阅读说明：本技术 多站式沉积工艺的串气检测方法、设备及可读存储介质 (Method and device for detecting gas leakage of multi-station deposition process and readable storage medium ) 是由 周烽 万先进 左明光 宋锐 李�远 熊少游 李远博 于 2019-09-12 设计创作，主要内容包括：本发明提供了一种多站式沉积工艺的串气检测方法、设备及可读存储介质,串气检测方法包括如下步骤：提供一多站式沉积设备,通过多站式沉积设备对一枚或多枚晶圆进行多站式沉积工艺,多站式沉积设备具有位于同一腔室中的多个用于容纳多枚晶圆进行多站式沉积工艺的站位；对晶圆表面沉积的薄膜进行薄膜均匀性检测；对多站式沉积工艺中所供给的工艺气体进行流量检测；根据薄膜均匀性检测和供气流量检测的结果判断多站式沉积工艺的过程中是否出现串气。本发明通过引入一种新的多站式沉积工艺的串气检测方法、设备及可读存储介质,通过进行薄膜均匀性检测及供气流量检测,及时发现多站式沉积工艺过程中出现的串气,从而确保了薄膜沉积质量以及产品良率。(The invention provides a gas cross detection method, equipment and a readable storage medium for a multi-station deposition process, wherein the gas cross detection method comprises the following steps: providing a multi-station deposition device, and performing a multi-station deposition process on one or more wafers through the multi-station deposition device, wherein the multi-station deposition device is provided with a plurality of stations which are positioned in the same chamber and used for accommodating the wafers to perform the multi-station deposition process; carrying out film uniformity detection on the film deposited on the surface of the wafer; detecting the flow of the process gas supplied in the multi-station deposition process; and judging whether gas cross-over occurs in the process of the multi-station deposition process according to the results of the film uniformity detection and the gas supply flow detection. The invention introduces a new gas cross detection method, equipment and readable storage medium of the multi-station deposition process, and finds gas cross in the multi-station deposition process in time by performing film uniformity detection and gas supply flow detection, thereby ensuring the film deposition quality and the product yield.)

多站式沉积工艺的串气检测方法、设备及可读存储介质

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，特别是涉及一种多站式沉积工艺的串气检测方法、设备及可读存储介质。

背景技术

在半导体制造工艺中，薄膜沉积工艺是一道关键制程。在同一腔室中设置多个站位以容纳多枚晶圆的设备结构因其在设备成本控制上所具有的独特优势而得到广泛的应用。其中，多站式顺序沉积工艺(multi-station sequential deposition)通过控制多枚晶圆顺次经过各个站位进行薄膜沉积，所得的薄膜沉积均匀性更好且片间均匀性不受站位位置影响。

目前，在多站式沉积工艺过程中，通过各个站位上方设置喷淋头供给工艺气体，并在晶圆表面沉积薄膜，而各个站位之间则通过气帘进行隔离，以确保各个站位的工艺气氛条件相对独立，避免因串气而导致薄膜沉积均匀性不佳等缺陷。

然而，工艺气体的供给流量和持续时间等参数作为多站式沉积工艺的重要可调参数，在对工艺菜单(recipe)进行调试时，随着工艺气体流量及工艺时间的调整变化，各个站位之间的气压平衡可能被打破，致使各个站位之间出现串气现象。如无法及时发现菜单调试所导致的串气现象，就会影响产品晶圆的薄膜沉积质量以及产品良率。

因此，有必要提出一种新的多站式沉积工艺的串气检测方法、设备及可读存储介质，解决上述问题。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种多站式沉积工艺的串气检测方法、设备及可读存储介质，用于解决现有技术中无法及时发现菜单调试所导致的串气现象，进而影响产品晶圆的薄膜沉积质量以及产品良率的问题。

