第一坩埚232-1A至第三坩埚232-1C中容纳不同沉积材料的情况。

沉积源驱动部分233可以包括第一沉积源驱动部分233-1和第二沉积源驱动部分233-2。在这种状态下，第一沉积源驱动部分233-1可以将沉积源232从第一显示基底D1的下表面和第二显示基底D2的下表面中的一个移动到第一显示基底D1的下表面和第二显示基底D2的下表面中的另一个。在这种状态下，第一沉积源驱动部分233-1可以以线性马达、滚珠丝杠或马达的形式提供。第二沉积源驱动部分233-2设置在第一沉积源驱动部分233-1上，并且可以使沉积源232在第一显示基底D1和第二显示基底D2中的一个的下表面下方线性移动。在这种状态下，第二沉积源驱动部分233-2可以形成为与上述的第一沉积源驱动部分133-1相同或相似。

在实施例中，挡板部分237可以形成为与图1至图3C中描述的挡板部分相同或相似。在另一实施例中，执行旋转运动的挡板部分237可以控制从每个坩埚232-1供应的沉积材料的量。详细地，挡板部分237可以包括可枢转的旋转板237-1和连接到旋转板237-1并使旋转板237-1旋转的旋转驱动部分237-2。在这种状态下，旋转板237-1可以在图5的X轴与Z轴之间旋转，或者可以绕Z轴旋转。在这种情况下，旋转驱动部分237-2可以包括减速器和连接到减速器的马达。在这种状态下，挡板部分237可以包括与坩埚232-1的数量对应的多个挡板部分。挡板部分237可以独立地操作。挡板部分237的结构可以应用于图1至图3C中示出的用于制造显示设备的设备100。在下面的描述中，为了便于说明，主要详细描述挡板部分237包括旋转板237-1和旋转驱动部分237-2的情况。

在通过使用上述的用于制造显示设备的设备200制造显示设备(未示出)的方法中，第一显示基底D1和第二显示基底D2可以被输入到腔室231中。此外，掩模组件234可以被输入到腔室231中。在这种状态下，由于向腔室231供应第一显示基底D1、第二显示基底D2和掩模组件234的方法与图1至图3C中描述的方法相同或相似，因此省略其详细描述。

在使第一显示基底D1和第二显示基底D2中的一个与掩模组件234彼此对准之后，沉积源232可以执行沉积。在这种状态下，由于使第一显示基底D1和第二显示基底D2中的一个与掩模组件234对准的方法与图1至图3C中描述的方法相同或相似，因此省略其详细描述。

在如上的沉积期间，挡板部分237可以控制从第一坩埚232-1A至第三坩埚232-1C喷射的沉积材料的量。例如，挡板部分237可以阻挡从第一坩埚232-1A至第三坩埚232-1C中的至少一个喷射的沉积材料。

在另一实施例中，挡板部分237可以阻挡从第一坩埚232-1A至第三坩埚232-1C中的至少一个喷射的沉积材料的一部分。在这种情况下，旋转驱动部分237-2可以使旋转板237-1旋转。在这种状态下，由于通过挡板部分237执行的控制从第一坩埚232-1A至第三坩埚232-1C喷射的沉积材料的量的方法相同，因此主要详细描述挡板部分237控制从第一坩埚232-1A喷射的沉积材料的量的情况。

例如，当旋转板237-1平行于腔室231的下表面布置时，挡板部分237可以完全阻挡从第一坩埚232-1A喷射的沉积材料。当旋转板237-1与腔室231的下表面形成锐角时，挡板部分237可以阻挡从第一坩埚232-1A喷射的沉积材料的一部分。

在这种状态下，从第一坩埚232-1A喷射的沉积材料的阻挡量可以根据形成在旋转板237-1与腔室231的下表面之间的角度来确定。此外，当旋转板237-1与腔室231的下表面形成直角时，挡板部分237不会阻挡从第一坩埚232-1A喷射的沉积材料。因此，挡板部分237可以仅使多种沉积材料中的一些选择性地沉积在第一显示基底D1或第二显示基底D2上，或者可以通过控制沉积材料中的至少一种的量而使材料沉积在第一显示基底D1或第二显示基底D2上。

