阅读说明：本技术 晶圆处理模组与其操作方法及处理装置 (Wafer processing module, operation method thereof and processing device ) 是由 廖诗瑀 郭仕奇 洪蔡豪 李宗宪 于 2019-06-28 设计创作，主要内容包括：本揭示涉及一种晶圆处理模组与其操作方法及处理装置,特别是涉及一种用于监视处理模组中的遮挡器与参考点之间的距离的方法和系统。例如,该方法包括相对于晶圆处理模组中的基板支撑件移动遮挡器,以及利用量测装置来确定遮挡器与晶圆处理模组的壁之间的距离。响应于该距离大于一值,该方法亦包括将基板转移到基板支撑件,并且响应于该距离等于或小于该值,该方法包括重置遮挡器。(The present disclosure relates to a wafer processing module, an operating method thereof and a processing apparatus, and more particularly, to a method and a system for monitoring a distance between a shutter and a reference point in a processing module. For example, the method includes moving the shutter relative to a substrate support in the wafer processing module and determining a distance between the shutter and a wall of the wafer processing module using a measurement device. In response to the distance being greater than a value, the method also includes transferring the substrate to a substrate support, and in response to the distance being equal to or less than the value, the method includes resetting the shutter.)

晶圆处理模组与其操作方法及处理装置

技术领域

本揭露涉及一种晶圆处理模组、一种晶圆处理模组的操作方法及一种处理装置。

背景技术

半导体制造中使用的生产设备可以是集成电路(IC)制造设施中的晶圆的粒子源。在晶圆制造过程中，半导体晶圆经历多种处理操作。随着晶圆暴露于额外的处理，在IC制造期间晶圆表面上的粒子数量可增多。

发明内容

本揭露提供一种晶圆处理模组，包括基板支撑件、遮挡器与量测装置。基板支撑件被配置为支撑晶圆。遮挡器被配置为相对于基板支撑件移动，其中遮挡器靠近晶圆处理模组的部件。量测装置被配置为量测遮挡器与晶圆处理模组的部件之间的电容；以及基于该量测的电容来计算遮挡器与晶圆处理模组的部件之间的距离。

本揭露提供一种晶圆处理模组的操作方法，包括：在晶圆处理模组中相对于基板支撑件移动遮挡器；利用量测装置来确定遮挡器与晶圆处理模组的壁之间的距离；响应于距离大于一个值，将基板转移到基板支撑；以及响应于距离等于或小于该值，重置遮挡器。

本揭露提供一种处理装置，包括基板支撑件、遮挡件与量测装置。遮挡件被配置为相对于基板支撑件移动，其中遮挡件靠近处理装置的部件。量测装置被配置为确定遮挡器与处理模组的部件之间的距离。

附图说明

当结合附图阅读时，从以下详细描述可以最好地理解本揭露的各方面。应注意，根据行业中的常规实践，各种特征未按比例绘制。实际上，为了论述的清楚性，可以任意地增大或缩小各种特征的尺寸。

图1是根据一些实施例的具有被启动的遮挡器的处理模组的局部视图；

图2是根据一些实施例的具有被停用的遮挡器的处理模组的局部视图；

图3是根据一些实施例的具有预防系统的处理模组的局部视图，该预防系统包括具有电压表和电源的电路；

图4是根据一些实施例的具有预防系统的处理模组的局部视图，该预防系统包括感测器；

图5是根据一些实施例的方法的流程图，该方法描述了在处理模组中使用侦测系统来监视遮挡器移动；

图6是根据一些实施例的具有遮挡器的处理模组的局部视图，该遮挡器具有不同的主体厚度。

【符号说明】

100 处理模组

110 遮挡器

120 组件

120A 杆

120B 轴承组件

120C 圆筒

130 基板支撑件/卡盘

140 晶圆

150A 上壁部分

150B 壁

300 电路

310 电源

320 电压表

400 感测器

500 方法

510 操作

520 操作

530 操作

540 操作

550 操作

600 遮挡器

600t 遮挡器

D 间距

D' 间距

D" 间距

具体实施方式

以下揭露内容提供了用于实施所提供标的的不同特征的许多不同实施例或实例。以下描述了部件和布置的特定实例以简化本揭露内容。当然，该等仅仅是实例，而并且旨在为限制性的。例如，在以下描述中在第二特征上方形成第一特征可以包括第一特征和第二特征形成为直接接触的实施例，并且亦可以包括可以在第一特征与第二特征之间形成额外特征，使得第一特征和第二特征不直接接触的实施例。