为实现上述目的及其它相关目的，本发明提供了一种多站式沉积工艺的串气检测方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供一多站式沉积设备，通过所述多站式沉积设备对一枚或多枚晶圆进行所述多站式沉积工艺，所述多站式沉积设备具有位于同一腔室中的多个用于容纳多枚所述晶圆进行多站式沉积工艺的站位；

对完成所述多站式沉积工艺的所述晶圆表面沉积的薄膜进行薄膜均匀性检测；

对所述多站式沉积工艺中所供给的工艺气体进行供气流量检测；

根据所述薄膜均匀性检测和所述供气流量检测的结果判断所述多站式沉积工艺的过程中是否出现串气。

作为本发明的一种可选方案，所述薄膜均匀性检测包括对所述薄膜的厚度均匀性的检测。

作为本发明的一种可选方案，所述薄膜包括金属薄膜，所述薄膜均匀性检测包括对所述薄膜的方块电阻均匀性的检测。

作为本发明的一种可选方案，将在进行所述多站式沉积工艺时任意一站位的所述晶圆按照与其他站位上的所述晶圆的距离远近划分为邻近区和非邻近区，根据所述邻近区与所述非邻近区的所述薄膜均匀性检测的结果，判断所述多站式沉积工艺的过程中是否出现串气。

作为本发明的一种可选方案，所述工艺气体为多种，在进行所述多站式沉积工艺时，各个所述站位依次通入多种所述工艺气体，通过检测任意时刻各个所述站位是否通入不同种的所述工艺气体，判断所述多站式沉积工艺的过程中是否出现串气。

本发明还提供了一种多站式沉积工艺的串气检测设备，其特征在于：包括：

薄膜均匀性检测模块，用于对完成多站式沉积工艺的晶圆表面沉积的薄膜进行薄膜均匀性检测；

供气流量检测模块，用于对所述多站式沉积工艺中所供给的工艺气体进行供气流量检测；

控制器，用于根据所述薄膜均匀性检测和所述供气流量检测的结果判断所述多站式沉积工艺的过程中是否出现串气；

所述控制器包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，所述计算机程序被所述处理器执行本发明所述检测方法。

作为本发明的一种可选方案，所述薄膜均匀性检测模块包括用于检测所述薄膜的厚度均匀性的膜厚检测单元。

作为本发明的一种可选方案，所述薄膜包括金属薄膜，所述薄膜均匀性检测模块包括用于检测所述薄膜的方块电阻均匀性的方块电阻检测单元。

作为本发明的一种可选方案，所述薄膜均匀性检测模块包括晶圆分区单元，所述晶圆分区比对单元将在进行所述多站式沉积工艺时任意一站位的所述晶圆按照与其他站位上的所述晶圆的距离远近划分为邻近区和非邻近区，并分别得出所述邻近区和所述非邻近区的所述薄膜均匀性检测的结果。

作为本发明的一种可选方案，所述工艺气体为多种，所述供气流量检测模块包括多个流量检测单元，多个所述流量检测单元一一对应于多种所述工艺气体并检测所述工艺气体随时间变化的流量。

本发明还提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于：所述计算机程序被处理器执行时实现如本发明所述的多站式沉积工艺的串气检测方法。

如上所述，本发明提供一种多站式沉积工艺的串气检测方法、设备及可读存储介质，具有以下有益效果：

本发明通过引入一种新的多站式沉积工艺的串气检测方法、设备及可读存储介质，通过进行薄膜均匀性检测及供气流量检测，及时发现多站式沉积工艺过程中出现的串气，从而确保了薄膜沉积质量以及产品良率。