挡板部分237的上述操作可以根据由第一传感器部分271和第二传感器部分272测量的值来控制。详细地，从每个坩埚232-1喷射的沉积材料的蒸发速率可以基于每个坩埚232-1的由第一传感器部分271测量的压力和每个坩埚232-1的由第二传感器部分272测量的温度来计算，并与预设蒸发速率进行比较，从而控制挡板部分237的操作。

当沉积材料沉积在第一显示基底D1和第二显示基底D2中的一个上时，可以在初始阶段确定旋转板237-1的旋转角度。在这种状态下，从每个坩埚232-1到达第一显示基底D1和第二显示基底D2中的一个的沉积材料的量可以根据旋转板237-1的旋转角度来确定，旋转板237-1的旋转角度是旋转板237-1在旋转板237-1完全阻挡每个坩埚232-1的状态下的旋转程度。此外，可以确定通过上面的工艺沉积在第一显示基底D1和第二显示基底D2中的一个上的沉积材料的厚度。在这种情况下，当沉积材料的沉积开始时，旋转板237-1的旋转角度可以被控制为与预设的旋转角度相同。

在这种状态下，通过将沉积材料的计算蒸发速率与沉积材料的预设蒸发速率进行比较，当沉积材料的计算蒸发速率大于沉积材料的预设蒸发速率时，可以使旋转板237-1旋转，使得旋转板237-1的旋转角度小于预设的旋转角度。相反，当沉积材料的计算蒸发速率小于沉积材料的预设蒸发速率时，可以使旋转板237-1旋转，使得旋转板237-1的旋转角度大于预设旋转角度。当沉积材料的计算蒸发速率与沉积材料的预设蒸发速率相同时，旋转板237-1可以停止以保持当前状态。

在上面的情况下，沉积在第一显示基底D1和第二显示基底D2中的一个上的沉积材料的厚度、旋转板237-1的旋转角度以及蒸发速率之间的关系可以以等式的形式编程或以表格的形式存储。在这种状态下，上面的控制可以由设置在每个坩埚232-1中的挡板部分237单独地且独立地执行。

在上面的情况下，在将沉积材料沉积在第一显示基底D1和第二显示基底D2中的一个上的同时，可以使第一显示基底D1和第二显示基底D2中的另一个与掩模组件234对准。

在沉积材料通过沉积源232在第一显示基底D1和第二显示基底D2中的一个上的沉积完成之后，可以使沉积源232朝向第一显示基底D1和第二显示基底D2中的另一个移动。沉积源232可以通过第一沉积源驱动部分233-1移动，并且第二沉积源驱动部分233-2可以通过第一沉积源驱动部分233-1与沉积源232一起移动。

当沉积源232如上移动时，沉积源232可以从第一显示基底D1和第二显示基底D2中的一个的下表面移动并设置到第一显示基底D1和第二显示基底D2中的另一个的下表面。然后，在第二沉积源驱动部分233-2使沉积源232线性移动的同时，可以将沉积材料沉积在第一显示基底D1和第二显示基底D2中的另一个上。

当如上所述完成沉积材料在第一显示基底D1和第二显示基底D2上的沉积时，第一显示基底D1和第二显示基底D2可以通过卸载部分被运出到外部。

因此，根据用于制造显示设备的设备200和制造显示设备的方法，沉积材料可以以各种顺序沉积在第一显示基底D1或第二显示基底D2上。此外，根据用于制造显示设备的设备200和制造显示设备的方法，可以在第一显示基底D1或第二显示基底D2上沉积具有各种浓度的沉积材料。

根据用于制造显示设备的设备200和制造显示设备的方法，可以在第一显示基底D1或第二显示基底D2上沉积具有与设计值相同或相似的形式的沉积材料层。在用于制造显示设备的设备200和制造显示设备的方法中，由于可以将沉积材料精确地沉积在第一显示基底D1或第二显示基底D2上，因此可以制造高分辨率显示设备。

图6是示出根据另一实施例的用于制造显示设备的设备的一部分的剖视图。

参照图6，用于制造显示设备的设备(未示出)可以包括装载部分(未示出)、传送部分(未示出)、沉积部分330、连接部分(未示出)、掩模储存部分(未示出)、卸载部分(未示出)和传感器部分370。在这种状态下，由于装载部分、传送部分、连接部分、掩模储存部分、卸载部分和传感器部分370与图1至图3C中描述的那些相同或相似，因此省略其详细描述。

