阅读说明：本技术 图案化装置 (Patterning device ) 是由 M·A·范德凯克霍夫 L·C·德温特 E·范塞腾 于 2018-05-02 设计创作，主要内容包括：一种用于与光刻设备一起使用的图案化装置,该装置包括：被配置为吸收入射辐射并且反射部分入射辐射的吸收器部分,吸收器部分包括第一层和第二层,吸收器部分的第一层包括第一材料,该第一材料与吸收器部分的第二层的第二材料不同；被布置在吸收器部分下方的反射器部分,反射器部分被配置为反射入射辐射；以及被布置在反射器部分与吸收器部分之间的相位调谐部分,相位调谐部分被配置为在由反射器部分反射的辐射与由吸收器部分反射的部分辐射之间引起相移,使得由反射器部分反射的辐射与由吸收器部分反射的部分辐射相消干涉。(A patterning device for use with a lithographic apparatus, the device comprising: an absorber portion configured to absorb incident radiation and reflect a portion of the incident radiation, the absorber portion comprising a first layer and a second layer, the first layer of the absorber portion comprising a first material that is different from a second material of the second layer of the absorber portion; a reflector portion disposed below the absorber portion, the reflector portion configured to reflect incident radiation; and a phase tuning portion disposed between the reflector portion and the absorber portion, the phase tuning portion configured to induce a phase shift between radiation reflected by the reflector portion and a portion of the radiation reflected by the absorber portion such that the radiation reflected by the reflector portion destructively interferes with the portion of the radiation reflected by the absorber portion.)

图案化装置

相关申请的交叉引用

本申请要求于2017年6月1日提交的欧洲专利申请No.17173891.7的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本发明涉及一种用于与光刻设备一起使用的图案化装置以及该图案化装置的制造方法。

背景技术

光刻设备是一种被构造为将期望图案施加到衬底上的机器。光刻设备可以被用于例如集成电路(IC)的制造中。光刻设备可以例如将图案从图案化装置(例如，掩模)投射到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。

光刻设备用来将图案投射到衬底上的辐射的波长决定了可以在该衬底上形成的特征的最小尺寸。使用EUV辐射(波长在4-20nm范围内的电磁辐射)的光刻设备可以被用于在衬底上形成比传统光刻设备(例如，可以使用波长为193nm的电磁辐射)更小的特征。

图案化装置可以以二元掩模的形式而被提供，其包括在顶部具有反射部分和吸收部分的衬底。吸收部分可以包括约60至70nm的厚度。吸收部分的这种厚度对于光刻设备的性能可能是有问题的。相对于吸收部分的厚度，要被成像的特征的尺寸可能较小，这可能导致复杂的三维衍射或阴影效应。例如，由于EUV辐射在图案化装置上的入射角(可能是非零的)，因此可以在衬底上观察到水平线和竖直线的很大差异，即所谓的H-V差异。另外，吸收部分可以将非远心性引入到由图案化装置投射的辐射。

发明内容

根据本发明的第一方面，提供了一种用于与光刻设备一起使用的图案化装置，该装置包括：被配置为吸收入射辐射并且反射部分入射辐射的吸收器部分，吸收器部分包括第一层和第二层，吸收器部分的第一层包括第一材料，该第一材料与吸收器部分的第二层的第二材料不同；被布置在吸收器部分下方的反射器部分，反射器部分被配置为反射入射辐射；以及被布置在反射器部分与吸收器部分之间的相位调谐部分，相位调谐部分被配置为在由反射器部分反射的辐射与由吸收器部分反射的部分辐射之间引起相移，使得由反射器部分反射的辐射与由吸收器部分反射的部分辐射相消干涉。