附图说明

图1显示为本发明实施例一中提供的一种多站式沉积工艺的串气检测方法的流程图。

图2显示为本发明实施例一中提供的一种多站式沉积设备的开腔示意图。

图3显示为本发明实施例一中提供的一种多站式沉积设备中各个站位的示意图。

图4显示为本发明实施例一中提供的单枚晶圆上所框选的邻近区的示意图。

图5显示为本发明实施例一中提供的正常工艺晶圆的方块电阻分布示意图。

图6显示为本发明实施例一中提供的串气异常工艺晶圆的方块电阻分布示意图。

图7显示为本发明实施例一中提供的正常工艺时工艺气体随时间变化关系示意图。

图8显示为本发明实施例一中提供的串气异常时工艺气体随时间变化关系示意图。

图9显示为本发明实施例一中提供的氩气流量随时间变化的关系示意图。

元件标号说明

100 站位

100a 第一站位

100b 第二站位

100c 第三站位

100d 第四站位

101 晶圆

101a 邻近区

101b 第一分布区

101c 第二分布区

101d 第三分布区

101e 第四分布区

101f 第五分布区

101g 第六分布区

101h 第七分布区

101i 第八分布区

101j 第九分布区

102 喷淋头

103 等离子体

S1～S4 步骤1)～步骤4)

具体实施方式

以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其它优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。

请参阅图1至图9。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，虽图示中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的形态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局形态也可能更为复杂。

实施例一

请参阅图1至图9，本实施例提供了一种多站式沉积工艺的串气检测方法，其特征在于，包括如下步骤：

1)提供一多站式沉积设备，通过所述多站式沉积设备对一枚或多枚晶圆进行所述多站式沉积工艺，所述多站式沉积设备具有位于同一腔室中的多个用于容纳多枚所述晶圆进行多站式沉积工艺的站位；

2)对完成所述多站式沉积工艺的所述晶圆表面沉积的薄膜进行薄膜均匀性检测；

3)对所述多站式沉积工艺中所供给的工艺气体进行供气流量检测；

4)根据所述薄膜均匀性检测和所述供气流量检测的结果判断所述多站式沉积工艺的过程中是否出现串气。

在步骤1)中，请参阅图1的S1以及图2至图3，提供一多站式沉积设备，通过所述多站式沉积设备对多枚晶圆进行所述多站式沉积工艺，所述多站式沉积设备具有位于同一腔室中的多个用于容纳多枚所述晶圆进行多站式沉积工艺的站位。

如图2所示，是本实施例中所提供的多站式沉积设备的工艺腔室的开腔示意图，图中未展示腔室的上盖部分。从图1中可以看出，在同一腔室中设置有4个站位100(station)，用于放置进行薄膜沉积的晶圆101。具体地，4个所述站位分别为第一站位100a(STN1)、第二站位100b(STN2)、第三站位100c(STN3)和第四站位100d(STN4)。其中，4枚所述晶圆101分别放置于对应的所述站位100上，并将任意一枚所述晶圆101上靠近相邻站位的区域定义为邻近区101a。在其他实施例中，腔室中设置的站位个数不受限制。

如图3所示，是所述多站式沉积设备中各个站位的示意图。其中，所述第一站位100a、所述第二站位100b、所述第三站位100c和所述第四站位100d上还分别设置有供给工艺气体的喷淋头102(shower)。环绕各个站位的位置还设置有用于隔离的气帘隔离装置(图中未展示)。在沉积工艺过程中，晶圆传送至所述第一站位100a处，并顺次通过各个站位，以完成沉积工艺。各个站位通过所述喷淋头102供给工艺气体并经过射频功率形成等离子103，在所述晶圆101的表面沉积薄膜。图3中仅是展示各个站位的部件及功效，并非真实展示晶圆的一次沉积流程。所述沉积工艺过程还包括预先成核及气体冲洗(purge)过程。随着先进制程对于薄膜质量的要求不断提高，对应的沉积工艺一般包括多次成核、沉积及冲洗过程的循环晶圆在腔室中移动的同时完成上述循环过程，以形成均匀性好的高质量薄膜。然而，各个站位在工艺过程中虽然由气帘隔离，但在根据制程要求调试工艺菜单时，极易打破各个站位间的气压平衡，从而造成串气现象，即供给于某一站位的工艺气体异常流向其他站位，影响正常工艺过程，进而导致薄膜沉积质量不佳。需要指出的是，本发明所提供的串气检测方法并不仅限于本实施例中所述多站位顺次沉积工艺过程，只要是在同一腔室中设置多个站位并各自独立供给工艺气体的工艺制程都可以采用本发明所述的串气检测方法进行串气检测。