沉积部分330可以包括腔室331、沉积源332、沉积源驱动部分333、掩模组件334、基底保持器335、掩模保持器336、沉积材料供应部分337-1、切断部分337-2、视觉部分338和压力调节部分339。在这种状态下，腔室331、沉积源驱动部分333、掩模组件334、基底保持器335、掩模保持器336、视觉部分338和压力调节部分339可以与图1至图3C中描述的那些相同或相似。

沉积源332可以包括多个坩埚332-1、冷却套管332-2、加热部分332-3和角度限制板332-4。至少两种沉积材料可以容纳在坩埚332-1中。在这种状态下，不同的沉积材料可以被容纳在相应的坩埚332-1中。具体地，处于气态的沉积材料可以存储在每个坩埚332-1中。

冷却套管332-2可以布置成包围坩埚332-1、沉积材料供应部分337-1和切断部分337-2中的每个。在这种状态下，冷却套管332-2可以如上面在图1至图3C中描述的通过使冷却剂循环来控制每个坩埚332-1、沉积材料供应部分337-1和切断部分337-2中的至少一者的温度。

加热部分332-3设置在冷却套管332-2中，以改变沉积材料供应部分337-1中的沉积材料的形态。例如，包括加热器的加热部分332-3可以使沉积材料供应部分337-1中的沉积材料从固态改变为气态，或者从固态改变为液态然后改变为气态。因为角度限制板332-4与图1至图3C中描述的角度限制板相同或相似，因此省略其详细描述。

沉积材料可以被容纳在沉积材料供应部分337-1中，并且沉积材料的状态可以被改变。在这种状态下，沉积材料供应部分337-1可以包括将要连接到相应的坩埚332-1的多个沉积材料供应部分。

切断部分337-2布置在连接每个沉积材料供应部分337-1和每个坩埚332-1的流动路径上，并且可以控制从每个沉积材料供应部分337-1向每个坩埚332-1供应的沉积材料的量。在这种状态下，切断部分337-2可以包括电磁阀并控制每个流动路径的开口度。

当通过用于制造显示设备的设备描述制造显示设备(未示出)的方法时，第一显示基底D1和第二显示基底D2可以被布置在腔室331中。在这种状态下，第一显示基底D1和第二显示基底D2可以相对于腔室331的下表面垂直布置。此外，第一显示基底D1和第二显示基底D2中的一个可以与掩模组件334定位对准。

然后，在沉积源332、沉积材料供应部分337-1和切断部分337-2通过第一沉积源驱动部分333-1线性移动的同时，可以将沉积材料沉积在第一显示基底D1和第二显示基底D2中的一个上。在这种状态下，切断部分337-2可以控制从沉积材料供应部分337-1向每个坩埚332-1供应的沉积材料的量。具体地，可以基于由用户预先设定的设计值来控制切断部分337-2。

在如上所述沉积沉积材料的同时，可以使第一显示基底D1和第二显示基底D2中的另一个与掩模组件334定位对准。

当沉积材料在第一显示基底D1和第二显示基底D2中的一个上的沉积完成时，沉积源332的方向可以通过第二沉积源驱动部分333-2从第一显示基底D1和第二显示基底D2中的一个改变到第一显示基底D1和第二显示基底D2中的另一个。在这种状态下，由于改变沉积源332的方向的方法与图1中描述的方法相同或相似，因此省略其详细描述。当如上所述改变沉积源332的方向时，沉积材料供应部分337-1和切断部分337-2的方向可以与沉积源332一起改变。

在如上所述改变沉积源332的方向之后，在操作第一沉积源驱动部分333-1以使沉积源332、沉积材料供应部分337-1和切断部分337-2线性移动的同时，可以将沉积材料沉积在第一显示基底D1和第二显示基底D2中的另一个上。在这种状态下，切断部分337-2可以基于预设值来控制从每个坩埚332-1喷射的沉积材料的量。

切断部分337-2可以基于由布置在每个坩埚332-1中的第一传感器部分371和第二传感器部分372中的至少一个测量的值来执行控制。在这种状态下，第一传感器部分371和第二传感器部分372可以布置在每个坩埚332-1中，或者可以布置在连接每个坩埚332-1和每个沉积材料供应部分337-1的流动路径上。在下面的描述中，为了便于说明，主要详细描述第一传感器部分371和第二传感器部分372布置在每个坩埚332-1中的情况。