通过为吸收器部分提供包括与第二层的第二材料不同的第一材料的第一层，吸收器部分的反射率可以被改变。这允许吸收器部分的厚度相对于包括单个材料的吸收器部分减小。

相位调谐部分可以包括被选择为使得由相位调谐部分引起的相移可以在由反射器部分反射的辐射与由吸收器部分反射的部分辐射之间引起相消干涉的材料和/或厚度。

第一材料可以包括与第二材料的一个或多个特性不同的一个或多个光学特性。

第一材料和第二材料可以被选择为使得吸收器部分的反射率可以低于反射器部分的反射率。

第一材料和第二材料可以被选择为使得吸收器部分可以包括在约1％至20％的范围内的反射率。

第一材料和第二材料可以被选择为使得吸收器部分的厚度可以等于或小于25nm或30nm。通过选择第一材料和第二材料使得吸收器部分的厚度可以等于或小于25nm或30nm，阴影效应或非远心性效应可以被减小，这可以提高光刻设备的性能。

吸收器部分可以包括多个第一层和/或多个第二层。

多个第一层中的第一层/每个第一层可以与多个第二层中的第二层/每个第二层交替地布置。

第一层/每个第一层和第二层/每个第二层可以被布置为使得由吸收器部分反射的部分辐射可以是同相的，例如，基本上是同相的，或者包括单个相位。

第一层/每个第一层的第一材料的折射率和/或吸收系数可以高于第二层/每个第二层的第二材料的折射率和/或吸收系数。

第一层和第二层的数目可以被选择以提供吸收器部分的预定反射率。

第一材料和第二材料和/或第一层的厚度与第二层的厚度的比率可以被选择以提供预定反射率。

相位调谐部分的材料可以与第一层/每个第一层的第一材料或第二层/每个第二层的第二材料或反射器部分的材料相同。这可以促进图案化装置的制造。

相位调谐部分的材料可以与第一层/每个第一层的第一材料和/或第二层/每个第二层的第二材料不同。

吸收器可以包括第三层和第四层。

第三层或第四层中的一者可以被布置在第一层或第二层中的一者上。第三层或第四层中的另一者可以被布置在第三层或第四层中的上述一者上，该第三层或第四层中的上述一者被布置在第一层或第二层中的上述一者上的。

第一层和/或第四层可以包括银、钽、氮化钽和镍中的至少一者。

第二层和/或第三层可以包括铝和硅中的至少一者。

如上所述，通过向吸收器部分提供第三层和/或第四层，图案化装置的一种或多种特性，例如，吸收器部分，可以被调节。例如，吸收器部分的第三层和/或第四层的提供可以改善在光刻设备的辐射和/或氢环境施加在图案化装置上的负荷下图案化装置的稳定性/性能。第三层和/或第四层的提供可以促进图案化装置的清洁和/或检查，例如深紫外线检查。

相位调谐部分可以包括钌、硅和钼中的至少一者。

吸收器部分可以被布置在相位调谐部分和/或反射器部分上，以形成要通过光刻设备而被投射在衬底上的图案。

图案化装置可以被提供用于与包括波长为约13.5nm或约6.7nm的辐射一起使用。

根据本发明的第二方面，提供了一种制造用于与光刻设备一起使用的图案化装置的方法，该方法包括：形成反射器部分，反射器部分被配置为反射入射辐射；形成吸收器部分，吸收器部分被配置为吸收入射辐射并且反射部分入射辐射，其中反射器部分被形成在吸收器部分下方，吸收器部分包括第一层和第二层，第一层包括第一材料，该第一材料与第二层的第二材料不同；以及在反射器部分与吸收器部分之间形成相位调谐部分，相位调谐部分被配置为在由反射器部分反射的辐射与由吸收器部分反射的部分辐射之间引起相移，使得由反射器部分反射的辐射与由吸收器部分反射的部分辐射相消干涉。