在步骤2)中，请参阅图1的S2以及图4至图6，对完成所述多站式沉积工艺的所述晶圆表面沉积的薄膜进行薄膜均匀性检测。晶圆表面沉积薄膜的质量和均匀性是串气现象所造成的直接影响。因此通过对晶圆表面沉积薄膜的质量和均匀性进行检测，可以准确判断出所述多站式沉积工艺过程中是否出现了串气。

作为示例，所述薄膜均匀性检测包括对所述薄膜的厚度均匀性的检测。由于串气现象会导致晶圆面内的成膜均匀性受到影响，因此，通过对晶圆表面的薄膜厚度均匀性进行检测，可以准确发现所述薄膜的沉积过程是否存在串气问题。具体地，对于二氧化硅、氮化硅等电介质薄膜或者铝、钨等金属薄膜，可以采用不同波段的光波通过干涉等方法对薄膜厚度进行量测，或者通过x射线照射薄膜后所收集的特征信号计算得到其膜厚。通过对晶圆面内不同位置的薄膜厚度进行量测，可以进一步得到晶圆面内薄膜厚度的均匀性，并通过和标准规格作对比，判断是否存在串气现象。

作为示例，所述薄膜包括金属薄膜，所述薄膜均匀性检测包括对所述薄膜的方块电阻均匀性的检测。对于铝、钨等金属薄膜，由于其具有导电性，还可以通过方块电阻的量测判断薄膜均匀性。

作为示例，为了准确判断薄膜均匀性是否为串气现象影响，而非其他工艺异常所引发，在判断薄膜均匀性时，可以对晶圆面内不同位置的薄膜进行比对分析。可选地，将在进行所述多站式沉积工艺时任意一站位的所述晶圆按照与其他站位上的所述晶圆的距离远近划分为邻近区和非邻近区，根据所述邻近区与所述非邻近区的所述薄膜均匀性检测的结果，判断所述多站式沉积工艺的过程中是否出现串气。

如图4所示，是单枚晶圆上所框选的所述邻近区101a。参考图2，可以看到所述邻近区101a对应于邻近其他站位的位置。在判断薄膜均匀性时，根据所述邻近区与所述非邻近区的所述薄膜均匀性检测的结果，判断所述多站式沉积工艺的过程中是否出现串气。如图5所示，是未发生串气的晶圆方块电阻测试数据模拟分布图。在图5中，根据晶圆面内多个测试点所测得的方块电阻值，模拟出方块电阻分布区域。其中，第一分布区101b的方块电阻均值为7.000ohm/sq，第二分布区101c的方块电阻均值为6.675ohm/sq，第三分布区101d的方块电阻均值为6.350ohm/sq，第四分布区101e的方块电阻均值为6.025ohm/sq，第五分布区101f的方块电阻均值为5.700ohm/sq，整个晶圆面内的方块电阻均值为5.798ohm/sq，均匀度为5.0％。从图5中可以看出，所述邻近区101a内的方块电阻值分布均匀性较好，未出现异常，这表明在沉积工艺过程中没有出现串气现象。如图6所示，是发生串气异常的晶圆方块电阻测试数据模拟分布图。在图6中，第三分布区101d的方块电阻均值为6.350ohm/sq，第四分布区101e的方块电阻均值为6.025ohm/sq，第五分布区101f的方块电阻均值为5.700ohm/sq，第六分布区101g的方块电阻均值为5.375ohm/sq，第七分布区101h的方块电阻均值为5.050ohm/sq，第八分布区101i的方块电阻均值为4.725ohm/sq，第九分布区101j的方块电阻均值为4.400ohm/sq，整个晶圆面内的方块电阻均值为5.589ohm/sq，均匀度为11.6％。从图6可以看出，由于异常串气，使得晶圆面内方块电阻均匀度从正常的5.0％剧变至11.6％，且在所述邻近区101a内的方块电阻值分布均匀性显著恶化。这表明在沉积工艺过程中出现的串气现象将显著影响晶圆面内方块电阻均匀度，特别是所述邻近区101a内的方块电阻值分布可以表征所述晶圆101在薄膜沉积过程中是否出现异常的串气现象。