此外，在此可以使用空间相对术语，诸如“下方”、“以下”、“下部”、“上方”、“上部”等来简化描述，以描述如图中所示的一个元件或特征与另一元件或特征的关系。除了图中所示的取向之外，空间相对术语旨在包括使用或操作中的装置/元件的不同取向。设备可以以其他方式取向(旋转90度或在其他方向上)，并且可以类似地相应解释在此使用的空间相对描述词。

如本文所用的术语“标称”是指在产品或过程的设计阶段期间设定的部件或过程操作的特征或参数的所需值或目标值，以及高于和/或低于所需值的值范围。值的范围通常是由于制造制程或公差的微小变化。

如本文所用的术语“基本上”表示给定量的值可以基于与标的半导体装置相关联的特定技术节点而变化。在一些实施例中，基于特定技术节点，术语“基本上”可以指示给定量的值在目标(或预期)值的例如±5％内变化。

如本文所用的术语“约”表示给定量的值可以基于与标的半导体装置相关联的特定技术节点而变化。在一些实施例中，基于特定技术节点，术语“约”可以指示给定量的值在该值的例如5-30％(例如，该值的±5％、±10％、±20％、或±30％)内变化。

如本文所用的术语“竖直”意味着名义上垂直于基板表面。

遮挡器在处理模组内提供空间划分。例如，可分隔空间的第一区域可被基板支撑件(例如，卡盘)占据，并且可分隔空间的第二区域可被另一部件——基板支撑件和/或基板(例如，晶圆)需要与该另一部件屏蔽隔开——占据。可以通过改变遮挡器相对于晶圆和/或基板支撑件的位置的位置来启动或停用遮挡器。举例来说，遮挡器当相对于晶圆/基板支撑件的位置升高时可以被启动。相反地，遮挡器当相对于晶圆/基板支撑件的位置降低时可以被停用。

遮挡器在较佳方向上的移动可以经由机械或机电组件来控制，该机械或机电组件包括许多部件，诸如杆、轴承、气缸、电子控制器、气动管线、电源、感测器、弹簧等。连续使用遮挡器可磨损组件的负责组件移动的部件。因此，遮挡器的移动随着时间的推移会变得不那么精确。例如，移动中的遮挡器可缓慢地偏离其路径(例如，变得不对准)并且与相邻部件(例如，处理模组的壁)接触(例如，摩擦)。该接触可能很微小，但可能会随着遮挡器更多地偏离其预定路径而加剧。遮挡器与相邻部件之间的无意接触可在摩擦表面上形成划痕并且可能成为粒子的来源。该等粒子可迁移到经处理的晶圆上并随后引起缺陷。

本文所述的实施例涉及一种监视遮挡器与参考点之间的距离的预防方法和系统。本文所述的方法和系统可用于防止由于遮挡器移动的偏差而导致遮挡器与相邻部件之间的无意接触。

图1是处理模组100的一部分的剖视图。处理模组100包括遮挡器110，可以经由组件120相对于基板支撑件或卡盘130和基板或晶圆140的位置来升高或降低该遮挡器。处理模组100亦可以包括图1中未图示的额外部件。此类部件包括但不限于额外的壁部分、开口、加热器、马达、阀、泵、磁体、喷头、准直器、机器人臂、气体输送管线、感测器、电子设备、控制器、泵管线，和/或可以为处理模组100的不同部件供电的电源。在一些实施例中，处理模组100是蚀刻模组、沉积模组，半导体制造设施或其他使用遮挡器110的制造设施中的模组。

在一些实施例中，遮挡器110可以沿z轴在竖直方向上移动。举例而言而非限制，遮挡器110可以被配置为分离群集工具的两个隔室。例如，遮挡器110可以阻挡用于将晶圆140从群集工具的一个隔室转移到另一个隔室(例如，处理模组100)的开口。当遮挡器110升高时，如图1所示，该遮挡器可以靠近处理模组100的上壁部分150A。处理模组的壁150B的下部也在图1中图示。处理模组100的上部壁部分150A和下部壁部分150B连接到处理模组的为了简化而未在图1中图示的部分。

在一些实施例中，组件120包括杆120A、轴承组件120B和圆筒120C。组件120可包括未在图1中图示的额外部件。此类部件包括但不限于气动阀、马达、控制器、感测器，和/或其他电子部件。