根据本发明的第三方面，提供了一种根据第一方面的图案化装置与光刻设备的结合使用。

根据本发明的第四方面，提供了一种方法，该方法包括将图案化辐射束投射到衬底上，其中辐射束由根据第一方面的图案化装置图案化。

上面或下面阐述的本发明的各个方面和特征可以与本领域技术人员将很清楚的本发明的各个其他方面和特征组合。

附图说明

现在将仅通过示例的方式，参考所附的示意图来描述本发明的实施例，在附图中：

-图1描绘了根据本发明的实施例的包括光刻设备和图案化装置的光刻系统；

-图2示意性地描绘了根据本发明的实施例的图案化装置；

-图3描绘了根据本发明的实施例的图案化装置的吸收器部分的反射率的图；

-图4描绘了根据本发明的实施例的图案化装置的吸收器部分的反射率的曲线图；

-图5描绘了根据本发明的另一实施例的图案化装置的吸收器部分的反射率的曲线图；

-图6描绘了根据本发明的另一实施例的图案化装置的吸收器部分的反射率的曲线图；

-图7示意性地描绘了根据本发明的实施例的图案化装置；以及

-图8描绘了根据本发明的实施例的制造图案化装置的方法的流程图。

具体实施方式

图1示出了根据本发明的一个实施例的包括图案化装置MA的光刻系统。光刻系统包括辐射源SO和光刻设备LA。辐射源SO被配置为生成极紫外(EUV)辐射束B。光刻设备LA包括照射系统IL、被配置为支撑图案化装置MA的支撑结构MT、投射系统PS和被配置为支撑衬底W的衬底台WT。照射系统IL被配置为在辐射束B被入射到图案化装置MA上之前对辐射束B进行调节。投射系统被配置为将辐射束B(现在已经由掩模MA图案化)投射到衬底W上。衬底W可以包括先前形成的图案。在这种情况下，光刻设备将图案化辐射束B与先前形成在衬底W上的图案对准。

辐射源SO、照射系统IL和投射系统PS都可以被构造和布置为使得它们可以与外部环境隔离。可以在辐射源SO中提供处于低于大气压的压力的气体(例如，氢气)。可以在照射系统IL和/或投射系统PS中提供真空。可以在照射系统IL和/或投射系统PS中提供处于远低于大气压的压力的少量气体(例如，氢气)。

图1所示的辐射源SO是可以被称为激光产生等离子体(LPP)源的类型。激光器1(例如可以是CO₂激光器)被布置以经由激光束2将能量沉积到诸如从燃料发射器3提供的锡(Sn)等燃料中。尽管在下面的描述中提及锡，但是可以使用任何合适的燃料。燃料可以例如是液体形式，并且可以例如是金属或合金。燃料发射器3可以包括被配置为沿着朝向等离子体形成区域4的轨迹引导锡的喷嘴，例如，为液滴的形式。激光束2在等离子体形成区域4处入射到锡上。激光能量在锡中的沉积在等离子体形成区域4处产生等离子体7。在等离子体的离子的去激励和复合期间，辐射，包括EUV辐射，被从等离子体7发射。

EUV辐射被接近垂直入射辐射收集器5(有时更一般地被称为垂直入射辐射收集器)收集和聚焦。收集器5可以具有多层结构，该多层结构被布置以反射EUV辐射(例如，具有诸如13.5nm等期望波长的EUV辐射)。收集器5可以具有椭圆形构造，其具有两个椭圆焦点。如下所述，第一焦点可以在等离子体形成区域4处，并且第二焦点可以在中间焦点6处。

激光器1可以远离辐射源SO。在这种情况下，借助于光束传输系统(未示出)，激光束2可以从激光器1被传递到辐射源SO，该光束传输系统包括，例如，合适的导向镜和/或扩束器、和/或其他光学器件。激光器1和辐射源SO可以一起被认为是辐射系统。

由收集器5反射的辐射形成辐射束B。辐射束B在点6处聚焦以形成等离子体形成区域4的图像，该等离子体形成区域4用作照射系统IL的虚拟辐射源。辐射束B被聚焦的点6可以被称为中间聚焦。辐射源SO被布置为使得中间焦点6位于辐射源的封闭结构9中的开口8处或附近。

辐射束B从辐射源SO进入照射系统IL，该照射系统IL被配置为调节辐射束。照射系统IL可以包括多面场镜装置10和多面瞳孔镜装置11。多面场镜装置10和多面瞳孔镜装置11一起为辐射束B提供期望的横截面形状和期望的角强度发布。辐射束B从照射系统IL穿过并且被入射到由支撑结构MT保持的图案化装置MA上。图案化装置MA反射并且图案化辐射束B。除了或代替多面场镜装置10和多面瞳孔镜装置11，照射系统IL可以包括其他镜或装置。