可以基于每个坩埚332-1的由第一传感器部分371测量的内部压力和每个坩埚332-1的由第二传感器部分372测量的内部温度来计算从每个坩埚332-1喷射的沉积材料的蒸发速率。在这种状态下，从每个坩埚332-1喷射的沉积材料的蒸发速率可以通过上述的等式1来计算。在这种情况下，在等式1中，“A”可以表示沉积材料供应部分337-1中的沉积材料暴露于沉积材料供应部分337-1的内部的面积。

可以通过将从每个坩埚332-1喷射的沉积材料的上文计算蒸发速率与预设蒸发速率进行比较来控制通过切断部分337-2供应到每个坩埚332-1的沉积材料的量。例如，当从每个坩埚332-1喷射的沉积材料的计算蒸发速率大于预设蒸发速率时，可以控制切断部分337-2使得从每个沉积材料供应部分337-1供应到每个坩埚332-1的沉积材料的量减少为小于现有量或初始量。

相反，当从每个坩埚332-1喷射的沉积材料的计算蒸发速率小于预设蒸发速率时，可以控制切断部分337-2使得从每个沉积材料供应部分337-1供应到每个坩埚332-1的沉积材料的量增大为大于现有量或初始量。

此外，当从每个坩埚332-1喷射的沉积材料的计算蒸发速率与预设蒸发速率相同时，切断部分337-2可保持现有状态或初始状态。可以在将沉积材料沉积在第一显示基底D1和第二显示基底D2中的一个上的同时连续地执行这样的工作。

当沉积材料在第一显示基底D1和第二显示基底D2上的沉积完成时，可以将第一显示基底D1和第二显示基底D2从腔室331移动到卸载部分。

因此，在用于制造显示设备的设备和制造显示设备的方法中，沉积材料可以以各种顺序沉积在第一显示基底D1或第二显示基底D2上。此外，根据用于制造显示设备的设备和制造显示设备的方法，可以在第一显示基底D1或第二显示基底D2上沉积具有各种浓度的沉积材料。

根据用于制造显示设备的设备和制造显示设备的方法，可以在第一显示基底D1或第二显示基底D2上沉积具有与设计值相同或相似的形式的沉积材料层。在用于制造显示设备的设备和制造显示设备的方法中，由于可以将沉积材料精确地沉积在第一显示基底D1或第二显示基底D2上，因此可以制造高分辨率显示设备。

图7是示出根据另一实施例的用于制造显示设备的设备的一部分的剖视图。

参照图7，用于制造显示设备的设备(未示出)可以包括装载部分(未示出)、传送部分(未示出)、沉积部分430、连接部分(未示出)、掩模储存部分(未示出)、卸载部分(未示出)和传感器部分470。在这种状态下，由于装载部分、传送部分、连接部分、掩模储存部分、卸载部分和传感器部分470与图1至图3C中描述的那些相同或相似，因此省略其详细描述。

沉积部分430可包括腔室431、沉积源432、沉积源驱动部分433、掩模组件434、基底保持器435、掩模保持器436、沉积材料供应部分437-1、切断部分437-2、视觉部分438和压力调节部分439。在这种状态下，腔室431、掩模组件434、基底保持器435、掩模保持器436、视觉部分438和压力调节部分439可以与图1至图3C中描述的那些相同或相似。此外，由于沉积源432、沉积材料供应部分437-1和切断部分437-2与图6中描述的那些相同或相似，因此省略其详细描述。

在这种状态下，沉积源432可以包括多个坩埚432-1、冷却套管432-2、加热部分432-3和角度限制板432-4，并且坩埚432-1可以包括第一坩埚432-1A、第二坩埚432-1B和第三坩埚432-1C。因为沉积源驱动部分433与图4和图5中描述的沉积源驱动部分相同或相似，因此省略其详细描述。

当通过使用用于制造显示设备的设备制造显示设备(未示出)时，第一显示基底D1和第二显示基底D2(未示出)可以被布置在沉积部分430的腔室431中，并且沉积材料可以沉积在其上。在这种状态下，第一显示基底D1和第二显示基底D2可以如图4中所示地布置。

详细地，可以使第一显示基底D1和第二显示基底D2中的一个与掩模组件434定位对准。然后，在第二沉积源驱动部分433-2使沉积源432、沉积材料供应部分437-1和切断部分437-2线性移动的同时，可以将沉积材料沉积在第一显示基底D1和第二显示基底D2中的一个上。在这种状态下，切断部分437-2可以控制从沉积材料供应部分437-1向每个坩埚432-1供应的沉积材料的量。具体地，可以基于由用户预设的设计值来控制切断部分437-2。在如上所述地沉积沉积材料的同时，可以使第一显示基底D1和第二显示基底D2中的另一个与掩模组件434定位对准。