根据一些实施例，图2图示遮挡器110相对于卡盘130和晶圆140的位置处于较低位置(比图1的位置更低)。举例来说，在处理模组100中执行的处理期间的任何时间点处，遮挡器110可以在(例如，图2中图示的)低位置与(例如，图1中图示的)高位置之间移动。另外，当晶圆140进入或离开处理模组100时，遮挡器110可以在(例如，分别在图1和2中图示的)高位置与低位置之间切换。遮挡器110的位置不限于图1和图2的图解。例如，遮挡器110可以相对于卡盘130、晶圆140或处理模组100中的另一个部件具有不同的“高”和“低”位置。此外，遮挡器110的形状不限于图1和图2的图解，并且其他形状亦在本揭示的精神和范畴内。

根据一些实施例中，当遮挡器110被升高时，如图1中所示，在上壁部分150A与遮挡器110之间形成了间隙D。在一些实施例中，间隙D的“最佳”值在约0.5mm至约1mm的范围内确保了遮挡器110在升高时不与上壁部分150A接触。然而，随着时间的推移，当例如组件120的个别部件磨损时，间隙D可能减小。举例来说，当间隙D变为零时，当遮挡器110移动到高位置(例如，如图1所示)时，遮挡器110开始接触上壁部分150A。在一些实施例中，在例如上壁部分150A与遮挡器110之间的无意接触可产生可以在下游检查操作中在晶圆140上侦测到的粒子。在一些实施例中，遮挡器110在偏离其预期位置时可与处理模组100的其他部件接触，而不是与上壁部分150A接触。上壁部分150A在此用作实例而非限制。

在一些实施例中，组件120中的磨损部件的更换可将间隙D重置到其最佳范围，例如在约0.5mm至约1mm之间，使得遮挡器110当在分别在图2和图1中图示的低位置与高位置之间移动时不与上壁部分150A接触。前述最佳范围是示例性的而非限制性的。例如，其他处理模组和遮挡器配置可以具有不同的最佳范围。

在一些实施例中，具有电源和电压表的电路可用于监视间隙D。举例而言，图3图示了此类布置，其中电路300包括连接到上壁部分150A的电极和连接到遮挡器110的另一电极。在一些实施例中，上壁部分150A可充当参考点，可以使用电路300来量测和监视从该参考点到遮挡器110的距离。根据一些实施例，电路300包括电源310和电压表320，该电源310和电压表320都与由上壁部分150A和遮挡器110形成的电容器并联连接。举例来说，上壁部分150A和遮挡器110中的每一者可以充当所形成的电容器的板，该上壁部分150A和遮挡器110之间具有间隙或距离D。此外，电路300可以被配置为使得电源310和电压表320可以经由电开关独立地与电路300连接和断开，电开关为简单起见而未在图3中图示。在一些实施例中，上壁部分150A和遮挡器110彼此电隔离(例如，它们不电连接到同一电压电位，诸如接地参考电压)。

在一些实施例中，来自电压表的电压读数320可以经校准以对应于在上壁部分150A(例如，参考点)与遮挡器110之间的间隙或间距D。举例来说，此可以如下完成。对于间隙D的值已知(例如，1mm)并且在电压表320断开且电源310连接到电路300的情况下，由上壁部分150A和遮挡器110形成的电容器可以荷有电荷Q。随后，在电源310断开并且电压表320连接到电路300的情况下，跨电容器的板量测对应于电容器中储存的电荷的电压。更特别地，根据下面的电容器公式，量测的电压将与储存在电容器中的电荷Q和所形成的电容器的各板(例如，上壁部分150A与遮挡器110)之间的间隙D成比例：

ΔV＝Q·D/(_o·A)，

其中，ΔV是由电压表320跨电容器的板量测的电压差，Q是储存在电容器中的电荷，D是所述电容器的各板之间的间隙，_o是自由空间的介电常数，并且A是电容器的各板之间的面积。随着上壁部分150A和遮挡器110之间的间隙D随时间推移减小，由电压表320量测的电压响应于间隙距离的变化而减小。此是因为公式的其他参数保持不变。上述方法可用于间隙D的几个已知值(例如，用于0.8mm、0.6mm、0.5mm、0.2mm等)以获得校准曲线或表格，该校准曲线或表格展示了由电压表320量测的电压与上壁部分150A和遮挡器110之间的相应间隙D之间的关系。因此，在任何给定时间，电路300中的电压表320的电压读数可以转换为间隙D的值。

在一些实施例中，可以使用检流计或电流表代替电路300中的电压表。检流计或电流表可以相对于由上壁部分150A和遮挡器110形成的电容器串联连接。因此，遵循上述相同的方法，电源310将电容器充电到固定电压，电容器与电源310断开，并且使用电流表或检流计来量测放电电流。放电电流可以对应于上壁部分150A与遮挡器110之间的间隙或间距D。