在从图案化装置MA反射之后，图案化辐射束B进入投射系统PS。投射系统包括被配置为将辐射束B投射到由衬底台WT保持的衬底W上的多个镜13、14。投射系统PS可以将减小因子应用于辐射束，从而形成具有比图案化装置MA上的相应特征小的特征的图像。例如，可以应用为4的减小因子。尽管在图1中投射系统PS具有两个镜，但是投射系统可以包括任何数目的镜(例如，六个镜)。

图1中所示的辐射源SO可以包括未被示出的组件。例如，可以在辐射源中设置光谱滤光器。光谱滤光器对于EUV辐射可以是基本透射的，但是对于诸如红外辐射等其他波长的辐射可以是基本阻挡的。

图2示意性地描绘了根据本发明的实施例的用于与光刻设备一起使用的图案化装置MA。图案化装置MA可以以掩模MA的形式提供，例如EUV掩模。掩模MA包括被配置为吸收入射辐射B并且反射部分入射辐射的吸收器部分16。掩模MA包括被布置在吸收器部分16下方的反射器部分18。反射器部分18被配置为反射入射辐射。掩模MA可以包括被布置在反射器部分18与吸收器部分16之间的相位调谐部分20。然后，相位调谐部分20被配置为在由反射器部分18反射的辐射与由吸收器部分16反射的部分辐射之间引起相移，使得由反射器部分18反射的辐射与由吸收器部分16反射的部分辐射相消干涉。相位调谐部分20的提供可以允许吸收器部分20的厚度的减小。这进而可以减少阴影效应和/或非远心效应。

术语“辐射”可以被认为包括辐射束的至少一部分或全部。术语“辐射”可以与术语“辐射束”互换使用。

由相位调谐部分引起的相移可以是或包括180°相移。由反射器部分18反射的辐射可以例如在与由吸收器部分16反射的部分辐射相消干涉之前穿过相位调谐部分20和吸收器部分16。

反射器部分18可以包括多层结构。反射器部分18可以包括多个层。反射器部分可以包括多对层18a。每对层18a包括具有第一材料的第一层18b和具有第二材料的第二层18c。第一层18b的第一材料可以不同于第二层18c的第二材料。第一材料可以包括与第二材料的一个或多个特性不同的一个或多个光学特性。例如，第一材料可以包括低于第二材料的折射率和/或吸收系数的折射率和/或吸收系数。第一材料可以被认为包括低于第二材料的光阻抗的光阻抗。通过向反射器部分提供包括与第二层的第二材料不同的第一材料的第一层，反射器部分的反射率可以被改变。成对的层18a被布置在彼此之上，使得第一层18b和第二层18c被交替布置。第一材料可以包括硅和/或铍。第二材料可以包括钼和/或钌。在其中第一材料包括硅并且第二材料包括钼的实施例中，反射器部分18可以包括约为70％的反射率。

反射器部分18可以被布置在衬底22上，衬底22可以包括玻璃衬底。

相位调谐部分20可以包括被选择为使得由相位调谐部分引起的相移在由反射器部分18反射的辐射与由吸收器部分16反射的部分辐射之间引起相消干涉的材料。相位调谐部分20可以包括硅。应当理解，本文中公开的相位调谐部分不限于包括硅，并且在其他实施例中，可以使用一种或多种其他材料。例如，在其他实施例中，相位调谐部分可以包括钼和/或钌。

掩模MA可以包括保护层21。保护层21可以被认为是中性层。换言之，保护层21可以允许改变或更改反射器部分18的层(例如，第一层18b和第二层18c)的顺序、和/或吸收器部分16的一个或多个层的顺序(将在下面描述)。这可以允许调谐或更改由反射器部分18反射的辐射与由吸收器部分16反射的部分辐射之间的相位，例如使得由反射器部分18反射的辐射与由吸收器部分16反射的部分辐射相消干涉。保护层21可以被布置在反射器部分18上，诸如在反射部分18与相位调谐部分20之间。保护层可以被认为是反射器部分18的覆盖层。保护层21可以包括化学稳定的材料。例如，保护层21可以包括钌。