当沉积材料在第一显示基底D1和第二显示基底D2中的一个上的沉积完成时，第一沉积源驱动部分433-1可以将沉积源432从第一显示基底D1和第二显示基底D2中的一个的下表面移动到第一显示基底D1和第二显示基底D2中的另一个的下表面。在这种状态下，由于移动沉积源432的方法与图4和图5中描述的方法相同或相似，因此省略其详细描述。

然后，在操作第二沉积源驱动部分433-2以使沉积源432、沉积材料供应部分437-1和切断部分437-2线性移动的同时，可以将沉积材料沉积在第一显示基底D1和第二显示基底D2中的另一个上。在这种状态下，切断部分437-2可以基于预设值来控制从每个坩埚432-1喷射的沉积材料的量。

在上面的情况下，由于切断部分437-2基于由第一传感器部分471和第二传感器部分472测量的值来控制从每个坩埚432-1向第一显示基底D1和第二显示基底D2中的一个供应的沉积材料的量，所以可以控制沉积在第一显示基底D1和第二显示基底D2中的一个上的沉积材料层的厚度。

详细地，基于每个坩埚432-1的由第一传感器部分471测量的内部压力和每个坩埚432-1的由第二传感器部分472测量的内部温度，可以根据上面的等式1来预期从每个坩埚432-1喷射的沉积材料的蒸发量。在这种状态下，通过对从每个坩埚432-1喷射的沉积材料的蒸发量和预设蒸发量进行比较，可以通过切断部分437-2控制从沉积材料供应部分437-1供应到每个坩埚432-1的沉积材料的量。在这种状态下，由于控制切断部分437-2的方法与图6中描述的方法相同或相似，因此省略其详细描述。具体地，在这种情况下，通过控制从每个坩埚432-1喷射的沉积材料的蒸发量，可以保持沉积在第一显示基底D1和第二显示基底D2中的一个上的沉积材料的厚度与预设厚度相同。

当沉积材料在第一显示基底D1和第二显示基底D2上的沉积完成时，可以使第一显示基底D1和第二显示基底D2从腔室431朝向卸载部分移动。

因此，在用于制造显示设备的设备和制造显示设备的方法中，沉积材料可以以各种顺序沉积在第一显示基底D1或第二显示基底D2上。此外，根据用于制造显示设备的设备和制造显示设备的方法，可以在第一显示基底D1或第二显示基底D2上沉积具有各种浓度的沉积材料。

根据用于制造显示设备的设备和制造显示设备的方法，可以在第一显示基底D1或第二显示基底D2上沉积具有与设计值相同或相似的形式的沉积材料层。在用于制造显示设备的设备200和制造显示设备的方法中，由于可以将沉积材料精确地沉积在第一显示基底D1或第二显示基底D2上，因此可以制造高分辨率显示设备。

图8是由图1、图4、图6和图7中的一幅中示出的用于制造显示设备的设备制造的显示设备20的平面图。图9是沿图8的线IX-IX截取的剖视图。

参照图8和图9，在显示设备20中，显示区域DA和显示区域DA外部的非显示区域NDA可以被限定在基底21上。发射单元可以布置在显示区域DA中，并且电力布线(未示出)可以布置在非显示区域NDA中。此外，焊盘部分C可以布置在非显示区域NDA中。

在这种状态下，显示设备20可以包括第一显示基底D1或第二显示基底D2。在这种情况下，由于第一显示基底D1或第二显示基底D2彼此相同或相似，因此在下面的描述中，为了便于说明，主要详细描述显示设备20包括第一显示基底D1的情况。

显示设备20可以包括第一显示基底D1、中间层28-2、对电极28-3和封装部分。在这种状态下，第一显示基底D1可以包括基底21、缓冲层22、有源层23、栅极绝缘层24、栅电极25、层间绝缘层26、源电极27-1、漏电极27-2、钝化层27、像素电极28-1和像素限定层29。

基底21可以由塑料材料或者诸如SUS(不锈钢)或Ti的金属材料形成。例如，基底21可以由聚酰亚胺(PI)形成。在下面的描述中，为了便于说明，主要详细描述基底21由聚酰亚胺形成的情况。