在一些实施例中，电路300可以包括电容计，该电容计被配置为量测上壁部分150A与遮挡器110之间的电容以作为距离D的函数。例如，在电路300中，电压表320和电源310可以用电容计代替，其中电容计的一端子电连接到上壁部分150A，并且电容计的另一端子电连接到遮挡器110。

图3包括电路300的所选部分或元件，并且可能未图示额外元件。举例来说，额外元件可以包括电子部件，诸如晶体管、电阻器、信号放大器、数字控制器、输入和输出端口、连接端口、天线，网络和接口卡、被配置为执行比较和计算的逻辑电路，其他电源等。在一些实施例中，电路300可以是电子单元的一部分，该电子单元被配置为使用电压表、检流计、电流表、另一电子装置或其组合来提供电信号(例如，数字或模拟、电压和/或电流、电容等)与上壁部分150A与遮挡器110之间的间隙或间距D之间的相关性。

在一些实施例中，可以采用用于量测和监视距离(例如间隙D)的替代方式。举例来说，可以使用的装置包括光学感测器(例如，相机、红外感测器，以及激光距离感测器)、超声波感测器(例如，反向雷达感测器)、电感式接近感测器，或任何其他类型的可以确定两个物体之间(例如，在上壁部分150A与遮挡器110之间)的距离的感测器。举例来说，上述感测器可以附接到上壁部分150A并且被配置为监视上壁部分150A与遮挡器110之间的距离(例如，间隙D)。图4图示了此类布置，其中感测器400附接到上壁部分150A并且被配置为量测或监视间隙D'，可根据该间隙D'来计算间隙D。在一些实施例中，间隙D'对应于感测器400与遮挡器110之间的距离。感测器400在上壁部分150A上的位置不限于图4中的描绘。例如，感测器400的放置可取决于诸如上壁部分150A的几何形状、感测器400相对于上壁部分150A的大小，或感测器类型的因素。感测器400可以不安装在与遮挡器110相邻的上壁部分150A上。例如，诸如相机的光学感测器可以安装为使得其从侧面观察上壁部分150A和遮挡器110；或者感测器400可以安装在与上壁部分150A完全相反的方向上-只要遮挡器110在感测器400的视线内即可。

在一些实施例中，感测器400可以经由有线或无线通讯装置与处理模组100外的控制单元或电脑通讯。因此，感测器400可以是距离侦测系统的一部分，该距离侦测系统包括图4中未图示的额外电子部件。在一些实施例中，感测器400可以被配置为提供距离量测值，使得可以确定上壁部分150A与遮挡器110之间的间隙D。

图5是用于监视处理模组中的遮挡器移动的方法500的流程图。本揭示不限于该操作描述，并且其他操作在本揭示的精神和范畴内。应了解，可执行额外操作。此外，执行本文提供的揭示内容可能不需要所有操作。另外，图2中所示的操作中的一些操作可以同时或以不同的顺序执行。在一些实现中，除了当前描述的操作之外或代替当前描述的操作，可以执行一个或多个其他操作。出于说明性目的，将参考图1和图4中所示的实施例来描述方法500。

参考图5，方法500开始于操作510，其中通过相对于基板支撑件移动遮挡器来启动遮挡器。可以通过改变遮挡器相对于基板(例如，晶圆)和/或基板支撑件(例如，卡盘)的位置的位置来启动或停用遮挡器。举例来说，遮挡器当相对于晶圆/基板支撑件的位置升高时可以被启动，而当相对于晶圆/基板支撑件的位置降低时可以被停用。图2描述了遮挡器110的示例性初始位置，并且图1描述了在启动之后(例如，在方法500的操作510之后)遮挡器110的示例性最终位置。

在图1中，遮挡器110靠近处理模组100的上壁部分150A。根据一些实施例，在该位置处，间隙或间距D是在上壁部分150A与遮挡器110之间形成的。在一些实施例中，上壁部分150A与遮挡器110之间的最佳间隙或间距确保遮挡器110当在图1和图2中所示的位置之间移动时不与上壁部分150A接触。举例来说，最佳间隙或间距D可在约0.5mm至约1mm的范围内。然而，该间隙D不是限制性的，并且取决于遮挡器110和处理模组100的几何形状，间隙D的其他最佳值亦是可能的。在一些实施例中，上壁部分150A与遮挡器110之间的摩擦作用可以产生可(例如，在下游检查操作中)在晶圆140上侦测到的粒子。