保护层21可以被认为是相位调谐部分20的一部分。例如，保护层21可以包括被选择为使得由相位调谐部分20引起的相移在由反射器部分18反射的辐射与由吸收器部分16反射的部分辐射之间引起相消干涉的材料。换言之，当选择相位调谐部分20的材料时，可以考虑保护层21的一种或多种光学特征。

尽管图2描绘了保护层21被布置在反射器部分18与相位调谐部分20之间，但是应当理解，在其他实施例中，保护层可以限定或包括相位调谐部分。换言之，保护层可以被配置为在由反射器部分反射的辐射与由吸收器部分反射的部分辐射之间引起相移，使得由反射器部分反射的辐射与由吸收器部分反射的部分辐射相消干涉。与其中除了保护层还提供相位调谐部分的示例中的保护层的厚度相比，在其中保护层包括钌的示例中，保护层的厚度可以增加。

相位调谐部分20可以包括被选择为使得由相位调谐部分20引起的相移在由反射器部分18反射的辐射与由吸收器部分16反射的部分辐射之间引起相消干涉的厚度A。在其中掩模MA包括相位调谐部分20和保护层21的实施例中，相位调谐部分20的厚度可以在约2nm至5nm的范围内。保护层21可以包括约为2至5nm的厚度。在约2至5nm的厚度下，保护层21的吸收率可以被认为是减少的、低的或可忽略的。应当理解，本文中公开的保护层不限于包括约2nm至5nm的厚度，并且在其他实施例中，保护层可以包括大于或小于2nm至5nm的厚度。例如，在其中保护层限定相位调谐部分的实施例中，保护层21的厚度可以大于2nm至5nm。

吸收器部分16可以包括多层吸收器。例如，吸收器部分16包括第一层16a和第二层16b。吸收器部分的第一层16a包括与第二层16b的第二材料不同的第一材料。第一材料可以包括与第二材料的一个或多个特性不同的一个或多个光学特性。例如，第一材料可以包括高于第二材料的折射率和/或吸收系数的折射率和/或吸收系数。第一材料可以被认为包括高于第二材料的光阻抗的光阻抗。通过向吸收器部分提供包括与第二层的第二材料不同的第一材料的第一层，吸收器部分的反射率可以被改变。另外，吸收器部分的厚度可以相对于包括单个材料的吸收器部分而被减小。

第一材料和第二材料可以被选择为使得吸收器部分的反射率低于反射器部分的反射率。例如，第一材料和第二材料可以被选择为使得吸收器部分的反射率是反射器部分的反射率的分数，诸如明确定义的分数。第一材料和第二材料可以被选择为使得吸收器部分16包括在约1％至20％(例如，5％至15％)的范围内的反射率。第一材料和第二材料可以基于第一材料和第二材料的一个或多个光学特性而被选择。例如，第一材料和第二材料可以被选择为使得在第一层16a与第二层16b之间存在光学对比度或差异。第一材料与第二材料之间的光学对比度或差异也可以确定吸收器部分16的反射率。例如，第一材料和第二材料可以被选择为使得在第一材料和第二材料的折射率(例如，折射率的实部和/或虚部)之间存在差异。

第一层16a和第二层16b的第一材料和第二材料的选择可以允许吸收器部分16的反射率被改变或调谐，如将在下面解释的。第一材料和第二材料可以被选择为使得吸收器部分16的厚度等于或小于25nm或30nm。例如，第一材料和第二材料可以被选择为使得吸收器部分的厚度在约10nm至25nm的范围内，而吸收器部分的所得到的反射率在1％至20％的范围内。通过提供具有厚度等于或小于25nm或小于30nm的吸收器部分的掩模，阴影效应或非远心性效应可以被减小，这可以提高光刻设备的性能。

如图2所示，吸收器部分16可以包括多个第一层16a和多个第二层16b。多个第一层中的每个第一层与多个第二层中的每个第二层16b被交替布置。第一层16a和第二层16b/每个第一层16a和第二层16b可以形成一对层16c。在图2所示的实施例中，四对层16c被彼此叠置。应当理解，在其他实施例中，吸收器部分16可以包括多于或少于四对层。例如，如将在下面解释的，层对的数目可以被减少或增加以改变或调谐吸收器部分16的反射率。