可以在基底21上形成薄膜晶体管TFT，并且可以形成钝化层27以覆盖薄膜晶体管TFT，并且可以在钝化层27上形成有机发光二极管(OLED)28。

由有机化合物和/或无机化合物形成的缓冲层22可以进一步形成在基底21的上表面上。缓冲层22可以由SiO_x(x≥1)或SiN_x(x≥1)形成。

在形成在缓冲层22上以特定图案布置的有源层23之后，有源层23被栅极绝缘层24掩埋。有源层23还可以包括源区23-1和漏区23-3以及位于它们之间的沟道区23-2。

有源层23可以形成为包含各种材料。例如，有源层23可以包含诸如非晶硅或结晶硅的无机半导体材料。在另一示例中，有源层23可包含氧化物半导体。在另一示例中，有源层23可包含有机半导体材料。然而，在下面的描述中，为了便于说明，主要详细描述有源层23由非晶硅形成的情况。

通过在缓冲层22上形成非晶硅膜然后使非晶硅膜结晶成多晶硅膜，并且对多晶硅膜进行图案化，可以形成有源层23。在有源层23中，源区23-1和漏区23-3根据薄膜晶体管TFT的类型(例如，驱动TFT(未示出)或开关TFT(未示出))而被掺杂有杂质。

与有源层23对应的栅电极25和掩埋栅电极25的层间绝缘层26形成在栅极绝缘层24的上表面上。

在层间绝缘层26和栅极绝缘层24中形成接触孔H1之后，在层间绝缘层26上形成源电极27-1和漏电极27-2，以分别接触源区23-1和漏区23-3。

钝化层27形成在薄膜晶体管TFT上，并且OLED 28的像素电极28-1形成在钝化层27上。像素电极28-1通过形成在钝化层27中的通孔H2与薄膜晶体管TFT的漏极27-2接触。钝化层27可以以单层或者两层或更多的层由无机材料和/或有机材料形成。虽然钝化层27可以形成为平坦化膜，使得钝化层27的上表面是平坦的，而与下膜的不平坦性无关，但是上表面可以形成为沿着位于钝化层27下方的膜的不平坦性是不平坦的。钝化层27可以由透明绝缘材料形成以实现谐振效应。

在像素电极28-1形成在钝化层27上之后，像素限定层29由有机材料和/或无机材料形成以覆盖像素电极28-1和钝化层27，并且被开口以暴露像素电极28-1并延伸至像素电极28-1。

中间层28-2和对电极28-3至少形成在像素电极28-1上。在另一实施例中，对电极28-3可形成在显示基底D1或D2的整个表面上。在这种情况下，对电极28-3可以形成在中间层28-2和像素限定层29上。在下面的描述中，为了便于说明，主要详细描述对电极28-3形成在中间层28-2和像素限定层29上的情况。

像素电极28-1用作阳极，对电极28-3用作阴极。像素电极28-1和对电极28-3的极性可以反转。

像素电极28-1和对电极28-3通过中间层28-2彼此绝缘，并且向中间层28-2施加不同极性的电压。因此，光从有机发射层发射。

中间层28-2可以包括有机发射层。在另一选择性示例中，中间层28-2可以包括有机发射层，并且还可以包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中的至少一个。在另一实施例中，除了包括有机发射层、HIL、HTL、ETL和EIL之外，中间层28-2还可以包括布置在有机发射层、HIL、HTL、ETL和EIL中的至少两个相邻层之间的中间缓冲层(夹层)。本公开不限于此，中间层28-2可以包括有机发射层，并且还可以包括各种其它功能层(未示出)。

形成上述中间层的每个层可以通过图1、图4、图6或图7中示出的用于制造显示设备的设备来制造。在实施例中，因为顺序地沉积从图1、图4、图6或图7中示出的用于制造显示设备的设备的相应的坩埚供应的沉积材料，所以可以形成中间层28-2的相应的层。

换句话说，形成中间层28-2的一个层可以是从多个坩埚供应的沉积材料被顺序沉积的形式，或者是从多个坩埚供应的至少两种沉积材料被混合的形式。在另一实施例中，中间层28-2可以在顺序沉积从相应的坩埚供应的沉积材料时形成。在这种情况下，从一个坩埚供应的沉积材料可以形成形成中间层28-2的一个层。此外，当从相邻的坩埚喷射的沉积材料彼此混合时，不同类型的沉积材料可以形成形成中间层28-2的一个层。