在其他实施例中，当遮挡器110偏离其预期的竖直路径(例如，沿z方向)时，其可以与处理模组100的其他部件(例如，不是处理模组100的壁)接触。因此，上壁部分150A在此仅用作实例而非限制。

参考图5和操作520，在遮挡器110与处理模组的壁(例如，处理模组100的上壁部分150A)之间量测间隙D。举例来说，可以经由图3中所示的电路300来量测间隙或间距D。在一些实施例中，电路300可包括电源310和电压表320，该电源310和电压表320都相对于由上壁部分150A和遮挡器110形成的电容器并联连接。另外，电路300可以被配置为经由电开关将电源310和电压表320与电路300连接/断开，电开关在图3中未图示。来自电压表的电压读数320可以经校准以对应于在上壁部分150A与遮挡器110之间的相应间隙或间距D。例如，针对上壁部分150A与遮挡器110之间的大间距D(例如，约1mm)量测的电压可以大于针对小间距D(例如，低于约0.5mm)量测的电压。此是因为根据一些实施例，不同的间距值将对应于由电路300中的电压表320量测的不同电压。

或者，电路300可包括检流计或电流表而不是电压表320。因此，按照上述的相同方法，来自电流表或检流计的放电电流读数可经校准以对应于上壁部分150A与遮挡器110之间的相应间隙或间距D。在一些实施例中，电流表可以相对于由上壁部分150A和遮挡器110形成的电容器串联连接。

在一些实施例中，电路300可以包括电容计而不是电压表320和电源310。电容计可以被配置为量测上壁部分150A与遮挡器110之间的电容作为距离D的函数。

在一些实施例中，可以用感测器装置(例如，图4中所示的感测器400)来量测上壁部分150A与遮挡器110之间的间隙。举例而言而非限制，感测器装置可以是光学感测器(例如，相机、红外感测器、激光距离感测器)、超声波感测器(例如，反向雷达感测器)、电感式接近感测器，或任何其他类型的可以确定两个物体之间(例如，在上壁部分150A与遮挡器110之间)的距离的感测器。举例来说，上述感测器可以附接到上壁部分150A并且被配置为监视上壁部分150A与遮挡器110之间的距离(例如，间隙D)，如图4所示。

参考图5和方法500的操作530，确定量测的间隙是否等于或大于“临界”值。“临界”值可以被定义为确保遮挡器110的无接触操作的可接受的(例如，上壁部分150A与遮挡器110之间的)最小间距D。例如，临界值可以设定在最佳间距D范围的下限端(例如，0.5mm)。然而，此不是限制性的，并且可以根据遮挡器组件和处理模组来选择其他值。例如，若上壁部分150A与遮挡器110之间的量测间隙或间距D等于或大于预定临界值，则可以根据操作540将晶圆转移到处理模组中以进行处理。另一方面，若量测的间隙或间距D不等于或大于临界值，则根据操作550重置遮挡器的位置。

在一些实施例中，可以通过更换组件的负责遮挡器110移动的一个或多个部件(例如，磨损的部件)来重置遮挡器110的位置。该等部件可以是例如杆120A、轴承组件120B、圆筒120C或其组合。在一些实施例中，可以更换整个组件120。在其他实施例中，代替更换组件120的磨损部件，遮挡器110可以用具有较薄主体的另一遮挡器代替，以增加上壁部分与遮挡器之间的间隙或间距D。举例来说，在图6中，遮挡器110已经用较薄的遮挡器600t代替，该较薄的遮挡器600t可以使上壁部分150A与遮挡器110之间的间隙或间距从D增大到D”，其中D<D”。举例来说，遮挡器600的主体厚度600t可以比遮挡器110的相应主体厚度薄约0.5mm。在一些实施例中，较薄的遮挡器600可延长组件120的寿命。换言之，遮挡器600可以延迟组件120的磨损部件的更换。在一些实施例中，一旦组件120的磨损部件(或遮挡器110)已被替换，则使用方法500的操作520来监视间隙D(或D”)。