第一层16a/每个第一层16a和第二层/每个第二层16b可以被布置为使得由吸收器部分16反射的部分辐射同相或包括单个相位。第一层的厚度和第二层的厚度之和可以对应于辐射的波长λ的约一半的N倍(例如，λ/2*N，其中N＝1、2、3……)。例如，在其中辐射包括13.5nm的波长λ的实施例中，第一层16a和第二层16b的厚度之和可以为约7nm或7nm的N倍(例如，7nm*N)。应当理解，在其他实施例中，辐射可以包括约6.7nm的波长。在这样的实施例中，第一层和第二层的厚度之和可以为约3nm或3nm的N倍(例如，3nm*N)。应当理解，第一层和第二层中的每一者或两者的确切厚度可以取决于相移，该相移在第一层和第二层之间的界面处被引入到辐射中。

第一层16a/每个第一层16a和第二层16b/每个第二层16b可以被布置为使得由吸收器部分16反射的部分辐射至少在第一层16a/每个第一层16a和第二层16b/每个第二层16b之间的界面处被反射。其余的入射辐射可以由吸收器部分16吸收。吸收器部分16可以被配置为包括约85％至95％(例如，约98％)的吸收率。在图2所示的实施例中，第一层16a的第一材料包括银，第二层16b的第二材料包括铝。在图2的实施例中，包括第二材料的第二层16b被布置在相位调谐部分20上，随后是包括第一材料的第一层16a。应当理解，在其他实施例中，包括第一材料的第一层可以被布置在相位调谐部分上。

图3描绘了取决于相位调谐部分20(在该实施例中包括硅)的厚度和第一层16a的厚度与第二层16b的厚度之间的比率的吸收器部分16的模拟反射率的图。对于其中第一层16a的第一材料包括银并且第二层16b的第二材料包括铝的吸收器部分，吸收器部分16的反射率被获取。从图3可以看出，通过增加第一层16a相对于第二层16b的厚度的厚度，吸收器部分16的反射率减小，和/或通过减小第一层16a相对于第二层16b的厚度的厚度，吸收器部分16的反射率增加。这可能是由于第一层16a的材料的吸收系数高于第二层16b的材料。然而，应当理解，第一层的材料不限于具有比第二层的材料更高的吸收系数。例如，应当理解，第一层的厚度相对于第二层的厚度的增加或减小可以引起第一层的吸收率相对于第二层的吸收率的增加或减小。

相位调谐部分20的厚度的变化引起吸收器部分的反射率的变化。例如，如图3中所示，相位调谐部分20的厚度的增加可以导致吸收器部分16的反射率的增加。代替或除了改变第一层16a和/或第二层16b的厚度，可以改变相位调谐部分20的厚度。通过改变吸收器部分16的第一层16a和/或第二层16b的厚度和/或相位调谐部分20的厚度，可以调谐或改变吸收器部分16的反射率。例如，吸收器部分16的第一层16a和/或第二层16b的厚度和/或相位调谐部分20的厚度可以被选择以提供吸收器部分16的预定或期望的反射率。换言之，第一材料的厚度与第二材料的厚度的比率可以被选择以提供预定的或期望的反射率。

图4描绘了依赖于第一层16a或第二层16b的厚度关于图3描绘的吸收器部分16的模拟反射率的曲线图。图4所示的每条线对应于相位调谐部分20的配置，例如，相位调谐部分20的厚度。在图4中所示的曲线图中，相位调谐部分20的厚度在约0nm至5nm之间变化。通过减小第一层16a的厚度或第二层16b的厚度，吸收器部分16的反射率增加，而第一层16a的厚度或第二层16b的厚度增加引起吸收器部分16的反射率的减小。如上所述，第一层16a的厚度或第二层16b的厚度的减小或增加可以引起第一层16a或第二层16b的吸收率相对减小或增加。例如，在其中吸收器部分16包括两对层16c的实施例中，每个第一层16a包括银，每个第二层16b包括铝，并且第一层和第二层中的每个具有约3.5nm的厚度，吸收器部分16的反射率约为10％。在该实施例中，吸收器部分16的厚度约为14nm，而相位调谐部分20的厚度约为5nm。