在上面的情况下，可以通过控制如上所述的挡板部分或切断部分来确定相应的层的沉积顺序或包括在每个层中的材料的混合比。

中间层28-2可以包括多个中间层，并且中间层28-2可以形成在显示区域DA中。具体地，中间层28-2可以形成在显示区域DA中，显示区域DA具有除了矩形或正方形之外的形状。在这种状态下，中间层28-2可以在显示区域DA中布置成彼此间隔开。

一个单元像素可以包括多个子像素，并且子像素可以发射各种颜色的光。例如，多个子像素可以包括发射红颜色、绿颜色和蓝颜色的光的子像素，或者可以包括发射红颜色、绿颜色、蓝颜色和白颜色的光的子像素(未示出)。

封装部分布置成面对基底21，并且可以包括遮蔽第一显示基底D1、中间层28-2和对电极28-3的封装基底(未示出)。在这种状态下，封装基底可以与基底21相同或相似。此外，密封部分(未示出)可以布置在封装基底和基底21之间，以从外部完全遮蔽中间层28-2和对电极28-3。在另一实施例中，封装部分可以包括薄膜封装层E，薄膜封装层E布置在对电极28-3上并遮蔽对电极28-3。在下面的描述中，为了便于说明，主要详细描述封装部分包括薄膜封装层E的情况。

薄膜封装层E可以包括多个无机层或者包括无机层和有机层。

薄膜封装层E的有机层由聚合物形成，或者可以是由聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、环氧树脂、聚乙烯和聚丙烯酸酯中的任何一种形成的单层或叠层。例如，有机层可以由聚丙烯酸酯形成，详细地讲，可以包括聚合单体组成物，聚合单体组成物包括二丙烯酸酯单体和三丙烯酸酯单体。单丙烯酸酯单体可以被进一步包括在单体组成物中。此外，单体组成物还可以包括诸如TPO的公知的光引发剂，但本公开不限于此。

薄膜封装层E的无机层可以是包括金属氧化物或金属氮化物的单层或叠层。详细地，无机层可以包括SiN_x、Al₂O₃、SiO₂和TiO₂中的任一种。

薄膜封装层E的暴露于外部的顶层可以由无机层形成，以防止湿气侵入到OLED 28中。

薄膜封装层E可包括其中至少一个有机层置于至少两个无机层之间的至少一个三明治结构。在另一示例中，薄膜封装层E可包括其中至少一个无机层置于至少两个有机层之间的至少一个三明治结构。在另一示例中，薄膜封装层E可包括其中至少一个有机层置于至少两个无机层之间的至少一个三明治结构和其中至少一个无机层置于至少两个有机层之间的至少一个三明治结构。

薄膜封装层E可以包括顺序地位于OLED 28上方的第一无机层、第一有机层和第二无机层。

在另一示例中，薄膜封装层E可以包括顺序地位于OLED 28上方的第一无机层、第一有机层、第二无机层、第二有机层和第三无机层。

在另一示例中，薄膜封装层E可以包括顺序地位于OLED 28上方的第一无机层、第一有机层、第二无机层、第二有机层、第三无机层、第三有机层和第四无机层。

包括LiF的卤化金属层可以进一步被包括在OLED 28与第一无机层之间。卤化金属层可以防止在通过溅射法形成第一无机层时OLED 28被损坏。

第一有机层可以具有小于第二无机层的面积的面积，第二有机层可以具有小于第三无机层的面积的面积。

因此，由于显示设备20包括几乎与设计值相似的中间层28-2，因此可以实现高精度图像。

如上所述，在根据本实施例的用于制造显示设备的设备和制造显示设备的方法中，可以形成各种形状的中间层。

在根据本实施例的用于制造显示设备的设备和制造显示设备的方法中，可以精确地形成中间层。

在根据本实施例的用于制造显示设备的设备和制造显示设备的方法中，可以制造高分辨率显示设备。

应当理解的是，在这里描述的实施例应当仅以描述性意义来考虑，而不是出于限制的目的。每个实施例内的特征或方面的描述通常应被认为可用于其它实施例中的其它相似特征或方面。

虽然已经参照附图描述了一个或更多个实施例，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离由权利要求限定的精神和范围的情况下，可以在其中作出形式和细节上的各种改变。