在步骤3)中，请参阅图1的S3以及图7至图8，对所述多站式沉积工艺中所供给的工艺气体进行供气流量检测。由于在薄膜沉积过程中各个站位间出现的串气现象将影响工艺气体供给的压力平衡，进而反映到工艺气体的供给流量变化上，通过对沉积过程中所使用的工艺气体的流量进行监控，可以及时发现在薄膜沉积过程中是否出现异常串气现象。

作为示例，所述工艺气体为多种，在进行所述多站式沉积工艺时，各个所述站位依次通入多种所述工艺气体，通过检测任意时刻各个所述站位是否通入不同种的所述工艺气体，判断所述多站式沉积工艺的过程中是否出现串气。

如图7所示，是本实施例所例举的未出现串气现象时的多站式沉积工艺中，各个站位上所供给的工艺气体随时间变化关系示意图。在图7中，每一路工艺气体的曲线中的波谷位置表明该路气体正在向对应的站位进行供气。在本实施例中，所采用的沉积工艺为脉冲成核的沉积工艺，在单次脉冲循环中，依次通入B₂H₆、WF₆和NH₃工艺气体，以完成薄膜成核及生长过程。在各个工艺气体通入区间还包括气体冲洗(purge)过程，以防止不同工艺气体的交叉影响。此外，由于所采用的是多站式顺次沉积工艺，晶圆在初始阶段从第一站位STN1处装载进工艺腔室中，并顺次移动经过各个站位。第一站位STN1主要负责初始晶圆表面的成核过程，因而第一站位STN1处的B₂H₆气体供给持续时间有别于其他站位。从图7中可以看出，第一站位STN1与其他站位STN2-4具有不同的B₂H₆供给时间，在B₂H₆和WF₆的供给区间之间还设置了气体冲洗(purge)过程。在WF₆供给前，第一站位STN1与其他站位STN2-4设置了不同的气体冲洗时间，分别为2.15s和2.65s，这确保了第一站位STN1与其他站位STN2-4后续WF₆的供给区间具有相同的起始时刻，进而使后续的每个循环中，各个站位的供气互不影响，不会出现串气异常。

如图8所示，是本实施例所例举的出现串气现象时的多站式沉积工艺中，各个站位上所供给的工艺气体随时间变化关系示意图。由于多站式沉积工艺中各个站位间的气压平衡极易被打破从而造成串气，因而在工艺气体供给相关的工艺菜单的调试过程中，需要重点关注是否会因为调整了气体供给设置而导致的串气异常。具体地，在图8中，为了改善沉积工艺条件，对第一站位STN1与其他站位STN2-4的气体冲洗时间进行了调整，将其改为了8.0s和8.0s。然而，从图8中可以看出，在改变了冲洗(purge)时间后，后续WF₆供给的起始时刻出现了错位，并在多个循环的累积后愈加显著。在图8中粗线黑框所标示的位置处，在同一时刻，第一站位STN1与其他站位STN2-4处分别供给了不同的工艺气体。例如，时刻靠前的两个黑框分别标示了第一站位STN1供给了NH₃气体而其他站位STN2-4供给了B₂H₆气体，时刻靠后的两个黑框分别标示了第一站位STN1供给了WF₆气体而其他站位STN2-4供给了NH₃气体。这将严重影响各个站位间的供气气压平衡，进而造成异常串气现象。因此，通过对沉积工艺过程中，各个工艺气体供给流量的检测和分析，可以判断出该沉积工艺过程是否具有出现异常串气的风险。