应当理解，第一层16a和第二层16b的数目(例如，层对16c的数目)可以被改变以调谐或改变吸收器部分16的反射率。图5描绘了取决于第一层16a或第二层16b的厚度的吸收器部分16的模拟反射率的另一曲线图。在图5中，描绘了类似于上面关于图3所述的吸收器部分的模拟反射率。但是，图5描绘了包括三对层16c(例如，三个第一层16a和三个第二层16b)的吸收器部分16的模拟反射率。从图5可以看出，与包括两对层16c的吸收器部分16相比，包括三对层16c的吸收器部分16，吸收器部分16的反射率减小。例如，在第一层16a或第二层16a的厚度为3.5nm时，吸收器部分16的反射率减小至几乎为0％。第一层16a和第二层16b的数目可以被选择以提供吸收器部分16的预定或期望的反射率。

图6描绘了取决于第一层16a或第二层16b的厚度的吸收器部分16的模拟反射率的另一曲线图。在图6中，描绘了类似于上面关于图4所述的吸收器部分的模拟反射率。但是，第一层16a的厚度与第二层16b的厚度之比约为1：2。换言之，第二层16b的厚度约为第一层16a的厚度的两倍。从图6中可以看出，第二层16b厚度的增加引起吸收器部分16的反射率的增加。例如，在第一层16a或第二层16b的厚度为3.5nm时，吸收器部分的反射率大于10％。

图3至6涉及包括银作为第一层16a的第一材料和铝作为第二层16b的第二材料的吸收器部分16的实施例。应当理解，本文所述的吸收器部分不限于包括包括银的第一层和包括铝的第二层。第一层和第二层的第一材料和第二材料可以被选择以提供预定的或期望的反射率，例如约5％至15％的预定的或期望的反射率。例如，在其他实施例中，第一层的第一材料包括钽或氮化钽，和/或第二层的第二材料可以包括硅。钽、氮化钽和/或硅包括小于银的吸收系数的吸收系数。通过提供钽或氮化钽作为第一层的第一材料和/或硅作为第二层的第二材料，吸收器部分的反射率可以相对于包括银作为第一层的第一材料和铝作为第二层的第二材料的吸收器部分增加。包含钽或氮化钽作为第一层16a的第一材料和/或硅作为第二层16b的第二材料的吸收器部分16的反射率可以大于2％且小于20％。可以通过改变第一层16a和第二层16b的对16c的数目和/或第一层16a相对于第二层16b的厚度的厚度，吸收器部分16的反射率可以被改变。

图7描绘了用于与光刻设备一起使用的掩模MA的另一实施例。

图7中所示的掩模MA类似于图2中所示的掩模。在图7所示的实施例中，第一层16a的第一材料可以包括银，第二层16b的第二材料可以包括硅。在图7所示的实施例中，第一层16a被布置在相位调谐部分20上，随后是第二层16b。

在图7所描绘的实施例中，吸收器部分16还包括第三层16d和第四层16e。第三层16d和第四层16e可以各自包括与第一层16a的第一材料和第二层16b的第二材料不同的材料。例如，第三层16d的第三材料可以包括铝，并且第四层16e的第四材料可以包括氮化钽。在图7所描绘的实施例中，第三层16d被布置在第一层16a上，并且第四层16e被布置在第三层16d上。应当理解，本文中公开的吸收器部分不限于第三层和第四层的这种布置。例如，在其他实施例中，第四层可以被布置在第一层上，或者第三层和第四层一个可以被布置在第二层上，而第三层和第四层中的另一个被布置在被布置在第二层上的第三层和第四层中的一个上。通过向吸收器部分16提供第三层和/或第四层，图案化装置的一个或多个特性，例如，吸收器部分，可以被调节。例如，吸收器部分的第三层和/或第四层的提供可以改善在由光刻设备的辐射和/或氢环境施加在掩模上的负荷下掩模的稳定性/性能。第三层和/或第四层的提供可以促进掩模的清洁和/或检查，例如深紫外线检查。