本文所述的实施例涉及一种预防方法和系统，该预防方法和系统可以用于监视处理模组中的遮挡器与参考点之间的距离。本文所述的方法和系统可用于防止由于组件中的负责遮挡器移动的一个或多个磨损部件导致的遮挡器与相邻部件之间的无意接触。在一些实施例中，该方法和系统可以包括感测器，该感测器可以监控遮挡器相对于参考点(例如，处理模组的壁或另一个部件)的位置。感测器可以是例如光学感测器(例如，相机、红外感测器、激光距离感测器)、超声波感测器(例如，反向雷达感测器)、电感式接近感测器，或其他类型的可以量测遮挡器与参考点之间的距离的感测器。在一些实施例中，系统可以包括具有电压表的电路，其中遮挡器与参考点之间的间隙是根据在遮挡器与参考点之间量测的电压差计算的。在一些实施例中，可以使用电流表或检流计来代替电压表。或者，可以使用电容计将电容量测值与遮挡器与参考点之间的距离相关联。若确定量测的距离低于预定值，则更换负责遮挡器移动的磨损部件，或者可以用具有比原始遮挡器更薄的主体的另一个遮挡器替换遮挡器。

在一些实施例中，晶圆处理模组包括：基板支撑件，该基板支撑件被配置为支撑晶圆；遮挡器，该遮挡器靠近晶圆处理模组的部件并且被配置为相对于基板支撑件移动；以及量测装置。在晶圆处理模组中，量测装置被配置为量测遮挡器与晶圆处理模组的部件之间的电容，并基于量测的电容来计算遮挡器与晶圆处理模组的部件之间的距离。在一些实施例中，晶圆处理模组的部件包括晶圆处理模组的上壁部分。在一些实施例中，量测装置并联电连接到由遮挡器和晶圆处理模组的部件形成的电容器。在一些实施例中，量测装置包括第一端子和第二端子，其中第一端子电连接到遮挡器，并且第二端子电连接到晶圆处理模组的部件。在一些实施例中，量测装置是电容计。在一些实施例中，晶圆处理模组亦包括被配置为移动遮挡器的组件。在一些实施例中，计算的距离在约0.5mm与约1mm之间的范围内。

在一些实施例中，一种方法包括相对于晶圆处理模组中的基板支撑件移动遮挡器，以及利用量测装置来确定遮挡器与晶圆处理模组的壁之间的距离。响应于该距离大于一值，该方法亦包括将基板转移到基板支撑件，并且响应于该距离等于或小于该值，该方法包括重置遮挡器。在一些实施例中，重置遮挡器包括更换被配置为移动遮挡器的移动组件的一个或多个部件。在一些实施例中，重置遮挡器包括用具有比遮挡器更薄的主体的另一遮挡器来替换遮挡器。在一些实施例中，确定遮挡器与晶圆处理模组的壁之间的该距离包括：用电源对遮挡器与晶圆处理模组的壁形成的电容器充电；量测跨电容器的电压；以及将量测的电压转换成遮挡器与晶圆处理模组的壁之间的距离。在一些实施例中，确定遮挡器与晶圆处理模组的壁之间的距离包括：用电源对遮挡器与晶圆处理模组的壁形成的电容器充电；用量测装置量测电容器之间的电荷；以及将量测的电荷转换成遮挡器与晶圆处理模组的壁之间的距离。在一些实施例中，量测装置包括光学感测器、超声波感测器，或电感式接近感测器。

在一些实施例中，处理装置包括基板支撑件、遮挡器，该遮挡器靠近处理装置的部件并且被配置为相对于基板支撑件移动。处理装置亦包括量测装置，该量测装置被配置为确定遮挡器与处理模组的部件之间的距离。在一些实施例中，量测装置包括光学感测器、超声波感测器，或电感式接近感测器。在一些实施例中，光学感测器包括红外感测器或激光感测器。在一些实施例中，光学感测器包括相机。在一些实施例中，超声波感测器包括反向雷达感测器。在一些实施例中，距离范围在约0.5mm与1mm之间。在一些实施例中，部件包括处理装置的壁部分。

应当理解，具体实施方式部分而不是本揭示的摘要部分，旨在用于解释请求项。本揭示的摘要部分可以阐述发明人所预期的本揭示的一个或多个但不是所有可能的实施例，因此并不旨在以任何方式限制所随附的权利要求。

前述揭示内容概述了若干实施例的特征，使得本领域技艺人士可以更好地理解本揭露的各方面。本领域技艺人士应当理解，他们可以容易地使用本揭露作为设计或修改其他制程和结构的基础，以实现与本文介绍的实施例相同的目的及/或实现与本文介绍的实施例相同的优点。本领域技艺人士亦应当认识到，此类等同构造不脱离本揭露的精神和范围，并且在不脱离本揭露的精神和范围的情况下，他们可以在本文中进行各种改变、替换和变更。