需要指出的是，上述仅是工艺气体流量检测的一例，针对B₂H₆、WF₆和NH₃的流量进行检测。除此之外，本发明还可以对其他参与工艺的气体流量变化进行检测。例如，如图9所示，是惰性气体氩气(Ar)的流量随时间变化的关系示意图。在薄膜沉积工艺中，氩气可以作为WF₆等工艺气体的载气进行供给。在图9中可以看出，原本在工艺过程中持续平稳供给的两路氩气ArY和ArE的流量在某一时间段发生突变下降，这表明在该时间段内，工艺气体的气压平衡遭到破坏，揭示了该时刻腔室内部各个站位之间出现了串气异常。

在步骤4)中，请参阅图1的S4，根据所述薄膜均匀性检测和所述供气流量检测的结果判断所述多站式沉积工艺的过程中是否出现串气。综合步骤2)中的薄膜均匀性检测结果和步骤3)中的供气流量检测结果，相互验证，可以准确判断出所述多站式沉积工艺的过程中是否出现串气，也可以排除其他工艺异常所造成的影响。例如，步骤2)中的薄膜均匀性检测结果虽然显示在邻近区内的薄膜均匀性不佳，但在步骤3)中的供气流量检测中显示各个工艺气体间的供给流量并无相互影响的异常。此时，工艺维护人员可以籍此判断薄膜均匀性不佳未必是由于串气现象造成的，并结合其他技术分析手段对异常来源作进一步调查。另一方面，如果步骤2)中的薄膜均匀性检测无异常，但步骤3)中的供气流量检测中显示各个工艺气体间的供给流量存在相互影响的风险，则表明当前工艺虽然没有出现串气或因串气导致的均匀性问题，但为了确保工艺稳定性，工艺维护人员还有必要对工艺过程进行进一步的监控和优化。

还需要指出的是，本实施例仅是为了清楚阐述所述串气检测方法，对步骤2)的薄膜均匀性检测和步骤3)的供气流量检测进行了标号排序。然而，本发明并不限定上述两个步骤的先后顺序，在本发明的其他实施方案中，也可以先进行供气流量检测，而后进行薄膜均匀性检测，或者两者可以同时实施。

实施例二

本实施例提供了一种多站式沉积工艺的串气检测设备，其特征在于：包括：

薄膜均匀性检测模块，用于对完成多站式沉积工艺的晶圆表面沉积的薄膜进行薄膜均匀性检测；

供气流量检测模块，用于对所述多站式沉积工艺中所供给的工艺气体进行供气流量检测；

控制器，用于根据所述薄膜均匀性检测和所述供气流量检测的结果判断所述多站式沉积工艺的过程中是否出现串气；所述控制器包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，所述计算机程序被所述处理器执行实施例一中所述的串气检测方法。

基于本实施例所述的多站式沉积工艺的串气检测设备，可以执行实施例一中所述的串气检测方法。可选地，本实施例中所提供的所述串气检测装置可以全部或部分地集成于现有的多站式沉积设备中，以节省厂区占地并精简制品作业流程。

作为示例，所述薄膜均匀性检测模块包括用于检测所述薄膜的厚度均匀性的膜厚检测单元。具体地，所述膜厚检测单元包括用于量测晶圆面内薄膜厚度的膜厚量测仪，对于二氧化硅、氮化硅等电介质薄膜，以及铝、钨等金属薄膜的膜厚进行量测。

作为示例，所述薄膜包括金属薄膜，所述薄膜均匀性检测模块包括用于检测所述薄膜的方块电阻均匀性的方块电阻检测单元。具体地，所述方块电阻检测单元包括四探针测试仪等可以量测薄膜方块电阻的装置。