图8描绘了图2或7所描绘的掩模MA的制造方法的流程图。该方法包括形成反射器部分18(步骤1005)。如上所述，反射器部分18被配置为反射入射辐射B。该方法包括形成吸收器部分16。吸收器部分16被配置为吸收入射辐射B并且反射部分入射辐射B(步骤1010)。反射器部分18被形成在吸收器部分16下方。如上所述，吸收器部分16包括第一层16a和第二层16b。吸收器部分的第一层16a包括与第二层16b的第二材料不同的第一材料。吸收器部分16可以被形成为多层吸收器部分。该方法包括在反射器部分与吸收器部分之间形成相位调谐部分20(步骤1015)。相位调谐部分20被配置为在由反射器部分18反射的辐射与由吸收器部分16反射的部分辐射之间引起相移，使得由反射器部分18反射的辐射与由吸收器部分16反射的部分辐射相消干涉。

反射器部分18可以被形成在诸如玻璃衬底等衬底上。吸收器部分16、反射器部分18和/或相位调谐部分20可以通过诸如化学气相沉积等一种或多种沉积方法形成。

吸收器部分16可以被布置在相位调谐部分20和/或反射器部分18上。该方法可以包括在吸收器部分16中形成图案(步骤1020)。吸收器部分16中形成的图案可以通过光刻设备LA而被投射在衬底上。例如，辐射敏感材料(例如，抗蚀剂或光致抗蚀剂)可以被施加到吸收器部分16。图案可以被暴露在吸收器部分16上。可以例如通过蚀刻吸收器层16来去除吸收器部分16的暴露区域。

尽管将相位调谐部分20被描述为包括与吸收器部分16的第一层/每个第一层的第一材料和/或第二层/每个第二层的第二材料不同的材料，例如钌，但是应当理解，在其他实施例中，相位调谐部分可以包括与吸收器部分16或反射器部分18的第一层的第一材料或第二层的第二材料相同的材料。例如，可以包括钌的相位调谐部分20的第一层可以是被认为是反射器部分18的帽部分。例如，当反射器部分18的至少一个层(例如，反射层18的顶层或最后一层)的厚度增加或减小时，帽部分可以成为吸收器部分16的一部分。然后，反射器部分的至少一个层可以限定相位调谐部分20(或其至少一部分)。反射器部分的至少一个层可以包括硅。换言之，相位调谐部分可以由与盖部分相邻的一个或多个层提供。这可以促进掩模MA的制造。

尽管在本文中可以在光刻设备的上下文中具体参考本发明的实施例，但是本发明的实施例可以在其他设备中使用。本发明的实施例可以用在掩模检查设备、计量设备、或者测量或处理诸如晶片(或其他衬底)或掩模(或其他图案化装置)等物体的任何设备中。这些设备通常可以被称为光刻工具。这种光刻工具可以使用真空条件或环境(非真空)条件。

术语“EUV辐射”可以被认为包括波长在4nm-20nm范围内(例如，在13nm-14nm范围内)的电磁辐射。EUV辐射的波长可以小于10nm，例如在4nm-10nm的范围内，诸如6.7nm或6.8nm。掩模MA可以被提供以用于与EUV辐射一起使用，该EUV辐射的波长在13nm-14nm范围内，例如13.5nm，或者在4nm-10nm范围内，例如6.7nm或6.8nm。

尽管图1将辐射源SO描述为激光产生等离子体LPP源，但是可以使用任何合适的源来示出EUV辐射。例如，可以通过使用放电将燃料(例如，锡)转换成等离子体状态来产生EUV发射等离子体。这种类型的辐射源可以被称为放电产生的等离子体(DPP)源。放电可以由电源生成，该电源可以形成辐射源的一部分，或者可以是经由与辐射源SO的电连接而被连接的单独的实体。

尽管在本文中可以具体参考光刻设备在IC的制造中的使用，但是应当理解，本文所述的光刻设备可以具有其他应用。其他可能的应用包括集成光学系统的制造、用于磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等。

尽管上面已经描述了本发明的特定实施例，但是应当理解，可以以不同于所描述的方式来实践本发明。上面的描述旨在是说明性的，而不是限制性的。因此，对于本领域的技术人员将很清楚的是，可以在不脱离下面提出的权利要求的范围的情况下，对所描述的本发明进行修改。