作为示例，所述薄膜均匀性检测模块包括晶圆分区单元，所述晶圆分区比对单元将在进行所述多站式沉积工艺时任意一站位的所述晶圆按照与其他站位上的所述晶圆的距离远近划分为邻近区和非邻近区，并分别得出所述邻近区和所述非邻近区的所述薄膜均匀性检测的结果。如图1和图4所示，是实施例一中所划分出的所述邻近区101a，其是所述晶圆101在沉积工艺过程中靠近其他站位的区域部分。所述控制器根据薄膜均匀性检测数据判断所述多站式沉积工艺的过程中是否出现串气。例如，所述邻近区与所述非邻近区的检测数据均值的差值超出了规格设定值，则判定薄膜均匀性检测结果异常，所述多站式沉积工艺的过程中可能出现串气。

作为示例，所述工艺气体为多种，所述供气流量检测模块包括多个流量检测单元，多个所述流量检测单元一一对应于多种所述工艺气体并检测所述工艺气体随时间变化的流量。具体地，所述流量检测单元包括质量流量控制装置(MFC)，其设置于供给工艺气体的各个管路上，对流经所述管路的气体流量进行控制和量测。所述供气流量检测模块通过所述流量检测单元对气体流量的检测，获得各路气体流量随时间变化的数据。所述控制器根据供气流量检测数据判断所述多站式沉积工艺的过程中是否出现串气。例如，当多路工艺气体在某一时刻出现在不同站位供给不同种类工艺气体的情况，则判定供气流量检测结果异常，所述多站式沉积工艺的过程中可能出现串气。进一步地，根据实施例一步骤4)中所述的判断标准，所述控制器综合比较薄膜均匀性检测的结果和供气流量检测的结果，给出工艺处理建议，并在确定存在串气时及时发出报警通知相关人员。

作为示例，所述控制器包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，所述计算机程序被所述处理器执行实施例一中所述的串气检测方法。所述处理器和所述存储器可以通过总线或者其他方式通过通信接口相互连接。具体地，所述处理器可以是任意类型可用的具有信息处理功能的器件，如中央处理器或数字信号处理器等，用于实现如实施例一所述的存储器编程方法；所述存储器连接所述处理器，可以是各种可用的存储介质，用于存储所述处理器可执行的指令。

实施例三

本实施例提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于：所述计算机程序被处理器执行时实现如实施例一中所述的多站式沉积工艺的串气检测方法。

作为示例，领域技术人员可以理解，实现上述实施例方法中的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的程序可存储于一计算机可读取存储介质中该程序在执行时，可包括如上述各方法的实施例的流程。其中，所述存储介质可为磁碟、光盘、只读存储记忆体(Read-Only Memory,ROM)、随机存储记忆体(Random AccessMemory,RAM)、快闪存储器(Flash Memory)、硬盘(Hard Disk Drive,HDD)或固态硬盘(Solid-State Drive,SSD)等；所述存储介质还可以包括上述种类的存储器的组合。

综上所述，本发明提供了一种多站式沉积工艺的串气检测方法、设备及可读存储介质，所述多站式沉积工艺的串气检测方法包括如下步骤：提供一多站式沉积设备，通过所述多站式沉积设备对多枚晶圆进行所述多站式沉积工艺，所述多站式沉积设备具有位于同一腔室中的多个用于容纳多枚所述晶圆进行多站式沉积工艺的站位；对完成所述多站式沉积工艺的所述晶圆表面沉积的薄膜进行薄膜均匀性检测；对所述多站式沉积工艺中所供给的工艺气体进行供气流量检测；根据所述薄膜均匀性检测和所述供气流量检测的结果判断所述多站式沉积工艺的过程中是否出现串气。本发明通过引入一种新的多站式沉积工艺的串气检测方法、设备及可读存储介质，通过进行薄膜均匀性检测及供气流量检测，及时发现多站式沉积工艺过程中出现的串气，从而确保了薄膜沉积质量以及产品良率。

上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。